JPS63231304A - 薄膜レンズ - Google Patents
薄膜レンズInfo
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- JPS63231304A JPS63231304A JP6482787A JP6482787A JPS63231304A JP S63231304 A JPS63231304 A JP S63231304A JP 6482787 A JP6482787 A JP 6482787A JP 6482787 A JP6482787 A JP 6482787A JP S63231304 A JPS63231304 A JP S63231304A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
- G02B6/1245—Geodesic lenses
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザなどが発する光ビームの集光に適
した薄膜レンズに関する。
した薄膜レンズに関する。
従来提案されている薄膜レンズには以下の様なものがあ
る。
る。
１、 第４図には従来提案されている薄膜レンズの断面
概略図を示す。
概略図を示す。
禁制帯幅ｘｒＡ、屈折率３Ａなる半導体Ａ１９と禁制帯
幅ＫｒＢ、屈折率屈折ケル半導体Ｂ２０がＥ２ム（Ｆｔ
ｆＢ 、 ３Ａ＞ＷＢなる条件を満たすとき、単結
晶基板２１上に半導体Ａ１９からなる厚さｄｈｌ、ｄｈ
、 、・・・・・・・・・ｄＡｎ−１、ｄＡｎ 及び半
導体Ｂ２０からなる厚さｄＢｌｙｄＢ！Ｆ・・・・・・
・・・ｄＢｒｌ−１ｐ の薄膜を交互に積層する。
幅ＫｒＢ、屈折率屈折ケル半導体Ｂ２０がＥ２ム（Ｆｔ
ｆＢ 、 ３Ａ＞ＷＢなる条件を満たすとき、単結
晶基板２１上に半導体Ａ１９からなる厚さｄｈｌ、ｄｈ
、 、・・・・・・・・・ｄＡｎ−１、ｄＡｎ 及び半
導体Ｂ２０からなる厚さｄＢｌｙｄＢ！Ｆ・・・・・・
・・・ｄＢｒｌ−１ｐ の薄膜を交互に積層する。
しかる後に、半導体Ａからなる厚さｄＡｎ、ｄＡＨ−１
、・・・・・・・・・２人、、ｄＡｌ及び半導体Ｂから
なる厚さｄＢｎ−□、ｄＢｎ−２．・−・−−−−−ｄ
Ｂ、、ｄＢｌの薄膜を交互に積層し、Ｂｎ層に対し、対
称な薄膜積層構造を形成する。この時、ｎム、ｎＢを適
当に選び、かつ、各層の厚さを徐々に変化させることに
より、集光性を呈する様な屈折率分布、即ち薄膜レンズ
２２の中央部において屈折率が最も高く、中央部から基
板方向及び積層方向に屈折率が徐々に減少する様な屈折
率分布を形成する。
、・・・・・・・・・２人、、ｄＡｌ及び半導体Ｂから
なる厚さｄＢｎ−□、ｄＢｎ−２．・−・−−−−−ｄ
Ｂ、、ｄＢｌの薄膜を交互に積層し、Ｂｎ層に対し、対
称な薄膜積層構造を形成する。この時、ｎム、ｎＢを適
当に選び、かつ、各層の厚さを徐々に変化させることに
より、集光性を呈する様な屈折率分布、即ち薄膜レンズ
２２の中央部において屈折率が最も高く、中央部から基
板方向及び積層方向に屈折率が徐々に減少する様な屈折
率分布を形成する。
（例えば、公開特許公報 昭６０−２１６３０１参照）
２ 第５図には従来提案されている薄膜レンズの断面概
略図を示す。
略図を示す。
禁制帯幅ＥｒＡ 、屈折率ｎＡなる半導体Ａと 禁制帯
幅ＫｒＢ 、屈折率ｆｉＢなる半導体Ｂ がＥｒＡ（Ｅ
ｒａ 、 ｎ Ａ）ｎ ｎなる条件を満たす時、単
結晶基板２５上に半導体Ａと半導体Ｂの混晶からなる半
導体単結晶薄膜の混晶組成比を、薄膜の成長方向に変化
