JPS6324124A - 不安定環境用トランスデュ−サ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、トランスデユーサもしくはセンサ、特に不
安定な環境において使用するための改良された位置セン
サに関するものである。このようなセンサはある固定デ
ータに対する可動部材の位置を、困難な環境条件におい
ても信頼性よく指示する信号を発生するために必要とさ
れるものである。特に、本発明はレベルトランスデュー
サ、例えばボイラ系統内の液面レベルを指示することが
できるようなセンサに関するものである。

従来の技術 物理的な位置とその方向導関数、速度及び加速度を測定
する装置は、物理的変位の間接関数としてのパラメータ
を測定する種々の装置とともにおそら（はトランスデユ
ーサシステムとして最も多いカテゴリーに属するもので
ある。市場において入手可能な電気的位置トランスデユ
ーサにはリミットスイッチ及びマイクロスイッチと静電
容量またはインダクタンスの原理により作用する近接検
出器の類と、ポテンショメータ、直線及び回転動作可能
な差動変圧器、光学的エンコーダ、インクリメント及び
絶対値の双方において出力を発生する同期レゾルバ及び
インダクトシン（商標）の類が含まれる。各装置はその
固有の長所及び短所を有するとともに固有の市場を有す
るものである。

略述すれば、リミットスイッチ及びマイクロスイッチは
不連続事象を検出するものであり、典型的には機械の停
止位置決定手段として用いられる。また、ポテンショメ
ータは連続的な位置指示を発生するものであり、摺動接
点に関する摩耗問題は存在するものの、その低価格性の
故に種々の設備設計において広く用いられている。近接
検出器はそれらが連続位置の監視を行うために開発され
たという経緯とは別に無接点装置であるという利点を有
するため、やはり￥ｇ１々の不連続事象を検出するため
に用いられている。また、可変差動変圧器は無接点装置
であるため、正確な位置測定を行うために広く用いられ
ている。光学エンコーダは原始的なミニチュア型から脱
却して円弧の秒（角度単位、１／３６００度）を測定す
る装置にまで発展しつつある。インダクトシン（商標）
はレゾルバ状信号を発生するものであり、高精度な直線
変位及び回転変位を測定するために広く用いられている
。

本発明はスクリーン（遮蔽型）−インダクタンスセンサ
に直接関連するものである。このような本発明のセンサ
の基本動作原理は上述した原始的な商業的利用において
だけでなく、高精度な測定システムとして開発された設
置においてもそれらを使用できるようにしたものである
。これらの装置により発生された出力信号は連続的な可
変振幅変調型搬送周波数であり、これは近接検出器、可
変差動変圧器、レゾルバ及びインダクトシン（商標）と
ともに−船級において処理される。

スクリーン−インダクタンスセンサの蚕要な連名領域は
連続位置の測定が要求される分野である。この場合、そ
れらは高精度出力が可能であること、及び設計の柔軟性
により誘導型近接検出器及び可変差動変圧器とは区別さ
れるものである。

また、それらは摺動的な動作部材が存在することにおい
てレゾルバ及びインダクトシン（商標）からは明解に区
別されるものである。さらに、それらは特に手頃な製造
コストであるという点において他のすべての検出装置か
ら区別されるものである。

発明が解決しようとする問題点 したがって、本発明の１つの目的は、不安定な環境にお
いて連続的に、かつ信頼性よく動作することができるス
クリーン−インダクタンスセンサを提供することである
。本発明のさらに別の目的は、不安定な環境から保護さ
れるとともに、その不安定環境内において配置されたセ
ンサ部材の運動に応答するようにした電気巻線を有する
スクリーン遮、蔽型インダクタンスセンサを提供するこ
とである。

問題点を解決するための手段 本発明によれば、順方向もしくは励振磁界を確立するた
めの励振巻線と、前記順方向もしくは励振磁界の存在下
において誘起電圧を発生する少くとも１つの２次もしく
は検出巻線と、前記順方向もしくは励振磁界の存在下に
おいて渦電流を発生し、これによって前記順方向磁界と
逆向きの対向磁界を確立するための少くとも１つの導電
スクリーン、及び前記巻線と前記スクリーンとの間に位
置する障壁手段を含むセンサが構成される。上記の構成
において、スクリーン及び２次巻線は前記励振磁界内で
互いに相対移動可能であり、これによって前記２次巻線
がその可変の範囲を前記スクリーンに遮蔽され、前記２
次巻線に誘起される電圧を変化させるようになっている
。また、前記スクリーンは前記巻線が配置される領域か
ら隔離可能な範囲において配置することができる。

前記障壁手段はステンレス鋼からなる壁体により形成さ
れ、励振巻線に加えられるべき励振入力の周波数は壁体
の厚さに応じて選定され、これによって前記励振磁界が
前記スクリーンによる前記２次巻線の遮蔽に対応して前
記障壁手段を透過するようになっている。スクリーンは
少くとも部分的に比較的低い導電性を有する材料、例え
ばステンレス鋼より形成することができる。

本発明の別の態様においては、順方向もしくは励振磁界
を確立するための励振巻線と、前記順方向もしくは励振
磁界の存在下において誘起電圧を発生する少くとも１つ
の２次もしくは検出巻線、及び前記順方向もしくは励振
磁界の存在下において渦電流を発生し、これによって前
記順方向磁界と逆向きの対向磁界を確立するための少く
とも１つの導電スクリーンを含むセンサが構成される。

前記スクリーン及び２次巻線は前記励振磁界内において
互いに相対移動可能であり、その結果、前記２次巻線は
前記スクリーンによってその可変の範囲を遮蔽され、こ
れにより前記２次巻線中に誘起される電圧を変化させる
ものである。また、前記スクリーンは少くともその一部
が比較的低い導電性を有するステンレス鋼等の材料によ
り形成されている。

障壁手段及びスクリーンはステンレス鋼などのような同
一の材料から形成され、スクリーンの厚さが障壁手段の
厚さを実質的に上回るという要件において装置が配置さ
れる環境に耐えるものである。

スクリーン及び障壁手段を形成するために比較的導電性
の低い材料を用いることはそれらの厚さの関係を相対的
に決定するものである。すなわち、障壁手段の厚さはセ
ンサの構造的要求によりほぼ決定され、励振巻線に供給
される入力信号の周波数は励振磁界の通路として十分な
表層深さを与えるように選択される。これに対しスクリ
ーン素子の厚さは磁界を確実に阻止し、したがって必要
な遮蔽機能を維持できるように選択される。上記の表層
深さは磁界が材料に浸透する範囲を決定するものである
。導電性が上昇すると、磁界の浸透深さは減少する。材
料の厚さの適当なバランスはセンサシステムの種々のパ
ラメータ及び使用材料の特性値から計算し、決定される
。

