JPS63241440A - 光学検出器の周波数応答を測定する方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、　口の言　■なＭ日 −［技術分野］ 本発明は、光学検出器の周波数応答を測定する方法およ
び装置に関するものである。したがって本発明の総括的
な目的は、そのための新規かつ改良された方法および装
置を提供することである。

［従来の技術］ 以下の発行物のリストへ読者の関心が向けられよう。言
及せられる文献の関連性については、それらがその関連
の記号により以下の明細書で指示されるに応じて明らか
となろう。

［１］エイチ、ブローベルト（Ｈ，ＢｌａｕｖｅｌｔＪ
らによる、Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ、　４５
　（１９８４年）の１９５−１９６ページの　”Ｆａｂ
ｒｉｃａｔｉｏｎ　ａｎｄｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔ
ｉｏｎ　ｏｆ　ＧａＡｓ　５ｈｏｔｔｋｙ　ｂａｒｒｉ
ｅｒｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｓ　ｆｏｒ　　ｍｉｃ
ｒｏｗａｖｅ　ｆｉｂｅｒ　ｏｐｔｉｃｌｉｎｋｓ”　
。

［２］トーブジヨム　アンダーソン（ＴｏｒｂｊｏｍＡ
ｎｄｅｒｓｏｎ）らによる、Ａｐｐｌ、　０ｐｔｉｃｓ
　１９　（１９８０年）の３４９６−３４９９ページの
”　Ｔｅｍｐｏｒａｌ　ａｎｄｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　　
ｒｅｓｐｏｎｓｅ　ｏｆ　　ａｖａｌａｎｃｈｅ　　ｐ
ｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓｆｒｏｍ　　ｎｏｉｓｅ　　ｍｅ
ａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ　　＋。

［３コシイ、エイ、バラス（Ｃ，Ａ、　Ｂｕｒｒｕｓ）
らによる、Ｅｌｅｃｔ、　Ｌｅｔｔ、　２１（１９８５
年）の２６２−２６３ページの°’Ｉｍｐｒｏｖｅｄ　
ｖｅｒｙ−ｈｉｇｈ−ｓｐｅｅｄ　ｐａｃｋａｇｅｄ　
ＩｎＧａＡｓＰＩＮ　ｐｕｎｃｈｔｈｒｏｕｇｈ　ｐｈ
ｏｔｏｄｉｏｄｅ　”　。

［４］エル、ピッカリ（Ｌ、　Ｐｉｃｃａｒｉ）、　　
ビー、スバノ（Ｐ、　５ｐａｎｏ）による、Ｅｌｅｃｔ
、　Ｌｅｔｔ、　１８（１９８１年）の１１６−１１８
ページの°’Ｎｅｗ　ｍｅｔｈｏｄ　ｆｏｒ　ｍｅａｓ
ｕｒｉｎｇｕｌｔｒａｗｉｄｅ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　
ｒｅｓｐｏｎｓｅ　ｏｆ　ｏｐｔｉｃａｌｄｅｔｅｃｔ
ｏｒｓ　　”　　。

［５］シー、エイチ、ヘンリ（Ｃ，Ｈ，ｌ＋ｅｎｒｙ）
による、ＩＥＥＥ　ＪＱＥ　１８（１９８２年）の２５
９〜２６４ページの”Ｔｈｅｏｒｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｌ
ｉｎｅｗｉｄｔｈ　ｏｆ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
ｌａｓｅｒｓ＋。

［６コエス、コバヤシ（Ｓ、　Ｋｏｂａｙａｓｈｉｌら
による、ＩＥＥＥ　ＪＱＥ　１８（１９８２年）の５８
２−１９５ページの＋Ｄｉｒｅｃｔ　ｆｒｅｑｕｅｎｃ
ｙ　ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ　ｉｎ　ＡＩＧａＡｓｓｅｍ
ｉｃＡｌＧａＡｓ５ｅ　１ａｓｅｒｓ”。

