JPS63244784A - 多重発光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、複数の発光点を有する多重発光装置に係り
、特に複数の発光点を有する光源装置を制御する為の多
重発光装置に関する。

（従来技術） 複数の発光点から夫々レーザー・ビームが発せられる半
導体装置が開発され、例えば、光デイスク装置、レーザ
ー・プリンタ装置或いは、光通信装置等の分野に用いら
れている。一般に、このような半導体装置には、１つの
チップ内に複数のレーザー・構造を組込んだ半導体レー
ザー・アレイ或いは、１つのパッケージに複数の半導体
レーザー・チップを組込んだ半導体装置がある。

（発明が解決しようとする問題点） 従来の半導体装置では、単に２つ以上のレーザー構造体
が組込まれているにすぎず、各構造体の発光が検出器で
モニターされ、モニターされた信号がフィードバックさ
れるような構成が採用されていないことから、各発光点
から発光される発光強度が安定せず、環境温度が変化し
た場合等において各発光点から発光される発光強度が変
動する問題がある。また、互いに隣接する発光点間の距
離が小さい装置では、単に各発光点に対応して光検出器
を配置したのみでは、互いに隣接する発光点からのレー
ザー・ビームが対応する光検出器以外に隣接する光検出
器に入射される虞れがあり、安定してレーザー・ビーム
の光強度を制御できない問題がある。このような問題は
、光学的情報記録再生装置の分野においては、安定して
レーザー・ビームが発生されることが要求され、また、
発光点間の間隔が極めて小さいことから、特に大きな問
題として指摘されている。

［発明の構成］ （問題を解決する手段） この発明によれば、複数の発光点を有する光源と、各発
光点に対応して設けられ、各発光点からの光ビームを検
出する複数の検知領域を有する検出手段と、この検出手
段の検知領域からの検出信号に含まれるクロストーク信
号を除去する除去回路と、及びこの除去回路から検出信
号に応じて各発光点から発光される光ビームを制御する
駆動回路とから成ることを特徴とする多重発光装置が提
供される。

（作用） 光源の複数の光源構造体から発生された光ビームが対応
する光検知領域で検出されるが、その光ビームの一部が
回り込んで対応以外の検出領域で検出されても、その信
号成分は、ノイズとして除去される為、各光源構造体は
、常に正確にしかも安定して駆動され、その結果、各光
源構造体からの光ビームも安定される。

（実施例） この発明の多重発光装置が光学的情報記録再生装置の光
ヘッドに適用された場合について説明する。明らかなよ
うに以下の説明においては、光ヘッドに組込まれる多重
発光装置の実施例について説明されるが、レーザー・プ
リンタ装置或いは、光通信装置にも適用可能なことは、
明かである。

この発明の一実施例に係る多重発光装置は、第２図に示
すような光学ヘッド５に組込まれる。第２図に示すよう
に光学ヘッド５においては、コリメータ・レンズ及び投
射レンズとしての機能を有する集束レンズ１２の光軸１
０上にこの発明の一実施例に係る多重発光装置の半導体
レーザー１１が配置され、しかも集束レンズ１２の焦点
面に半導体レーザー１１の光点が位置されている。また
、半導体レーザー１１に近接してフォーカス及びトラッ
ク検出器１４が配置され、第３図に示すようにこの半導
体レーザー１１及び検出器１４がマウント台２０に固定
されている。この半導体レーザ１１は、夫々が発光点を
有する少なくとも２つのレーザ構造１１−１．１１−２
を有し、例えば１つの半導体チップに少なくとも２つの
レーザー構造が組込まれて形成され、或いは、個別的に
レーザ構造を有する複数の半導体装置が１つのパッケー
ジに組込まれて作られる。この半導体レーザー１１から
は、発散性のレーザー・ビームｌ−ａ。

Ｌｂが発生されるが、再生モードにおいては、再生レー
ザー争ビームＬａのみが発生され、記録モードにおいて
は、記録及び消去用レーザー・ビーム１−ａ、　１−ｂ
が発生される。このレーザー・ビームｌ−ａ、ｌｂは、
集束レンズ１２を通過してコリメート・レーザー・ビー
ムに変換され、プリズム１３に入射される。このプリズ
ム１３は、集束レンズ１２の光軸１０に対して傾いたレ
ーザ・ビーム入射面１３Ａを有している為、コリメート
・レーザー・ビームＬａ、Ｌｂがレーザー・ビーム入射
面１３Ａに入射されて屈折される際に、楕円形状断面を
有するレーザー・ビームが円形状断面を有するレーザー
・ビームｌ−ａ、ｌ−ｂに変換される。

このレーザー・ビームｌａ、１．ｂには、プリズム１３
内を通ってプリズム１３の他面に形成された偏光ビーム
スブリット面１３８で反射され、１／４波長板１５を通
過して、対物レンズ１８によって光メモリ１上に集束さ
れる。

光メモリ１上に集束されたレーザー・ビームは、この光
メモリ１から反射され、反射されレーザー・ビームは、
対物レンズ１８及び１／４波長板１５を通過してプリズ
ム１３に導入され、偏光ビームスブリット面１３８に戻
される。ここで、レーザー・ビームｌａ、ｌ−ｂは、１
／４波長板１５を往復することにより偏光ビームスブリ
ット面１３３で反射された際に比べ振動方向が９０度面
回転れことから、レーザー・ビームｌ−ａ、ｌｂは、１
／４波長板１５によって直線偏光レーザー・ビームに変
換される。従って、偏光ビームスブリット面１３８に戻
されたレーザー・ビーム１．−ａ。