本発明の特に好ましい構成において提供されるレベルト
ランスデューサは前述した態様のいずれかにおけるセン
サからなり、前記スクリーンが実買上円筒型の外周領域
を有し、前記２次巻線が前記スクリーンの外周と実質上
同軸の仮想円筒の外周上に配置され、さらに前記スクリ
ーンおよび前記２次巻線が前記スクリーン外周及び前記
仮想円筒の共通軸に沿った軸方向において互いに相対移
動できるようにしたものである。また、この構成におい
て前記障壁手段は前記スクリーンをその範囲内で同軸的
に変位せしめるようにした管により形成され、前記２次
巻線はその管の外周に配置されたものである。なるべく
ならスクリーンは少くともその一部または全体がステン
レス鋼がら形成される。選択的にスクリーンを胴から形
成し、または銅をステンレス鋼内に境膜したものから形
成することができる。好ましい構成において前記励振巻
線はさらに別の仮想円筒上に配置される。この仮想円筒
もまた前記スクリーンの外周及び前記第１の仮想円筒の
共通軸と実質上同軸である。

さらに別の態様において本発明のスクリーン−インダク
タンスセンサシステムは、 （ａ）　　励振巻線、 （ｂ）　　前記励振巻線を付勢して交番励振磁界を発生
させるための手段、 （（２）　　前記励振磁界と鎖交する少くとも１つの検
出巻線、 （ｄ）　　前記励振巻線の空間分布を変調するためのス
クリーン素子、及び （ｅ）　　前記検出巻線中に誘起される電圧の変動を測
定することにより前記スクリーン素子と前記検出巻線と
の相対位置関係を指示するための手段、 を含むものである。この場合、前記スクリーン素子は導
電性の低い材料からなり、前記巻線と前記スクリーン素
子との間には障壁手段を介在させることにより前記スク
リーン素子が前記巻線配置領域から隔離された領域内に
配置されるようにするものである。いずれかの配置にお
いて前記励振巻線は前記検出巻線の領域を通じて前記励
振磁界の実質的に均等な分布を確立するように配置され
る。この場合、前記均等磁界の及ぶ範囲は本発明による
センサの直線型構造において少くとも前記スクリーン素
子及び前記検出巻線の相対変位の方向になければならな
い。

励振磁界が検出巻線の領域を通じて実質上均等となる構
造を選択することは本発明に従って構成されるトランス
デユーサの設計をきわめて容易にするものである。

本発明の幾つかの好ましい実施例は、例えばボイラなど
のような密閉容器における液面位の検出器等として特に
好ましいものである。スクリーンは細長いロッドなどの
ようなフロートと関連して変位できるようになっており
、管の内側はボイラの内部と連通し、しかも外部環境に
対してシールされている。巻線に対するすべての電気接
続は密封されたボイラ内部環境の外側に配置され、した
がっておそら（は動作中において不安定な状態におかれ
る動作部分もしくはそのような状態におかれるコイルを
単独にシールする必要がないわけである。本発明の上述
した構成はボイラ以外の対象物、例えば化学プラント、
石油精製、その他においても同様に用いることができる
。

実　　施　　例 第１図〜はボイラ給水系統内における制御装置として用
いるための実際的なトランスデユーサを示すものである
。このような系内においては高い蒸気圧、数１００℃の
高温、及び混合相としての高腐食性ガスの存在が組み合
わさって困難な測定環境を形成するものである。構成さ
れた装置はこれらの環境条件を顕著に単純化するもので
ある。

図に示す通り、ステンレス鋼製のプランジャ（１）はス
テンレス鋼管（２）内において軸方向に移動可能である
。ステンレス鋼管（２）はその上端（３）において封止
されており、他端においてボイラ壁部または給水系統内
の開口上に装置を取り付けるための７ランジ（４）を有
する。管の内径は例えば１８．２Ｍであり、プランジャ
の外径は１７．８ｍｍである。プランジャと管との間隙
は蒸気がセンサ装置内で凝縮し、給水系内に還流するこ
とを許容する程度にしてあり、図示の間隙が直ちにこの
大きさを指示しているものではない。プランジャの長さ
は例えば１４０ｍｍである。プランジャはロツド（５〉
によって給水系内に位置する液面フロート（図示せず）
に連結され、これらの付設システムもまた耐食性材料か
ら形成される。測定レンジはスプリングを用いてフロー
トの移動範囲を液中におけるその浮力に抗して制限する
ことにより拡大することができる。

本発明のセンサ装置はステンレス管の外側において励振
巻線（６）及び検出巻線（７ａ）、（７ｂ）を有する。

検出巻線（７ａ）、（７ｂ）は互いに逆相関係に巻かれ
ている。励振巻線及び検出巻線はステンレス管上を完全
に覆うように巻着され、内側がら完全に隔離されるよう
になっている。両巻線は実質上円筒型であり、ステンレ
ス鋼管（２）の外周を包囲している。励振巻線（６）は
検出巻線（７ａ）、（７ｂ）の外側に配置され、軸方向
の全長にわたって存在する。センサ装置の全長は例えば
３３０ｍｍである。

適当な配置において励振巻線は二重層及び１６６回巻き
である。巻線は例えば直径１．６５ｎａのワイヤから形
成される。その全長の範囲内において検出巻線は２個の
互いに逆向きのコイルを有し、各コイルは装置全長の約
半分を占め、各々９２０回巻かれている。したがって、
これらのコイルは典型的には０　、２５　ｍｍ径のワイ
ヤより形成される。

ステンレス鋼からなるプランジャ（１）は、本発明のセ
ンサ装置内においてスクリーンを形成し、励振巻線（６
）が適当に付勢されたとき、これにより確立された磁界
が実質上ステンレス鋼管（２）の壁面を浸透及び透過す
ることを可能にするものである。しかしながら、２次巻
線（７ａ）、（７ｂ）中に誘起された電圧はスクリーン
（１）により生じた遮蔽効果により影響を受け、その結
果、２次巻線（７ａ）、（７ｂ）からの出力電圧はスク
リーン（１〉の軸方向位置により決定されることになる
。したがって、ボイラ内の液レベルを指示する出力信号
が導出される。

センサに関連する付随装置としては、励振巻線（６）に
交番電圧を印加するための手段と、２次巻線もしくは検
出巻線（７ａ）、（７ｂ）の出力電圧を変調してスクリ
ーン及び２次巻線の相対変位を指示する信号を発生する
ための手段が設けられる。

