JPS63243294A - メツキ方法およびメツキ液 - Google Patents
メツキ方法およびメツキ液Info
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- JPS63243294A JPS63243294A JP7604587A JP7604587A JPS63243294A JP S63243294 A JPS63243294 A JP S63243294A JP 7604587 A JP7604587 A JP 7604587A JP 7604587 A JP7604587 A JP 7604587A JP S63243294 A JPS63243294 A JP S63243294A
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- Japan
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- plating
- nickel
- plated
- mesh
- plating solution
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- Pending
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は、メッキ方法およびそのメッキ液に係り、特
に電子管に用いられるメツシュ電極の製造に好適なメッ
キ方法およびメッキ液に関する。
に電子管に用いられるメツシュ電極の製造に好適なメッ
キ方法およびメッキ液に関する。
（従来の技術）
従来よりメツシュ電極を備える電子管がある。
そのメツシュ電極は、通常、厚さ５〜１２μｍの７５０
〜３０００メツシュ程度の平板状のメツシュまたはそれ
を曲面状に成形したものとなっている。従来、その平板
状のメツシュは、第１図および第２図に示すように、ガ
ラス板からなる方形平板状の絶縁基板■の一方の面に、
周辺部にフレーム部■を設け、その内がわに、互に直交
する方向に一定の線幅、一定ピツチのクロムからなる導
電パターン０の形成されたマスタープレートを用い、ま
ず、この導電パターン■にニッケルストライクメッキを
施し、ついで、本メッキを施して形成されている。
〜３０００メツシュ程度の平板状のメツシュまたはそれ
を曲面状に成形したものとなっている。従来、その平板
状のメツシュは、第１図および第２図に示すように、ガ
ラス板からなる方形平板状の絶縁基板■の一方の面に、
周辺部にフレーム部■を設け、その内がわに、互に直交
する方向に一定の線幅、一定ピツチのクロムからなる導
電パターン０の形成されたマスタープレートを用い、ま
ず、この導電パターン■にニッケルストライクメッキを
施し、ついで、本メッキを施して形成されている。
そして、ニッケルストライクメッキ液としては、たとえ
ば塩化ニッケル１００ル２５０ ニッケルストライクメッキ液をはじめ、その他各種組成
のものが用いられている。また、ストライクメッキ後の
本メッキには、スルファミン酸ニッケル、はう酸などを
含む通常の電鋳用ニッケル液などが用いられている。
ば塩化ニッケル１００ル２５０ ニッケルストライクメッキ液をはじめ、その他各種組成
のものが用いられている。また、ストライクメッキ後の
本メッキには、スルファミン酸ニッケル、はう酸などを
含む通常の電鋳用ニッケル液などが用いられている。
ところで、上記方法によりメツシュを製造すると、メツ
シュの線径が一定せず、パターン全体がむらになりやす
く、そのむらのために、これをたとえばブラウン管に組
込んだ場合、画面にむらを生ずるという問題点がある。
シュの線径が一定せず、パターン全体がむらになりやす
く、そのむらのために、これをたとえばブラウン管に組
込んだ場合、画面にむらを生ずるという問題点がある。
そのため、このメツシュのむら発生の原因を調査した結
果、最初のニッケルストライクメッキに用いられるメッ
キ液のニッケル濃度が高いと、メッキが均一におこなわ
れにくく、その厚さのばらつきがその後の本メッキでさ
らに助長されるためであることが判明した。概して、ニ
ッケル濃度の高いメッキ液を用いてストライクメッキを
施した場合、メツシュは中央部が薄く、周辺部が厚くな
りやすい。
果、最初のニッケルストライクメッキに用いられるメッ
キ液のニッケル濃度が高いと、メッキが均一におこなわ
れにくく、その厚さのばらつきがその後の本メッキでさ
らに助長されるためであることが判明した。概して、ニ
ッケル濃度の高いメッキ液を用いてストライクメッキを
施した場合、メツシュは中央部が薄く、周辺部が厚くな
りやすい。
（発明が解決しようとする問題点）
上記のように、電子管のメツシュ電極に用いられるメツ
シュは、導電パターンが形成されたマスタープレートに