Ｌｂは、この偏光ビームスブリット面１３８を透過し、
偏光ビームスブリット面１３８に接合されたレーザー・
ビームＬａ、Ｌｂを分割する為のプリズム部材１９内に
導入される。

このプリズム部材１９は、第３図に示すように偏光ビー
ムスブリット面１３８に非平行で互いに傾きをもって隣
接した第１の全反射面１９Ａ及び第２の全反射面１９Ｂ
を有している。ここで、反射面１９Ａ、１９Ｂとの境界
線は、光メモリ１上でトラッキングガイドが延出される
方向あるいは光検出器１４に投影されたトラッキングガ
イドの像が延出される方向に略直角になるように定めら
れている。第１の全反射面１９Ａは、好ましくは平坦に
形成され、第２の全反射面１９Ｂは、非点収差をレーザ
ー・ビームに与える為に非球面に形成されている。この
第１の全反射面１９Ａ及び第２の全反射面１９Ｂで反射
されたレーザ・ビームｌａ、ｌ−ｂは、第１及び第２の
レーザー・ビームＬａ−１，Ｌｂ−１，Ｌａ−２，Ｌｂ
−２に分離されて異なる方向に向けられ、再び偏向ビー
ムスブリット面１３Ｓを通過して集束１２に入射される
。第１及び第２のレーザー・ビームＬａ−１゜Ｌｂ−１
，Ｌａ−２，Ｌｂ−２は、この集束レンズ１２で半導体
レーザー１１に近接して半導体レーザー１１とともにマ
ウント台２０に設けられた光検出器１４に向けられる。

光検出器１４の光感知領域１６Ａ、１６Ｂ、１７Ａ、１
７Ｂは、半導体レーザー１１の光点と同様に集束レンズ
１２の略焦点面に配置されている。反射面１９Ａで反射
されたレーザー・ビーム１ａ−４，Ｌｂ−１は、フォー
カス・エラーを検出為の一対の光感知領域１６Ａ、１６
Ｂに集束される。また、反射面１９Ｂで反射されたレー
ザー・ビームＬａ−２゜Ｌｂ−２の一方は、トラッキン
グガイドでレーザー・ビームが回折され生じる回折パタ
ーンからトラッキング・エラーを検出する為の一対の光
感知領域１７Ａ、１７Ｂに集束される。反射面１９Ｂで
反射されたレーザー・ビームＬａ−２，Ｌｂ−２の他方
は、非点収差面としての反射面１９Ｂで非点収差が与え
られることから、光デイスク１上でトラッキングガイド
が延出される方向あるいは光検出器１４に投影されたト
ラッキングガイドの像が延出される方向に対し、直角に
引き伸ばされたビーム・スポットが光感知領域１７Ａ、
１７Ｂに形成される。

対物レンズ１８が合焦状態にある場合には、第４図に示
すようにレーザ・ビーム１−ａは、光検出器１４の一対
の光感知領域１６Ａ、１６Ｂ間の光子感知領域１６Ｇに
向けられ、その光子感知領域１６Ｃ上にビーム・スポッ
トＳａ１が形成され、対物レンズが非合焦状態にある場
合には、レーザ・ビームＬａは、光検出器１４の一対の
光感知領域１６Ａ、１６Ｂのいずれかに向けられ、その
一対の光感知領域１６Ａ、１６Ｂのいずれかにビーム・
スポットＳａ１が形成される。従って、光検出器１４の
感知領域１６Ａ、１６Ｂからの信号を処理することによ
って対物レンズ１８の状態に対応したフォーカス・エラ
ー信号が発止される。ここで、光検出器１４の検出領域
１６Ｂ上に投射されたレーザー・ビームＬｂ−１によっ
て生じるビーム・スポットＳｂ１に対応する信号成分は
、同様に後段の処理回路によって処理されてフォーカス
・エラ一信号から除去される。また、対物レンズ１８が
所望のトラッキング・ガイドに向けられ、所望のトラッ
キング・ガイドが正しくレーザ・ビームで追跡されてい
る場合には、光感知領域１７Ａ。

１７Ｂ上に生じるレーザ・ビーム・ビーム１−ａ−２或
いは、Ｌｂ−２のレーザー・ビーム・スポット３ａ２或
いは、Ｓｂ２内に等しい面積の回折パターンが生じ、所
望のトラッキング・ガイドが正しくレーザー・ビームで
追跡されていない場合には、光感知領域１７Ａ、１７Ｂ
上に生じる第２及び第３のレーザー・ビーム・スポット
３ａ２或いは、Ｓｂ２内に異なる面積の回折パターンが
生じる。感知領域１７Ａ、１７Ｂからの信号を処理する
ことによって所望のトラッキング・ガイドが正しくレー
ザ・ビームで追跡されているか否かを意味するトラック
・エラー信号が発生される。

また、光検出領域１６Ａ、１６８．１７Ａ。

１７Ｂからの信号が加算されて情報が再生される。

マウント台２０は、第２図及び第４図に示すようにその
外形が矢印■の方向に回転可能に円筒形に形成され、集
束レンズ１２の光軸にマウント台２０の回転中心が一致
され、従って、半導体レーザー１１の発光点は、マウン
ト２０の回転中心に位置されている。これによりマウン
ト２０が回転されても、半導体レーザー１１から発生さ
れたレーザー・ビームは、常に一定の光軸に沿った光路
中を進行される。このマウント台２０が回転方向工に沿
って回転される場合には、焦点ぼけ検出用感知領域１６
Ａ、１６Ｂがこの方向に回転される。