ステンレス鋼管（２）は巻ｎ（６）、（７ａ）、（７ｂ
）とスクリーン（１）との間の障壁手段となるものであ
り、これによってスクリーン（１）はこれらのコイルが
配置された範囲から物理的にシールされた領域内に配置
されることになる。スクリーン（１）および管、すなわ
ち障壁手段（２）としてステンレス銅を使用することは
腐食問題を排除するものである。巻線（６）に加えられ
る励振周波数は管（２）の物理的寸法、特にその厚さと
の関係において選択され、これによりスクリーン遮蔽／
解放条件における磁束の比率が極大化される。壁の厚さ
に関するこの励振周波数の選択は磁界拡散技術を用いて
解析することができる。装置から所望の性能を引き出す
基本的な基準は磁界が実質上障壁円筒（２）を透過し得
るということである。

スクリーン効果を拡大するためには、可動プランジャま
たはスクリーン（１）としである程度導電性を有する材
料を用いることが望ましい。したかって、スクリーン（
１）には銅またはアルミニウムが好ましい材料として期
待される。しかしながら、ステンレス鋼のみからなる固
体プランジャは必要なスクリーン効果を提供するのに適
したものであり、共通したステンレス鋼の等級として１
８−８または２５−１２のいずれかを用いる得ることが
見出された。しかしながら、銅またはアルミニウムから
なるプランジャもしくは選択的にそれらの材料をステン
レス鋼内に填装したプランジャを用いることを排除する
ものではない。

本発明によるセンサ装置の機械的構造は、ステンレス鋼
管の外面上にガラスエナメル絶縁層を適用することがで
きる。さらに、装置全体としてはステンレス鋼管の外周
面に巻かれた検出巻線及び励振巻線にも低融点のエナメ
ルを用いて完全に含浸被覆し、実質的な固体装置を提供
することができる。

このトランスデユーサにおける顕著な特徴は、はとんど
相反する目的のために同一の材料を使用していることで
ある。すなわち、ステンレス鋼管は励振磁界がその壁体
を透過しなければならないが、ステンス鋼からなるプラ
ンジャは磁界を阻止しなければならない。この相反する
要求は結局励振周波数（ω）及び材質の厚さを磁界浸透
深さに関して注意深く選択することにより達成すること
ができる。磁界浸透深さは、 ここに、Ｄは磁界の表面浸透深さ、Ｕは材質の透磁率、
そして、Ｒは材質の導電性である。注意深い設計によれ
ば、材質は励振磁界に対し所望に応じて実質的な透過性
または不透過性を有することになる。

この点において幾分補足すれば、障壁手段は可能な限り
薄いことが望まれるが、これは構造強度の要求により制
限されることになる。障壁手段はその上に作用する物理
的環境に対抗できるものでなければならない。このよう
な物理的環境とは、測定対象から加わる高温及び高圧で
ある。励振磁界は障壁手段を透過しなければならないが
、構造的制限により定まる特定の厚さを有するものであ
り、したがって、この透過性は適当な励振周波数を選択
することにより達成することができる。障壁の内側の磁
界は外側の磁界より弱くなり、スクリーンによる実質的
な磁束の阻止は検出巻線のスクリーン遮蔽を必要とし、
これが本発明の特徴をなすものである。したがって、プ
ランジャ、すなわち内側スクリーン素子の厚さは実質上
障壁の厚さを上回ることが必要である。これは特に障壁
及びスクリーンが同一材料からなっているときに要求さ
れることである。

励振及び復調回路の動作は連続もしくは断続モードのい
ずれにおいても行われる。連続モード動作の場合、フィ
ルタの時定数はきわめて長いことが適当である。また、
断続モードにおいては励振回路は比較的大電力において
、例えば１秒間隔でパルス付勢される。同時に、検出電
圧は適当な時間周期の間に積分器に移される。デジタル
変換における双対勾配積分（ｄｕａｌ−ｓｌｏｐｅ　ｉ
ｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）の採用は、比例的出力を励振波
形の大きさに関係なく発生せしめ、温度効果の自己補正
を可能にするものである。

実施例において励振巻線に適用されるタンク回路は、ス
テンレス鋼からなる障壁による励振磁界の減衰効果に基
づいてＱ値がきわめて低（なることを特徴とするもので
ある。この場合、自己共振システムではなく、発振器及
び増幅器が採用され、高レベルの駆動電力が要求される
。抵抗値の変化を生じるような温度効果は誤差の原因と
なるため、このような誤差を補償すべ（次のような種々
の方法が採用される。

（ａ）　　温度をルックアップテーブルに編入すること
、 （ｂ）装置を最も注目すべき処理温度において較正する
こと、 （（２）　　例えばボイラの場合における目標液レベル
などのような最も正確な値が要求される液レベルにおい
て、トランスデユーサのゼロ検出電圧を設定すること、 （ｄ）　　制御システムがドライブ電流を温度上昇とと
もに増加させるようにすること。これは例えば温度検出
用抵抗を励振巻線と直列に接続して用いるか、または検
出巻線の部分的な分路を形成することにより達成するこ
とができる。

第２図は第１図のトランスデユーサにおけるプランジャ
深さの関数としての復調出力を示すものである。トラン
スデユーサの配置構成は後述の通り、区分的線形変調方
式であり、その出力は中間に動作部分を通じて顕著な直
線性を示している。

センサ出力のこのような実測記録において残留偏差が存
在することも明白である。このような残留偏差は構造も
しくは信号処理技術により容易に除去することができる
。

本発明のセンサ構造における他の実施例によれば、第１
図の固体プランジャ（１）を厚壁の管と置換し、装置の
軸方向長さを物理的に外部要因によってのみ制限される
値まで延長することができる。延長された長さはセンサ
応答の直線性を電気的に拡大するものである。

この実施例ではスクリーン−インダクタンスセンサにお
ける適用の柔軟性を示している。使用した材料が単純で
あることは大部分の従来型装置に比して本発明装置の設
備化を容易にするものである。

本発明の原理、特に第２図に示した復調出力信号の特性
を最もよ（認識するため、スクリーン−インダクタンス
センサの基本的特徴につき以下第３〜８図を参照して説
明することとする。

スクリーン−インダクタンスセンサシステムの基本要素
は少くとも２個の固定コイル、及びその位置によってコ
イル間の相互結合性を制御する摺動型導電スクリーンで
ある。トランスデユーサの基本的な平面幾何学配置は、
第３図に示す通り、スクリーン（１１）と、励振あるい
は１次巻線であって、発振器により励振されるようにし
た巻線（１２）、及び検出測定用の２次巻線（１３）か
らなっている。

スクリーン（１１）は巻線間において配置されることが
望ましいが、これは動作上不可欠の用件ではない。スク
リーン（１１）が移動すると、それは検出巻線（１３）
を励振磁界からその移動に応じて変動する範囲を遮蔽す
るため、この巻線に誘起される電圧を制御することにな
る。基本トランスデユーサは次の、図において描かれる
であろう幾何学配置の変形において達成されるが、その
平面的な変形は最も容ｉに想起し得ると考えられるので
、以下の説明はこの点を念頭において行うものである。

