JPS63244335A

JPS63244335A - 多重発光装置を備えた光学ヘツド

Info

Publication number: JPS63244335A
Application number: JP62076192A
Authority: JP
Inventors: Hideo Ando; 秀夫安東; Akihiko Doi; 土肥　昭彦
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Priority date: 1987-03-31
Filing date: 1987-03-31
Publication date: 1988-10-11

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的コ（産業上の利用分野）この発明は、複数の発光点を有する多重発光装置を備え
た光学ヘッドに係り、特に複数の発光点を有づる光源装
置を制御する為の多重発光装置を備えた光学ヘッドに関
する。

（従来技術）複数の発光点から夫々レーザー・ビームが発せられる半
導体装置が開発され、光デイスク装置の光源装置に用い
られている。一般に、このような半導体装置には、１つ
のチップ内に複数のレーザー・構造を組込んだ半導体レ
ーザー・アレイ或いは、１つのパッケージに複数の半導
体レーザー・チップを組込んだ半導体Ｈｆｆｉがある。

（発明が解決しようとする問題点）従来の半導体Ｂ［では、単に２つ以上のレーザー構造体
が組込まれているにすぎず、各１？４造体の発光が検出
器でモニターされ、モニターされた信号がフィードバッ
クされるような構成が採用されていないことから、各発
光点から発光される発光強度が安定せず、環境温度が変
化した場合等において各発光点から発光される発光強度
が変動する問題がある。また、互いに隣接する発光点間
の距離が小さい装置では、単に各発光点に対応して光検
出器を配置したのみでは、互いに隣接する発光点からの
レーザー・ビームが対応する光検出器以外に隣接する光
検出器に入射される虞れがあり、安定してレーザー・ビ
ームの光強度を制御できない問題がある。このような問
題は、光学的情報記録再生装置の分野においては、正確
な再生記録或いは、消去の為に安定してレーザー・ビー
ムが発生されることが要求され、また、発光点間の間隔
が極めて小さいことから、特に大きな問題として指摘さ
れている。

（問題を解決する手段）この発明によれば、第１の方向及び第、２の方向に光ビ
ームを発生する複数の光源構造体を有する光源と、光源
の第１の方向に発生された光ビームを情報記録媒体に集
束する集光手段と、情報記録媒体からの光ビームを検出
する第１の検出手段と、各光源構造体の発光点に対応し
て設けられ、光源の第２の方向に向けて発生された少な
くとも２以上の発光点からの光ビームを検出する少なく
とも１つの光検出領域を有する第２の検出手段と、この
第２の検出手段の検知領域からの検出信号を信号を各発
光点からの光ビームに対応する信号に分離する信号分離
手段と、分離手段によって分離された検出信号に応じて
各光源構造体を駆動し、前記各発光点からの光ビームを
＄り御する駆動回路とから成る多重発光装置を僅えた光
学ヘッドが提供される。

（作用）光源の複数の光源構造体から発生された２以上の光ご一
ムが１つの光検知領域で検出されるが、その検出信号が
分離手段で各光源構造体からの光ビームに対応する信号
成分に信号分離され、各光源構造体がその信号成分に応
答して駆動される為、各光源構造体は、常に正確にしか
も安定して駆動され、その結果、各光源構造体からの光
ビームも安定される。

（実施例）この発明の多重発光装置を備えた情報記録再生装置の光
学ヘッドの一実施例について説明する。

この発明の一実施例に係る多重発光装置の光学ヘッド５
においては、第２図に示すようにコリメータ・レンズ及
び投射レンズとしての機能を有する集束レンズ１２の光
軸１０上に多重発光装置としての半導体レーザー１１が
配置され、しかも集束レンズ１２の焦点面に半導体レー
ザー１１の光点が位置されている。また、半導体レーザ
ー１１に近接してフォーカス及びトラック検出器１４が
配置され、第３図に示すようにこの半導体レーザー１１
及び検出器１４がマウント台２０に固定されている。こ
の半導体レーザ１１は、夫々が発光点を有する再生用、
記録用及び消去用の３つのレーザ構造１１−１．１１−
２．１１−３を有し、例えば１つの半導体チップに３つ
のレーザー構造が組込まれて形成され、或いは、個別的
にレーザ構造を有する複数Ｑ半導体装置が１つのパッケ
ージに組込まれて作られる。この半導体レーザー１１か
らは、発散性のレーザー・ビームＬａ。

Ｌｂ、ＬＣが発生されるが、再生モードにおいては、再
生レーザー・ビームＬａのみが発生され、記録モードに
おいては、記録、再生及び消去用レーザー・ビームＬａ
、Ｌｂ、ＬＣが発生され、消去モードでは、再生及び消
去用レーザー・ビームＬａ、Ｌｂ、Ｌｃが発生される。

ここで、消去ビームｌｃは、レーザー溝造体１１−３の
光点前方に設けられたシリンドリカル・レンズ８によっ
て他のレーザー・ビーム１ａ、１ｂよりもより発散され
て射出される。このレーザー・ビームＬａ。

Ｌｂ、ＬＣは、集束レンズ１２を通過してコリメート・
レーザー・ビームに変換され、プリズム１３に入射され
る。このプリズム１３は、集束レンズ１２の光軸１０に
対して傾いたレーザ・ビーム入射面１３Ａを有している
為、コリメート・レーム入射面１３Ａに入射されて屈折
される際に、楕円形状断面を有するレーザー・ビームが
円形状断面を有するレーザー・ビームＬａ、Ｌｂ、ＬＣ
に変換される。このレーザー・ビーム１−ａ、１ｂ。