焦点ぼけに応じて光感知領域１６Ａ、１６Ｂ上をビーム
・スポットが実質的にマウント台２０の円周方向に沿っ
た方向に移動されことから、光学ヘッド５の組立て調整
時には、対物レンズ１８を合焦状態に維持しながら、こ
のマウント台２０を回転して光感知領域１６Ａ、１６Ｂ
間の光年感知領域１６Ｇにビーム・スポットを形成させ
ることによって焦点検出に関する光学系を容易に調整す
ることができる。また、トラッキング・ガイド検出する
光学系の調整に関しては、対物レンズ１８が合焦状態に
維持されながら、偏光プリズム１３が傾動されてトラッ
キング・ガイド検出月光感知領域１７Ａ、１７Ｂ間の光
年感知領域１７Ｃを中心として光感知領域１７Ａ、１７
Ｂ上にトラッキング・ガイド検出用検出用のビーム・ス
ポットが形成されるように偏光プリズム１３の配置が調
整される。第５図に示すように好ましくは、マウント２
０上に焦点ぼけ検出用検知領域１６Ａ、１６Ｂ及びトラ
ッキング・ガイド検出用光検知領域１６Ａ、１６Ｂが夫
々マウント２０の半径方向に配置される。マウント２０
が回転可能であり、半導体レーザー６１の発光点がマウ
ント２０の回転中心に位置されていることから、光学系
を容易に調整することができる。なお、光学系の調整を
容易にする為に、マウント２０及び集束レンズ１２が一
体的に回転可能に１１１１（図示せず）に支持されてい
る。

第２図に示されるような光学系は、第５図に示すように
一体的にヘッド・フレームーム２８に支持されている。

検出器２４及び半導体レーザー１１が支持されたマウン
ト２０は、ヘッド・フレーム２８にねじ２７−１．２７
−２によって固定され、更にマウント２０とヘッド・フ
レーム２８とは、半導体素子の耐環性の保護の為に、ハ
ーメチック・シール２９でシールされている。第５図に
示されるヘッド構造によれば、ヘッドの小形軽量化を図
ることができる。尚、第５図に示される光学系において
は、第２図に示された集束レンズ１２が除去され、対物
レンズ１８が非球面レンズに置換えられている。

尚、上述した実施例において、プリズム１３は、集束レ
ンズ１２の光軸１０に対して傾いたレーザー・ビーム入
射面１３Ａを有している。従って、コリメート・レーザ
ー・ビームがレーザー・ビーム入射面１３Ａに入射され
て屈折される際に、楕円形状断面を有するレーザ・ビー
ムが円形状断面を有するレーザ・ビームに変換される。

また、プリズム１３の反射面で反射され、集束レンズ１
２に向けられるレーザー・ビームが屈折面としての面１
３Ａで屈折され、再び、そのビーム断面形状が変えられ
、実質的にその径が拡大される。ビーム径が拡大される
ことによって光学系の結像倍率が大きくなり、焦点ぼけ
即ち、フォーカス・エラー検出感度を向上させることが
できる。特に第２図に示されるナイフ・エツジ法を採用
した光学系においては、焦点ぼけ量に応じて偏向される
方向にレーザー・ビームが引き伸ばされることによって
焦点ぼけ量に応じて偏向されるレーザー・ビームの偏向
される感度が向上され、焦点ぼけ検出感度が向上される
。

第１図及び第６図から第９図を参照してこの発明の一実
施例に係る複数のレーザー構造を備えた半導体レーザー
を附勢する装置を説明する。半導体装置１１は、既に説
明したように第６図及び第７図に示されるようなマウン
ト台２０の半円柱ベース部２ＯＡの段部平坦面２２上に
載置固定され、この半導体レーザー１１の背面から離間
されて半円柱ベース部２ＯＡの平坦面２２上には、この
半導体レーザー１１の第１のレーザー１１−１の背面か
ら発生される再生成いは、記録レーザー・ビームをモニ
ターする為の光感知領域２４Ａ及び半導体レーザー１１
の第２のレーザー１１−２の背面から発生される消去用
レーザー・ビームをモニターする為の光感知領域２４Ｂ
を備えたモニター用光検出器２４が載置固定されている
。

半導体レーザー１１は、２つのレーザー構造を組込んだ
構造を有し、その光点間の間隔が通常３〜１０００μｍ
の範囲に定められている。好ましくは、半導体レーザー
１１の光点間の間隔が通常３〜１６０μｍの範囲に定め
られ、より好ましくは、半導体レーザー１１の光点間の
間隔が通常３０〜６０μｍの範囲に定められている。上
述のような値に定められる理由は、その下限である光点
間の間隔が通常３μｍ或いは、３〜４μｍでは、隣接す
る半導体レーザー構造１１−１．１１−２間で電気的な
りロストークが生じた場合、そのクロストークを抑制す
ることが困難であり、また、光学系の光軸７１に一方の
光点のみを一致することが困難であるからである。また
、その上限である光点間の間隔が１０００μｍ以上にな
ると、光デイスク１上に形成されるビーム・スポット間
の間隔が大きくなり、ビーム・スポットが同時にトラッ
キング・ガイドによってガイドされない虞れがある。更
に、１６０μｍの上限値は、光デイスク１上に形成され
るビーム・スポットの径が１μｍとなるように集束レン
ズ１２の有効視野及び光学系の結像倍率が考慮された際
における限界値として定められる。上述したような点を
種々考慮すると、最も好ましい範囲は、３０〜６０μｍ
の範囲に定められている。

