JPS63237374A - Electric circuit member - Google Patents

Electric circuit member

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JPS63237374A
JPS63237374A JP62071978A JP7197887A JPS63237374A JP S63237374 A JPS63237374 A JP S63237374A JP 62071978 A JP62071978 A JP 62071978A JP 7197887 A JP7197887 A JP 7197887A JP S63237374 A JPS63237374 A JP S63237374A
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JP
Japan
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metal
electrical
circuit component
electric circuit
connection
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JP62071978A
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Japanese (ja)
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吉沢 徹夫
秀之 西田
昌明 今泉
市田 安照
小西 正暉
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Canon Inc
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  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、電気回路部材に関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] TECHNICAL FIELD The present invention relates to electrical circuit members.

[従来技術] 従来、電気回路部品同士を電気的に接続して構成される
電気回路部材に関する技術としては以下に述べる技術が
知られている。
[Prior Art] Conventionally, the following techniques are known as techniques related to electric circuit members configured by electrically connecting electric circuit components.

■ワイヤポンディング方法。■Wire bonding method.

第13図及び第14図はワイヤポンディング方法によっ
て接続され、封止された半導体装置の代表例を示してお
り、以下、第13図及び第14図に基づきワイヤポンデ
ィング方法を説明する。
FIGS. 13 and 14 show typical examples of semiconductor devices connected and sealed by the wire bonding method, and the wire bonding method will be explained below based on FIGS. 13 and 14.

この方法は、Agペースト3等を用いて半導体素子4を
素子搭載部2に固定支持し、次いで、半導体素子4の接
続部5と、リードフレームlの所望の接続部6とを金等
の極細金m線7を用いて電気的に接続する方法である。
In this method, the semiconductor element 4 is fixedly supported on the element mounting part 2 using Ag paste 3 or the like, and then the connection part 5 of the semiconductor element 4 and the desired connection part 6 of the lead frame l are connected with ultrafine material such as gold. This is a method of electrically connecting using gold m-wires 7.

なお、接続後は、トランスファーモールド法等の方法で
樹脂8を用いて半導体素子4とリードフレームlを封止
し、その後、樹脂封止部分から外に伸びたリードフレー
ムlの不要部分を切断し、所望の形に曲げ半導体装置9
を作る。
After connection, the semiconductor element 4 and the lead frame l are sealed using a resin 8 using a method such as a transfer molding method, and then the unnecessary portion of the lead frame l extending outside from the resin-sealed part is cut off. , bend the semiconductor device 9 into the desired shape.
make.

■T A B (Tape Automated Ba
nding)法(例えば、特開昭59−139636号
公報)第15図はTAB法により接続され封止された半
導体装置の代表例を示す。
■T A B (Tape Automated Ba
FIG. 15 shows a typical example of a semiconductor device connected and sealed by the TAB method.

この方法は、テープキャリア方式による自動ポンディン
グ方法である。すなわち、第15図に基づいて説明する
と、キャリアフィルム基板16と半導体素子4とを位置
決めした後、キャリアフィルム基板16のインナーリー
ド部17と半導体素子4の接続部5とを熱圧着すること
により接続する方法である。接続後は、樹脂20乃至樹
脂21で封とし半導体装置9とする。
This method is an automatic bonding method using a tape carrier method. That is, to explain based on FIG. 15, after positioning the carrier film substrate 16 and the semiconductor element 4, the inner lead part 17 of the carrier film substrate 16 and the connecting part 5 of the semiconductor element 4 are connected by thermocompression bonding. This is the way to do it. After the connection, the semiconductor device 9 is sealed with resins 20 and 21.

■CCB (Controlled Co11apse
 Bonding )法(例えば、特公昭42−209
6号、特開昭60−57944号公報) 第16図はCCD法によって接続され封止された半導体
装置の代表例を示す、この方法を第16図に基づき説明
する。なお、本方法はフリップチップポンディング法と
も言われている。
■CCB (Controlled Co11apse
Bonding) law (for example, Special Publication Act 1977
(No. 6, Japanese Unexamined Patent Publication No. 60-57944) FIG. 16 shows a typical example of a semiconductor device connected and sealed by the CCD method. This method will be explained based on FIG. 16. Note that this method is also called a flip chip bonding method.

半導体素子4の接続部5に予め半田バンプ31を設け、
半田バンブ31が設けられた半導体素子4を、回路基板
32上に位置決めして搭載する。
Solder bumps 31 are provided in advance on the connection portion 5 of the semiconductor element 4,
A semiconductor element 4 provided with solder bumps 31 is positioned and mounted on a circuit board 32.

その後、半田を加熱溶解することにより回路基板32と
に半導体素子4とを接続させ、フラックス洗浄後封止し
て半導体装置9を作る。
Thereafter, the semiconductor element 4 is connected to the circuit board 32 by heating and melting the solder, and the semiconductor device 9 is manufactured by sealing after washing with flux.

■第17及びm18図に示す方法 すなわち、第1の半導体素子4の接続部5以外の部分に
ポリイミド等よりなる絶縁膜71を形成せしめ、接続部
5にはAu等よりなる金属材70を設け、次いで、金属
材70及び絶縁膜71の露出面73.72を平らにする
。一方、第2の半導体素子4′の接続部5°以外の部分
にポリイミド等よりなる絶縁膜71°を形成せしめ、接
続部5゛にはAu等よりなる金属材70′を設け、次い
で、金属材70’及び絶縁g71’の露出面73° 、
72′を平らにする。
■The method shown in Figs. 17 and m18, that is, an insulating film 71 made of polyimide or the like is formed on a portion of the first semiconductor element 4 other than the connection portion 5, and a metal material 70 made of Au or the like is provided on the connection portion 5. Next, the exposed surfaces 73 and 72 of the metal material 70 and the insulating film 71 are flattened. On the other hand, an insulating film 71° made of polyimide or the like is formed on a portion other than the connection portion 5° of the second semiconductor element 4′, a metal material 70′ made of Au or the like is provided on the connection portion 5′, and then a metal material 70′ made of Au or the like is provided on the connection portion 5′. exposed surface 73° of material 70' and insulation g71',
Flatten 72'.

しかる後、第18図に示すように第1の半導体素子4と
第2の半導体素子4°とを位は決めし、位置決め後、熱
圧着することにより第1の半導体素子4の接続部5と第
2の半導体素子4°の接続部5°を金属材70 、70
 ’を介して接続する。
Thereafter, as shown in FIG. 18, the first semiconductor element 4 and the second semiconductor element 4 degrees are positioned, and after positioning, the connection part 5 of the first semiconductor element 4 is bonded by thermocompression. The connecting portion 5° of the second semiconductor element 4° is connected to metal materials 70, 70.
Connect via '.

■第19図に示す方法 すなわち、第1の回路基材75と第2の回路基材75゛
の間に、絶縁物質77中に導電粒子79を分散させた異
方性導電膜78を介在させ、第1の回路基材75と第2
の回路基材75°を位置決めしたのち、加圧もしくは、
加圧中加熱し、第1の回路基材75の接続部76と第2
の回路基材75”の接続部76′を接続する方法である
■The method shown in FIG. 19, that is, an anisotropic conductive film 78 in which conductive particles 79 are dispersed in an insulating material 77 is interposed between the first circuit substrate 75 and the second circuit substrate 75. , the first circuit substrate 75 and the second circuit substrate 75
After positioning the circuit board at 75°, apply pressure or
The connection portion 76 of the first circuit substrate 75 and the second circuit substrate are heated during pressurization.
This is a method of connecting the connecting portion 76' of the circuit board 75''.

■第20図に示す方法 すなわち2第1の回路基材75と第2の回路基材75゛
の間に、絶縁物質81中に一定方向にFe、Cu等の金
属線82を配したエラスチックコネクター83を介在さ
せ、第1の回路基材75と第2の回路基材75゛を位置
決めしたのち、加圧し、第1の回路基材75の接続部7
6と第2の回路基材75′の接続部76′を接続する方
法である。
■The method shown in FIG. 20, i.e. 2. An elastic connector in which metal wires 82 such as Fe, Cu, etc. are arranged in a fixed direction in an insulating material 81 between the first circuit substrate 75 and the second circuit substrate 75. After positioning the first circuit base material 75 and the second circuit base material 75' with the intervening circuit board 83, pressure is applied to connect the connecting portion 7 of the first circuit base material 75.
6 and the connecting portion 76' of the second circuit board 75'.

[発明が解決しようとする問題点] ところで上記した従来のポンディング法には次のような
問題点がある。
[Problems to be Solved by the Invention] The conventional bonding method described above has the following problems.

■ワイヤボンディング法 ■半導体素子4の接続部5を半導体素子4の内部にくる
ように設計すると、極細金属線7は、その線径が極めて
小さいために、半導体素子4の外周縁部10あるいはリ
ードフレームlの素子搭載部2の外周縁部11に接触し
易くなる。極細金属ia7がこれら外周縁部lO乃至1
1に接触すると短絡する。さらに、極細金属!a7の長
さを長くせざるを得ず、その長さを長くすると、トラン
スファーモールド成形時に極細金属線7が変形しやすく
なる。
■Wire bonding method■ When designing the connecting part 5 of the semiconductor element 4 to be placed inside the semiconductor element 4, the ultra-fine metal wire 7 has an extremely small wire diameter, so the outer peripheral edge 10 of the semiconductor element 4 or the lead This makes it easier to contact the outer peripheral edge 11 of the element mounting portion 2 of the frame l. The ultra-fine metal ia7 covers these outer peripheral edges lO to 1.
If it touches 1, it will short circuit. Furthermore, ultra-fine metal! The length of a7 has to be increased, and if the length is increased, the ultrafine metal wire 7 will be easily deformed during transfer molding.