させることにより、集光性を呈する様な屈折率分布、即
ち、薄膜レンズ２４の中央部光軸２５において屈折率が
最も高く、中央部から基板方向及び積層方向に屈折率が
徐々に減少する様な屈折率分布を形成する。
幅ＫｒＢ 、屈折率ｆｉＢなる半導体Ｂ がＥｒＡ（Ｅ
ｒａ 、 ｎ Ａ）ｎ ｎなる条件を満たす時、単
結晶基板２５上に半導体Ａと半導体Ｂの混晶からなる半
導体単結晶薄膜の混晶組成比を、薄膜の成長方向に変化
させることにより、集光性を呈する様な屈折率分布、即
ち、薄膜レンズ２４の中央部光軸２５において屈折率が
最も高く、中央部から基板方向及び積層方向に屈折率が
徐々に減少する様な屈折率分布を形成する。
第６図、第７図にそれぞれ、ｅａレンズの厚さ方向にお
ける組成分布及び屈折率分布の一例を示す。
ける組成分布及び屈折率分布の一例を示す。
五 第８図には従来提案されている薄膜レンズの概略図
を示す、Ａは平面図、Ｂは断面図である。
を示す、Ａは平面図、Ｂは断面図である。
平面図Ａにおいて、２６は光導波層を表わし、２７は光
導波層２６に埋め込まれたレンズ領域を表わしている。
導波層２６に埋め込まれたレンズ領域を表わしている。
２８は光線軌跡を表わし、レンズ領域２７を通過する光
線が集光される様子を示している。
線が集光される様子を示している。
断面図Ｂにおいて、２６及び２７はそれぞれ光導波層、
レンズ領域を表わし、２９はクラツディング層３０が基
板である。ここで、レンズ領域２７、光導波層２６．ク
ラツディング層２９．基板３０の屈折率をそれぞれ ｎ
Ｌ 、ｎＷ、ｎｏ 、ｎｓとすると、 ｎ Ｌ ＞ ｎ ｗ ） ｎ 。
レンズ領域を表わし、２９はクラツディング層３０が基
板である。ここで、レンズ領域２７、光導波層２６．ク
ラツディング層２９．基板３０の屈折率をそれぞれ ｎ
Ｌ 、ｎＷ、ｎｏ 、ｎｓとすると、 ｎ Ｌ ＞ ｎ ｗ ） ｎ 。
なる関係を満たす様に、レンズ領域、光導波層。
クラツディング層となる半導体材料を選択している。
ｎｖｒ ） ｎｓ
なる関係が、光導波層と基板の材料の間に成立する場合
は、クラツディング層２９は設けなくても良い、レンズ
の集光特性は、レンズ領域２７の形状とレンズ領域２７
と光導波層２６及びクラツディング層２９との屈折率差
により任意に設定ができる。
は、クラツディング層２９は設けなくても良い、レンズ
の集光特性は、レンズ領域２７の形状とレンズ領域２７
と光導波層２６及びクラツディング層２９との屈折率差
により任意に設定ができる。
前述の従来技術は次の様な問題点を有する。
半導体レーザなどの発光デバイスの発光波長は、一般に
、デバイスの置かれている環境の温度変化あるいは、デ
バイスの使用条件等によって変化する。一方、従来の薄
膜レンズのレンズ領域における屈折率はレンズを通過す
る光の波長により変化する。このため、発光デバイスの
発光波長が変化すると薄膜レンズの焦点距離が変化する
という問題を生じる。さらに、標準状態で発光デバイス
と薄膜レンズの位置関係を決定した場合、薄膜レンズの
焦点距離の変化は、集光ビーム径の増大や、光ファイバ
ーをはじめとする他の光学素子との結合効率を低下させ
る原因となる。
、デバイスの置かれている環境の温度変化あるいは、デ
バイスの使用条件等によって変化する。一方、従来の薄
膜レンズのレンズ領域における屈折率はレンズを通過す
る光の波長により変化する。このため、発光デバイスの
発光波長が変化すると薄膜レンズの焦点距離が変化する
という問題を生じる。さらに、標準状態で発光デバイス
と薄膜レンズの位置関係を決定した場合、薄膜レンズの