このようなレーザー装置においては、両者のレーザー構
造が作動され、その構造から発生されたレーザー・ビー
ムがモニターされる場合には、両レーザー構造体からの
レーザー・ビーム間に光学的なりロス・トークが生じて
一方のレーザー構造体からのレーザー・ビームが対応す
る光感知領域で検出されるとともにその一部が対応以外
の光感知領域で検出され、また、他方のレーザー構造体
からのレーザー・ビームが対応する光感知領域で検出さ
れるとともにその一部が対応以外の光感知領域で検出さ
れる。従って、光感知領域からの信号には、検出信号に
ノイズが含まれることとなる。

この様なノイズを除去する半導体レーザーを附勢する装
置の回路は、第１図に示されるような回路構成を有して
いる。この回路構成においては、第１のクロストーク除
去回路がバンドパス・フィルタ４０．マスキング回路５
０及びサンプル・ホールド回路５４から構成され、第２
のクロストーク除去回路がマスキング回路５０、サンプ
ル・ホールド回路５４、ゲイン・コントロール回路５２
、ボトム・レベル検出回路５８路及び減算回路６０から
構成されている。即ち、第１図に示すように電源電圧Ｃ
Ｃには、モニター用光検出器２４の第１及び第２の光感
知領域２４Ａ、２４Ｂ及び半導体レーザー１１の第１及
び第２のレーザー構造１１−１．１１−２が接続され、
第１のレーザー構造１１−１は、第１及び第２のトラン
ジスタ３２．３３のコレクタに接続され、このトランジ
スタ３２．３３のエミッタが抵抗３４．３５を介して接
地され、第２のレーザー構造１１−２は、第３のトラン
ジスタ３６のコレクタに接続され、このトランジスタ３
６のエミッタが抵抗３７を介して接地されている。トラ
ンジスタ３３．３６のベースは、夫々ＣＰＵ３８からの
コマンド信号によってオン・オフされるアナログ・スイ
ッチ装置３７のアンナログ・スイッチ３７−１．３７−
２゜３７−３に接続されている。光感知領域２４Ａは、
プリアンプ３５Ａを介して記録信号発生回路４５から発
生される記録信号に対応した成分を取出す為にこの記録
信号と略同−周波数の検出信号成分を通すバンドパス・
フィルタ４０及び信号のボトムレベルのみを検出する第
１のボトムレベル検出回路４１に接続され、バンドパス
・フィルタ４０は、また記録信号に対応した検出信号の
ピーク・レベルを検出するピークレベル検出回路４２及
び記録信号に対応した検出信号のボトム・レベルを検出
する第２のボトムレベル検出回路４３に接続されている
。このピークレベル検出回路４２及び第２のボトムレベ
ル検出回路４３は、ピーク・レベルとボトム・レベルと
の差を得る為に減算回路４４に接続され、この減算回路
４４は、更に、基準電圧信号発生回路４５に接続された
適切なベース電圧を発生するベース電圧発生回路４６に
接続され、このベース電圧発生回路４６は、記録信号発
生回路４７が接続され、この回路から発生された記録信
号でベース電圧を変調する変調回路回路４８に接続され
ている。このスイッチング回路４８は、アンナＯグ・ス
イッチ３７−１に接続されている。第２のボトムレベル
検出回路４１は、消去光発生タイミング回路５１が接続
され、消去時に検出信号をマスキングするマスキング回
路５０に接続され、このマスキング回路５０の出力側は
、ボトムレベルをサンプル・ホールドするサンプル・ホ
ールド回路５４に接続され、このサンプル・ホールド回
路５４は、サンプル・ホールドされたボトム・レベルの
信号に所定のゲインを与えて補正信号を発生するゲイン
コントロール回路５２に接続されている。サンプルホー
ルド回路５４は、更に基準電圧発生回路５６に接続され
た適切なレベルを有する記録用ベース電圧を発生するベ
ース電圧発生回路５５に接続され、このベース電圧発生
回路５５がアナログ・スイッチ３７−２に接続されてい
る。また、光感知領域２４Ｂは、プリアンプ３５Ｂを介
して第２の光感知領域２４Ｂで検出された検出信号のボ
トムレベルを検出する第３のボトムレベル検出回路５８
に接続され、このボトムレベル検出回路５８は、検出信
号に混入する再生レーザー・ビームの検出レベルに対応
する補正信号を発生するゲイン・コントロール回路５２
が接続された減算回路６０に接続され、更に、この減算
回路６０は、基準信号発生回路６２が接続されている消
去用ベース電圧発生回路６６に接続され、この消去用ベ
ース信号発生回路６２は、消去光発光タイミング回路５
１に接続され、消去用ベース電圧を発生する消去用ベー
ス電圧発生回路６４に接続され、このベース電圧発生回
路６４が第３のアナログ・スイッチ３７−３に接続され
ている。

このような回路構成では、再生モード時にＣＰＵ３８か
ら発生される再生モード信号に応じて第２のアナログ・
スイッチ３７−１が開成される。従って、基準電圧発生
器４５から発生された基準電圧に応じてベース電圧発生
回路５５から発生されたベース電圧信号が第２のアナロ
グ・スイッチ３７−２を介して第２のトランジスタ３３
のベースに印加される。その結果、第２のトランジスタ
３３が導通してレーザー構造１１−１が作動され、低レ
ベルの再生用レーザー・ビームのみがこのレーザー構造
から発生される。半導体レーザー１１の正面から発生さ
れた再生レーザー・ビームは、光ディスク１に向けられ
、その背面から発生された再生用レーザー・ビームは、
光検出器２４の第１の光感知領域２４Ａに入射される。