、まずニッケルストライクメッキを施し、ついで本メッ
キを施して製造されるが。
シュは、導電パターンが形成されたマスタープレートに
、まずニッケルストライクメッキを施し、ついで本メッ
キを施して製造されるが。
従来の製造方法では、メツシュの線径が一定せず、パタ
ーン全体がむらになりやすいという問題点がある。その
ため、その原因を調査した結果、最初のニッケルストラ
イクメッキに用いられるメッキ液のニッケル濃度が高い
と、メッキのつきまわりが不均一となり、それがその後
の本メッキで助長されるためであることが判明した。
ーン全体がむらになりやすいという問題点がある。その
ため、その原因を調査した結果、最初のニッケルストラ
イクメッキに用いられるメッキ液のニッケル濃度が高い
と、メッキのつきまわりが不均一となり、それがその後
の本メッキで助長されるためであることが判明した。
この発明は、上記問題点が解決するためになされたもの
であり、ニッケルストライクメッキを良好にして、むら
のないメッキが得られるようにすることを目的とする。
であり、ニッケルストライクメッキを良好にして、むら
のないメッキが得られるようにすることを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
被メッキ部材にニッケルストライクメッキを施したのち
１本メッキを施すメッキ方法において、被メッキ部材を
スルファミン酸ニッケルおよびくえん酸ニッケルをそれ
ぞれ２〜４ｇ＃ｌ含むメッキ液中に通電することなく１
０秒以上浸漬したのち、通電してニッケルストライクメ
ッキを施すようにした。
１本メッキを施すメッキ方法において、被メッキ部材を
スルファミン酸ニッケルおよびくえん酸ニッケルをそれ
ぞれ２〜４ｇ＃ｌ含むメッキ液中に通電することなく１
０秒以上浸漬したのち、通電してニッケルストライクメ
ッキを施すようにした。
また、そのニッケルストライクメッキ用メッキ液をスル
ファミン酸ニッケルおよびくえん酸ニッケルを主成分と
し、これら主成分をそれぞれ２〜４ ｇＩＱ含む液とし
た。
ファミン酸ニッケルおよびくえん酸ニッケルを主成分と
し、これら主成分をそれぞれ２〜４ ｇＩＱ含む液とし
た。
（作 用）
上記のように、ニッケルストライクメッキ用メッキ液を
、ＩＱ中にスルファミン酸ニッケル２〜４ｇ、くえん酸
ニッケル２〜５ｇ含む液として。
、ＩＱ中にスルファミン酸ニッケル２〜４ｇ、くえん酸
ニッケル２〜５ｇ含む液として。
かつ、このメッキ液中に被メッキ部材を通電することな
く１０秒以上浸漬したのち、通電してストライクメッキ
を施すと、被メッキ部材とメッキ液とのなじみが良好と
なり、むらのないメッキを施すことができる。
く１０秒以上浸漬したのち、通電してストライクメッキ
を施すと、被メッキ部材とメッキ液とのなじみが良好と
なり、むらのないメッキを施すことができる。
（実施例）
以下、この発明を電子管用メツシュ電極に用いられるメ
ツシュを製造する場合について説明する。
ツシュを製造する場合について説明する。
まず、ガラス板からなる平板状の絶縁基板の一方の面に
周辺部にフレーム部を設け、その内がゎに、一定の線幅
、一定ピツチのクロムからなるメツシュ状の導電パター
ンが形成されたマスタープレートを洗浄して、そのパタ
ーンを清浄にし、これをスルファミン酸ニッケル ２〜
４ ｇｉｌｌ、くえん酸ニッケル２〜４ ｇｅｌ含むニ
ッケルストライクメッキ用メッキ液中に、通電すること
なく１０秒以上、好ましくは１０〜３０秒浸漬する。つ
いで、ステンレス鋼からなる陽極を対極として通電し、
上記導電パターンにニッケルストライクメッキを施す。
周辺部にフレーム部を設け、その内がゎに、一定の線幅
、一定ピツチのクロムからなるメツシュ状の導電パター
ンが形成されたマスタープレートを洗浄して、そのパタ
ーンを清浄にし、これをスルファミン酸ニッケル ２〜
４ ｇｉｌｌ、くえん酸ニッケル２〜４ ｇｅｌ含むニ
ッケルストライクメッキ用メッキ液中に、通電すること
なく１０秒以上、好ましくは１０〜３０秒浸漬する。つ
いで、ステンレス鋼からなる陽極を対極として通電し、
上記導電パターンにニッケルストライクメッキを施す。
このニッケルストライクメッキの厚さは、約０．１μｍ
以下でよく、通常、５ｖ前後の直流電圧を印加して３０
〜６０秒通電することにより得られる。このニッケルス
トライクメッキにおけるマスタープレートの浸漬および
その後の通電メッキについては。
以下でよく、通常、５ｖ前後の直流電圧を印加して３０
〜６０秒通電することにより得られる。このニッケルス
トライクメッキにおけるマスタープレートの浸漬および
その後の通電メッキについては。
マスタープレートに形成された導電パターンとメッキ液
との接触を良好にするため、ポンプによる循環など任意
手段によりメッキ液を撹拌し、また。
との接触を良好にするため、ポンプによる循環など任意