しかしながら、第４図は幾何学的変化の１例として線形
ソレノイド装置を示している。この装置は円筒状スクリ
ーン（２１）と端子（ｄｌ）及び（ｄ２）を有する励振
ソレノイド巻線（２２）、及び端子（ｓｌ）及び（ｓ２
）を有する検出ソレノイド巻線として示されている。

第３図および第４図はいずれも説明のための略図であり
、実際的な幾何学配置そのものを表わすものではない。

しかしながら、すべての実際的構造及びそれらの動作モ
ードは第３図の基本系に還元して理解することができる
。平面型巻線とソレノイド巻線との相違は、基本的かつ
原理的なものというよりは設計事項であり、特に幾何学
的変形を観察するのに有用である。

具体例について後述する通り、回転変位は第３図の略示
構成から容易に想起することができる。

回転可能な平面配置において、スクリーンはディスクの
一部として形成され、検出コイルはその回転軸に直交し
た仮想平面上の円形通路内におかれる。励振巻線もまた
回転面スクリーン型インダクタンスセンサにおいて同様
に配置することができる。磁界はソレノイドコイルによ
り確立されるが、これについては後述する。

円筒回転型の実施例において平面配置は、円筒型通路上
に巻装されたものとし想起し得るものであり、この場合
のスクリーンは円筒面の部分により形成され、検出コイ
ルはまた仮想円筒面を取り巻いた配列を占めるものであ
る。回転平面構成の場合と同様、励振コイルはソレノイ
ド型をとることができる。

本発明の装置動作において第３図の単純な平面幾何配置
は、出力の同期復調後における変調包絡線を生ずる変調
出力信号を発生するものである。

励振巻線及び検出巻線はそれぞれ互いに１回巻きのみか
らなっているものである。励振コイルは正弦波電流によ
り付勢され、磁界 Ｂ＝白　Ｓｉｎωｔ を生ずるものであり、この場合検出コイルの全領域にお
いて均一に分布しているものとする。白は磁界のピーク
値であり、Ｂはしたがって励振コイルの領域内において
時間変化する磁束を示すものである。検出コイル中に誘
起される電圧（Ｖｓ）はＶｓ＝ω１３Ａ　　Ｃｏｓ　ω
ｔ である。ここに、Ａは検出コイル（スクリーン遮蔽効率
１００％とする）の非スクリーン面積である。同期検波
または復調径検出電圧の平均値はｖ’ｓ＝　　−み−　
ω白Ａ（１） ＝ｋＡであり、 一定励磁の場合、微分方程式は 式（１）の表わす意味は出力電圧が検出コイルの非スク
リーン面積に比例するということである。

また、式（２）の表わす意味はいずれかの点における変
調包路線の勾配もしくは形状が検出巻線面積のその点に
おけるスクリーン離脱等により決定されるということで
ある。これらの定義のいずれもがスクリーン−インダク
タンストランスデユーサの設計理論をなしている。巻線
面積が覆われる度合いは検出巻線型及びスクリーンの単
純な幾何学的関数として把握される。適当な出力波形を
得るため、何らかの変調包路線が実施される。第３図に
示されたトランスデユーサの出力は常にゼロより大きい
。それは効果的に補償項を含んでいる。

この場合の補償項は励振磁界強度に応じた大きさであり
、これはある種の条件下において信号処理回路を複雑に
するものである。

第１図のレベルトランスデューサを含む多（の装置にお
いて用いられる巻線技術は第５Ａ図に示されている。検
出巻線（３３）はここに直列接続された正相／逆相巻線
として構成された２個のコイル（３３ａ　）、（３３ｂ
　）からなっている。これはスクリーン（３１）の不存
在下、すなわちスクリーンが中央に位置するときにおい
て、検出巻線全体としてゼロ出力をもたらす。ゼロに関
して対称的である出力信号は信号処理を容易にするしの
である。

前述した残留偏差成分は第５Ａ図に示す構成によりきわ
めて簡単に除去することができる。スクリーン不存在、
すなわちスクリーンが両コイルを均等に遮蔽する場合に
おいて、総出力電圧はゼロとなる。変調包絡線はしたが
ってゼロに関して対称的になる。さらに、この構成の顕
著な利点はストレイノイズとなる漏洩磁束の影響を受け
にくいということである。互いに等しく、かつ逆極性の
電圧が正相／逆相コイルにおいて誘起されるため、それ
らは相殺されるわけである。このような二重コイル巻線
は現在段も一般的なトランスデユーサにおいて用いられ
ているところである。この場合式（１）は Ｖ’ｓ＝ｋ　（ＡＩ　−Ａ２）　　　　　　　（３）と
なる。ここに、Ａ１は第１のコイル（３３ａ　＞の非ス
クリーン面積であり、Ａ２は第２のコイル（３３ｂ）の
非スクリーン面積である。したがって、式となる。した
がって、出力電圧は検出コイルの非スクリーン面積の合
計により決定される。第５Ａ図において、Ｖｄは励振巻
線（３２）の端子（ｄｌ）、（ｄ２）間における入力電
圧である。

第５Ｂ図は第５Ａ図の構成から得られるトランスデユー
サ出力を変調包絡線で示すものであり、第５Ｃ図はその
最終検波出力を示すものである。

第５Ｄ図は本発明によるセンサを含むセンサシステムの
路線図である。このセンサシステムにおいて、発振器（
３４）は励振巻線（３２）に入力を供給して励振磁界を
発生させるものである。環境障壁手段（３５）は励振巻
線（３２）と可動スクリーンプレート（３１）との間、
及びスクリーン（３１）と検出巻線（３３ａ）、（３３
ｂ）の少くとも一方のコイルとの間に配置される。検出
巻線からの出力電圧は復調器及び信号処理装置（３６）
において処理され、装置の最終出力信号（３８）となる
ものである。第５Ｄ図のシステムは第５Ｂ図及び第５Ｃ
図に示された出力の微分処理を行うものであり、第５Ｂ
図の初期トランスデユーサ出力は第５Ｄ図のシステムに
おけるステージ（３７）において出現し、第５Ｃ図の復
調出力は同システムの最終出力（３８）を形成するもの
である。

スクリーン及び巻線形状を選択することにより変調包路
線をスクリーン位置に関連する何らかの任意関数に返還
するトランスデユーサとして設計することが可能である
。しかしながら、経験上、このような変調包路線として
は次の３つの型が持に実際的であると言える。すなわち
、 （ａ）　　区分的線形変調（′Ｗ′型）（ｂ）　　正弦
波変調（’Ｄ’） （（２）　　延長動作ストローク（’Ｅ’）ここで、第
６Ａ、６Ｂ及び６０図を参照してこれらの変調を平面型
に関して詳細に説明する。