再生モードにおいては、この再生用レーザービームが光
感知領域２４Ａによって検出信号に変換され、この検出
信号がプリアンプ３５Ａによって増幅されてボトム検出
回路４１によってそのボトム信号レベルが検出される。

ここで、再生レーザー・ビームは、一定レベルで発生さ
れることから光感知領域２４Ａからの検出信号も一定レ
ベルであり、従ってボトム検出回路４１からは、その一
定レベルのボトム信号が検出される。再生モードでは、
消去光タイミング回路５１から消去タイミング信号が発
生されていない為マスキング回路５０が不作動に維持さ
れている。従って、このボトム信号は、マスキング回路
５０を介してサンンブル・ホールド回路５４に供給され
、サンプルホールドされる。このサンプル・ホールド回
路５４では、ボトム信号が更新される毎に更新されたレ
ベルがサンプル・ホールドされる。このサンプルホール
ドされたボトム信号は、再生用ベース電圧発生回路５５
で信号と比較され、比較結果に基づいてこのベース信号
発生回路５５からフィードバック制御されたベース電圧
信号が発生される。このフィードバック制御されたベー
ス電圧信号がトランジスタ３３のベースに印加されると
、レーザー構造１１−１から発生される再生用レーザー
・ビームが一定に維持されるようにトランジスタ３３の
内部インピーダンスが変化される。

記録モードでは、ＣＰＵ３８から発生される記録モード
信号に応じて第１及び第２のアナログ・スイッチ３７−
１．３７−２が閉成される。従って、既に述べた再生モ
ードと同様に再生用ベース電圧信号が発生されるととも
にこの電圧信号に加えて記録用ベース電圧信号が発生さ
れる。即ち、記録信号発生回路４７から発生された記録
信号に応じて基準電圧信号発生回路４５から発生され、
ベース電圧発生回路４６を介して変調回路４８に供給さ
れた基準電圧は、記録信号で変調され、変調されたベー
ス電圧信号がアナログ・スイッチ３７−１を介してトラ
ンジスタ３２のベースに印加される。その結果、変調さ
れたベース信号に応じてトランジスタ３２の内部インピ
ーダンスが変化し、レーザー構造１１−１に供給される
′Ｒ流がパルス的に変化される。ここで、トランジスタ
３３のベースには、再生用のベース電圧信号もまた印加
されていることから再生用の電流に加えてこのパルス的
に変調されている記録用電流がレーザー構造１１−１に
供給される。従って、レーザー構造１１−１からは、再
生用レーザー・ビームのレベルと記録レベルの間で強度
変調されているレーザー・ビームが発生される。この記
録用レーザー・ビームは、再生モードと同様に光検知器
２４の光感短鎖Ｍ２４Ａで検出され、検知信号に変換さ
れる。この検知信号は、プリアンプ３５Ａを介してバン
ドパスフィルター４０及びボトムレベル検出回路４１に
供給される。ボトムレベル検出回路４１に供給された検
出信号は、ボトムレベルが検出されて記録用信号に対応
する成分が除去される。検出信号から抽出されたこのボ
トム信号は、既に説明した再生モードの場合と同様に処
理され、再生用ベース電圧が一定に維持される。バンド
パス・フィルター４０に供給された検出信号は、記録信
号に対応する変調周波数成分のみが取出され、再生用ベ
ース電圧信号に対応する成分が除去される。バンドパス
・フィルター４０を通過した検出信号は、ピークレベル
検出回路４２でそのピーク・レベルが検出されるととも
にボトムレベル検出回路４３でそのボトムレベルが検出
される。この検出されたピーク・レベル及びボトム・レ
ベルとの差が減算回路４４から発生される。このレベル
差信号がベース電圧発生回路４６で基準電圧信号と比較
され、記録用レーザー・ビームのピークレベルを決定す
る一定のピーク・レベルを有する記録用ベース電圧信号
がベース電圧発生回路４６から発生される。この記録用
ベース信号が記録信号に応じて変調回路４８に変調され
て変調されたベース電圧信号が発生される。記録レーザ
ー・ビームは、モニターされ、このモニター出力からト
ランジスタ３２のベースに与えるベース電圧信号のピー
ク・レベルが常に一定に維持されていることから、レー
ザー構造１１−１から発生されるレーザー・ビームのピ
ーク・レベルが一定に維持される。