手段によりメッキ液を撹拌し、また。
導電パターン全体にわたりメッキを均一にするため、液
温を３０℃以下に保持することが好ましい。
温を３０℃以下に保持することが好ましい。
つぎに、このニッケルストライクメッキの施されたマス
タープレートを水洗し、ついでこれをスルファミン酸ニ
ッケルおよびほう酸を主成分とするメッキ液中に浸漬し
、ニッケルを陽極として通電し、上記ニッケルストライ
クメッキ上に本メッキを施す。この本メッキは、メッキ
液を撹拌し、液温を５０〜６０℃に保って３〜６ｖ程度
の直流電圧を印加しておこなうとよい。それにより、７
５０〜３０００メツシユのメツシュに対して、その厚さ
５〜１２μｍとすることができる。
タープレートを水洗し、ついでこれをスルファミン酸ニ
ッケルおよびほう酸を主成分とするメッキ液中に浸漬し
、ニッケルを陽極として通電し、上記ニッケルストライ
クメッキ上に本メッキを施す。この本メッキは、メッキ
液を撹拌し、液温を５０〜６０℃に保って３〜６ｖ程度
の直流電圧を印加しておこなうとよい。それにより、７
５０〜３０００メツシユのメツシュに対して、その厚さ
５〜１２μｍとすることができる。
ところで、上記のように、スルファミン酸ニッケルおよ
びくえん酸ニッケルを主成分とし、これら主成分をそれ
ぞれ２〜４ ｇＩＱ含むメッキ液を用い、かつ通電して
ニッケルストライクメッキを施す前に１通電することな
くマスタープレートを１０秒以上浸漬して、メッキ液と
十分になじませたのちに、通電してニッケルストライク
メッキを施すと、そのニッケルストライクメッキを導電
パターン全体にわたり均一にすることができ、それによ
り、その後１本メッキを施して製造されるメツシュをむ
らのないものにすることができる。スルファミン酸ニッ
ケルおよびくえん酸ニッケルの量がそれぞれ５ｇＩＱを
越えるとむらを生じ、また２ｇ／（１より少くなると、
メッキ時間が長くかつむらが発生しやすく好ましくない
。
びくえん酸ニッケルを主成分とし、これら主成分をそれ
ぞれ２〜４ ｇＩＱ含むメッキ液を用い、かつ通電して
ニッケルストライクメッキを施す前に１通電することな
くマスタープレートを１０秒以上浸漬して、メッキ液と
十分になじませたのちに、通電してニッケルストライク
メッキを施すと、そのニッケルストライクメッキを導電
パターン全体にわたり均一にすることができ、それによ
り、その後１本メッキを施して製造されるメツシュをむ
らのないものにすることができる。スルファミン酸ニッ
ケルおよびくえん酸ニッケルの量がそれぞれ５ｇＩＱを
越えるとむらを生じ、また２ｇ／（１より少くなると、
メッキ時間が長くかつむらが発生しやすく好ましくない
。
以下、具体例について述べる。
スルファミン酸ニッケルおよびくえん酸ニッケルをそれ
ぞれ３ ｇＩＱ含むメッキ液を室温に保ち。
ぞれ３ ｇＩＱ含むメッキ液を室温に保ち。
かつ撹拌しながら、このメッキ液中に７５０メツシユの
導電パターンが形成されたマスタープレートを１５秒間
浸漬し、ついで、ステンレス鋼からなる陽極との間に５
．５ｖの直流電圧を４０秒間印加して。
導電パターンが形成されたマスタープレートを１５秒間
浸漬し、ついで、ステンレス鋼からなる陽極との間に５
．５ｖの直流電圧を４０秒間印加して。
ニッケルストライクメッキを施した。その後、このニッ
ケルストライクメッキの施されたマスタープレートを水
洗し、ついで、スルファミン酸ニッケルおよびほう酸を
主成分とするメッキ液により、これを６０℃に加熱し、
かつ撹拌しながら、ニッケルを陽極として５ｖの直流電
圧を印加して本メッキを施した。その結果、線径一定に
して全面にわたりむらのないメツシュが得られた。
ケルストライクメッキの施されたマスタープレートを水
洗し、ついで、スルファミン酸ニッケルおよびほう酸を
主成分とするメッキ液により、これを６０℃に加熱し、
かつ撹拌しながら、ニッケルを陽極として５ｖの直流電
圧を印加して本メッキを施した。その結果、線径一定に
して全面にわたりむらのないメツシュが得られた。
また、他の具体例として、スルファミン酸ニッケルおよ
びくえん酸ニッケルをそれぞれ５ ｇＩＱ含むメッキ液
を用いて、上記具体例と同様の方法によりニッケルスト
ライクメッキを施し、その後、本メッキを施して７５０
メツシユのメツシュを形成したが、この場合は、線径の
ばらつきに基づくむらが発生した。
びくえん酸ニッケルをそれぞれ５ ｇＩＱ含むメッキ液
を用いて、上記具体例と同様の方法によりニッケルスト
ライクメッキを施し、その後、本メッキを施して７５０
メツシユのメツシュを形成したが、この場合は、線径の
ばらつきに基づくむらが発生した。
また、別の具体例として、スルファミン酸ニッケルおよ
びくえん酸ニッケルをそれぞれ１ 、５ｇ／（ｌ含むメ
ッキ液を用いて、同様にメツシュを形成したが、この場
合も上記他の具体例と同様むらが発生した。