従って、半導体素子4の接続部5は半導体素子4上の周
辺に配置する必要が生じ、回路設計上の制限を受けざる
を得なくなる。
Therefore, the connecting portion 5 of the semiconductor element 4 needs to be placed around the semiconductor element 4, and is inevitably subject to circuit design limitations.

■ワイヤポンディング法においては、隣接する極細金属
線7同士の接触等を避けるためには半導極細金属線7同
士の接触等を避けるためには半導体素子4上の接続部5
のピッチ寸法(隣接する接続部の中心間の距gI)とし
である程度の間隔をとらざるを得ない、従って、半導体
素子4の大きさが決まれば必然的に接続部5の最大数が
決まる。
■In the wire bonding method, in order to avoid contact between adjacent ultra-fine metal wires 7, contact between semiconductor ultra-fine metal wires 7 is required.
Therefore, once the size of the semiconductor element 4 is determined, the maximum number of the connections 5 is necessarily determined.

しかるに、ワイヤポンディング法では、このピッチ寸法
が通常0.2mm程度と大きいので、接続部5の数は少
なくせざるを得なくなる。
However, in the wire bonding method, the pitch dimension is usually as large as about 0.2 mm, so the number of connecting portions 5 must be reduced.

■半導体素子4上の接続部5から測った極細金JiI線
7の高さhは通常0.2〜0.4mmであるが、0.2
mm以下にし薄型化することは比較的困難であるので薄
型化を図れない。
■The height h of the ultra-fine gold JiI wire 7 measured from the connection part 5 on the semiconductor element 4 is usually 0.2 to 0.4 mm, but 0.2
Since it is relatively difficult to reduce the thickness to less than mm, it is not possible to reduce the thickness.

■ワイヤポンディング作業に時間がかかる。特に接続点
数が多くなるとボンディング時間が長くなり生産効率が
悪くなる。
■Wire bonding takes time. In particular, when the number of connection points increases, bonding time becomes longer and production efficiency deteriorates.

■何らかの要因でトランスファーモールド条件範囲を越
すと、極細金属線7が変形したりI&悪の場合には切断
したりする。
■If the transfer mold condition range is exceeded for some reason, the ultrafine metal wire 7 may be deformed or cut in the case of I&W.

また半導体素子4上のJa続郡部5おいては、極細金属
線7と合金化されないAnが露出してい°るじる。
Further, in the Ja bonded portion 5 on the semiconductor element 4, An that is not alloyed with the ultrafine metal wire 7 is exposed and twisted.

■TAB法 ■半導体素子4の接続部5を半導体素子4の内側にくる
ように設計すると、キャリアフィルム基板16のインナ
ーリード部17の長さ文が長くなるため、インナーリー
ド部17が変形し易くなりインナーリード部を所望の接
続部5に接続できなかったり、インナーリード部17が
半導体素子4の接続部5以外の部分に接触したりする。
■TAB method■ If the connecting part 5 of the semiconductor element 4 is designed to be inside the semiconductor element 4, the length of the inner lead part 17 of the carrier film substrate 16 becomes longer, so that the inner lead part 17 is easily deformed. Otherwise, the inner lead portion may not be able to be connected to the desired connection portion 5, or the inner lead portion 17 may come into contact with a portion of the semiconductor element 4 other than the connection portion 5.

これを避けるためには半導体素子4の接続部5を半導体
素子4上の周辺に持ってくる必要が生じ、設計上の制限
を受ける。
In order to avoid this, it is necessary to bring the connecting portion 5 of the semiconductor element 4 to the periphery above the semiconductor element 4, which is subject to design limitations.

■TAB法においても、半導体素子4上の接続部のピッ
チ寸法は0.09〜0.15mm程度とる必要があり、
従ってワイヤボンディング法の問題点■で述べたと同様
に、接続部数を増加させることはむずかしくなる。
■Even in the TAB method, the pitch dimension of the connection parts on the semiconductor element 4 must be approximately 0.09 to 0.15 mm.
Therefore, similar to the problem (2) of the wire bonding method, it is difficult to increase the number of connections.

■キャリアフィルム基板16のインナーリード部17が
半導体素子4の接続部5以外の部分に接触しないように
させるため所望のインナーリード部17の接続形状が要
求されコスト高となる。
(2) In order to prevent the inner lead portions 17 of the carrier film substrate 16 from coming into contact with portions other than the connection portions 5 of the semiconductor element 4, a desired connection shape of the inner lead portions 17 is required, which increases costs.

■半導体素子4の接続部5とインナーリード部17とを
接続するためには、半導体素子4の接続部5またはイン
ナーリード部17の接続部に金バンプをつけなければな
らずコスト高になる。
(2) In order to connect the connecting portion 5 of the semiconductor element 4 and the inner lead portion 17, gold bumps must be attached to the connecting portion 5 of the semiconductor element 4 or the connecting portion of the inner lead portion 17, which increases the cost.

■CCB法 ■半導体素子4の接続部5に半田バンプ31を形成させ
なければならないためコスト高になる。
■ CCB method ■ Solder bumps 31 must be formed on the connection portions 5 of the semiconductor element 4, which increases costs.

■バンプの半田量が多いと隣接する半田バンプとブリッ
ジ(隣接する半田バンブ同士が接触する現象)が生じ、
逆に少いと半導体素子4の接続部5と基板32の接続部
33が接続しなくなり電気的導通がとれなくなる。すな
わち、接続の信頼性が低くなる。さらに、半田量、接続
の半田形状が接続の信頼性に影響する(ろう接技術研究
会技術資料、No、017−’84、ろう接技術研究会
発行)という問題がある。
■If the amount of solder on a bump is large, bridges (a phenomenon in which adjacent solder bumps come into contact with each other) will occur between adjacent solder bumps.
On the other hand, if the amount is too small, the connecting portion 5 of the semiconductor element 4 and the connecting portion 33 of the substrate 32 will not be connected and electrical continuity will not be established. In other words, the reliability of the connection becomes low. Furthermore, there is a problem in that the amount of solder and the solder shape of the connection affect the reliability of the connection (Technical data of the Brazing Technology Research Group, No. 017-'84, published by the Brazing Technology Research Group).

このように、半田バンプの量の多少が接続の信頼性に影
響するため半田バンプ31の量のコントロールが必要と
されている。
As described above, the amount of solder bumps 31 needs to be controlled because the amount of solder bumps affects the reliability of the connection.

■半田バンプ31が半導体素子4の内側に存在すると接
続が良好に行なわれたか否かの目視検査がむずかしくな
る。
(2) If the solder bumps 31 are present inside the semiconductor element 4, it becomes difficult to visually inspect whether or not the connection has been made well.

■半導体素子の放熱特性が悪い(参考資料:Elect
ronic Packaging Technolog
y 1987、!(Vat。
■Poor heat dissipation characteristics of semiconductor elements (Reference material: Elect
ronic Packaging Technology
y 1987,! (Vat.

3、 No、1) P、88〜71  NIKKEI 
MICRODEVICES。
3, No. 1) P, 88-71 NIKKEI
MICRO DEVICES.

1988.5月、 P、97〜108)ため、放熱特性
を良好たらしめるための多大な工夫が必要とされる。
(May 1988, P. 97-108), therefore, great efforts are required to improve heat dissipation characteristics.

■第17図及び第18図に示す技術 ■絶縁膜71の露出面72と金属材70の露出面73、
さらに絶縁膜71”の露出面72°と金属材70′の露
出面73′を平らにしなければならず、そのための工数
が増し、コスト高になる。
■Technique shown in FIGS. 17 and 18■Exposed surface 72 of insulating film 71 and exposed surface 73 of metal material 70,
Furthermore, the exposed surface 72° of the insulating film 71'' and the exposed surface 73' of the metal material 70' must be made flat, which increases the number of steps and costs.

■絶縁115t71の露出面72と金属材70の露出面
73あるいは絶縁膜71′の露出面72′と金属材70
’の露出面73゛に凹凸があると金属材70と金属材7
0゛とが接続しなくなり、信頼性が低下する。
■The exposed surface 72 of the insulation 115t71 and the exposed surface 73 of the metal material 70 or the exposed surface 72' of the insulating film 71' and the metal material 70
If the exposed surface 73' of ' is uneven, the metal material 70 and the metal material 7
0゛ is no longer connected, and reliability decreases.

■第19図に示す技術 ■位置決め後に、接続部76と接続部76゛とを加圧し
て接続する際に、圧力が一定にはかかりにくいため、接
続状態にバラツキが生じ、その結果、接続部における接
触抵抗値のバラツキが大きくなる。そのため、接続の信
頼性が乏しくなる。
■Technology shown in Fig. 19■ After positioning, when applying pressure to connect the connecting parts 76 and 76', it is difficult to apply constant pressure, resulting in variations in the connection state, and as a result, the connecting parts The variation in contact resistance value becomes large. Therefore, the reliability of the connection becomes poor.

また、多量の電流を流すと1発熱等の現象が生じるので
、多量の電流を流したい場合には不向きである。
In addition, when a large amount of current is passed, phenomena such as heat generation occur, so it is not suitable when a large amount of current is desired to be passed.

■圧力が一定にかけられたとしても、異方性導電膜78
の導電粒子79の配列により抵抗値のバラツキが大きく
なる。そのため、接続の信頼性に乏しくなる。また、大
電流容量が要求される接続には不向きである。
■Even if a constant pressure is applied, the anisotropic conductive film 78
Due to the arrangement of the conductive particles 79, variations in the resistance value become large. Therefore, the reliability of the connection becomes poor. Furthermore, it is not suitable for connections requiring large current capacity.

■隣接する接続部のピッチ(接続部に隣接する接続部中
心間の距離)を狭くすると隣接する接続部の間の抵抗値
が小さくなることから高密度な接続には不向きである。
(2) If the pitch between adjacent connecting parts (the distance between the centers of adjacent connecting parts) is narrowed, the resistance value between adjacent connecting parts will decrease, which is not suitable for high-density connections.