［７］イー、エイチェン（Ｅ、　Ｅｉｃｈｅｎ）　らに
よる、Ｅｌｅｃｔ、　　Ｌｅｔｔ、　２１（１９８５年
）の８４９−８５０ページのＩｎｔｒｉｎｓｉｃ　　１
ｉｎｅｓｈａｐｅ　　ａｎｄ　　ＦＭ　　ｒｅｓｐｏｎ
ｓｅ　ｏｆｍｏｄｕｌａｔｅｄ　　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ　　１ａｓｅｒｓ”　　。

［８］ジエイ、シュラ−ファー（Ｊ、　５ｃｈｌａｆｅ
ｒＪ　らによる、Ｅｌｅｃｔ、　Ｌｅｔｔ、　２１０９
８５年）の４６９−４７１ページの”２０Ｇｔｌｚ　Ｂ
ａｎｄｗｉｄｔｈ　ＩｎＧａＡｓ　Ｐｈｏｔｏｄｅｔｅ
ｃｔｏｒｆｏｒ　　Ｌｏｎｇ−ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ　
Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　０ｐｔｉｃａｌＬｉｎｋｓ　　“
　。

光学検出器の帯域幅が１００ＧＨｚを越えるようになる
と、その周波数応答を測定するのがしだいに困難になる
。掃引周波数測定では、いずれも検出器の応答よりも大
きい知られた応答をもつ強度被変調レーザーまたは外部
変調器のいずれかが必要とされ（文献［１］参照）そし
て散弾雑音スペクトルないしショットノイズスペクトル
の測定中に得られる極端に低いレベルの信号が原因で、
増幅器の利用が必要とされる（文献［２１９照）。ピコ
秒光学パルスを必要とするタイムドメイン測定はサンプ
リング誤差および電算機による誤差により容易に悪影響
を受ける（文献［３コ参照）。ビート周波数方法は良好
な温度制御でそしてなんらの光学的フィードバックもな
く２つの狭い線幅（通常は、外部キャビティ）の半導体
レーザな必要とする（文献［４］参照）。掃引周波数測
定およびショットノイズ測定は、標準的には帯域幅で制
限を受け、そして他の技術は実験的に困難でありそして
／または高価なものにつく。

半導体レーザの電界の振幅変調部分が電流を変調するこ
とにより変調されるとき、電界の光周波数もまた変調さ
れるという副作用が生ずる（文献［５］および［６］参
照）。

干渉計がない場合、ある所与の周波数（たとえば１００
ヘルツなど）での半導体レーザの電流の変調により、光
の強さもまた同じ周波数（この例では、１００ヘルツ）
で変調されるということが生ずる。

［発明の概要］ 本発明の他の目的は、光源（半導体レーザ）が、光学検
出器の帯域幅よりも実質的に小さい周　′波数で変調を
行なうことのできる新規かつ改善された光学検出器の周
波数応答測定方法および装置を提供することである。

本発明の別の目的は、ある周波数ｆでレーザの変調を行
なうことにより、複数の周波数ｎｆ　（ここで、ｎは１
よりも大きい整数である）をもっである光出力が得られ
る新規かつ改善された光学検出器の周波数応答測定方法
および装置を提供することである。

本発明のさらに別の目的は、平坦なまたは知られた変調
周波数応答を持ったレーザが必要とされないがゆえに自
己校正式であり実験的に簡単かつ安価かつ高速であり、
製品を基礎とした自動化装置の小形の検査機器に作るこ
とが可能な３ｄＢロ一ル周波数が１００Ｇ）Ｉｚよりも
大きいところにある光学検出器の周波数応答を測定する
新規かつ改善された方法および装置を提供することであ
る。