ＬＣには、プリズム１３内を通ってプリズム１３の他面
に形成された偏光ビームスブリット面１３Ｓで反射され
、１／４波長板１５を通過して、対物レンズ１８によっ
て光メモリ１上に集束される。

光メモリ１上に集束されたレーザー・ビームは、この光
メモリ１から反射され、反射されレーザー・ビームは、
対物レンズ１８及び１／４波長根１５を通過してプリズ
ム１３に導入され、偏光ビームスブリット面１３Ｓに戻
される。ここで、レーザー・ビームしａ、Ｌｂ、ＬＣは
、１／４波長板１５を往復することにより偏光ビームス
ブリット面１３８で反射された際に比べ振動方向が９０
度回転されることから、レーザー・ビームｌａ。

ｌｂ、ＬＣは、１／４波長板１５によって直線偏光レー
ザー・ビームに変換される。従って、偏光ビームスブリ
ット面１３３に戻されたレーザー・ビームＬａ、Ｌｂ、
Ｌｃは、この偏光ビームスブリット面１３Ｓを透過し、
偏光ビームスブリット面１３Ｓに接合されたレーザー・
ビーム１ａ。

Ｌｂ、ＬＣを分割する為のプリズム部材１９内に導入さ
れる。

このプリズム部材１９は、第４図に示すように偏光ビー
ムスブリット面１３８に非平行で互いに傾きをもって隣
接した第１の全反射面１９Ａ及び第２の全反射面１９Ｂ
を有している。ここで、反射面１９Ａ、１９Ｂとの境界
線は、光メモリ１上でトラッキングガイドが延出される
方向あるいは光検出器１４に投影されたトラッキングガ
イドの像が延出される方向に略直角になるように定めら
れている。第１の全反射面１９Ａは、好ましくは平坦に
形成され、第２の全反射面１９Ｂは、非点収差をレーザ
ー・ビームに与える為に非球面に形成されている。この
第１の全反射面１９Ａ及び第２の全反射面１９Ｂで反射
されたレーザ・ビームＬａ、Ｌｂ、Ｌｃは、夫々第１及
び第２のレーザー・ビームＬａ−１，Ｌｂ−１，Ｌａ−
２゜Ｌｂ−２，Ｌｃ−１，Ｌｃ−２に分離されて異なる
方向に向けられ、再び偏向ビームスブリット而１３８を
通過して集束レンズ１２に入射される。

第１及び第２のレーザー・ビームＬａ−１゜Ｌｂ−１，
Ｌａ−２，Ｌｂ７２．Ｌｃ−１゜ＬＣ−２は、この集束
レンズ１２で半導体レーザー１１に近接して半導体レー
ザー１１とともにマウント台２０に設けられた光検出器
１４に向けられる。光検出器１４の光感用領域１６Ａ、
１６Ｂ。

１７Ａ、１７Ｂは、半導体レーザー１１の光点と同様に
集束レンズ１２の略焦点面に配置されている。反射面１
９Ａで反射されたレーザー・ビーム１ａ−１，Ｌｂ−１
は、フォーカス・エラーを検出の為の一対の光感用領域
１６Ａ、１６Ｂに集束され、また、反射面１９Ａで反射
されたレーザー・ビームＬＣ−１は、この一対の光感用
領域１６Ａ、１６Ｂ外に集束される。また、反射面１９
Ｂで反射されたレーザー・ビームＬａ−２゜Ｌｂ−２，
Ｌｃ−２の１つは、トラッキングガイドでレーザー・ビ
ームが回折され生じる回折パターンからトラッキング・
エラーを検出する為の一対の光感用領域１７Ａ、１７Ｂ
に集束される。反射面１９Ｂで反射されたレーザー・ビ
ーム１−ａ−２、Ｌｂ−２，Ｌｃ−２は、非点収差面と
しての反射面１９Ｂで非点収差が与えられることから、
光感用領域１７Ａ、１７Ｂに集束されるレーザー・ビー
ムは、光デイスク１上でトラッキングガイドが延出され
る方向あるいは光検出器１４に投影されたトラッキング
ガイドの像が延出される方向に対し、直角に引き伸ばさ
れたビーム・スポットが光感用領域１７Ａ、１７Ｂに形
成される。

対物レンズ１８が合焦状態にある場合には、第４図に示
すようにレーザ・ビーム１ａは、光検出器１４の一対の
光感知顔１１１ｔ１６Ａ、１６８間の光子感知領域１６
Ｃに向けられ、その光年感知領域１６Ｃ上にビーム・ス
ポットＳａ１が形成され、対物レンズが非合焦状態にあ
る場合には、レーザ・ビームｌａは、光検出器１４の一
対の光感用領域１６Ａ、１６Ｂのいずれかに向けられ、
その一対の光感用領域１６Ａ、１６Ｂのいずれかにビー
ム・スポットＳａ１が形成される。従って、光検出器１
４の感知領域１６Ａ、１６Ｂからの信号を処理すること
によって対物レンズ１８の状態に対応したフォーカス・
エラー信号が発生される。ここで、光検出器１４の検出
領域１６Ｂ上に投射されたレーザー・ビー、ムＬｂ−１
によって生じるビーム・スポットＳｂ１に対応する信号
成分は、同様に後段の処理回路によって処理されてフォ
ーカス・エラー信号から除去される。また、対物レンズ
１８が所望のトラッキング・ガイドに向けられ、所望の
トラッキング・ガイドが正しくレーザ・ビームで追跡さ
れている場合には、光感用領域１７Ａ。