消去モードにおいては、ＣＰＬＪ３８から発生される消
去モード信号に応じて第２及び第３のアナログ・スイッ
チ３７−２．３７−３が閉成される。

従って、既に述べた再生モードと同様に再生用ベース電
圧信号が発生されるとともにこの電圧信号に加えて消去
用ベース電圧信号が発生される。即ち、消去光発光タイ
ミング信号発生回路５１から発生された消去タイミング
信号でマスキング回路５０が作動され、スイッチング回
路６４が作動されて消去用ベース電圧発生回路６６がア
ナログスイッチ３７−３に接続される。従って、基準信
号発生回路６２から発生され、消去用ベース電圧信号発
生回路６６に供給された基準電圧は、このスイッチング
回路６４及びアナログ・スイッチ３７−３を介してトラ
ンジスタ３６のベースに印加される。その結果、消去用
ベース電圧信号によってトランジスタ３２が作動され、
レーザー構造１１−２に消去用電流が供給される。ここ
で、トランジスタ３３のベースには、再生用のベース電
圧信号もまた印加されていることから、このトランジス
タ３３も作動される。従って、レーザー構造１１−１か
らは、再生用レーザー・ビームが発生されるとともにレ
ーザー構造１１−２からは、消去用レーザー・ビームが
発生される。この再生用レーザー・ビームは、光検知器
２４の再生及び記録用の光感知領域２４Ａ及び消去用レ
ーザー・ビームは、光検知器２４の消去用光感知領域２
４Ｂで検出されるが、クロストークが生じた場合には、
再生用レーザー・ビームの一部が光検知器２４の消去用
光感知領域２４Ｂで検出され及び消去用レーザー・ビー
ムが光検知器２４の再生及び記録用の光感知領域２４Ａ
で検出される場合がある。即ち、再生用感知領域２４Ｂ
からは、再生用検知信号レベルに消去用検知信号レベル
の一部がノイズとして混入された検知信号が発生され、
消去用光感知領域２４Ａからは、消去用検知信号レベル
に再生用検知信号レベルの一部がノイズとして混入され
た検知信号が発生される。再生用感知領域２４Ａからの
検知信号は、プリアンプ３５Ａを介してボトム検出回路
４１に供給される。

ボトムレベル検出回路４１に供給された検出信号は、ボ
トムレベルが検出されてマスキング回路５０に供給され
る。ここで、このマスキング回路５０は、作動状態に消
去光発光タイミング信号発生回路５１からのタイミング
信号で維持されていることからマスクされる。従って、
消去モードでは、消去光発光タイミング信号発生回路５
１から発生される消去タイミング信号が発生される前の
再生用レーザー・ビームを検出してサンプル・ホールド
回路５４でサンプル・ホールドされた信号レベルで再生
用ベース電圧信号が決定される。光感知領域２４Ｂから
発生された検知信号は、ボトムレベル検出回路５８でボ
トム・レベルが検出される。消去モードにおいても記録
用レーザー・ビームが発生される場合にあっても検出信
号中に含まれる記録信号レベルは、このボトムレベル検
出回路５８で除去される。ボトムレベル検出回路５８か
らのボトム信号には、再生光成分がノイズとして含まれ
るが、この再生光成分は、再生用レーザー・ビームのレ
ベルに依存して変化し、再生用レーザー・ビームのレベ
ルと一定の相関関係を有している。従って、サンプル・
ホールド回路５４でサンプル・ホールドされた再生用の
ボトム検出信号にゲインコントロール回路５２で一定の
ゲインを与えることによってボトムレベル検出回路５８
からのボトム信号に含まれるノイズとしての再生光成分
を生成することができる。この生成されたゲインコント
ロール回路５２からの信号及び第３のボトムレベル検出
回路５８からのボトム検出信号がが減算回路６０に供給
されることによってボトム信号に含まれるノイズとして
の再生光成分がボトム検出信号から除去される。ノイズ
が除去されたボトム検出信号が消去用ベース発生回路６
６に供給され、このボトム検出信号と基準信号とが消去
用ベース発生回路６６で比較されて消去用ベース電圧信
号が発生される。従って、レーザー構造１１−２から発
生される消去用レーザー・ビームのレベルが一定に維持
される。

第１図に示される回路は、再生記録及び消去装置に適用
されるこの発明の一実施例に係る回路であるが、第１図
のレーザー構造１１−１．１１−２が夫々記録及び再生
用レーザーを発生するような記録再生装置にもこの発明
を適用することができることは、明かである。第８図及
び第９図は、夫々記録及び再生用レーザーを発生するよ
うな記録再生装置に適用されたモニター回路を示してい
る。第８図及び第９図において第１図に示したと同様の
回路構成要素は、同一の符号を付してその説明を省略す
る。第８図に示される回路においては、第１のクロスト
ーク除去回路は、ボトムレベル検出回路４１で構成され
、第２のクロストーク除去回路は、ボトムレベル検出回
路４１、減算回路６０及びゲインコントロール回路５２
で構成される。従って、再生モード時にＣＰＵ３８から
発生される再生モード信号に応じて第２のアナログ・ス
イッチ３７−１が閉成され、ベース電圧発生回路５５か
ら発生されたベース電圧信号が第２のアナログ・スイッ
チ３７−２を介して第２のトランジスタ３３のベースに
印加される。その結果、再生用レーザー構造１１−１が
作動され、低レベルの再生用レーザー・ビームのみがこ
のレーザー構造から発生され、光検出器２４の第１の光
感知領域２４Ａで検知される。光感知領域２４Ａからの
プリアンプ３５Ａによって増幅された検出信号からボト
ムレベル検出回路４１によってそのボトム信号レベルが
検出される。このボトム信号は、再生用ベース電圧発生
回路５５で信号と比較され、比較結果に基づいてこのベ
ース信号発生回路５５からフィードバック制御されたベ
ース電圧信号が発生される。このフィードバック制御さ
れたベース電圧信号がトランジスタ３３のベースに印加
されると、レーザー構造１１−１から発生される再生用
レーザー・ビームが一定に維持される。