■回路基材75.75’の接続部76.76゜の出っ張
り量h1のバラツキにより抵抗値が変化するため、h1
バラツキ量を正確に押さえることが必要である。
■The resistance value changes due to variations in the amount of protrusion h1 at the connection part 76.76° of the circuit board 75.75', so h1
It is necessary to accurately control the amount of variation.

■さらに異方導電膜を、半導体素子と回路基材の接続、
また、第1の半導体素子と第2の半導体素子との接続に
使用した場合、上記■〜■の欠点の他、半導体素子の接
続部にバンブを設けなければならなくなり、コスト高に
なるという欠点が生じる。
■Additionally, anisotropic conductive films can be used to connect semiconductor elements and circuit substrates,
Furthermore, when used to connect the first semiconductor element and the second semiconductor element, in addition to the disadvantages described above (■ to ■), a bump must be provided at the connection part of the semiconductor element, resulting in high cost. occurs.

■第20図に示す技術 ■加圧が必要であり、加圧治具が必要となる。■Technology shown in Figure 20 ■Pressure is required, and a pressure jig is required.

■エラスチックコネクタ83の金B線82と第1の回路
基材75の接続部76また、第2の回路基材75′の接
続部76′との接触抵抗は加圧力及び表面状態により変
化するため接続の信頼性は乏しい。
■The contact resistance between the gold B wire 82 of the elastic connector 83 and the connecting portion 76 of the first circuit substrate 75 and the connecting portion 76' of the second circuit substrate 75' changes depending on the pressing force and surface condition. Connection reliability is poor.

■エラスチックコネクタ83の金属線82は剛体である
ため、加圧力が大であるとエラスチックコネクタ83、
第1の回路基材75、第2の回路基材75°の表面が破
損する可使性が大きい、また、加圧力が小であると、接
続の信頼性が乏しくなる。
■Since the metal wire 82 of the elastic connector 83 is a rigid body, if the pressing force is large, the elastic connector 83
If the surfaces of the first circuit substrate 75 and the second circuit substrate 75° are damaged during use, and if the pressing force is small, the reliability of the connection will be poor.

■さらに、回路基材75,75°の接続部76.76”
の出っ張り量h2、またエラスチックコネクタ83の金
属線82の出っ張り量h3とそのバラツキが抵抗値変化
及び破損に影響を及ぼすので、バラツキを少なくする工
夫が必要とされる。
■Furthermore, circuit board 75, 75° connection part 76.76"
The protrusion amount h2 of the metal wire 82 of the elastic connector 83 and the protrusion amount h3 of the metal wire 82 of the elastic connector 83 and their variations affect resistance value change and damage, so it is necessary to take measures to reduce the variation.

■さらに、エラスチックコネクターを半導体素子と回路
基材の接続、また、第1の半導体素子と第2の半導体素
子との接続に使用した場合、■〜■と同様な欠点を生ず
る。
(2) Further, when an elastic connector is used to connect a semiconductor element and a circuit substrate, or to connect a first semiconductor element and a second semiconductor element, the same drawbacks as in (1) to (2) occur.

本発明は、以上のような問題点をことごとく解決し、高
密度で高信頼性でしかも、低コストの新電気回路部材を
提案するものであり、従来の接続方式を置き変え得るこ
とはもちろん、高密度多点接続が得られ、熱等諸特性を
向上させ得るものである。
The present invention solves all of the above-mentioned problems and proposes a new electrical circuit member that is high in density, highly reliable, and low in cost. High-density multi-point connections can be obtained and various properties such as heat can be improved.

(以下余白) [問題点を解決するための手段] 本発明は、接続部を有する第1の電気回路部品と、接続
部を有する第2の電気回路部品とを、両電気回路部品を
電気的に接続するための電気的接続部材を両者の間に介
在させて、両電気回路部品の接続部において接続して構
成される電気回路部材において、 該電気的接続部材は、金属又は合金よりなる複数の金属
部材を、該金属部材の一端を第1の電気部品側に露出さ
せて、一方、該金属部材の他端を該第2の電気回路部品
側に露出させて、それぞれの金属部材同士を電気的に絶
縁されるように、絶縁体中に埋設して構成されており、
かつ、該絶縁体には所望形状をした金属体又は無機材料
体の一方又は両方が埋設されており、 第1の電気回路部品の接続部と第1の電気回路部品側に
露出した金属部材の一端とを合金化することにより!a
続するか、または、第2の電気回路部品の接続部と第2
の電気回路部品側に露出した金属部材の一端とを合金化
することにより接続したことを特徴とする電気回路部材
にその要旨を有する。
(The following is a blank space) [Means for solving the problem] The present invention provides a first electrical circuit component having a connecting portion and a second electrical circuit component having a connecting portion, by electrically connecting both electrical circuit components. In an electric circuit member configured by interposing an electric connecting member between the two and connecting the two electric circuit components at the connecting portion, the electric connecting member is made of a plurality of metals or alloys. The metal members are connected to each other by exposing one end of the metal member to the first electric component side and exposing the other end of the metal member to the second electric circuit component side. It is constructed by being embedded in an insulator so that it is electrically insulated.
In addition, one or both of a metal body or an inorganic material body having a desired shape is buried in the insulator, and the connection portion of the first electric circuit component and the metal member exposed on the first electric circuit component side are buried. By alloying one end with the other! a
or the connecting portion of the second electrical circuit component and the second electrical circuit component.
The gist lies in an electric circuit member characterized in that the metal member is connected to one end of the metal member exposed on the side of the electric circuit component by alloying.

本発明における電気回路部品としては1例えば、半導体
素子、樹I指回路基板、セラミック基板、全屈基板等の
回路基板(以下単に回路基板ということがある)、リー
ドフレーム等があげられる。すなわち、第1の電気回路
部品としてこれらの中のいずれかの部品を用い、第2の
電気回路部品としてこれらの中のいずれかの部品を用い
ればよい。
Examples of electric circuit components in the present invention include semiconductor elements, circuit boards such as I-shaped circuit boards, ceramic boards, and fully bent boards (hereinafter sometimes simply referred to as circuit boards), lead frames, and the like. That is, any one of these components may be used as the first electrical circuit component, and any one of these components may be used as the second electrical circuit component.

電気回路部品として接続部を有する部品が本発明の対象
となる。接続部の数は問わないが、接続部の数が多けれ
ば多いほど本発明の効果がJ11著となる。
The object of the present invention is a component having a connection part as an electric circuit component. Although the number of connection parts does not matter, the greater the number of connection parts, the more effective the present invention becomes.

また、接続部の存在位置も問わないが、電気回路部品の
内部に存在するほど本発明の効果がliI著となる。
Further, although the location of the connection portion does not matter, the effect of the present invention becomes more pronounced as the connection portion is located inside the electric circuit component.

本発明では第1の電気回路部品と第2の電気回路部品と
を電気的接続部材を用いて接続する。
In the present invention, a first electrical circuit component and a second electrical circuit component are connected using an electrical connection member.

本発明に係る電気的接続部材は、絶縁体中に複数の金属
部材を埋設して構成されている。金属部材同士はそれぞ
れ絶縁体により絶縁されており、また、金属部材の一端
は第1の電気回路部品側に露出しており、他の一端は第
2の電気回路部品側に露出している。さらに、絶縁体中
には、所望形状をした金属体又は無機材料体の一方又は
両方が埋設されている。
The electrical connection member according to the present invention is constructed by embedding a plurality of metal members in an insulator. The metal members are each insulated by an insulator, and one end of the metal member is exposed to the first electric circuit component side, and the other end is exposed to the second electric circuit component side. Further, one or both of a metal body or an inorganic material body having a desired shape is embedded in the insulator.

ここで、金属部材の材質としては、金が好ましいが、全
以外の任意の金属あるいは合金を使用することもできる
0例えば、Cu、A文、Sn。
Here, as the material of the metal member, gold is preferable, but any metal or alloy other than gold may also be used.For example, Cu, A metal, and Sn.

Pb−3n等の金属あるいは合金があげられる。Examples include metals or alloys such as Pb-3n.

さらに、金属部材の断面は2円形、四角形その他任意の
形状とすることができる。
Furthermore, the cross section of the metal member can be bicircular, square, or any other arbitrary shape.

また、金属部材の太さは特に限定されない、電気回路部
品の接続部のピッチを考慮して、例えば20gmφ以上
あるいは20ILmφ以下にしてもよい。
Further, the thickness of the metal member is not particularly limited, and may be set to, for example, 20 gmφ or more or 20 ILmφ or less, taking into consideration the pitch of the connecting portions of the electric circuit components.

なお、金属部材の露出部は絶縁体と同一面としてもよい
し、また、絶縁体の面から突出させてもよい。この突出
は片面のみでもよいし両面でもよい、さらに突出させた
場合はバンプ状にしてもよい。
Note that the exposed portion of the metal member may be on the same surface as the insulator, or may be made to protrude from the surface of the insulator. This protrusion may be on one side or both sides, and if it is protruded, it may be in the form of a bump.

また、金属部材の間隔は、電気回路部品の接続部同士の
間隔と同一間隔としてもよいし、それより狭い間隔とし
てもよい、狭い間隔とした場合には電気回路部品と電気
的接続部材との位置決めを要することなく、電気回路部
品と電気的接続部材とを接続することが可能となる。
Furthermore, the spacing between the metal members may be the same as the spacing between the connecting parts of the electrical circuit components, or may be narrower than that, and when the spacing is narrower, the spacing between the electrical circuit components and the electrical connecting members may be the same. It becomes possible to connect the electrical circuit component and the electrical connection member without requiring positioning.

また、金属部材は絶縁体中に垂直に配する必要はなく、
第1の電気回路部品側から第2の電気回路部品側に向か
って多行していてもよい。
Also, metal members do not need to be placed vertically in the insulator;
There may be multiple lines from the first electric circuit component side to the second electric circuit component side.