本発明の一様相によれば、光学検出器の周波数応答測定
方法には、半導体レーザな直流バイアスおよび交流の和
を用いて駆動することが含まれる。レーザが上記のよう
に駆動されるので、振幅と周波数とが変調された電界を
もつ光ビームが発生する。この光を二つのビームに分離
し、一方のパスを他方のパスについて遅延させ、そして
得られる複数のパスを組み合わせる干渉計に光が与えら
れる。こうして、レーザからの電界の振幅により各パス
の振幅変調は消去し、そして残る唯一の振幅変調は、レ
ーザビームの電界の周波数変調部分によるものだけであ
る０本発明の一つの特徴によれば、交流は周波数ｆを有
し、そして唯一の振幅変調は複数の周波数ｎｆ（ここで
、ｎは１よりも大きい整数である）を有する。干渉計は
、電界の複数の振幅被変調部分を消去するよう調節でき
るが、複数の周波数被変調部分についてはそうではない
。

本発明の別の様相によれば、光学検出器の周波数応答を
測定する装置は、半導体レーザとこれに直流バイアスを
提供する手段とを備える。振幅と周波数とが変調される
電界を有する光のビームを発生するようこの半導体レー
ザが駆動できるよう交流手段が用意される。複数の干渉
手段が、ビームを受容して、光を２つのパスに分離し、
一方のパスを他方のパスについて遅延させ、そして得ら
れるパスが組み合わされるよう結合される。こうして、
レーザからの電界の振幅により各パスの振幅変調は消去
され、そして残る唯一の振幅変調は、レーザビームの電
界の周波数変調部分によるものだけである。残る唯一の
振幅変調を分析する手段が用意される。本発明の一つの
特徴によれば、干渉手段は、 一対のコーナキューブと、一方のコーナキューブを他方
のコーナキューブに関して並進動作させる手段とを有す
るマイケルソン干渉計を備えることができる。干渉手段
は、直流バイアスを制御する低周波と、分析のための一
組の複数の高周波が提供可能なマツハツエンダ干渉計を
備えることもできる。低周波は周波数ｆ１を有し、交流
手段は周波数ｆ２を有しそしてここでｆｌはｆ２よりも
小さい。

［好ましい実施例の説明］ 以下に開示される周波数変調側波帯技術によリ、光学検
出器の周波数応答の測定が可能である。実屈折率および
複素屈折率間の強いカップリングにより、半導体レーザ
のバイアス電流の小さな変化は光周波数の相当大きな変
化を伴う（文献［５］　　［６］参照）。かくして、半
導体レーザの小さな電流変調から相当のパワーを包含す
る高次の複数の周波数被変調側波帯が発生可能である。

このような変調により発生する複数のＦＭ周波数成分は
、干渉計を使用してＡＭに変換可能である。レーザと干
渉計とのこの組合せは、変調周波数の各調波で指定され
た量のパワーと一緒に、極端に高い増大した周波数振幅
変調のソースとして振る舞う。これらの複数の調波の各
々のパワーを測定しそして第１図に図示されるような知
られている結果と比較することにより、干渉計の出力に
配置される検出器のレスポンス（応答）が得られる。

第１図は、ある電界を線１２に発生する光スペクトルを
発生する被変調半導体レーザを図示し、これは、干渉計
１３に結合される。干渉計１３は線１４に沿っである強
度スペクトルを発生し、また光学検出器１６に結合され
る。光学検出器１６は、線１７に沿って光−電流スペク
トルを発生する。

線１２に沿った光スペクトルによる電界の表示が、すぐ
その上のチャート図に図示されており、電界を、正の周
波数成分および負の周波数成分の両方を持つものとして
図示する。線１４に沿う強度スペクトルのすぐ上のフィ
ールドチャート図は、干渉計１３の出力を指示するのに
、複数の種種の光周波数での強度の変化を図示する。同
様に、線１７に沿う光電流スペクトルの上に図示される
波形は、検出器１６の出力を図示する。