記録モードでは、ＣＰＵ３８から発生される記録モード
信号に応じて第１及び第２のアナログ・スイッチ３７−
１．３７−２が閉成される。従って、既に述べた再生モ
ードと同様に再生用ベース電圧信号が発生されるととも
にこの電圧信号に加えて記録用ベース電圧信号が発生さ
れる。即ち、記録信号発生回路４７から発生された記録
信号に応じて基準電圧信号発生回路４５から発生され、
ベース電圧発生回路４６を介して変調回路４８に供給さ
れた基準電圧は、記録信号で変調され、変調されたベー
ス電圧信号がアナログ・スイッチ３７−１を介してトラ
ンジスタ３２のベースに印加される。その結果、再生用
レーザー・ビームがレーザー構造１１−１から発生され
るとともに変ｗ４されたベース信号に応じてレーザー構
造１１−２から記録用レーザー・ビームが発生される。

再生用レーザー・ビームは、光検知器２４の再生用の光
感知領域２４Ａ及び記録用レーザー・ビームは、光検知
器２４の記録月光感知領域２４Ｂで検出されるが、クロ
ストークが生じた場合には、再生用レーザー・ビームの
一部が光検知器２４の記録月光感知領域２４Ｂで検出さ
れ及び記録用レーザー・ビームが光検知器２４の再生用
の光感知領域２４Ａで検出される場合がある。即ち、再
生月光感知領域２４Ａからは、再生用検知信号レベルに
記録用検知信号レベルの一部がノイズとして混入された
検知信号が発生され、記録月光感知領域２４Ｂからは、
記録用検知信号レベルに再生用検知信号レベルの一部が
ノイズとして混入された検知信号が発生される。プリア
ンプ３５Ｂを介する再生月光感知領域２４Ａからの検知
信号は、ボトムレベル検出回路４１に供給されてこの検
知信号からノイズとしての記録用検知信号レベルが除去
される。記録月光感知領域２４Ｂからの検知信号は、減
算回路６０に供給されるが、この減算回路６０には、ノ
イズとしての再生光成分が供給されている為にこの減算
回路６０においてノイズとしての再生光成分が検出信号
から除去される。即ち、再生用のボトム検出信号にゲイ
ンコントロール回路５２で一定のゲインを与えることに
よってボトムレベル検出回路４１からのボトム信号に含
まれるノイズとしての再生光成分を生成することができ
る。この生成されたゲインコントロール回路４１からの
信号が減算回路６０に供給されることによってノイズと
しての再生光成分が検出信号から除去される。減算回路
６０からの検出信号は、ピークレベル検出回路４２でそ
のピーク・レベルが検出され、この検出されたピーク・
レベルがベース電圧発生回路４６で基準電圧信号と比較
され、記録用レーザー・ビームのピークレベルを決定す
る一定のピーク・レベルを有する記録用ベース電圧信号
がベース電圧発生回路４６から発生される。

この記録用ベース信号が記録信号に応じて変調回路４８
によって変調されたベース電圧信号が発生される。

第９図に示される回路においては、第１のクロストーク
除去回路は、マスキング回路５０−１、サンプル・ホー
ルド回路５４−１から構成され、第２のクロストーク除
去回路は、補正信号発生回路６７及び減算回路６６で構
成される。従って、再生モード時にＣＰＵ３８から発生
される再生モード信号に応じて第２のアナログ・スイッ
チ３７−１が閉成され、ベース電圧発生回路５５から発
生されたベース電圧信号が第２のトランジスタ３３のベ
ースに印加されて再生用レーザー構造１１−１から再生
用レーザー・ビームのみが発生され、第１の光感知領域
２４Ａで検知される。再生モードにおいては、記録信号
発生回路４７からハイレベルの記録信号が発生されてい
ないことから不作動状態に維持されている第１のマスキ
ング回路５０−１を介して光感知領域２４Ａからの検出
信号が第１のサンプル・ホールド回路５４−１に供給さ
れ、サンプル・ホールドされる。このサンプル・ホール
ドされた検出信号は、再生用ベース電圧発生回路５５で
信号と比較され、比較結果に基づいてこのベース信号発
生回路５５からフィードバック制御されたベース電圧信
号が発生される。このフィードバック制御されたベース
電圧信号がトランジスタ３３のベースに印加されると、
レーザー構造１１−１から発生される再生用レーザー・
ビームが一定に維持される。