さらに電気的接続部材は、1層あるいは2層以上の多層
からなるものでもよい。
Furthermore, the electrical connection member may be composed of one layer or multiple layers of two or more layers.

本発明においては、絶縁体には所望形状をした金属体又
は無機材料体の一方又は両方が埋設されている。
In the present invention, one or both of a metal body and an inorganic material body having a desired shape is embedded in the insulator.

ここで、所望形状をした金属体又は無機材料体としては
、例えば、板状体、各種断面形状をした棒状体、球体等
があげられる。
Here, examples of the metal body or inorganic material body having a desired shape include a plate-shaped body, a rod-shaped body having various cross-sectional shapes, a sphere, and the like.

また、金属体の材質としては、例えば、 Ag、Cu。Further, examples of the material of the metal body include Ag and Cu.

へU、へ42  Be、Ca、Mg、Mo、Ni、Si
、  W、Fe、Sn、Zn  等、 あるいはこれら
の合金があげられる。
to U, to 42 Be, Ca, Mg, Mo, Ni, Si
, W, Fe, Sn, Zn, etc., or alloys thereof.

また、無機材料体の材質としては、例えば、SiC,B
eO,B4(:、TaC,Til12.(:rB2.T
iN、BP、UN、  八I1.N。
In addition, as the material of the inorganic material body, for example, SiC, B
eO,B4(:,TaC,Til12.(:rB2.T
iN, BP, UN, 8I1. N.

Si、N4.SiO□、B20.、  八l 203.
Na2Q、に20.CaO,ZnO。
Si, N4. SiO□, B20. , 8l 203.
Na2Q, 20. CaO, ZnO.

BaO,PbO,5b20*、八5203.La20z
、ZnO2,P2O5,Tl0z+MgO,Ta205
等のセラミック、ダイヤモンド、C9B、ガラス等のも
のがあげられる。これらの無機材料の1種又は2種以上
を使用すればよい。
BaO, PbO, 5b20*, 85203. La20z
, ZnO2, P2O5, Tl0z+MgO, Ta205
Examples include ceramics, diamond, C9B, glass, etc. One or more of these inorganic materials may be used.

金属体 無機材料体は1種又は2N4以上を使用すれば
よい。
Metal body One type of inorganic material body or 2N4 or more may be used.

埋設する金属体及び無機材料体の大きさ、形状、また、
絶縁体中における分散位置、数量は、金属体、無機材料
体のために、絶縁体中に埋設されている金属部材同士が
接触・短絡したり、切断したりしない範囲内ならば任意
である。また、金属部材間の全てに金属体、無機材料体
が存在する必要はなく、存在している部分と存在してい
ない部分があってもよい。また、全屈体、無機材料体は
絶縁体の外部に露出してもよいし、露出しなくともよい
。また、金属体、無機材料体同士は接触してもよいし、
接触していなくともよい。
The size and shape of the metal object and inorganic material object to be buried, and
The dispersed position and quantity in the insulator are arbitrary as long as the metal members embedded in the insulator do not come into contact with each other, short-circuit, or break due to the metal body or the inorganic material body. Further, it is not necessary that the metal body or the inorganic material body exists between all the metal members, and there may be some parts where the metal body and the inorganic material body do not exist. Furthermore, the fully bent body and the inorganic material body may or may not be exposed to the outside of the insulator. Also, metal bodies and inorganic material bodies may be in contact with each other,
They don't even have to be in contact.

電気的接続部材の絶縁体は絶縁性物質ならば特に限定さ
れない。例えば絶縁性の樹脂を用いればよい。さらに、
樹脂を用いる場合には樹脂の種類も問わない。熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂のいずれでもよい。例えば、ポリイ
ミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエー
テルサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリス
チレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリジフェニールエーテル樹脂、ポリベン
ジルイミダゾール樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メ
ラミン樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミ
ドイミド樹脂、ポリプロブレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹
脂、ポリスチレン樹脂その他の樹脂を使用することがで
きる。
The insulator of the electrical connection member is not particularly limited as long as it is an insulating material. For example, insulating resin may be used. moreover,
When using a resin, the type of resin does not matter. Either thermosetting resin or thermoplastic resin may be used. For example, polyimide resin, polyphenylene sulfide resin, polyether sulfone resin, polyetherimide resin, polystyrene resin, silicone resin, fluororesin, polycarbonate resin, polydiphenyl ether resin, polybenzylimidazole resin, phenolic resin, urea resin, melamine resin. , alkyd resin, epoxy resin, polyamideimide resin, polyproblene resin, polyvinyl chloride resin, polystyrene resin and other resins can be used.

なお、これらの樹脂の中から、熱伝導性のよい樹脂を使
用すれば、半導体素子が熱を持ってもその熱を樹脂を介
して放熱することができるのでより好ましい、さらに、
樹脂として、回路基板と同じかあるいは同程度の熱膨張
率を有するものを選択すれば、熱膨張・熱収縮に基づく
、装置の信頼性の低下を一層防止することが可能となる
Among these resins, it is more preferable to use a resin with good thermal conductivity because even if the semiconductor element has heat, the heat can be radiated through the resin.
By selecting a resin having the same or similar coefficient of thermal expansion as that of the circuit board, it is possible to further prevent a decrease in the reliability of the device due to thermal expansion/shrinkage.

本発明ではさらに、第1の電気回路部品の接続部と第1
の電気回路部品側に露出した電気接続部材の金属部材の
一端とを合金化することにより接続するか、又は、第2
の電気回路部品の接続部とtJS2の電気回路部品側に
露出した電気接続部材の金属部材の一端とを合金化する
ことにより接続する。すなわち、本発明では、NS1の
電気回路部品か第2の電気回路部品かのいずれか一方を
合金化する。
In the present invention, the connection portion of the first electric circuit component and the first
connection by alloying one end of the metal member of the electrical connection member exposed on the side of the electrical circuit component, or
The connecting portion of the electrical circuit component of tJS2 is connected to one end of the metal member of the electrical connection member exposed on the electrical circuit component side of tJS2 by alloying. That is, in the present invention, either the NS1 electric circuit component or the second electric circuit component is alloyed.

なお、合金化方法としては、例えば、それぞれ対応する
接続部を接触させた後、適宜の温度において加熱すれば
よい、加熱により、接続部において原子の拡散等が起こ
り、接続部表面に固溶体あるいは金属間化合物よりなる
層が形成され、接続部同士が合金化される。なお、電気
的接続部材の金属部材にAuを使用し、電気回路部品の
接続部にAnを使用した場合には、200〜350℃の
加熱温度が好ましい。
In addition, as an alloying method, for example, the corresponding connection parts may be brought into contact with each other and then heated at an appropriate temperature.Heating causes diffusion of atoms in the connection parts, and a solid solution or metal is formed on the surface of the connection parts. A layer of intercalary compound is formed and the connections are alloyed. In addition, when Au is used for the metal member of the electrical connection member and An is used for the connection part of the electric circuit component, the heating temperature is preferably 200 to 350°C.

なお、合金化しない方の接続は公知の任意の方法を用い
ればよい0例えば、電気回路部品と電気的接続部材とを
押圧して接続すればよい。
Note that any known method may be used for the connection without alloying. For example, the connection may be made by pressing the electrical circuit component and the electrical connection member.

[作用] 本発明では、上述の電気的接続部材を使用しているので
、電気回路部品の接続部を内部に配置することも可能と
なり、接続部の数を増加させることができ、ひいては高
密度化が可能となる。
[Function] Since the above-mentioned electrical connection member is used in the present invention, it is also possible to arrange the connection parts of the electric circuit components inside, and the number of connection parts can be increased. It becomes possible to

また、電気的接続部材は薄くすることが可能であり、こ
の面からも薄型化が可能となる。
Further, the electrical connection member can be made thinner, and from this point of view as well, it is possible to make the electrical connection member thinner.

さらに、電気的接続部材に使用する金属部材の量は少な
いため、たとえ、高価な金を金属部材として使用したと
してもコストが安いものとなる。
Furthermore, since the amount of metal members used for the electrical connection member is small, the cost is low even if expensive gold is used as the metal member.

電気回路部品の一方は、電気接続部材を介して合金化さ
れているので、接触抵抗のバラツキはなく、接続の信頼
性が高くなる。
Since one of the electrical circuit components is alloyed via the electrical connection member, there is no variation in contact resistance and the reliability of the connection is high.

また、合金化をして接続するのは第1の電気回路部品か
第2の電気回路部品のいずれか一方であるため、いずれ
かの電気回路部品に合金化による品質の劣化(例えば、
加熱による合金化を行なう場合熱による劣化)を生じる
ような電気回路部品を用いる場合には、その電気回路部
品の方を合金化せずに例えば、押圧して接続すれば、か
かる劣化を防止することができる。また、用途によって
は電気回路部品を着脱自在にしておきたい場合があり、
かかる場合にその電気回路部品を合金化せず、例えば押
圧して接続すれば、その電気回路部品は着脱自在とする
こともできる。
In addition, since either the first electric circuit component or the second electric circuit component is alloyed and connected, quality deterioration due to alloying (for example,
When using electrical circuit components that would cause heat-induced deterioration when alloyed by heating, such deterioration can be prevented by connecting the electrical circuit components by pressing, for example, without alloying them. be able to. Also, depending on the application, you may want to make electrical circuit parts removable.
In such a case, if the electric circuit parts are connected by pressing, for example, without alloying, the electric circuit parts can be made detachable.

本発明においては、電気的接続部材の絶縁体中に所望形
状をした金属体又は無機材料体の一方又は両方が埋設さ
れているので、第1の電気回路部品から第2の電気回路
部品への熱伝導性、また。
In the present invention, since one or both of the metal body and the inorganic material body having a desired shape are embedded in the insulator of the electrical connection member, the connection from the first electric circuit component to the second electric circuit component is Thermal conductivity, also.