第１図に図示される先の装置および測定技術は、３　Ｇ
Ｈｚ　〜２０　ＧＨｚ　ニ３　ｄＢｏ　−ルオフ周波数
を有する　ＩｎＧａＡｓ　ＰＩＮ検出器の特性を明らか
にするのに使用されている（文献［８］参照）。このよ
うな機器の使用はファイバオプチック検査機器の製造に
また光半導体の製造にとって興味があろう。

第２図を参照すると、マイケルソン干渉計を利用する本
発明の一つの実施例のブロック図が図示されている。こ
こに図示されるように、半導体レーザ２ｏは、直流（Ｄ
Ｃ）バイアス２１および正弦波発生器２２の両方により
駆動される。半導体レーザ２ｏからのコヒーレント光が
ビームスプリッタ−２３へ導かれる。ビームスプリッタ
−２３により、光の一部がここを通過し、そして同時に
残りの光を反射するのが許可される。ビームスプリッタ
−２３を通過する光はコーナキューブ２４の一方の反射
側部に導かれる。コーナキューブ２４の一方の反射側部
に当たった光は、一方の反射側部と垂直なコーナキュー
ブ２４の他方の側部へ反射され、それにより、光は、最
初の光のパスに並行ではあるがこのパスから隔たった（
すなわち同一直線上にない）パスに沿って戻り反射され
る。ビームスプリッタ−２３へと戻り反射された光は部
分的に通過するが（これは無視できる）、残りの部分が
検出器２５に向かう垂直パスに沿って反射される。

ビームスプリッタ−２３により部分的に反射された半導
体レーザ２０からの光は、別のコーナキューブ２６の一
方の側部に導かれ、それによりその別の反射側へ反射さ
れる。かくして、コーナキューブ２６に入射する光は、
最初この光に付与されていた方向とは反対の方向へ、こ
の光と並行ではあるが同一直線上にないよう反射される
。後者の反射光はビームスプリッタ−２３へ導かれ、あ
る光はここから反射され（これは無視できる）そして残
りの光は、コーナキューブ２４から検出器２５へと反射
される光と同一直線上のパスに沿ってビームスプリッタ
−２３を通過する。

ここで使用されるコーナキューブは、レーザビームをそ
のソースの方向にこれと並行にしかし同一直線上になく
戻す反射装置であり、３つの相互に垂直な反射面から構
成される。

コーナキューブ２４．２６は互いに矢印により指示され
る方向に沿って移動できる。標準的には、コーナキュー
ブ２４のような一方を固定し他方のコーナキューブ２６
が、圧電性並進駆動装置２７（図面ではＰＺＴ駆動装置
として図示している）のような適当な駆動源により上下
に移動される。検出器２５の出力はスペクトルアナライ
ザ２８により分析でき、その出力は、検出器２５により
表示される種々の細目を表示する。

必須のものではないが、もし、所望ならば、スペクトル
アナライザの出力は、正弦波発生器２２を制御するよう
結合されるコンピュータ２９に結合できる。マイケルソ
ン干渉計２３の出力ボートに配置される検出器２５から
の光電流のスペクトルは、Ｄ（ω）　Ｓ（ω）であり、
ここで、Ｄ（ω）は光学検出器２５の周波数応答であり
そしてＳ（ω）はＩｃｃ（ｌ＋ｍｃｏｓ　ω、ｔ＋ｍｃ
ｏｓ（ωｓ（ｔ＋　テ）］　＋■（て）ｒ（τ））　　
　　　　　　　　　　（１’１により与えられる信号■
の（干渉計の出力での）強度スペクトルである。

上記で、■（て）は確率的位相ゆらぎ（文献［７］参照
）による縞鮮明度関数であり、そして電界自己相関関数
への決定論的寄与ｒ（て）は「（て）・Ｅ　（ｔ）　Ｅ
″（ｔ−で）　　＋ｃ、ｃ。