びくえん酸ニッケルをそれぞれ１ 、５ｇ／（ｌ含むメ
ッキ液を用いて、同様にメツシュを形成したが、この場
合も上記他の具体例と同様むらが発生した。
被メッキ部材にニッケルストライクメッキを施したのち
１本メッキを施すメッキ方法において、スルファミン酸
ニッケルおよびくえん酸ニッケルをそれぞれ２〜４ ｇ
ＩＱ含むメッキ液中に、通電することなく被メッキ部材
を１０秒以上浸漬し、ついで１通電してニッケルストラ
イクメッキを施し。
１本メッキを施すメッキ方法において、スルファミン酸
ニッケルおよびくえん酸ニッケルをそれぞれ２〜４ ｇ
ＩＱ含むメッキ液中に、通電することなく被メッキ部材
を１０秒以上浸漬し、ついで１通電してニッケルストラ
イクメッキを施し。
その後、本メッキを施すと、上記ニッケルストライクメ
ッキ用メッキ液の組成と、通電メッキする前の浸漬とに
より、被メッキ部材とメッキ液とのなじみが良好となり
、従来、ニッケルストライクメッキのつきまわりが不均
一なために発生したメッキむらをなくし、所要のメッキ
を施すことができる。
ッキ用メッキ液の組成と、通電メッキする前の浸漬とに
より、被メッキ部材とメッキ液とのなじみが良好となり
、従来、ニッケルストライクメッキのつきまわりが不均
一なために発生したメッキむらをなくし、所要のメッキ
を施すことができる。
第１図は電子管のメツシュ電極の製造に用いられるマス
タープレートの構造を示す平面図、第２図はその一部を
拡大して示す断面図である。
タープレートの構造を示す平面図、第２図はその一部を
拡大して示す断面図である。
Claims (2)
- （１）被メッキ部材にニッケルストライクメッキを施し
たのち、本メッキを施すメッキ方法において、被メッキ
部材をスルファミン酸ニッケルおよびくえん酸ニッケル
をそれぞれ２〜４ｇ／ｌ含むメッキ液中に通電すること
なく１０秒以上浸漬したのち通電して上記ニッケルスト
ライクメッキを施すことを特徴とするメッキ方法。 - （２）ニッケルストライクメッキ用メッキ液として、ス
ルファミン酸ニッケルおよびくえん酸ニッケルを主成分
とし、これら主成分をそれぞれ２〜４ｇ／ｌ含むことを
特徴とするメッキ液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7604587A JPS63243294A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | メツキ方法およびメツキ液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7604587A JPS63243294A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | メツキ方法およびメツキ液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63243294A true JPS63243294A (ja) | 1988-10-11 |
Family
ID=13593823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7604587A Pending JPS63243294A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | メツキ方法およびメツキ液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63243294A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140166490A1 (en) * | 2012-12-19 | 2014-06-19 | Apple, Inc. | Cosmetic and protective metal surface treatments |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP7604587A patent/JPS63243294A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140166490A1 (en) * | 2012-12-19 | 2014-06-19 | Apple, Inc. | Cosmetic and protective metal surface treatments |
| US9644281B2 (en) * | 2012-12-19 | 2017-05-09 | Apple Inc. | Cosmetic and protective metal surface treatments |
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