１７Ｂ上に生じるレーザ・ビームＬａ−２のレーザー・
ビーム・スポット３ａ２内に等しい面積の回折パターン
が生じ、所望のトラッキング・ガイドが正しくレーザー
・ビームで追跡されていない場合には、光感類領域１７
Ａ、１７Ｂ上に生じる第２のレーザー・ビーム・スポッ
ト３ａ２内に異なる面積の回折パターンが生じる。感知
領域１７Ａ。

１７Ｂからの信号を処理することによって所望のトラッ
キング・ガイドが正しくレーザ・ビームで追跡されてい
るか否かを意味するトラック・エラー信号が発生される
。

また、光検出領域１６Ａ、１６８．１７Ａ。

１７Ｂからの信号が加算されて情報が再生される。

マウント台２０は、第２図及び第３図に示すようにその
外形が矢印工の方向に回転可能に円筒形に形成され、集
束レンズ１２の光軸にマウント台２０の回転中心が一致
され、従って、半導体レーザー１１の発光点は、マウン
ト２ｏの回転中心に位置されている。これによりマウン
ト２０が回転されても、半導体レーザー１１から発生さ
れたレーザー・ビームは、常に一定の光軸に沿った光路
中を進行される。このマウント台２０が回転方向工に沿
って回転される場合には、焦点ぼけ検出用感知領域１６
Ａ、１６Ｂがこの方向に回転される。

焦点ぼけに応じて光感類領域１６Ａ、１６Ｂ上をビーム
・スポットが実質的にマウント台２ｏの円周方向に沿っ
た方向に移動されることから、光学ヘッド５の組立て調
整時には、対物レンズ１８を合焦状態に維持しながら、
このマウント台２０を回転して光感類領域１６Ａ、１６
Ｂ間の光子感知領域１６Ｃにビーム・スポットを形成さ
せることによって焦点検出に関する光学系を容易に調整
することができる。また、トラッキング・ガイド検出す
る光学系の調整に関しては、対物レンズ１８が合焦状態
に維持されながら、偏光プリズム１３が傾動されてトラ
ッキング・ガイド検出周光感知領域１７Ａ、１７Ｂ間の
光子感知領域１７Ｇを中心として光感類領域１７Ａ、１
７Ｂ上にトラッキング・ガイド検出用検出用のビーム・
スポットが形成されるように偏光プリズム１３の配置が
調整される。第５図に示すように好ましくは、マウント
２０上に焦点ぼけ検出用検知領域１６Ａ。

１６Ｂ及びトラッキング・ガイド検出用光検知領域１７
Ａ、１７Ｂが夫々マウント２０の半径方向に配置される
。マウント２０が回転可能であり、半導体レーザー１１
の発光点がマウント２０の回転中心に位置されているこ
とから、光学系を容易に調整することができる。なお、
光学系の調整を容易にする為に、マウント２０及び集束
レンズ１２が一体的に回転可能にＩｙｆＪ（図示せず）
に支持されている。

第２図に示されるような光学系は、第５図に示すように
一体的にヘッド・フレームーム２８に支持されている。

検出器１４及び半導体レーザー１１が支持されたマウン
ト２０は、ヘッド・フレーム２８にねじ２７−１．２７
−２によって固定され、更にマウント２０とヘッド・フ
レーム２８とは、半導体素子の耐環性の保護の為に、ハ
ーメチック・シール２９でシールされている。第５図に
示されるヘッド構造によれば、ヘッドの小形軽量化を図
ることができる。尚、第５図に示された光学系において
は、第２図に示される集束レンズ１２が除去され、対物
レンズが１８が非球面レンズに置換えられている。

尚、上述した実施例において、プリズム１３は、集束レ
ンズ１２の光軸１０に対して傾いたレーザー・ビーム入
射面１３Ａを有している。従って、コリメート・レーザ
ー・ビームがレーザー・ビーム入射面１３Ａに入射され
て屈折される際に、楕円形状断面を有するレーザ・ビー
ムが円形状断面を有するレーザ・ビームに変換される。

また、プリズム１３の反射面で反射され、集束レンズ１
２に向けられるレーザー・ビームが屈折面としての面１
３Ａで屈折され、再び、そのビーム断面形状が変えられ
、実質的にその径が拡大される。ビーム径が拡大される
ことによって光学系の結像倍率が大きくなり、焦点ぼけ
即ち、フォーカス・エラー検出感度を向上させることが
できる。特に第２図に示されるナイフ・エツジ法を採用
した光学系においては、焦点ぼけ最に応じて偏向される
方向にレーザー・ビームが引ぎ伸ばされることによって
焦点ぼけ量に応じて偏向されるレーザー・ビームの偏向
される！＠度が向上され、焦点ぼけ検出感度が向上され
る。