区分的線形（第６Ａ図）変調は、検出巻線（４３ａ　）
、（４３ｂ　）の矩形パターンとの関連において矩形ス
クリーンを用いることより達せられる。励振巻線手段は
検出巻線（４３ａ　）、（４３ｂ　）の全領域を通じて
均等な磁界分布を発生するものとする。スクリーンピッ
チＰＳは実質上巻線ピッチＰωと同一である。これらの
条件は検出巻線面積のスクリーン分離の度合が各スクリ
ーン位置において一定となることを補償するものであり
、スクリーンは検出コイルを完全に遮蔽する点に達した
後、直ちに逆作用、すなわちコイルからの分離を生ずる
ものである。この変調パターンの利点は次の通りである
。

（ｉ）　　この変調は典型的に単純なトランスデユーサ
設計において実現される。

（ｉｉ　）　　波形の大きさに比例して定まる位置は低
コストの信号処理を可能にするものである。

第６Ａ図の構成を数学的に表わすと、 ここに、Ｐωは巻線ピッチ、Ｐｓはスクリーンピッチ、
そして、ωｌ・ω２はスクリーンと巻線との重なり幅で
ある。また、Ｘは第６Ａ図に示した固定データからスク
リーンの中間点が変位した距離である。このデータは検
出巻線のクロスオーバー点により決定される。スクリー
ンが検出巻線の中央に位置すると、第６Ａ図に示す信号
出力波形から明らかζ通り、出力はゼロとなる。単純化
のため、次のような仮定をおく。

ｙｌ＝ｙ２＝ｙ及びＰω＝Ｐｓ＝Ｐ 式（５）は次のように整理される。

Ａｌ　−Ａ２＝　２　ｙ　ｘ　　　　　　　　　（６）
そして、式（３）及び（４）は Ｖ’ｓ＝に’ｙｘ　　　　　　　　　　　（７）これは
出力が可動部の変位に正比例すること、すなわち出力曲
線の勾配が一定であることを保証するものである。時間
に関する微分方程式（７）はここに、■はスクリーンの
移動速度である。これは出力の単純な微分によりこのト
ランスデユーサから速度信号が引き出されることを示し
ている。

Ｗ型トランスデユーサの解析は比較的単純である。すな
わち、より一般的な場合における式（５）の演算はｙｌ
及びｙ２が互いに異なった値であって、Ｘの関数であり
、しかもこれに続く基本手続が同じになる。

実際には、出力波形のピーク値における一定量の丸めが
第６Ａ図に示すように不可避的に発生する。しかしなが
ら、適正な設計によりこのようなランプ波形の実質的な
部分を通じて好ましい直線性を達することができる。

第６Ｂ図に示す変調包路線はスクリーン位置の正弦波関
数となるように設計されている、この方式の利点は振幅
変調された正弦／余弦情報からデジタル位置信号を引き
出すことができる、市場において入手可能な種々のコン
バータを広（選択し得るということである。第６Ｂ図に
略示する通り、変調包絡線は矩形スクリーン（５１）及
び変形巻線（５３ａ　）、（５３ｂ　）の組み合わせ、
もしくは変形スクリーン（６１）及び矩形巻線（６３ａ
）、（６３ｂ　）または画素子とも変形することにより
達せられる。一般的に言えば、スクリーン領域が巻線領
域を優勢的に覆うように設計すること、したがって、矩
形スクリーンと変形コイルとの組み合わせを用いること
が望ましい。

いずれの場合においても検出巻線の総磁束鎖交数がスク
リーン位置に対する正弦関数として変化するようにしな
ければならない。

“Ｗ”型及び“Ｄ“型方式においては、いずれも基本ト
ランスデユーサ素子が多極システムの一部をなすこと、
すなわち回転機構においてそれ自体閉合するような条件
に対して特に適している。

しかしながら、トランスデユーサの運動を単純化するた
め、これらの設計のいずれにおいても出力信号の中間の
単調変化部分のみを用いなければならないという不利益
を被ることになる。すなわち、全巻線ピッチ２Ｐω、し
たがって、トランスデユーサの長さが出力波形の中間作
用部の長さの２倍となる。この不利益は“Ｅ”型トラン
スデュ−サにおいては、短ピツチスクリーン（７１）及
び変形検出巻線（７３ａ　）、（７３ｂ）を用いて第６
Ｃ図に示すような長さ２Ｐω−Ｐｓの動作域を与えるこ
とにより克服することができる。

スクリーンピッチＰｓは巻線ピッチＰωより顕著に短い
ものである。変調包路線は検出巻線の形状により一時的
に決定され、第６Ｃ図に示すような勾配型を有すること
になる。スクリーン効率、したがって達成可能な角度は
この形状において減少するが、これは作用ストローク延
長型設計においては回避し得る程度の欠点である。

第６Ａ、６Ｂ及び６Ｃ図のすべてにおける平面型で示さ
れたスクリーン／巻線結合はそれぞれ第７Ａ、７Ｂ及び
７０図に示されたソレノイド構成と等価である。第７Ａ
図の構成は円筒スクリーン（８１）を有し、検出巻線（
８３）における軸方向巻線密度が一定であり、その軸線
上における中点の両側が互いに逆相関係となっている区
分的線形変調方式である。

第７Ｂ図には正弦変調方式が示しており、これは第６Ａ
図のコイル（８３）のような一定密度の検出巻線と共動
する変形二重テーパ型スクリーン（９１ａ）、（９１ｂ
）または直線的な巻回密度が正弦状である検出巻１（９
３）との関連において採用される一定断面の円筒型スク
リーン（９１ｂ　）により達成される。

第７Ｃ図に示したソレノイド型は円筒状スクリーン（１
０１）及び検出巻線（１０３）を有する延長作用ストロ
ーク構成を示したものである。

ソレノイド型巻線の解析はある点において平面型よりも
簡単であるが、別の点においてはより複雑となるもので
ある。第７Ｄ図に示すような長い均一なソレノイド励振
巻１（１１２）の内側における磁界はアンペールの周回
路の法則から容易に計算され、領域（１）においてその
大きさはＨ＝ｎｄｌ　　Ｓｉｎ　ωｔ　　　　　　　　
　　（１０）Ｂ＝Ｕｏ　　ｎｄｌ　　Ｓｉｎ　ωｔ　　
　　　　　（１１）ここに、ｎｄは励振巻線の巻回密度
を１ｍ当たりの導体数で表わしたものであり、Ｉ　　Ｓ
ｉｎωｔは励磁電流である。Ｂは磁束密度、Ｈは磁界強
度である。両端に近い小範囲から離れると、磁界は内部
空間を通じて軸方向に均一となり、コイル（１１２）の
外側においては無視される。