第2の電気回路部品からifの電気回路部品への熱伝導
性が良くなる。つまり、電気的接続部材の熱伝導性が良
好であり、仮に、第1の電気回路部品として発熱量の大
きな電気回路部品を使用し、第2の電気回路部品として
熱影響の少ない電気回路部品を選択したとすると、第1
の電気回路部品から発熱した熱は、電気的接続部材を介
して第2の電気回路部品へといち早く伝導され、この熱
は第2の電気回路部品から放熱される。従って、放熱特
性の良好な電気回路部材を得ることが可使となる。
Thermal conductivity from the second electrical circuit component to the if electrical circuit component is improved. In other words, if the thermal conductivity of the electrical connection member is good, and if an electrical circuit component with a large amount of heat is used as the first electrical circuit component, and an electrical circuit component that is less affected by heat is used as the second electrical circuit component, If selected, the first
The heat generated from the electrical circuit component is quickly conducted to the second electrical circuit component via the electrical connection member, and this heat is radiated from the second electrical circuit component. Therefore, it is possible to obtain an electric circuit member with good heat dissipation characteristics.

なお、電気的接続部材の絶縁体中に電気回路部品の熱膨
張係数に近い無機材料体を埋設すると。
Note that if an inorganic material body having a coefficient of thermal expansion close to that of the electric circuit component is embedded in the insulator of the electrical connection member.

電気的接続部材の絶縁体の熱膨張係数が電気回路部品の
熱膨張係数に近すき、熱が加わった場合に生ずることの
ある絶縁体、金属部材の割れ、あるいは、電気回路部品
の特性の変化という、半導体装置の信頼性を損なう現象
を防止でき、信頼性の良好な半導体装置が得られる。
The thermal expansion coefficient of the insulator of the electrical connection member is close to that of the electrical circuit component, and cracks in the insulator or metal component, or changes in the characteristics of the electrical circuit component, may occur when heat is applied. This phenomenon that impairs the reliability of the semiconductor device can be prevented, and a highly reliable semiconductor device can be obtained.

なお、かかる効果は、第1の電気回路部品と第2の電気
回路部品との熱膨張係数の差が大きい場合に顕著である
Note that this effect is remarkable when the difference in coefficient of thermal expansion between the first electric circuit component and the second electric circuit component is large.

さらに、絶縁体中に金属体を埋設すると、電気回路部品
から外界に出る電磁気ノイズを減少せしめることができ
、また、外界から電気回路部品へ入るノイズを減少せし
めることができる。
Furthermore, by embedding the metal body in the insulator, it is possible to reduce electromagnetic noise that exits from the electrical circuit components to the outside world, and it is also possible to reduce noise that enters the electrical circuit components from the outside world.

[実施例] (第1実施例) 本発明の第1実施例を第1図及び第2図に基づいて説明
する。
[Example] (First Example) A first example of the present invention will be described based on FIGS. 1 and 2.

本実施例では、接続部102を有する第1の電気回路部
品である回路基板101と、接続部105を有する第2
の電気回路部品である回路基板104とを、周回路基板
101.104を電気的に接続するための電気的接続部
材125を両者の間に介在させて、周回路基板101,
104の接続部102,105において接続して構成さ
れる電気回路部材において、 該電気的接続部材125は、金属又は合金よりなる複数
の金属部材107を、それぞれの金属部材107同士を
電気的に絶縁し、かつ、該金属部材107の一端を第1
の回路基板101側に露出させて、一方、該金属部材1
07の他端を該第2の回路部基板104側に露出させて
、絶縁体lll中に埋設されて構成されており、かつ、
絶縁体111には鉄板156が埋設されており、第1の
回路基板101の接続部102と第1の回路基板101
側に露出した金属部材107の一端とを合金化すること
により接続するか、または、第2の回路基板104の接
続部105と第2の回路基板104側に露出した金属部
材107の一端とを合金化することにより接続しである
In this embodiment, a circuit board 101, which is a first electric circuit component having a connection part 102, and a second circuit board 101 having a connection part 105 are used.
The circuit board 104, which is an electric circuit component of
In the electrical circuit member configured by connecting at the connecting portions 102 and 105 of 104, the electrical connecting member 125 electrically insulates the plurality of metal members 107 made of metal or alloy from each other. and one end of the metal member 107 is connected to the first
The metal member 1 is exposed on the circuit board 101 side.
07 is embedded in an insulator with the other end exposed to the second circuit board 104 side, and
A steel plate 156 is embedded in the insulator 111, and connects the connecting portion 102 of the first circuit board 101 and the first circuit board 101.
Either the connecting portion 105 of the second circuit board 104 and one end of the metal member 107 exposed to the second circuit board 104 are connected by alloying one end of the metal member 107 exposed to the side. They are connected by alloying.

以下に本実施例をより詳細に説明する。This example will be explained in more detail below.

まず、電気的接続部材125の一製造例を説明しつつ電
気的接続部材125を説明する。
First, the electrical connection member 125 will be explained while explaining one manufacturing example of the electrical connection member 125.

第2図に一製造例を示す。FIG. 2 shows one manufacturing example.

まず、第2図(a)に示すように、絶縁シート155を
鉄板156の表裏に貼り付ける。その後、20ルmφの
金等の金属あるいは合金よりなる金Em121が入る位
置に金属線121の線径より大きい内径の穴157をピ
ッチ40gmであける。その後、穴157に金属線12
1を通した後に、穴157に樹脂123を入れ、樹脂1
23を硬化させる。硬化した樹脂123は絶縁体となる
。従って、金属線121は他の金属線121と絶縁され
る。その後、点線124の位置でスライス切断し、電気
的接続部材125を作成する。このようにして作成され
た電気的接続部材125を第2図(b)、(C)に示す
First, as shown in FIG. 2(a), an insulating sheet 155 is attached to the front and back of an iron plate 156. Thereafter, holes 157 having an inner diameter larger than the wire diameter of the metal wire 121 are made at a pitch of 40 gm at positions where gold Em 121 made of a metal such as gold or an alloy having a diameter of 20 mm is inserted. After that, the metal wire 12 is inserted into the hole 157.
1, put the resin 123 into the hole 157, and
23 is cured. The cured resin 123 becomes an insulator. Therefore, metal wire 121 is insulated from other metal wires 121. Thereafter, it is sliced at the dotted line 124 to create an electrical connection member 125. The electrical connection member 125 created in this way is shown in FIGS. 2(b) and 2(C).

なお、本例では、鉄板156を用いたが、他の金属体あ
るいは無機材料体でもよく、形状としても板に限らず棒
状体、球状体でもよい、さらに、樹脂123により鉄板
156と金属線121とを絶縁したが、鉄板156の穴
157を予め絶縁化してもよい、また、電気的接続部材
の作成方法は上記方法に限らず他の方法でもよい。
Although the iron plate 156 is used in this example, it may be made of other metal or inorganic material, and the shape is not limited to a plate but may also be a rod or a sphere.Furthermore, the iron plate 156 and the metal wire 121 Although the hole 157 of the iron plate 156 may be insulated in advance, the method for producing the electrical connection member is not limited to the above method, and other methods may be used.

このように作成された電気的接続部材125において、
金属線121が金属部材107を構成し、鉄板156、
絶縁シート155、さらに樹脂123が絶縁体111を
構成する。
In the electrical connection member 125 created in this way,
The metal wire 121 constitutes the metal member 107, and the iron plate 156,
The insulating sheet 155 and the resin 123 constitute the insulator 111.

この電気的接続部材125においては金属部材となる金
属&Iai2を同士は樹脂123により電気的に絶縁さ
れている。また、金属5121の一端は回路基板101
側に露出し、他端は回路基板104側に露出している。
In this electrical connection member 125, metal &Iai2 serving as metal members are electrically insulated from each other by resin 123. Further, one end of the metal 5121 is attached to the circuit board 101.
The other end is exposed to the circuit board 104 side.

この露出している部分はそれぞれ回路基板fo1,10
4との接続部108.109となる。
These exposed parts are circuit boards fo1 and 10, respectively.
The connecting portions 108 and 109 are connected to 4.

次に、第1の回路基板lot、電気的接続部材125、
第2の回路基板104を用意する。本例で使用する回路
基板101,104は、第1図に示すように、その内部
に多数の接続部102゜105を有している。
Next, the first circuit board lot, the electrical connection member 125,
A second circuit board 104 is prepared. As shown in FIG. 1, the circuit boards 101 and 104 used in this example have a large number of connection parts 102 and 105 therein.

なお、第1の回路基板101の接続部102は、第2の
回路基板104の接続部105及び電気的接続部材12
5の接続部108,109に対応する位置に金属が露出
している。
Note that the connection portion 102 of the first circuit board 101 is connected to the connection portion 105 of the second circuit board 104 and the electrical connection member 12.
Metal is exposed at positions corresponding to the connection parts 108 and 109 of No. 5.

第1の回路基板101の接続部102と、電気的接続部
材125の接続部10Bとを、又は。
or the connecting portion 102 of the first circuit board 101 and the connecting portion 10B of the electrical connecting member 125.

第2の回路基板104の接続部105と電気的接続部材
125の接続部109が対応するように位置決めを行な
い、位置決め後、いずれか一方を合金化して接続し、他
方を他の方法により接続する。
Positioning is performed so that the connection portion 105 of the second circuit board 104 and the connection portion 109 of the electrical connection member 125 correspond, and after positioning, one of them is alloyed and connected, and the other is connected by another method. .

ここで、上記第1の回路基板lot、電気的接続部材1
25、第2の回路基板104を接続するには次の2方式
が存在するが、そのいずれの方式によってもよい。
Here, the first circuit board lot, electrical connection member 1
25. There are the following two methods for connecting the second circuit board 104, and either method may be used.