”　　　”　ｍ　ＣＯ８ωＪ　　ｌ　”　ｍ　ＣＯ３（
ＩＪＩＩ　ｔ＋て＋　　Ｃ，Ｃ。

と書くことができる。

もし干渉計のパス長さの差が ωヨで＝　π のように選択されるならば、干渉計の二つの腕でｍに比
例する振幅変調のフィールド成分はπだけ位相がずれ、
消去される。てについて最適の値についてのこの条件が
満足されるとき、そしてもしｍ２（１ ならば、偶数高調波と奇数高調波のパワーはそれぞれ、 ４　ｃａｓ”ωｏｒＪ％（ｚβ） と ４　ｓｉｎ”ωｏ　１：Ｊ、２（２β）となる。これら
の高調波のパワーはレーザの変調指数ｍに依存しない。

明線（ｃｏｓω。て・１）に調整される干渉計について
、（βに直線的に比例する）変調電流の関数として最初
の３つの偶数側波帯の絶対値が第３図に図示されている
。νの最適値はまたベッセル関数の項（２βｓｉｎφ、
）を最大にする。

もし、変調電流が、ｍ２およびそれ以上の幕に比例する
項が無視できないよう十分大きいならば、すべての調波
は、ＡＭ項 −ｓｉｎ２（ω、１＋φ、） とＦＭ調波との間のうなりから生ずるＡＭおよびＦＭの
混合によるものである追加の項を包含する。この場合、
各調波のパワーは、電界のＦＭ酸成分ＡＭ成分との間の
位相遅れおよびｍの両方に依存し、そして、検出器の応
答を、被測定光電流パワースペクトルから明らかにする
ことは一層困難である。

検出器の応答を測定する好ましい方法が、ある所与の側
波帯でのパワーをできるだけ最大にするよう変調電流の
振幅を変えることである。ｋ次のベッセル関数Ｊｋ（２
β。□）の最大値は、その項の唯一つの値について生ず
るので、この変調電流で周波数ｋｖｍでの光電流のパワ
ー、 Ｄ（ｋＶｆｆｉ）　Ｊ２（２β１１Ｋ）は唯一つである
。検出器の応答が２ν１でまだロールオフをはじめない
［Ｄ（ｋｖｆｆｉ）＝　１　］であるよう十分低い変調
周波数を選択すると、周波数ｋｙ＋ｅでの検出器の応答
は、周波数２ν□での最大パワーに対するｋｙｍでの光
電流の最大パワーの比を比較することにより見出される
。もし、周波数νでの被測定光電流がＳ　（ν）である
ならば、検出器のｋｖ、での応答は、 この手続きの利益は、レーザのＡＭおよびＦＭ応答が知
られる必要はなくそしてなんら自由パラメータがないこ
とである。

ミラーの代りにコーナキューブ２４．２６を付帯したマ
イケルソン干渉計を使用するここに開示される（第２図
に図示されるような）測定では、レーザ２０への帰還が
回避される。低周波検出器２５およびコーナキューブ２
６のような一方のコーナキューブに装着される圧電性並
進装置２７は、干渉計２４．２３．２６を安定化する帰
還ループにて使用できる。代替え的に、圧電性並進装置
２７は走査できそしてスペクトルアナライザ２８は、必
要とされるピーク保持信号にセットされる。干渉計での
アーム（腕）間の時間遅延、τ、パス長さのミスマツチ
は、ベッセル関数の項（２β５ｉｎ（ω、て／２）を、
妥当な縞コントラストという制約内で最大にするよう選
択される。ソースは分布帰還形レーザである必要性は全
くないが、レーザ２０の線幅またはサイドモード圧縮比
が、変調電流が変化しても、変化しないということが必
要である。これらのパラメータが変化するとき、結果的
に生ずるコヒーレンス機能の変化は、検出器２０の応答
の変化として解釈されよう。この条件は分布帰還型レー
ザを使用することによりもっとも容易に実現される。極
端に安定な（周波数合成される）正弦波発生器２２によ
り、より高い側波帯指数でより明瞭な周波数ジッタ（す
なわち、（Ｊ、　＝　２５０　ＭＨｚについて、２０　
Ｇ）Ｉｚ　−Ｊａｏ（Ｚ）で観察される周波数ジッタは
発信器のジッタの８０倍である）による種々の問題を減
する。