第１図及び第６図から第９図を参照してこの発明の一実
施例に係る複数のレーザー構造を備えた半導体レーザー
を附勢する装置を説明する。半導体レーザー１１は、既
に説明したように第６図及び第７図に示されるようなマ
ウント台２０の半円柱ベース部２ＯＡの段部平坦面２２
上に載置固定され、この半導体レーザー１１の背面から
離間されて半円柱ベース部２ＯＡの平坦面２２上には、
この半導体レーザー１１の第１、第２及び第３のレーザ
ー構造１１−１．１１−２．１１−３の背面から発生さ
れる再生、記録及び消去レーザー・ビームをモニターす
る為の１つの光感知領域２４Ａを備えたモニター用光検
出器２４が載置固定されている。

半導体レーザー１１は、２つのレーザー構造を組込んだ
構造を有し、その光点間の間隔が通常３〜１０００μｍ
の範囲に定められている。好ましくは、半導体レーザー
１１の隣接する光点間の間隔が通常３〜１６０μｍの範
囲に定められ、より好ましくは、半導体レーザー７０の
光点間の間隔が通常３０〜６０μｍの範囲に定められて
いる。

上述のような値に定められる理由は、その下限である光
点間の間隔が通常３μｍ或いは、３〜４μｍでは、隣接
する半導体レーザー構造１１〜１゜１１−２間で電気的
なりロストークが生じた場合、その電気的クロストーク
を抑制することが困難であり、また、光学系の光軸１０
に一方の光点のみを一致することが困難であるからであ
る。また、その上限である光点間の間隔がｉ　ｏｏｏμ
ｍ以上になると、光デイスク１上に形成されるビーム・
スポット間の間隔が大きくなり、ビーム・スポットが同
時にトラッキング・ガイドによってガイドされない虞れ
がある。更に、１６０μｍの上限値は、光デイスク１上
に形成されるビーム・スポットの径が１μｍとなるよう
に集束レンズ１２の有効視野及び光学系の結像倍率が考
慮された際における限界値として定められる。上述した
ような点を種々考慮すると、最も好ましい範囲は、３０
〜６０μｍの範囲に定められている。

このようなレーザー装置においては、複数のレーザー構
造が作動され、その構造から発生されたレーザー・ビー
ムがモニターされる場合には、し−ザー構造体からの複
数のレーザー・ビームが１つの光感知領域２４Ａで検出
されるが、この光感知領域からの検出信号は、第８図に
示すような信号分離回路８ｏによって再生、記録及び消
去レーザー・ビームに対応した信号成分に分離され、こ
の分離された再生、記録及び消去信号成分に基づいて半
導体レーザー１１がレーザー駆動回路８５によって附勢
される。第１図に示すように電源電圧ＣＣには、モニタ
ー用光検出器２４の光感知領域２４Ａ及び半導体レーザ
ー１１の第１、第２及び第３のレーザー構造１１−１．
１１−２’。

１１−３が接続され、第１のレーザー構造１１−１は、
第１のトランジスタ３２のコレクタに接続され、また、
第２のレーザー構造１１−１は、第２のトランジスタ３
３のコレクタに接続され、このｌ・ランジスタ３２．３
３のエミッタが抵抗３４．３５を介して接地され、第３
のレーザー構造１１−３は、第３のトランジスタ３６の
コレクタに接続され、このトランジスタ３６のエミッタ
が抵抗３７を介して接地されている。これらトランジス
タ３２．３３．３６のベースは、夫々再生光制御回路８
１、記録光制御回路８２、及び消去光制御回路８３に接
続されている。また、光感知顔［２４Ａは、プリアンプ
３５を介して信号分離回路８０に接続され、この回路８
０が再生光制御回路８１、記録光制御回路８２、及び消
去光制御回路８３に接続されている。従って、信号分離
回路８０によって分離された再生、記録及び消去信号成
分に基づいて再生光制御回路８１、記録光制御回路８２
、及び消去光制御回路８３から夫々再生、記録及び消去
ベース電圧が発生され、このベース電圧に基づいて各ト
ランジスタ３２．３３゜３４の内部インピーダンスが決
定される。その結果、半導体レーザー１１の第１、第２
及び第３のレーザー構造１１−１．１１−２．１１−３
から発生されるレーザー・ビームが正確に制御される。