■第1の回路基板101と電気的接続部材125とを位
と決めした後、第1の回路基板101の接続部102と
電気的接続部材125の接続部108とを合金化して接
続した後、第2の回路基板104を位置決めし、第2の
回路基板104の接続部105と電気接続部材125の
接続部109とを押圧して接続する方式。
(1) After determining the position between the first circuit board 101 and the electrical connection member 125, and after alloying and connecting the connection part 102 of the first circuit board 101 and the connection part 108 of the electrical connection member 125, A method in which the second circuit board 104 is positioned and the connection portion 105 of the second circuit board 104 and the connection portion 109 of the electrical connection member 125 are pressed and connected.

■f52の回路基板104と電気的接続部材125とを
位置決めした後、第2の回路基板104の接続部105
と電気的接続部材125の接続部109とを合金化して
接続した後、第1の回路基板101を位置決めし、第1
の回路基板101の接続部102と電気接続部材125
の接続部108とを押圧して接続する方式。
■ After positioning the circuit board 104 of f52 and the electrical connection member 125, the connection part 105 of the second circuit board 104
After alloying and connecting the connecting portion 109 of the electrical connecting member 125, the first circuit board 101 is positioned, and the first circuit board 101 is positioned.
The connection portion 102 of the circuit board 101 and the electrical connection member 125
A method in which the connection is made by pressing the connection part 108 of the

以上のようにして作成した電気回路部材につきその接続
部の接続性を調べたところ高い信頼性をもって接続され
ていた。
When the connectivity of the connection portions of the electrical circuit members produced as described above was examined, the connections were found to be highly reliable.

また、放熱特性も良好であった。Furthermore, the heat dissipation properties were also good.

(第2実施例) 第3図に第2実施例を示す。(Second example) FIG. 3 shows a second embodiment.

本例は、接続部52を有する第1の電気回路部品として
回路基板51を、第2の電気回路部品として内部に多数
の接続部5を有する半導体素子4を使用した。
In this example, a circuit board 51 is used as a first electric circuit component having a connection part 52, and a semiconductor element 4 having a large number of connection parts 5 therein is used as a second electric circuit component.

合金化は、半導体素子4の接続部5と絶縁体中に所望形
状をした金属体又は無機材料体の一方又は両方が埋設さ
れているWt4A約4A部材125の接続部54との間
で行なった。
Alloying was performed between the connecting portion 5 of the semiconductor element 4 and the connecting portion 54 of the Wt4A approximately 4A member 125 in which one or both of a metal body or an inorganic material body having a desired shape is embedded in an insulator. .

なお、絶縁体中に金属体又は無機材料体の一方又は両方
が埋設されている電気的接続部材125としては半導体
素子4に対応する寸法のものを使用した。
The electrical connection member 125 in which one or both of a metal body and an inorganic material body is embedded in an insulator has a size corresponding to the semiconductor element 4.

合金化して接続後は回路基板51の下面にリードフレー
ム55を接続した。
After alloying and connecting, a lead frame 55 was connected to the lower surface of the circuit board 51.

他の点は第1実施例と同様である。Other points are similar to the first embodiment.

本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
In this example as well, the connection section was connected with high reliability.

また、放熱特性も良好であった。Furthermore, the heat dissipation properties were also good.

(第3実施例) 第4図に第3実施例を示す。(Third example) FIG. 4 shows a third embodiment.

本例は、第1の電気回路部品が半導体素子4であり、第
2の電気回路部品が回路基板51である例である。
In this example, the first electric circuit component is the semiconductor element 4, and the second electric circuit component is the circuit board 51.

なお、接続後は回路基板51の上面にリードフレームl
を接続し、封止材63により封止した。
Note that after connection, a lead frame l is placed on the top surface of the circuit board 51.
were connected and sealed with a sealing material 63.

他の点は第1実施例と同様である。Other points are similar to the first embodiment.

本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
In this example as well, the connection section was connected with high reliability.

また、放熱特性も良好であった。Furthermore, the heat dissipation properties were also good.

(第4実施例) 第5図に第4実施例を示す。(Fourth example) FIG. 5 shows a fourth embodiment.

本例は、第1の電気回路部品が半導体素子4′であり、
第2の電気回路部品が半導体素子4である例であり、本
例では、電気的接続部材として半導体素子4に対応した
寸法のものを使用し、リードフレーム1を電気的接続部
材125の第1の半導体素子4°側に露出した金属部材
に接続している。
In this example, the first electric circuit component is a semiconductor element 4',
This is an example in which the second electric circuit component is the semiconductor element 4. In this example, an electrical connection member having a size corresponding to the semiconductor element 4 is used, and the lead frame 1 is connected to the first electrical connection member 125. It is connected to the metal member exposed on the 4° side of the semiconductor element.

他は第3実施例と同様である。The rest is the same as the third embodiment.

本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
In this example as well, the connection section was connected with high reliability.

また、放熱特性も良好であった。Furthermore, the heat dissipation properties were also good.

(第5実施例) 第6図に第5実施例を示す。(Fifth example) FIG. 6 shows a fifth embodiment.

第5実施例は、第1の′1を気回路部品、m2の電気回
路部品として、接続部以外の部分が絶縁膜103、i0
6で覆われている回路基板101゜104を使用してい
る例である。
In the fifth embodiment, the first '1 is an air circuit component, m2 is an electric circuit component, and the parts other than the connection part are an insulating film 103, i0
This is an example in which circuit boards 101 and 104 covered by 6 are used.

また、電気的接続部材としては第7図に示すものを使用
した。すなわち、第7図に示す、絶縁体中に鉄板156
が埋設する電気的接続部材125は、金属部材107の
露出している部分が樹脂絶縁体111の面から突出して
いる。このような電気的接続部材125の作成は、例え
ば、次の方法によればよい。
Further, as an electrical connection member, one shown in FIG. 7 was used. That is, as shown in FIG.
In the electrical connection member 125 embedded therein, the exposed portion of the metal member 107 protrudes from the surface of the resin insulator 111. Such electrical connection member 125 may be created, for example, by the following method.

まず、第1実施例で述べた方法により、第2図(b)、
(C)に示す電気的接続部材を用意する6次にこの電気
的接続部材の両面を、金属線121が、絶縁シート15
5から10JLm程度突出するまでエツチングすればよ
い。
First, by the method described in the first embodiment, as shown in FIG. 2(b),
6. Prepare the electrical connection member shown in (C) Next, the metal wire 121 is connected to the insulating sheet 15
Etching may be performed until it protrudes by about 5 to 10 JLm.

なお、本実施例では金属線121の突出量を10gmと
したが、いかなる量でもよい。
Note that in this embodiment, the amount of protrusion of the metal wire 121 was set to 10 gm, but any amount may be used.

また、金属線121を突出させる方法としてはエツチン
グに限らず、他の化学的な方法又は機械的な方法を使用
してもよい。
Furthermore, the method for making the metal wire 121 protrude is not limited to etching, and other chemical or mechanical methods may be used.

他の点は第1実施例と同様である。Other points are similar to the first embodiment.

なお、突出部を、電気的接続部材125を金属線i21
の位置に四部を持った型に挟み込み、金Jiilili
121の突起126をつぶすことにより第8図に示すよ
うなバンプ150を形成してもよい。
Note that the protruding portion and the electrical connection member 125 are connected to the metal wire i21.
Place it in a mold with four parts in the position of
Bumps 150 as shown in FIG. 8 may be formed by crushing the protrusions 126 of 121.

この場合金属線121は絶縁体111から脱落しにくく
なる。
In this case, the metal wire 121 becomes difficult to fall off from the insulator 111.

なお、本例でも、金属&!1t121が金属部材107
を構成し、さらに、鉄板156、絶縁シート155、さ
らに樹脂123が絶縁体111を構成する。
In addition, in this example, metal &! 1t121 is the metal member 107
Further, the iron plate 156, the insulating sheet 155, and the resin 123 constitute the insulator 111.

なお、バンプを作成するのには突起を熱で溶融させ、バ
ンプを作成してもよいし、他のいかなる方法でもよい。
Note that the bumps may be created by melting the protrusions with heat, or any other method may be used.

本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
In this example as well, the connection section was connected with high reliability.

また、放熱特性も良好であった。Furthermore, the heat dissipation properties were also good.

(第6実施例) 第9図に第6実施例を示す。(6th example) FIG. 9 shows a sixth embodiment.

本例は、第1の電気回路部品として半導体素子4を使用
し、第2の電気部品としてリードフレーム1を使用した
例である。
In this example, a semiconductor element 4 is used as the first electrical circuit component, and a lead frame 1 is used as the second electrical component.

他の点は第5実施例と同様である。Other points are similar to the fifth embodiment.

本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
In this example as well, the connection section was connected with high reliability.

また、放熱特性も良好であった。Furthermore, the heat dissipation properties were also good.

(第7実施例) 第1O図に第7実施例を示す。(Seventh Example) A seventh embodiment is shown in FIG. 1O.

本例においては、電気的接続部材125は、第5実施例
に示した電気的接続部材と異なる。すなわち、本例の電
気的接続部材125においては、金属部材同士のピッチ
が第5実施例で示したものよりも狭くなっている。すな
わち1本例では、第1の回路基板接続部の間隔よりも狭
い間隔に金属部材107同士のピッチを設定しである。
In this example, the electrical connection member 125 is different from the electrical connection member shown in the fifth embodiment. That is, in the electrical connection member 125 of this example, the pitch between the metal members is narrower than that shown in the fifth example. That is, in this example, the pitch between the metal members 107 is set to be narrower than the spacing between the first circuit board connecting portions.

つまり、第5実施例では、第1の回路基板101と第2
の回路基板104との接続位置に電気的接続部材125
の接続位置を配設したため、電気的接続部材125の位
置決めが必要であったが、本例では、第1の回路基板1
01と第2の回路基板104との位置決めは必要である
が、電気的接続部材125との位置決めは不要となる。
That is, in the fifth embodiment, the first circuit board 101 and the second
An electrical connection member 125 is located at the connection position with the circuit board 104.
However, in this example, the first circuit board 1
01 and the second circuit board 104 is necessary, but positioning with the electrical connection member 125 is not necessary.