第７Ｄ図はソレノイド中に部分的に挿入された導電性及
び非強磁性を有するロッドまたは管（１１１）を示して
いる。終端効果の及ばない領域（２）において磁界は軸
対称である。ロッド（１１１）における誘導電流密度Ｊ
は円形である。ロッド（１１１＞内の電流はその内側の
磁界を減殺するようｌこ作用する。ロッドと巻線（１１
２）との間の空間において、磁界はロッドの存在により
影響を受ける。それは領域（１）におけるものと同じ値
となる。しかしながら、領域（１）及び（２）間におい
ては、磁界が簡単には計算できない複素構造を有する遷
移領域が存在する。これはすでに述べた複雑性である。

実際上、領域（１）及び（２）における１回巻き当たり
の磁束は均一であるが、ソレノイドの表面を横切る全外
側磁束または内側磁束は遷移領域において要求される。

この遷移領域は検出巻線と鎖交する１回巻き当たりの磁
束が位置に応じて変化するようなソレノイドの軸方向長
さの部分として定義することができる。

第７Ｄ図は巻回密度ｎｓ及び励振巻線内に収まる断面積
Ａ、ｓを有する検出巻線もしくはコイル（１１３）を示
している。最も一般的な場合、ｎｓ及びＡｒ、すなわち
ロッド断面積はそれらの長さに沿って変化するものであ
る。有用な単純化モデルにおいては、ロッド内への励振
磁界の浸透を無視するものである。これは励振周波数及
びロッドの導電性の値が高いとき“真”となる。検出巻
線に誘起された平均電圧は、 ここに、Ａｒ及びｎｓは長さく１）の関数である。　式
（１２）は領域（１）及び（２）における直進性におい
て計算することができる。実際上は一定断面積のロッド
を選択するとともに、検出コイルの巻回密度のみを変化
することによりさらに単純化することができる。これは
非仮想ロッド内の磁界についての解法であり、ヘラセル
関数に関する古典的な問題となる。

最終的な単純化の仮定は遷移領域の問題解決を許容する
ものである。検出巻線が均等に分布しているか、または
それらの変化率が遷移領域の幅に関して低い場合、遷移
領域の効果は無視することができる。ロッドのソレノイ
ド内への侵入インクリメントをｄｘとする。この場合、
領域（２）は領域（１）の損失において増大する。遷移
領域（Ｔ）はその形状の変化ではな（、ロッドとともに
移動するものである。インクリメント移動の全体を通じ
て巻回密度における顕著な変化が生じない場合、遷移領
域の磁束鎖交に対する寄与は変化しない。

領域内の各巻線による磁束鎖交数が未知であっても、イ
ンクリメント移動後において同数の磁束は同数の巻ター
ンと鎖交することになる。しかしながら、移動しない基
準フレームを選択するならば、検出巻線の全磁束鎖交数
の変化は明らかに生ずるものである。導体内への磁束侵
入を無視すれば、磁束Ｂ−Ａｒを含み、ｎ５（ｘ）・ｄ
ｘ鎖交巻線ターンとの磁束鎖交を含むミニチュアシリン
ダは除去することができる。これは次の式を導（もので
ある。

この式はソレノイド巻線の場合、式（２）と等価である
。いずれかの点における変調包絡線の勾配または形状は
その点の巻線密度に比例するものである。

上記した事項のすべてはロッド及びソレノイドの式が相
対的に変位する場合においても維持される。実際上、こ
れはソレノイド型構成においてきわめて緩い機械的許容
誤差を与えるものである。

前述した処理のすへてはスクリーンの境界線下における
励振磁界の均等、かつ実質上全体的なスクリーン遮蔽が
行われるものとして説明したものである。

スクリーン及び検出巻線間の区別がスクリーンの大きさ
に比して大きい場合には、縁端効果が重要となり、スク
リーンの境界線に向がって徐々に減殺する効果を生ずる
ことになる。これは正弦波変調包路線が多極線形及び回
転装置において引き出されるとき、長所となるように開
発することができる。極数が太き（なれば、空間的要因
により極及び検出巻線に加えることができる変形の度合
いは制限される。しかしながら、矩形スクリーン及び矩
形検出巻線を用いる場合においても、実質的な正弦変調
はスクリーンの空隙を効果的に類別したことに基づいて
形成される。

励振磁界が少くともその運動軸上におけるスクリーンの
存在下において検出巻線の領域全体を通じて実質上均等
に分布しているならば、その点もまた利益となる。例え
ば直線平面型装置の場合において、励振磁界はスクリー
ン及び検出巻線の相対的な変位の方向に沿って一定の値
を有するべきである。これは運動方向に対して直角に変
化し、これによって磁束密度または与えられた何らかの
ラインが前記相対移動に関する別の平行線に沿って同様
には形成されない場合においても成立する。

スクリーン遮蔽型トランスデユーサは多くの異なったパ
ラメータにおいて級分類可能であるが、第８図に示した
次のような類別が測定システムの明解な記述のために見
出されている。

（ａ）　　測定軸：運動は回転または直線移動である。

（ｂ）　　検出巻線面：検出巻線は平面、円筒面もしく
は他の何らかの面上に形成される。

（（２）　　変調包絡線：区分的線形（Ｗ）、正弦（Ｄ
）、延長作用ストローク（Ｅ）、もしくはその他（０）
。

これらの分類は第８図において設定された装置の階級を
上昇させるものである。

スクリーン−インダクタンスセンサの動作に関する前述
の一般的説明に続き、第９．１０及び１１図を参照して
説明を行う。これらの図はスクリーン−インダクタンス
のセンサの平面型配置、回転平面構造、及び最終的な回
転円筒型実施例に、それぞれ第１図の実施例におけるス
テンレス鋼管（２）に対応する障壁手段を取り入れたも
のを示している。

第９図においてその断面を示す通り、スクリーン（１２
１）は障壁手段（１２４）により密封された空間内を直
線的に移動するものである。障壁手段（１２４）は励振
巻線（１２２）及び検出巻線（１２３）が配置された外
部環境からスクリーン（１２１）を隔離している。

この隔離はスクリーン（１２１）が移動する全範囲にお
いて、巻線及び励振巻線に対して行われる。

第１０図は本発明による回転平面型センサを示すもので
ある。このセンサにおいてスクリーン（１３１）は放射
状にのびるフィンまたは放射状に配置されたディスク状
の導電部分により形成される。

このスクリーンは障壁（１３４）によりシールされた環
境内に配置されたシャフト＜１３５）とともに回転する
。励振磁界はソレノイドコイル（１３２）により確立さ
れる。コイルはスクリーンの回転軸に実質上平行しての
びる励振磁界を発生するものである。線形の実施例と同
様、検出巻線はスクリーンの一例に配置された単一の巻
線ユニットからなるものであるが、図示の構成において
は対称的な構造とするため、検出巻線（１３３）をスク
リーン（１３１）が配置された範囲内における障壁（１
３４）の各軸側に位置する部分により形成される。