第８図に示される回路は、具体的には、第１図に示され
るような回路で構成される。この回路構成においては、
信号分離回路８４がバンドパス・フィルタ４０、ボトム
・レベル検出回路４１、マスキング回路５０、サンプル
・ホールド回路５４、消去光発光タイミング回路５１、
減算回路６０、減算回路５１及びインバータ回路８７か
ら構成され、記録光分離回路８４がバンドパス・フィル
タ４０、ボトム・レベル検出回路４１がら構成され、記
録光制御回路８１がピークレベル検出回路４２、第２の
ボトムレベル検出回路４３、減算回路４４、基準電圧発
生回路４５、記録用ベース電圧発生回路４６、記録信号
発生回路４７、及び変調回路４８で構成され、再生光制
御回路８２が基準電圧発生回路５６、再生用ベース電圧
発生回路５５で構成され、また消去光制御回路８３が基
準電圧発生回路６２、記録用ベース電圧発生回路６６及
スイツチング回路６４で構成されいる。即ち、レーザー
駆動回路８５のトランジスタ３３．３６のベースは、夫
々ＣＰＵ３８からのコマンド信号によってオン・オフさ
れるアナログ・スイッチ装置３７のアナログ・スイッチ
３７−１．３７−２゜３７−３に接続されている。光感
知領域２４Ａは、プリアンプ３５を介して記録信号発生
回路４５から発生される記録信号に対応した成分を取出
す為にこの記録信号と略同−周波数の検出信号成分を通
すバンドパス・フィルタ４０及び信号のボトムレベルの
みを検出する第１のボトムレベル検出回路４１に接続さ
れ、バンドパス・フィルタ４０は、また記録信号に対応
した検出信号のピーク・レベルを検出するピークレベル
検出回路４２及び記録信号に対応した検出信号のボトム
・レベルを検出する第２のボトムレベル検出回路４３に
接続されている。このピークレベル検出回路４２及び第
２のボトムレベル検出回路４３は、ピーク・レベルとボ
トム・レベルとの差を得る為に減算回路４４に接続され
、この減算回路４４は、更に、基準電圧信号発生回路４
５に接続された適切なベース電圧を発生するベース電圧
発生回路４６に接続され、このベース電圧発生回路４６
は、記録信号発生回路４７が接続され、この回路から発
生された記録信号でベース電圧を変調する変調回路４８
に接続されている。この変調回路４８は、アナログ・ス
イッチ３７−１に接続されている。第２のボトム・レベ
ル検出回路４１は、消去光発光タイミング回路５１が接
続され、消去時に検出信号をマスキングするマスキング
回路５０に接続され、このマスキング回路５０の出力側
は、ボトム・レベルをサンプル・ホールドするサンプル
・ホールド回路５４に接続され、このサンプル・ホール
ド回路５４は、消去時に第２のボ］〜ム・レベル検出回
路４１からの信号からサンプル・ホールドされた再生光
成分に対応するボトム・レベルの信号を減篩する減算回
路６０にせっぞくされている。サンプルホールド回路５
４は、更に基ｔ！ｌ−電圧発生回路５６に接続された適
切なレベルを有する記録用ベース電圧を発生するベース
電圧発生回路５５に接続され、このベース電圧発生回路
５５がアナログ・スイッチ３７−２に接続されている。

また、減算回路６０は、基準信号発生回路６２が接続さ
れている消去用ベース電圧発生回路６６に接続され、こ
の消去用ベース信号発生回路６２は、消去光発光タイミ
ング回路５１にインバータ回路８７を介して接続され、
消去用ベース電圧を発生する消去用ベース電圧発生回路
６４に接続され、このベース電圧発生回路６４が第３の
アナログ・スイッチ３７−３に接続されている。

このような回路構成では、再生モード時にＣＰＵ３８か
ら発生される再生モード信号に応じて第２のアナログ・
スイッチ３７−１が開成される。従って、基準電圧発生
器４５から発生された基準電圧に応じてベース電圧発生
回路５５から発生されたベース電圧信号が第２のアナロ
グ・スイッチ３７−２を介して第２のトランジスタ３３
のベースに印加される。その結果、第２のトランジスタ
３３が導通してレーザー構造１１−１が作動され、低レ
ベルの再生用レーザー・ビームのみがこのレーザー構造
１１−１から発生される。半導体レーザー１１の正面か
ら発生された再生レーザー・ビームは、光ディスク１に
向けられ、その背面から発生された再生用レーザー・ビ
ームは、光検出器２４の光感知領域２４Ａに入射される
。再生モードにおいては、この再生用レーザービームが
光感知領域２４Ａによって検出信号に変換され、この検
出信号がプリアンプ３５Ａによって増幅されてボトムレ
ベル検出回路４１によってそのボトム信号レベルが検出
される。ここで、再生レーザー・ビームは、一定レベル
で発生されることから光感知領域２４Ａからの検出信号
も一定レベルであり、従ってボトムレベル検出回路４１
がらは、その一定レベルのボトム信号が検出される。再
生モードでは、消去光発光タイミング回路５１がら消去
タイミング信号が発生されていない為マスキング回路５
０が不作動に維持されている。従って、このボトム信号
は、マスキング回路５０を介してサンンブル・ホールド
回路５４に供給され、サンプルホールドされる。このサ
ンプル・ホールド回路５４では、ボトム信号が更新され
る毎に更新されたレベルがサンプル・ホールドされる。

このサンプルホールドされたボトム信号は、再生用ベー
ス電圧発生回路５５で信号と比較され、比較結果に基づ
いてこのベース信号発生回路５５からフィードバック制
御されたベース電圧信号が発生される。このフィードバ
ック制御されたベース電圧信号がトランジスタ３３のベ
ースに印加されると、レーザー構造１１−１から発生さ
れる再生用レーザー・ビームが一定に維持されるように
トランジスタ３３の内部インピーダンスが変化される。

記録モードでは、ＣＰＩＪ３８から発生される記録モー
ド信号に応じて第１及び第２のアナログ・スイッチ３７
−１．３７−２が閉成される。従って、既に述べた再生
モードと同様に再生用ベース電圧信号が発生されるとと
もにこの電圧信号に加えて記録用ベース電圧信号が発生
される。即ち、記録信号発生回路４７から発生された記
録信号に応じて基？＄電圧信号発生回路４５から発生さ
れ、減算回路４６を介して記録用ベース電圧信号発生器
４８に供給された基準電圧は、記録信号で変調され、変
調されたベース電圧信号がアナログ・スイッチ３７−１
を介してトランジスタ３２のベースに印加される。その
結果、変調されたベース信号に応じてトランジスタ３２
の内部インピーダンスが変化し、レーザー構造１１−１
に供給される電流がパルス的に変化される。従って、レ
ーザー構造１１−１．１１−２からは、再生用レーザー
・ビーム及び強度変調されている記録用レーザー・ビー
ムが発生される。この記録用レーザー・ビームは、再生
モードと同様に光検知器２４の光感知領域２４Ａで検出
され、検知信号に変換される。