コンピュータ２９は、適当な割出しないし指示側波帯に
ついて、変調電流およびスペクトルアナライザ２８中央
周波数を変化させる。

第４図を参照すると、マツハツエンダ−干渉計を利用す
る本発明の別の実施例が図示されている。半導体レーザ
４０が、周波数ｆ２で正弦波を発生する正弦波発信器４
２およびＤＣバイアス源４１の両方により駆動される。

半導体レーザ４０の出力は、光アイソレータ４３を通じ
ファイバカップラ４５の一方の入力ファイバ４４へ導か
れる。光アイソレータ４３は、半導体レーザ４０への光
の帰還を回避するよう、半導体レーザ４０とファイバカ
ップラ４５の入力ファイバとの間のパスに挿入される。

光アイソレータ４３は、たとえばファラデー旋光器とす
ることができる。別の入力ファイバ４６が標準的にはフ
ァイバカップラ４５へ結合され、この入力ファイバは４
６には何らの信号も付与されない。ファイバカップラ４
５の入力ファイバ４４に沿う光は、光の一部が一方のパ
ス４７を移動しそして残りの光がパス４８を通ずるよう
分離される。パス４７．４８の一方のパス４８は、偏光
制御器４９を通じて、別のファイバカップラ５０へ通ず
る。他方のライン４７は、ファイバカップラ５０へ直接
結合される。ライン４８に沿う光は、ファイバカップラ
５ｏにより、パス５１に沿うのとパス５２に沿う別のも
のの２つのパスへと分離される。同様に、パス２７から
の光はファイバカップラ５０によりパス５１．５２へと
分離される。ライン５１は、たとえば５００１（ｚに等
しいかそれ以上のある一定のレベル以上の周波数を感知
する高周波検出器５３に結合される。同様に、ライン５
２に沿う信号を受容すべく結合される低周波検出器５４
は、５００１１ｚのようなある一定の周波数よりも低い
信号を感知する。ライン５１に沿って感知される周波数
はｆｌと表示でき、ここに、ｆ＋はｆ２よりも低い。

高周波検出器５３の出力は、コンピュータ５６の制御を
行なうスペクトルアナライザ５５へ結合される。コンピ
ュータ５６は、正弦波発信器４２を制御するのに使用で
きる。低周波検出器５４の出力は、直流（ＤＣ）バイア
ス４１の制御を行なうべくフィードバック電子回路系５
７を介して結合される。二つのファイバカップラ４７．
４８は、ファイバを基礎としたマツハツエンダ干渉計を
形成するのに使用される。ファラデー旋光器４３により
、レーザダイオード４０へのフィードバック（帰還）が
回避される。偏光制御器４９は二つの長さの等しくない
ファイバ４７．４８からの偏光を整合させる。帰還が、
ファイバ４４の端部で、屈折率整合レンズ５８により別
途に減ぜられる。干渉計は、直流の強さに比例するある
信号を、複数の出力ボートの一つ（たとえば５２）から
レーザバイアス４１へとフィードバックすることにより
安定化でき、明線または暗縞に同調すべく光周波数に依
存したバイアスを使用し、こうして装置は極端に小型化
されそして安定なものとされる。

本発明の技術思想から逸脱することなく種々の応用およ
び変更が可能である。

４・　　の□　な１口 第１図は、検出器に結合する干渉計へ結合の行なわれる
被変調半導体レーザの出力を図示し、レーザからの光ス
ペクトルの電界と干渉計からの強度スペクトルと検出器
からの光電流スペクトルとがその関連の波形により図示
されている。