最後に、第１１図は回転円筒型構造を示すものであり、
この実施例ではスクリーン（１４１）はシャフト（１４
５）上で回転するため、シリンダ（１４５ａ　）の外周
上に配置された円弧状導電部分により形成されている。

この回転機構は円筒型障壁手段（１４４）に包囲され、
センサの巻線素子は障壁手段の外側に配置されたスプー
ル上に形成された励振巻線〈１４２）及び検出巻線（１
４３）からなっている。

第３及び４図は本発明に適用可能な検出コイルが単一コ
イルからなるトランスデユーサ配置を略示するものであ
る。第５Ａ図は検出巻線が正相／逆相関係において巻回
された二連コイルからなり、本発明の装置の具体化にお
いて好ましく用いられる方法を示すものである。

第１２図は第３及び４図の単一検出コイル構造の具体的
構成例を示すものである。この図においては、いわゆる
長ストローク型の直線円筒トランスデユーサが示されて
おり、これは第１図の一般的構造に対応するものである
。第１図のプランジャは励振巻線（１５６）及び検出巻
＆’１ｔ（１５’７）に包囲された可動円筒型障壁部材
（１５２）の内側で移動可能な固体ロッド（１５１）と
置換される。ここに、ｉｄはロッドの磁束侵入範囲を指
示するものである。

さらに、第７Ａ図に示す通り、第１図の正相／逆相検出
巻線はトランスデユーサの全範囲にわたって巻回された
単一の検出ソレノイドコイル（１５７）と置換される。

したがって、検出巻線はその長さに沿って巻線方向の反
転は生じない。この場合、出力信号の大きさは常にゼロ
より太き（、トランスデユーサ感度は励損電圧の大きさ
に直接関連するものである。しかしながら、ロッド（１
５１）の運動は励振コイル内に収容されたスクリーン金
属の総量を変化し、したがって励振用発振器の信号の大
きさ及び周波数を変化させるものである。このような変
化は比例変換式により克服される。すなわち、式（１１
）及び（１３）を結合することにより、大きさωｉは第
１３図のシステムブロック線図に示す通り、励振巻線及
び検出巻線と直列に挿入された相互インダクタンスＭを
含むことにより推論することができる。比率 Ｖｓ−ωＭｌ ωＭｌ は電子変換器を用いて容易に計算することができる。

液レベル測定の一般的領域において第１図及び第１２図
に示したようなプランジャ及びコネクチングロッド型シ
ステムを用いない場合には、ポールコック型装置の手段
により、フロートの運動を制限された角度回転に変換す
ることが行われる。

このようなシステムを用いたトランスデユーサの１例は
第１４Ａ図に示されている。フロート〈１６１）はスク
リーン（１６２）に枢支連結され、このスクリーン（１
６２）は弧状セグメント型において装置スクリーンを構
成する。励振巻線（１６３）及び検出巻線（１６４）は
第１４Ｂ図において断面で、第１４Ｃ図においては略腺
図においてそれぞれ示すように形成される。スクリーン
は障壁部材（１６５）に包囲されている。全装置は選択
的に採用されろ強磁性体の外側帰還磁路により包囲する
ことができる。

一般的な装置の幾何学配置はすでに述べた回転平面型と
同様であるが、その仮想円板面は一部のみがこの場合の
検出巻線のために用いられる。第１４Ｃ図は可能な検出
巻線の幾何学配置を示すものである（Ｗ復変調）。この
延長動作構造におけるシステムの配置は、選択的に関連
する液レベルを測定アームの角度に変換する関数の補数
としての変換関数を提供することにより、システムにお
ける全直線応答を提供することができる。第１４Ａ図に
示した装置のための環境障壁は概して断面り型の箱体で
あり、これはスクリーンを包囲し、内部の液レベルを測
定すべきタンクの壁面にねじ止めまたは溶接固定される
。回転円筒型構造もまたこの種の適用のために形成され
る。

前述したプランジャ型形状と比較したフロート型方式の
基本的な利点は、概してトランスデユーサがレベルを測
定すべき範囲の外側にわずかしか突出せず、しかも円筒
状フロート構造が高い圧力差に耐えるという構造的特徴
を有することである。

以上述べた本発明によるセンサの種々の具体的構造は実
施例としてのみ説明したものであり、例えば第８図から
明らかな通り、本発明の特徴を具現した種々の装置構成
が可能である。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明に従って構成された密封型液レベルセン
サの縦断面図、 第２図は第１図のセンサにより得られる復調出力信号を
示す図、 第３図は本発明の基本原理を示すスクリーン型インダク
タンスセンサの基本平面形状を示す路線図、 第４図は第３図の基本センサをソレノイド化して略示す
る線図、 第５Ａ図は第３図の基本構成に従ってセンサの検出巻線
を正相／逆相コイル配置としたモデルを示す線図、 第５Ｂ図は第５Ａ図の装置における検出巻線からのトラ
ンスデユーサ出力を示す図、 第５Ｃ図は第５Ａ図のトランスデユーサから復調された
検出巻線出力を示す図、 第５Ｄ図は本発明に従って構成されたセンサを含むセン
サシステムの路線図、 第６Ａ図は区分的線形変調器を採用される平面スクリー
ン型インダクタンスセンサを示す略図、第６Ｂ図は正弦
変調を与える平面型センサの路線図、 第６Ｃ図はセンサの平面延長型動作ストローク方式を示
す図、 第７Ａ、７Ｂ及び７Ｃ図はそれぞれ第６Ａ、６Ｂ及び６
０図の平面構成に対応するスクリーン型ソレノイドイン
ダクタンスセンサを示す図、第７Ｄ図は特定の線形ソレ
ノイド機構を示すための比較的詳細な図、 第８図はスクリーン型インダクタンスセンサを分類した
場合の種々の級を設計した図、第９図は本発明に従って
構成されたセンサの直線及び平面型配置を示す略断面図
、 第１０図は本発明に従って構成された回転平面型構造を
有するセンサの縦断面図、 第１１図はスクリーン型インダクタンスセンサの回転円
筒型構造を示す横断面図、 第１２図は本発明に従って構成された密封型液レベルセ
ンサにおける長ストローク構造の実施例を示す縦断面図
、 第１３図は第１２図に示した装置に編入されるセンサシ
ステムを示す線図、 第１４Ａ図は本発明に従って構成されたフロート型制限
移動センサの側断面図。 第１４Ｂ図は第１４Ａ図の１４Ｂ−１４Ｂ線に沿って描
かれた断面図、 第１４Ｃ図は第１４Ａ図のセンサの巻線及びスクリーン
構造を示す略図である。 （１）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・プランジャ（２）・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・管（３〉・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・上端（４）・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・フランジ（５）・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ロッド
（６）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・励振巻線（７ａ）、（７ｂ）・・・・・・・・・検
出巻線特許出願人　　コルモーゲン　コーボレイション
代　理　人　　新　　実　　健　　部（外１名）補正回
正 図面の浄餌内容に変更なし） 補正図面 積精巻線上戻＝ヱに 〜７Ｃユ、、、３□、Ｌ２− 漏　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ｎ手続補
正書（２） 昭和６２年６月１７日