この検知信号は、プリアンプ３５を介してバンドパスフ
ィルター４０及びボトムレベル検出回路４１に供給され
る。ボトムレベル検出回路４１に供給された検出信号は
、ボトムレベルが検出されて記録用信号に対応する成分
が除去される。

検出信号から抽出されたこのボトム信号は、既に説明し
た再生モードの場合と同様に処理され、再生用ベース電
圧が一定に維持される。バンドパス・フィルター４０に
供給された検出信号は、記録信号に対応する変調周波数
成分のみが取出され、再生用ベース電圧信号に対応する
成分が除去される。バンドパス・フィルター４０を通過
した検出信号は、ピークレベル検出回路４２でそのピー
ク・レベルが検出されるとともにボトムレベル検出回路
４３でそのボトムレベルが検出される。この検出された
ピーク・レベル及びボトム・レベルとの差が減算回路４
４から発生される。このレベル差信号がベース電圧発生
回路４６で基１１！電圧信号と比較され、記録用レーザ
ー・ビームのピークレベルを決定する一定のピーク・レ
ベルを有する記録用ベース電圧信号がベース電圧発生回
路４６から発生される。この記録用ベース信号が記録信
号に応じて変調回路４８に変調されて変調されたベース
電圧信号が発生される。記録レーザー・ビームは、モニ
ターされ、このモニター出力からトランジスタ３２のベ
ースに与えるベース電圧信号のピーク・レベルが常に一
定に維持されていることから、レーザー構造１１−２か
ら発生されるレーザー・ビームのピーク・レベルが一定
に維持される。

消去モードにおいては、ＣＰＵ３８から発生される消去
モード信号に応じて第２及び第３のアナログ・スイッチ
３７−２．３７−３が開成される。

従って、既に述べた再生モードと同様に再生用ベース電
圧信号が発生されるとともにこの電圧信号に加えて消去
用ベース電圧信号が発生される。即ち、消去光発光タイ
ミング信号発生回路５１から発生された消去タイミング
信号でマスキング回路５０が作動されるとともにスイッ
チング回路６４が作動されて消去用ベース電圧発生回路
６６がアナログスイッチ３７−３に接続される。従って
、基準信号発生回路６２から発生され、消去用ベース電
圧信号発生器６６に供給された基準電圧は、このスイッ
チング回路６４及びアナログ・スイッチ３７−３を介し
てトランジスタ３６のベースに印加される。その結果、
消去用ベース電圧信号によってトランジスタ３２が作動
され、レーザー構造１１−３に消去用電流が供給される
。ここで、トランジスタ３３のベースには、再生用のベ
ース電圧信号もまた印加されていることから、このトラ
ンジスタ３３も作動される。従って、レーザー構造１１
−１からは、再生用レーザー・ビームが発生されるとと
もにレーザー構造１１−３からは、消去用レーザー・ビ
ームが発生される。この再生用及び消去用レーザー・ビ
ームは、光検知器２４の光感知領域２４Ａで検出される
。感知領域２４Ａからの検知信号は、プリアンプ３５Ａ
を介してボトムレベル検出回路４１に供給される。ボト
ムレベル検出回路４１に供給された検出信号は、ボトム
レベルが検出されてマスキング回路５０に供給される。

ここで、このマスキング回路５０は、作動状態に消去光
発光タイミング信号発生回路５１からのタイミング信号
で維持されていることからマスクされる。従って、消去
モードでは、消去光発光タイミング信号発生回路５１か
ら発生される消去タイミング信号が発生される前の再生
用レーザー・ビームを検出してサンプル・ホールド回路
５４でサンプル・ホールドされた信号レベルで再生用ベ
ース電圧信号が決定される。消去モードにおいても記録
用レーザー・ビームが発生される場合にあっても検出信
号中に含まれる記録信号レベルは、このボトムレベル検
出回路４１で除去される。ボトムレベル検出回路４１か
らのボトム信号には、再生光成分がノイズとして含まれ
るが、この再生光成分は、サンプル・ホールド回路５４
でサンプル・ホールドされた再生用のボトム検出信号に
相当し、従って、サンプル・ホールド回路５４からの信
号及びボトムレベル検出回路４１からのボトム検出信号
が減算回路６０に供給されることによってボトム信号に
含まれるノイズとしての再生光成分がボトム検出信号か
ら除去される。

ノイズが除去された。再生用ボトム検出信号が消去用ベ
ース発生回路６６に供給され、このボトム検出信号と基
準信号とが消去用ベース発生回路６６で比較されて消去
用ベース電圧信号が発生される。