そのため、第1の回路基板101と第2の回路基板10
4の接続寸法(dll、Fil)と電気的接続部材の接
続寸法(d12.PI3)を適切な値に選ぶことにより
位置決めなしで接続することも回部である。
Therefore, the first circuit board 101 and the second circuit board 10
It is also possible to connect without positioning by selecting appropriate values for the connection dimensions (dll, Fil) of No. 4 and the connection dimensions (d12.PI3) of the electrical connection member.

本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
In this example as well, the connection section was connected with high reliability.

また、放熱特性も良好であった。Furthermore, the heat dissipation properties were also good.

(第8実施例) 第11図に第8実施例に使用する電気的接続部材を示す
(Eighth Example) FIG. 11 shows an electrical connection member used in the eighth example.

第11図(a)は電気的接続部材の斜視図、第11図(
b)は上記電気的接続部材の断面図である。
FIG. 11(a) is a perspective view of the electrical connection member, FIG.
b) is a sectional view of the electrical connection member.

かかる電気的接続部材の作成例を次に述べる。An example of making such an electrical connection member will be described next.

まず、第1実施例に示した製法で、絶縁体中に鉄板15
6が埋設する電気的接続部材128゜129.130を
3枚用意する。
First, using the manufacturing method shown in the first embodiment, an iron plate 15 is placed in the insulator.
Prepare three electrical connection members 128°, 129, and 130 in which 6 is embedded.

1枚目128の金属線121の位置はm行n列目で、m
a、nbだけ中心から変位している。2枚目!29の金
FE線121の位置はm行n列目でmac、nbcだけ
中心から変位している。3枚目130の金y&5121
の位置はm行n列でmad、nbdだけ中心から変位し
ている。a。
The position of the metal wire 121 in the first sheet 128 is m row and n column.
It is displaced from the center by a and nb. The second one! The position of the gold FE wire 121 of No. 29 is in the mth row and the nth column, and is displaced from the center by mac and nbc. 3rd piece 130 gold y & 5121
is located in m rows and n columns, displaced from the center by mad and nbd. a.

b、c、dの値は上下の金属121は導通するが左右に
は互いに電気的に導通しないような値をとる。3枚の電
気的接続部材を位置決めし、熱圧着等の方法を用い積層
し、電気的接続部材125を作成する。
The values of b, c, and d are such that the upper and lower metals 121 are electrically conductive, but the left and right sides are not electrically conductive with each other. The three electrical connection members are positioned and laminated using a method such as thermocompression bonding to create the electrical connection member 125.

なお、本例においては、電気的接続部材の金属の位置を
m行n列というように規則をもった位置を選んだが、上
下の金属が導通し、左右には互いに電気的に導通しない
ようにすればランダムでもよい。
In addition, in this example, the positions of the metals of the electrical connection members were selected according to rules such as m rows and n columns, but the metals on the top and bottom were conductive, and the left and right sides were not electrically conductive with each other. It can be random if you do.

また、本例では3層積層する場合について述べたが、2
枚以上であれば何枚でもよい、また、熱圧着の方法を用
いて積層すると述べたが、圧着、接着等の方法を用いて
もよい、さらに、本例の電気的接続部材を加工して第7
図に示すように突起を設けてもよいし、i8図に示した
ようにバンプ150を設けてもよい。
In addition, although this example describes the case where three layers are laminated, two
Any number of layers may be used as long as the electrical connection member of this example is laminated using a thermocompression bonding method. 7th
A protrusion may be provided as shown in the figure, or a bump 150 may be provided as shown in FIG. i8.

本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
In this example as well, the connection section was connected with high reliability.

また、放熱特性も良好であった。Furthermore, the heat dissipation properties were also good.

(第9実施例) 第12図に第9実施例に使用する電気的接続部材を示す
(Ninth Example) FIG. 12 shows an electrical connection member used in the ninth example.

第12図(a)は電気的接続部材の製造途中の断面図、
第12図(b)は上記電気的接続部材の斜視図、第12
図(C)は上記の断面図である。
FIG. 12(a) is a cross-sectional view of the electrical connection member during manufacture;
FIG. 12(b) is a perspective view of the electrical connection member,
Figure (C) is the above sectional view.

まず、金属線案内板131,132、鉄板156を用意
する。そして、鉄板156を金属線案内板131.13
2の間に挿入し、保持する。
First, metal wire guide plates 131, 132 and iron plate 156 are prepared. Then, the iron plate 156 is attached to the metal wire guide plate 131.13.
Insert it between 2 and hold.

次に、金属線案内板131.132にあけられている所
望の穴133,134に金属線121を通し、所望の張
力で張る。その後、金属線案内板131.132間に樹
脂123を流し込み、硬化させる。しかる後、案内板を
取りはずし、Trt94的接続部材125を作成する。
Next, the metal wire 121 is passed through desired holes 133 and 134 made in the metal wire guide plates 131 and 132, and stretched to a desired tension. Thereafter, resin 123 is poured between the metal wire guide plates 131 and 132 and hardened. After that, the guide plate is removed and a Trt94-like connection member 125 is created.

また、本例の電気的接続部材を加工して、第7図に示す
ように突起を設けてもよ(いし、第8図に示すようにバ
ンブ150を設けてもよい。
Further, the electrical connection member of this example may be processed to provide a protrusion as shown in FIG. 7 (or a bump 150 may be provided as shown in FIG. 8).

本実施例の第1の回路部品及び第2の電気回路部品は、
それぞれ、半導体素子、回路基板、リードフレーム等の
回路基材のうちの1つである。
The first circuit component and the second electric circuit component of this example are:
Each of them is one of circuit base materials such as a semiconductor element, a circuit board, and a lead frame.

本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
In this example as well, the connection section was connected with high reliability.

また、放熱特性も良好であった。。Furthermore, the heat dissipation properties were also good. .

[発明の効果] 本発明は以上のように構成したので次の数々の効果が得
られる。
[Effects of the Invention] Since the present invention is configured as described above, the following numerous effects can be obtained.

1、半導体素子と回路基板、リードフレーム等の回路基
材の接続に関し、信頼性の高い接続が得られる。従って
、従来用いられてきたワイヤポンディング方式、TAB
方式、CCB方式を置き変えることが可能となる。
1. Highly reliable connections between semiconductor elements and circuit substrates such as circuit boards and lead frames can be obtained. Therefore, the conventionally used wire bonding method, TAB
It becomes possible to replace the CCB method.

2、本発明によると電気回路部品のtSS郡部いかなる
位置(特に内部)にも配鐙することができることからワ
イヤポンディング方式、TAB方式よりもさらに多点接
続が可能となり、多ビン数接続向きの方式となる。
2. According to the present invention, the stirrup can be placed at any location (particularly inside) of the electric circuit component, which enables more multi-point connections than the wire bonding method or the TAB method, and is suitable for connection with a large number of bins. This is the method.

さらに電気的接続部材の隣接金属間に絶縁物質が存在す
ることにより隣接金属間の電気的導通しないことよりC
CB方式よりもさらに多点接続が回部となる。
Furthermore, due to the presence of an insulating material between adjacent metals of the electrical connection member, there is no electrical conduction between the adjacent metals.
Even more multi-point connections than in the CB system are required.

3、電気的接続部材において使用される金属部材の量は
従来に比べ微量であるため、仮に金属部材に金等の高価
な金属を使用しても従来より安価となる。
3. Since the amount of metal members used in the electrical connection member is small compared to the conventional one, even if expensive metal such as gold is used for the metal member, it will be cheaper than the conventional one.

4、高密度の半導体装置等が得られる。4. High-density semiconductor devices and the like can be obtained.

5、一方の電気回路部品を着脱自在とすることができる
。また、合金化に際し、品質の劣化を生じるような電気
回路部品でも劣化を招くことなく接続が可f走となる。
5. One of the electric circuit components can be detachably attached. In addition, even electrical circuit parts whose quality would deteriorate when alloyed can be connected without causing deterioration.

6、電気的接続部材の絶縁体中には金属体又は無機材料
体の一方又は両方が埋設されているので、第1の電気回
路部品又は第2の電気回路部品に熱が発生しても電気的
接続部材を介してその熱は外部に放熱される。従って、
放熱性の良好な電気回路部材を得ることができる。
6. Since one or both of the metal body and the inorganic material body are embedded in the insulator of the electrical connection member, even if heat is generated in the first electric circuit component or the second electric circuit component, the electric The heat is radiated to the outside via the target connecting member. Therefore,
An electric circuit member with good heat dissipation properties can be obtained.

なお、例えば、無機材料体の内から、電気回路部品に近
い熱膨張係数を有するものを選択し、それを電気的接続
部材の絶縁体中に埋設すれば、熱が加わっても熱応力の
発生が少なく、信頼性の高い電気回路部材、ひいては、
半導体装置が得られる。
For example, if you select an inorganic material with a coefficient of thermal expansion close to that of electrical circuit components and embed it in the insulator of an electrical connection member, thermal stress will not occur even when heat is applied. Highly reliable electrical circuit components with less
A semiconductor device is obtained.

もちろん、電気的接続部材の電気的絶縁物質として半導
体素子及び回路基材と同じかあるいは同程度の熱膨張率
を持つ材料を選択することにより信頼性の良い半導体装
置が得られる。
Of course, a highly reliable semiconductor device can be obtained by selecting a material having the same or similar coefficient of thermal expansion as the semiconductor element and the circuit substrate as the electrically insulating material of the electrical connection member.