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. （１）順方向の励振磁界を確立するための励振巻線と、
   前記順方向の励振磁界の存在下において電圧を誘起する
   ための少くとも１つの検出巻線、及び前記順方向の励振
   磁界の存在下において渦電流を発生し、これによって前
   記順方向の励振磁界と逆向きの対向磁界を確立するため
   の少くとも１つの導電スクリーンを備え、前記スクリー
   ン及び２次巻線を前記励振磁界内において互いに相対変
   位可能としたことにより、前記２次巻線が前記スクリー
   ンによってその可変の範囲を遮蔽されて可変電圧を誘起
   するものであり、前記励振巻線及び検出巻線と、前記ス
   クリーンとの間に障壁手段を介在させたことにより、前
   記スクリーンを前記巻線が配置された領域から環境的に
   隔離された領域内に維持するようにしたことを特徴とす
   る不安定環境用トランスデューサ。
2. （２）前記障壁手段が壁部材によって形成さたことを特
   徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のトランスデュ
   ーサ。
3. （３）前記障壁手段がステンレス鋼からなることを特徴
   とする特許請求の範囲第（１）項または第（２）項記載
   のトランスデューサ。
4. （４）励振巻線に加えられるべき励振入力の周波数を前
   記障壁手段の厚さに応じて選択し、前記２次巻線が前記
   スクリーンにより遮蔽されたとき前記励振磁界が前記障
   壁手段を透過するようにしたことを特徴とする特許請求
   の範囲第（１）〜（３）項のいずれか１項に記載したト
   ランスデューサ。
5. （５）前記スクリーンが少くとも部分的に比較的導電性
   の低い物質からなることを特徴とする特許請求の範囲第
   （１）〜４項のいずれか１項に記載したトランスデュー
   サ。
6. （６）前記スクリーンが少くとも部分的にステンレス鋼
   からなることを特徴とする特許請求の範囲第（５）項記
   載のトランスデューサ。
7. （７）前記障壁手段及びスクリーンが同一の物質からな
   り、前記スクリーンの厚さが前記障壁手段の厚さを実質
   的に上回るものであることを特徴とする特許請求の範囲
   第（４）項記載のトランスデューサ。
8. （８）前記スクリーンが実質的な円筒外周面を有するも
   のであり、前記検出巻線が前記スクリーンの前記外周面
   と実質上同軸の仮想円筒の外周のまわりに巻着され、前
   記スクリーン及び前記検出巻線が前記スクリーン外周領
   域及び前記仮想円筒の実質的共通軸に関して軸方向に相
   対移動可能であり、前記障壁手段が前記スクリーンを軸
   方向に変位可能に収容した管より形成され、さらに前記
   励振巻線及び検出巻線が前記管の外側に位置するもので
   あることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の
   レベルトランスデューサ。
9. （９）前記スクリーンが少くとも部分的にステンレス鋼
   からなることを特徴とする特許請求の範囲第（８）項記
   載のレベルトランスデューサ。
10. （１０）前記スクリーンがステンレス鋼中に銅を埋め込
    んだものからなることを特徴とする特許請求の範囲第（
    ８）または第（９）項記載のレベルトランスデューサ。
11. （１１）前記励振巻線が前記スクリーンの前記外周面と
    実質上同軸である、さらに別の仮想円筒面のまわりに配
    置されたものであることを特徴とする特許請求の範囲第
    （８）〜（１０）項のいずれか１項に記載したトランス
    デューサ。
12. （１２）順方向の励振磁界を確立するための励振巻線と
    、前記順方向の励振磁界の存在下において誘起電圧を生
    ずる少くとも１つの検出巻線、及び前記順方向の励振磁
    界の存在下において渦電流を発生し、これによって前記
    順方向磁界に対向する磁界を確立するための少くとも１
    つの導電スクリーンとを備え、前記スクリーン及び検出
    巻線を前記励振磁界内において互いに相対移動可能とし
    たことにより、前記検出巻線が前記スクリーンによりそ
    の可変範囲内を遮蔽されるようにし、これによって前記
    検出巻線中に誘起される電圧の大きさを変化させるとと
    もに、前記スクリーンを少くとも部分的に比較的導電性
    の低い物質から形成したことを特徴とするトランスデュ
    ーサ。
13. （１３）前記比較的導電性の低い物質がステンレス鋼で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第（１２）項記載
    のトランスデューサ。
14. （１４）（ａ）励振巻線と、 （ｂ）前記励振巻線を付勢することにより交番励振磁界
    を発生させるための手段と、 （ｃ）前記励振磁界と鎖交する少くとも１つの検出巻線
    と、 （ｄ）前記励振磁界の空間分布を変調するためのスクリ
    ーン素子、及び （ｅ）前記検出巻線中に誘起された電圧の変動を測定す
    ることにより前記スクリーン素子と前記検出巻線との相
    対位置を指示するための手段を備え、 前記スクリーン素子を少くとも部分的に導 電性の低い物質から形成したことを特徴とするスクリー
    ン・インダクタンスセンサを含むトランスデューサ。
15. （１５）（ａ）励振巻線と、 （ｂ）前記励振巻線を付勢して交番励振磁界を発生させ
    るための手段と、 （ｃ）前記励振磁界と鎖交する少くとも１つの検出巻線
    と、 （ｄ）前記励振磁界の空間分布を変調するためのスクリ
    ーン素子、及び （ｅ）前記検出巻線中に誘起された電圧の変動を測定す
    ることにより前記スクリーン素子及び前記検出巻線との
    相対位置を指示する信号を発生するための手段を備え、 前記励振巻線及び検出巻線と、前記スクリ ーン素子との間において障壁手段を介在させたことによ
    り、前記スクリーン素子を前記両巻線が配置された領域
    から環境的に隔離した領域内に維持したことを特徴とす
    るスクリーン・インダクタンスセンサを有するトランス
    デューサ。
16. （１６）励振巻線が、前記検出巻線の領域を通じて少く
    とも前記スクリーン素子及び前記検出巻線の相対移動方
    向において実質上均一に分布する励振磁界を発生させる
    ように構成されたものであることを特徴とする特許請求
    の範囲第（１４）〜（１５）項記載のセンサを含むトラ
    ンスデューサ。