第２図は、マイケルソン干渉計を利用する本発明の一つ
の実施例のブロック図である。

第３図は、干渉計からの光出力の３つの偶数側波帯に関
する側波帯振幅対変調電流のグラフ図である。

第４図は、マツハツエンダ干渉計を利用する本発明の別
の実施例のブロック図である。

図中の各参照番号が示す主な名称を以下に挙げる。

１１：　被変調半導体レーザ １３：　干渉計 １６：　検出器 ２ｏ：　半導体レーザ ２２：　正弦波発生器 ２３：　ビームスプリッタ− ２４：　コーナキューブ ２５：　検出器（低周波検出器） ２６：　コーナキューブ ２７：　圧電性並進駆動装置 ２８：　スペクトルアナライザ ２９：　コンピュータ ４０：　半導体レーザ（レーザダイオード）４１：　直
流バイアス（レーザバイアス）４２：　正弦波発信器 ４３：　光アイソレータ（ファラデー旋光器）４４：　
入力ファイバ ４５：　ファイバカップラ ４６二　入力ファイバ ４７：　ファイバ ４８：　ファイバ ４９：　偏光制御器 ５０・　ファイバカップラ ５２：　出力ボート ５３：　高周波検出器 ５４・　低周波検出器 ５５ｚ　スペクトルアナライザ ５６：　コンピュータ ５８：　屈折率整合レンズ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）光学検出器の周波数応答を測定する方法において
   、 半導体レーザを、直流バイアスおよび交流の和を用いて
   駆動して、振幅と周波数とが変調される電界を有する光
   ビームを発生させ、 前記光を２つのパスに分離し、一方のパスを他方のパス
   に関して遅延させ、そして得られる複数のパスを組み合
   わせる干渉計にこの光を付加し、それにより、各パスの
   振幅変調が前記レーザからの電界の振幅により消去され
   、そして残る唯一の振幅変調が、前記レーザビームによ
   る前記電界の周波数変調部分によるもののみである方法
   。
2. （２）前記交流は周波数ｆを有し、そして前記唯一の振
   幅変調は複数の周波数ｎｆを有し、ここで、ｎは１より
   も大きい整数である特許請求の範囲第１項記載の方法。
3. （３）前記干渉計は、前記電界の振幅被変調部分を消去
   するが、その周波数被変調部分はそうでないよう調節さ
   れる特許請求の範囲第１項記の方法。
4. （４）光学検出器の周波数応答を測定する装置において
   、 半導体レーザと、 直流バイアスを該半導体レーザに提供する手段と、 交流を該半導体レーザへ提供する手段とを備え、 それにより、半導体レーザは、振幅と周波数とが変調さ
   れる電界を有する光ビームを発生するよう駆動でき、さ
   らに 該光を２つのパスへ分離し、一方のパスを他方のパスに
   関して遅延させ、そして得られるパスを組み合わせるた
   めに、前記光ビームを受容するよう結合される干渉計手
   段を備え、 それにより、各パスの振幅変調が前記レーザからの電界
   の振幅により消去され、そして残る唯一の振幅変調は、
   このレーザの前記電界の周波数変調部分によるもののみ
   であり、そしてさらに残る唯一の前記振幅変調を分析す
   る手段とを備えて成る装置。
5. （５）前記干渉計手段は、 一対のコーナキューブと、一方のコーナキューブを他方
   のコーナキューブに関して並進動作を行なう手段とを有
   するマイケルソン干渉計を備える特許請求の範囲第４項
   記載の装置。
6. （６）前記干渉計手段は、前記直流バイアスを制御する
   低周波と、分析のための一組の複数の高周波が提供可能
   なマッハツェンダ干渉計を備え、前記低周波は周波数ｆ
   ＿１を有し、前記交流は周波数ｆ＿２を有しそしてここ
   でｆ＿１＜ｆ＿２である特許請求の範囲第４項記載の装
   置。