記録モードでは、ＣＰｔＪ３８から発生される記録モー
ド信号に応じて第１及び第２のアナログ・スイッチ３７
−１．３７−２が閉成される。従って、既に述べた再生
モードと同様に再生用ベース電圧信号が発生されるとと
もにこの電圧信号に加えて記録用ベース電圧信号が発生
される。即ち、記録信号発生回路４７から発生された記
録信号に応じて基準電圧信号発生回路６７から発生され
、減算回路６６を介して記録用ベース電圧信号発生回路
４６に供給された基準電圧は、記録信号で変調され、変
１されたベース電圧信号がトランジスタ３２のベースに
印加される。その結果、再生用レーザー・ビームがレー
ザー構造１１−１から発生されるとともに変調されたベ
ース信号に応じてレーザー構造１１−２から記録用レー
ザー・ビームが発生される。再生用レーザー・ビームは
、光検知器２４の再生用の光感知領域２４Ａ及び記録用
レーザー・ビームは、光検知１２４の記録月光感知領域
２４Ｂで検出されるが、クロストークが生じた場合には
、再生用レーザー・ビームの一部が光検知器２４の記録
月光感知領域２４Ｂで検出され、記録用レーザー・ビー
ムが光検知器２４の再生用の光感知領域２４Ａで検出さ
れる場合がある。即ち、再生月光感知領域２４Ａからは
、再生用検知信号レベルに記録用検知信号レベルの一部
がノイズとして混入された検知信号が発生され、記録月
光感知領域２４Ｂらは、記録用検知信号レベルに再生用
検知信号レベルの一部がノイズとして混入された検知信
号が発生される。プリアンプ３５Ｂを介する再生月光感
知領域２４Ａからの検知信号は、マスキング回路５０−
１に供給されるが、マスキング回路５０−１は、記録信
号発生回路４７からハイレベルの記録信号が発生されて
いる開作動状態に維持されていることからこの第１のマ
スキング回路５０−１によって検知信号は、マスクされ
る。従って、検知信号がマスクされる前にサンプル・ホ
ールドされた検知信号に基づいて再生用ベース電圧が決
定される。第２のマスキング回路５０−２と記録信号発
生回路４７との間には、インバータ６８が接続されてい
ることから、この第２のマスキング回路５０−２は、記
録信号発生回路４７から記録信号が発生されている量子
作動状態に維持され、記録信号発生回路４７から記録信
号が発生されていない開作動状態に維持される。従って
、記録月光感知領域２４Ｂからの検知信号は、作動状態
に維持され第２のマスキング回路５０−２を介してサン
プル・ホールド回路５４−２でサンプル・ホールドされ
て減算回路６０に供給される。この減算回路６０には、
ノイズとしての再生光成分に相当する信号レベルが補正
信号発生回路６７から供給されている為にこの減算回路
６０においてノイズとしての再生光成分が検出信号から
除去される。即ち、第２の光感知領域に入射される再生
レーザー・ビームの一部が略一定であり、そのレベルも
低いことから、第２の光感知領域からの検出信号に含ま
れるノイズを予想することができ、ノイズとしての再生
光成分に相当する信号レベルを補正信号発生回路６７で
生成することができる。この生成された補正信号発生回
路６７からの信号が減算回路６６に供給されることによ
ってノイズとしての再生光成分が検出信号から除去され
る。減算回路６６からの検出信号がベース電圧発生回路
４６で基準電圧信号と比較され、記録用レーザー・ビー
ムのピークレベルを決定する一定のピーク・レベルを有
する記録用ベース電圧信号がベース電圧発生回路４６か
ら発生される。この記録用ベース信号が記録信号に応じ
て変調回路４８に変調されて変調されたベース電圧信号
が発生される。

［発明の効果］ 以上のように、この発明の多重光発生装置によれば、光
源の複数の光源構造体から発生された光ビームが対応す
る光検出器以外で検出されてもその成分は、クロストー
ク除去回路で除去される為、各光源構造体は、常に正確
にしかも安定して駆動され、その結果、各光源構造体か
らの光ビームも安定される。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例に係る多重光発生装置の
回路図を示し、第２図は、第１図に示される多重光発生
装置が組込まれる光ヘッドの光学系を示し、第３図は、
第２図に示されたマウントを示す正面図、第４図は、第
２図に示されたプリズム部材を示す斜視図、第５図は、
第２図に示される光学系が組込まれるマウント・フレー
ムを示す断面図、第６図は、第３図に示されたマウント
を示す斜視図、第７図は、第５図に示されたマウントを
示す平面図、第８図は、この発明の他の実施例に係る多
重光発生装置の回路図を示し、及び第９図は、この発明
の更に他の実施例に係る多重光発生装置の回路図を示す
。 １１・・・半導体レーザー、１２・・・集束レンズ、１
３・・・プリズム、１４・・・光検出器、１６Ａ、１６
Ｂ。 １７Ａ、１７Ｂ・・・光感知領域、１８・・・対物レン
ズ、２０・・・マウント、２４・・・モニター用光検出
器、２４Ａ、２４Ｂ・・・光感知領域、３８・・・ｃｐ
ｕ。 ４０・・・バンドパス・フィルター、４２・・・ピーク
検出回路、４３・・・ボトム検出回路、４４・・・減算
回路、４６．５５．６６・・・ベース電圧発生回路、４
８・・・変調回路、５０・・・マスキング回路、５１・
・・消去光発光タイミング回路、５２・・・ゲイン・コ
ントロール回路、５４・・・サンプル・ホールド回路、
６０・・・減算回路、６７・・・補正信号発生回路。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 箆　３　区

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　複数の発光点を有する光源と、各発光点に対応して
   設けられ、各発光点からの光ビームを検出する複数の検
   知領域を有する検出手段と、この検出手段の検知領域か
   らの検出信号に含まれるクロストーク信号を除去する除
   去回路と、及びこの除去回路から検出信号に応じて各発
   光点から発光される光ビームを制御する駆動回路とから
   成ることを特徴とする多重発光装置。 ２　除去手段は、特定の検知領域からの検出信号からク
   ロストーク信号を除去するフィルター回路と、このフィ
   ルター回路からの信号に基ずいて他の検知信号に含まれ
   るクロストーク信号を演算する回路と、及び演算された
   クロストーク信号をその他の検知信号から減算する減算
   回路から成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の多重発光装置。 ３　除去手段は、特定の検知領域からの検出信号からク
   ロストーク信号を除去するフィルター回路と、このフィ
   ルター回路からの信号を他の検知信号が発生されている
   間ホールドするサンプル・ホールド回路と、他の検知信
   号に含まれるクロストーク信号を演算する回路と、及び
   演算されたクロストーク信号をその他の検知信号から減
   算する減算回路から成ることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の多重発光装置。