なお、電気的接続部材の絶縁体中に金属体を埋設した場
合、放熱性が良く、低応力でしかもシールド効率の高い
電気回路部材が得られる。
Note that when a metal body is embedded in the insulator of the electrical connection member, an electrical circuit member with good heat dissipation, low stress, and high shielding efficiency can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は第1実施例を示す断面図である。第1図(a)
は接続前の状態を示し、第2図(b)は接続後の状態を
示す、第2図は第1実施例に使用する電気的接続部材の
一製造方法例を説明するための図であり、第2図(a)
は断面図、第2図(b)は斜視図、第2図(c)は断面
図である。 第3図は第2実施例を示し、第3図(&)は斜視図、第
3図(b)は断面図である。第4図は第3実施例を示す
断面図である。第5図は第4実施例を示す断面図である
。第6図は第5実施例を示し、第6図(a)は接続前の
状態を示す断面図であり第6図(b)は接続後の状態を
示す断面図である。第7図及び第8図も第5実施例を示
し、第7図(a)及び第8図(a)は斜視図であり、第
7図(b)及び第8図(b)は断面図である。第9図は
第6実施例を示し、第9図(a)は接続前の状態を示す
斜視図であり、第9図(b)は接続後の状態を示す断面
図である。第1θ図は第7実施例を示す断面図であり、
第1θ図(L)は接続前の状態を示し、第1θ図(b)
は接続後の状態を示す、第11図は第8実施例に係る電
気的接続部材を示し、第11図(a)は斜視図であり、
第11図(b)は断面図である。第12図は第9実施例
に係る電気的接続部材の一髪造例を示し、第12図(a
)、CC’)は断面図であり、第12図(b)は斜視図
である。第13図から第20図までは従来例を示し、第
14図を除き断面図であり、第14図は平面透視図であ
る。 l−・リードフレーム、2・・リードフレームの、素子
搭載部、3・・銀ペースト、4.4′・・半導体素子、
5.5’−・半導体素子の接続部。 6・・リードフレームの接続部、7・・極細金属線、Q
・・樹脂、9・・半導体装置、lO・・半導体素子の外
周縁部、11・・リードフレームの素子搭載部の外周縁
部、is−・キャリアフィルム基板、17・eキャリア
フィルム基板のインナーリード部、20・・樹脂、−2
1・・樹脂、310.半田バンプ、32.・基板、33
−一基板の接続部、51・・回路基板、52・・回路基
板の接続部、54・Φ電気的接続部材の接続部、55・
・リードフレーム、63・・封止材、70゜70′・・
金属材、71.71° ・・絶縁膜、72.72’・・
絶縁膜の露出面、73.73゜・拳金属材の露出面、7
5.75’−・回路基材、76.76° 0・回路基材
の接続部、77・・異方性導電膜の絶縁物質、78・拳
異方性導電膜、79・−導電粒子、81・・エラスチッ
クコネクタの絶縁物質、820会エラスチツクコネクタ
の金属線、83・・エラスチックコネクタ、101・・
回路基板、102・・接続部、103・・絶縁膜、10
6・・絶縁膜、104・・回路基板、105・・接続部
、107金属部材、108・・接続部、109・・接続
部、111・・絶縁体、121・・金属線、123・会
樹脂。 124・・点線、125@−電気的接続部材、126−
・突起、128,129,130−・電気的接続部材、
131,132・・金属線案内板。 150・・バンプ、絶縁シート0・155゜156・・
鉄板、157・・穴。 第1図(a) 第1図(b) 第2図(a) L)1 第2図(b) 第2図(c) 第3図(a) 第3図(b) 第4図 第5図 第6図(a) 第6図(b) 第8図(a) 第8図(b) H−1:′。 第10図(a) 第10図(b) 第11図(a) 第11図(b) 第12図(a) 第12図(b) 第12図(c) 第13図 第14図 第15図 第16図 第17図 第18図 第19図 第2Q図
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment. Figure 1(a)
2 shows the state before connection, and FIG. 2(b) shows the state after connection. FIG. 2 is a diagram for explaining an example of a manufacturing method of the electrical connection member used in the first embodiment. , Figure 2(a)
2(b) is a perspective view, and FIG. 2(c) is a sectional view. FIG. 3 shows a second embodiment, FIG. 3(&) is a perspective view, and FIG. 3(b) is a sectional view. FIG. 4 is a sectional view showing the third embodiment. FIG. 5 is a sectional view showing the fourth embodiment. 6 shows a fifth embodiment, FIG. 6(a) is a sectional view showing the state before connection, and FIG. 6(b) is a sectional view showing the state after connection. FIGS. 7 and 8 also show the fifth embodiment, with FIGS. 7(a) and 8(a) being perspective views, and FIGS. 7(b) and 8(b) being sectional views. It is. 9 shows a sixth embodiment, FIG. 9(a) is a perspective view showing the state before connection, and FIG. 9(b) is a sectional view showing the state after connection. FIG. 1θ is a sectional view showing the seventh embodiment,
Figure 1θ (L) shows the state before connection, Figure 1θ (b)
11 shows the electrical connection member according to the eighth embodiment, and FIG. 11(a) is a perspective view,
FIG. 11(b) is a sectional view. FIG. 12 shows an example of a single-hair structure of the electrical connection member according to the ninth embodiment, and FIG.
), CC') are cross-sectional views, and FIG. 12(b) is a perspective view. 13 to 20 show conventional examples, except for FIG. 14, which is a sectional view, and FIG. 14 is a plan perspective view. l- Lead frame, 2... Element mounting part of lead frame, 3... Silver paste, 4.4'... Semiconductor element,
5.5'-・Connection part of semiconductor element. 6. Connection part of lead frame, 7. Ultra-fine metal wire, Q
...Resin, 9.. Semiconductor device, lO.. Outer periphery of semiconductor element, 11.. Outer periphery of element mounting part of lead frame, is-. Carrier film substrate, 17. Inner lead of e carrier film substrate. Part, 20...Resin, -2
1. Resin, 310. Solder bump, 32.・Substrate, 33
- Connection part of one board, 51...Circuit board, 52...Connection part of circuit board, 54.Connection part of Φ electrical connection member, 55.
・Lead frame, 63... Sealing material, 70°70'...
Metal material, 71.71°...Insulating film, 72.72'...
Exposed surface of insulating film, 73.73°・Exposed surface of fist metal material, 7
5.75'--Circuit base material, 76.76° 0-Connection part of circuit base material, 77--Insulating material of anisotropic conductive film, 78-Fist anisotropic conductive film, 79--Conductive particles, 81...Insulating material of elastic connector, metal wire of 820-section elastic connector, 83...Elastic connector, 101...
Circuit board, 102... Connection portion, 103... Insulating film, 10
6...Insulating film, 104...Circuit board, 105...Connecting part, 107 Metal member, 108...Connecting part, 109...Connecting part, 111...Insulator, 121...Metal wire, 123...Resin . 124... Dotted line, 125@- electrical connection member, 126-
・Protrusion, 128, 129, 130-・Electrical connection member,
131,132...Metal wire guide plate. 150...Bump, insulation sheet 0.155°156...
Iron plate, 157... holes. Figure 1 (a) Figure 1 (b) Figure 2 (a) L) 1 Figure 2 (b) Figure 2 (c) Figure 3 (a) Figure 3 (b) Figure 4 Figure 5 Figure 6(a) Figure 6(b) Figure 8(a) Figure 8(b) H-1:'. Figure 10 (a) Figure 10 (b) Figure 11 (a) Figure 11 (b) Figure 12 (a) Figure 12 (b) Figure 12 (c) Figure 13 Figure 14 Figure 15 Figure 16 Figure 17 Figure 18 Figure 19 Figure 2Q

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 1.接続部を有する第1の電気回路部品と、接続部を有
する第2の電気回路部品とを、両電気回路部品を電気的
に接続するための電気的接続部材を両者の間に介在させ
て、両電気回路部品の接続部において接続して構成され
る電気回路部材において、 該電気的接続部材は、金属または合金よりなる複数の金
属部材を、該金属部材の一端を第1の電気部品側に露出
させて、一方、該金属部材の他端を該第2の電気回路部
品側に露出させて、それぞれの金属部材同士を電気的に
絶縁されるように絶縁体中に埋設して構成されており、
かつ、該絶縁体には、所望形状をした金属体又は無機材
料体の一方又は両方が埋設されており、 第1の電気回路部品の接続部と第1の電気回路部品側に
露出した金属部材の一端とを合金化することにより接続
するか、または、第2の電気回路部品の接続部と第2の
電気回路部品側に露出した金属部材の一端とを合金化す
ることにより接続したことを特徴とする電気回路部材。
1. A first electrical circuit component having a connecting portion and a second electrical circuit component having a connecting portion, with an electrical connecting member for electrically connecting both electrical circuit components interposed therebetween, In an electrical circuit member configured by connecting both electrical circuit components at a connecting portion, the electrical connection member includes a plurality of metal members made of metal or an alloy, with one end of the metal member facing the first electrical component side. The other end of the metal member is exposed to the second electric circuit component side, and the metal members are embedded in an insulator so as to be electrically insulated from each other. Ori,
In addition, one or both of a metal body or an inorganic material body having a desired shape is embedded in the insulator, and the connection portion of the first electric circuit component and the metal member exposed on the first electric circuit component side are embedded in the insulator. or by alloying the connecting portion of the second electric circuit component and one end of the metal member exposed on the second electric circuit component side. Characteristic electrical circuit components.
2.第1の電気回路部品及び第2の電気回路部品は、そ
れぞれ半導体素子、回路基板やリードフレーム等の回路
基材のうち1つである特許請求範囲第1項記載の電気回
路部材。
2. 2. The electric circuit member according to claim 1, wherein the first electric circuit component and the second electric circuit component are each one of a semiconductor element, a circuit board, a lead frame, or other circuit base material.
JP62071978A 1987-03-04 1987-03-26 Electric circuit member Pending JPS63237374A (en)

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EP88103400A EP0284820A3 (en) 1987-03-04 1988-03-04 Electrically connecting member, and electric circuit member and electric circuit device with the connecting member
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