従って、レーザー構造１１−３から発生される消去用レ
ーザー・ビームのレベルが一定に維持される。

第１図に示される回路は、第９図に示すように変形され
ても良い。第９図において第１図に示したと同様の回路
構成要素は、同一の符号を付してその説明を省略する。

第９図に示される回路においては、信号分離回路８０が
ピーク・レベル検出回路４２、マスキング回路５０−１
．５０−２、サンプルホールド回路５４−１．５４−２
、ボトム・レベル検出回路４１、基準電圧発生回路８８
、減算回路６０、記録信号発生回路４７及び消去信号発
生回路５１及びインバータ回路８７−１゜８７−２から
構成される。従って、再生モード時にＣＰＬＩ３８から
発生される再生モード信号に応じて第２のアナログ・ス
イッチ３７−１が閉成され、ベース電圧発生回路５５か
ら発生されたベース電圧信号が第２のトランジスタ３３
のベースに印加されて再生用レーザー構造１１−１から
再生用レーザー・ビームのみが発生され、第１の光感知
領域２４Ａで検知される。再生モードにおいては、記録
信号発生回路４７からハイレベルの記録信号が発生され
ていないことから不作動状態に維持されている第１のマ
スキング回路５０−２を介して光感知領域２４Ａからの
検出信号が第１のサンプル・ホールド回路５４−２に供
給され、サンプル・ホールドされる。このサンプル・ホ
ールドされた検出信号は、再生用ベース電圧発生回路５
５で信号と比較され、比較結果に基づいてこのベース信
号発生回路５５からフィードバック制御されたベース電
圧信号が発生される。このフィードバック制御されたベ
ース電圧信号がトランジスタ３３のベースに印加される
と、レーザー構造１１−１から発生される再生用レーザ
ー・ビームが一定に維持される。

記録モードでは、ＣＰＵ３８から発生される記録モード
信号に応じて第１及び第２のアナログ・スイッチ３７−
１．３７−２が閉成される。従って、既に述べた再生モ
ードと同様に再生用ベース電圧信号が発生されるととも
にこの電圧信号に加えて記録用ベース電圧信号が発生さ
れる。即ち、記録信号発生回路４７から発生された記録
信号に応じて基準電圧信号発生回路４５から発生され、
減算回路４６を介して記録用ベース電圧信号発生器４８
に供給された基準電圧は、記録信号で変調され、変調さ
れたベース電圧信号がトランジスタ３２のベースに印加
される。その結果、再生用レーザー・ビームがレーザー
構造１１−１から発生されるとともに変調されたベース
信号に応じてレーザー構造１１−２から記録用レーザー
・ビームが発生される。再生用レーザー・ビーム及び記
録用レーザー・ビームは、光検知器２４の光感知領域２
４Ａで検出され、光感知領域２４Ａからは、再生用検知
信号レベルに記録用検知信号レベルがノイズとして混入
された検知信号が発生される。

プリアンプ３５を介する光感知領域２４Ａからの検知信
号は、マスキング回路５０−２に供給されるが、マスキ
ング回路５０−２は、記録信号発生回路４７からハイレ
ベルの記録信号が発生されている開作動状態に維持され
ていることからこのマスキング回路５０−２によって検
知信号は、マスクされる。従って、検知信号がマスクさ
れる前にサンプル・ホールドされた検知信号に基づいて
再生用ベース電圧が決定される。第２のマスキング回路
５０−２と記録信号発生回路４７との間には、インバー
タ８７−２が接続されていることから、この第２のマス
キング回路５０−２は、記録信号発生回路４７から記録
信号が発生されている量子作動状態に維持され、記録信
号発生回路４７から記録信号が発生されていない開作動
状態に維持される。従って、記録用光感箱＠ｔｉＪ、２
４Ａからの検知信号は、ピークレベル検出回路４２で検
出され、検出されたピーク・レベルが不作動状態に維持
されたマスキング回路５０−１を介してサンプル・ホー
ルド回路５４−１でサンプル・ホールドされてベース電
圧発生回路４６に供給され、基準電圧発生回路４５から
の基準電圧に基づいてベース電圧が決定される。この記
録用ベース信号が記録信号に応じて変調回路４８に変調
されて変調されたベース電圧信号が発生される。

従って、既に述べた再生モードと同様に再生用ベース電
圧信号が発生されるとともにこの電圧信号に加えて消去
用ベース電圧信号が発生される。即ち、消去光発光タイ
ミング信号発生回路５１から発生された消去タイミング
信号でマスキング回路５０−１．５０”２が作動される
とともにスイッチング回路６４が作動されて消去用ベー
ス電圧発生回路６６がアナログスイッチ３７−３に接続
される。従って、基準信号発生回路６２から発生され、
消去用ベース電圧信号発生器６６に供給された基準電圧
は、このスイッチング回路６４及びアナログ・スイッチ
３７−３を介してトランジスタ３６のベースに印加され
る。その結果、消去用ベース電圧信号によってトランジ
スタ３２が作動され、レーザー構造１１−３に消去用電
流が供給される。ここで、トランジスタ３３のベースに
は、再生用のベース電圧信号もまた印加されていること
から、このトランジスタ３３も作動される。従って、レ
ーザー構造１１−１からは、再生用レーザー・ビームが
発生されるとともにレーザー構造１１−３からは、消去
用レーザー・ビームが発生される。この再生用及び消去
用レーザー・ビームは、光検知器２４の光感短鎖ｔｉ！
２４Ａで検出される。感知領域２４Ａからの検知信号は
、プリアンプ３５Ａを介してボトムレベル検出回路４１
に供給される。ボトムレベル検出回路４１に供給された
検出信号は、ボトムレベルが検出される。

消去モードにおいても記録用レーザー・ビームが発生さ
れる場合にあっても゛検出信号中に含まれる記録信号レ
ベルは、このボトムレベル検出回路４１で除去される。

ボトムレベル検出回路４１からのボトム信号には、再生
光成分がノイズとして含まれるが、この再生光成分は、
補正信号発生回路８８で生成される。即ち、再生光レベ
ルは、略一定であるとしてこの再生光レベル相当する補
正信号が補正信号発生回路８８から発生される。この補
正信号及びボトムレベル検出回路４１からのボトム検出
信号が減算回路６０に供給されることによってボトム信
号に含まれるノイズとしての再生光成分がボトム検出信
号から除去される。ノイズが除去された消去用ボトム検
出信号が消去用ベース発生回路６６に供給され、このボ
トム検出信号と基準信号とが消去用ベース電圧発生回路
６６で比較されて消去用ベース電圧信号が発生される。

従って、消去光発光タイミング回路６４が作動状態にあ
る間、消去用ベース電圧信号がトランジスタ３６のベー
スに印加され、レーザー構造１１−３から発生される消
去用レーザー・ビームのレベルが一定に維持される。

［発明の効果］以上のように、この発明の多重光発生装置を喝えた光ヘ
ッドによれば、光源の複数の光源構造体から発生された
光ビームが少なくとも１つの光検出ｄで検出されて検出
信号は、７各光ビームに対応する信号成分に分離され、
これにより各光源構造体がＩｔ、１１′ｍされる為、各
光ＦＡ構造体は、常に正確にしかも安定して駆動され、
その結果、各光源構造体からの光ビームも安定される。

従って、情報記録媒体から正確に情報を再生でき、情報
を記録でき、或いは、消去できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例に係る光ヘッドの多重光
発生装置の回路図を示し、第２図は、第１図に示される
多重光発生装置が組込まれるこの発明の一実施例に係る
光ヘッドの光学系を示し、第３図は、第２図に示された
マウントを示す正面図、第４図は、第２図に示されたプ
リズム部材を示す斜視図、第５図は、第２図に示される
光学系が組込まれるマウント・フレームを示す断面図、
第６図は、第３図に示されたマウントを示す斜視図、第
７図は、第５図に示されたマウントを示す平面図、第８
図は、この発明の多重光発生装置の回路図のブロックを
示し、及び第９図は、この発明の他の実施例に係る多重
光発生装置の回路図を示す。１１・・・半導体レーザー、１２・・・集束レンズ、１
３・・・プリズム、１４・・・光検出器、１６Ａ、１６
Ｂ、１７Ａ、１７Ｂ・・・光感知領域、１８・・・対物
レンズ、２ｏ・・・マウント、２４・・・モニター用光
検出器、２４Ａ、２４Ｂ・・・光感知領域、３８・・・
ＣＰＵ、４０・・・バンドパス・フィルター、４１．４
３・・・ボトムレベル検出回路、４２・・・ピークレベ
ル検出回路、４４・・・減算回路、４６．５５゜６６・
・・ベース電圧発生回路、４８・・・変調回路、５０．
５０−２．５０−２・・・マスキング回路、５１・・・
消去光発光タイミング回路、５４．５４−１゜５４−２
・・・サンプル・ホールド回路、６０・・・減算回路、
８８・・・補正信号発生回路出願人代理人　弁理士　鈴江武彦第６図Ｖｃｃ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）第１の方向及び第２の方向に光ビームを発生する
複数の光源構造体を有する光源と、光源の第１の方向に
発生された光ビームを情報記録媒体に集束する集光手段
と、情報記録媒体からの光ビームを検出する第１の検出
手段と、各光源構造体の発光点に対応して設けられ、光
源の第２の方向に向けて発生された少なくとも２以上の
発光点からの光ビームを検出する少なくとも１つの光検
出領域を有する第２の検出手段と、この第２の検出手段
の検知領域からの検出信号を信号を各発光点からの光ビ
ームに対応する信号に分離する信号分離手段と、分離手
段によつて分離された検出信号に応じて各光源構造体を
駆動し、前記各発光点からの光ビームを制御する駆動回
路とから成ることを特徴とする多重発光装置を備えた光
学ヘッド。
（２）分離手段は、検知領域からの検出信号から特定の
成分を除去するフィルター回路と、及び検知領域からの
検出信号からこのフィルター回路の出力信号を減算する
回路とから成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の多重発光装置を備えた光学ヘッド。
（３）分離手段は、検知領域からの検出信号から特定成
分を除去するフィルター回路と、このフィルター回路か
らの出力信号を特定期間ホールドするサンプル・ホール
ド回路と、及びサンプル・ホールド出力信号を検知領域
からの検出信号から減算する減算回路とから成ることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多重発光装置を
備えた光学ヘッド。
（４）分離手段は、前記検知領域からの検出信号から特
定成分を除去するフィルター回路と、及びこのフィルタ
ー回路からの出力信号を特定期間ホールドするサンプル
・ホールド回路とから成ることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の多重発光装置を備えた光学ヘッド。
（５）第１の検出手段、光源及び第２の検出手段は、同
一のマウントに配置されていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の多重発光装置を備えた光学ヘッド
。