焦点距離の変化は、集光ビーム径の増大や、光ファイバ
ーをはじめとする他の光学素子との結合効率を低下させ
る原因となる。
そこで、本発明はこのような問題点を解決するもので、
その目的とするとこδは、発光デバイスの発光波長の変
化に伴なう焦点距離の変化が補正可能な薄膜レンズを提
供するところにある。
その目的とするとこδは、発光デバイスの発光波長の変
化に伴なう焦点距離の変化が補正可能な薄膜レンズを提
供するところにある。
本発明の薄膜レンズは、単結晶基板上に形成された半導
体薄膜からなるレンズ領域と該レンズ領域に午ヤリアー
を注入するための電極から構成されることを特徴とする
。
体薄膜からなるレンズ領域と該レンズ領域に午ヤリアー
を注入するための電極から構成されることを特徴とする
。
本発明の上記構成によれば、キャリア注入用電極からレ
ンズ領域へと午ヤリアーが注入されると、注入されたキ
ャリアーの童に応じてフェルミレベルがシフトするため
、見かけ上バンドギャップが変化する。これに伴ない、
レンズ領域の実効屈折率が変化する。従って、レンズ領
域に注入するキャリアーの量を変えることにより、薄膜
レンズの焦点距離を制御することが可能となる。
ンズ領域へと午ヤリアーが注入されると、注入されたキ
ャリアーの童に応じてフェルミレベルがシフトするため
、見かけ上バンドギャップが変化する。これに伴ない、
レンズ領域の実効屈折率が変化する。従って、レンズ領
域に注入するキャリアーの量を変えることにより、薄膜
レンズの焦点距離を制御することが可能となる。
以下実施例に従い、本発明を説明する。
（実施例１）
第１図には、本発明の７ｇ膜レンズの一実施例を示す概
略断面図を示す。
略断面図を示す。
ＧａＡｓ、 Ｇ ａ ｐ ｅ工ｎｐ、Ｓｉ、Ｇｏなどの
ルー型又はｐ−型導電性を有する単結晶基板１上にｎ
Ａ）ｎ ｓ 、ＥｒＡ（ＥｒＢ を満たす半導体Ａと
半導体Ｂからなり、基板１と同じ極性の導電性を有する
薄膜レンズ２が形成されている。３は薄膜レンズの光軸
である。薄膜レンズ２内部の混晶組成比は、基板１と薄
膜レンズ２の界面近傍において半導体Ｂに一致し、ｚ軸
方向に順次半導体Ａの割合力；増加し、光軸３において
半導体Ａと一致する。光軸より上方の領域の混晶組成比
は、光軸の上方領域と下方領域の混晶組成分布が光軸に
対し対称となる様に変化し、光軸３における半導体Ａか
ら順次半導体Ｂの割合が増加し、薄膜レンズの上部にお
いて半導体Ｂに一致する。薄膜レンズを構成する半導体
Ａ、半導体Ｂの具体的な組み合せを表１に示す。
ルー型又はｐ−型導電性を有する単結晶基板１上にｎ
Ａ）ｎ ｓ 、ＥｒＡ（ＥｒＢ を満たす半導体Ａと
半導体Ｂからなり、基板１と同じ極性の導電性を有する
薄膜レンズ２が形成されている。３は薄膜レンズの光軸
である。薄膜レンズ２内部の混晶組成比は、基板１と薄
膜レンズ２の界面近傍において半導体Ｂに一致し、ｚ軸
方向に順次半導体Ａの割合力；増加し、光軸３において
半導体Ａと一致する。光軸より上方の領域の混晶組成比
は、光軸の上方領域と下方領域の混晶組成分布が光軸に
対し対称となる様に変化し、光軸３における半導体Ａか
ら順次半導体Ｂの割合が増加し、薄膜レンズの上部にお
いて半導体Ｂに一致する。薄膜レンズを構成する半導体
Ａ、半導体Ｂの具体的な組み合せを表１に示す。
半導体Ａ、Ｂは表１の組み合せに限らず、ＧａＡｓ又は
工ｎｐ基板上の工ｎＧａＩｎｐ、Ｇａ工ｎｐ、ＧａＡｓ
、Ｇａｐ 基板上のＺｎＳＳｅ などの多元混晶を
はじめとする、ｍ−ｖ族化合物半導体、ＩＩ−Ｖｌ族化
合物半導体、■族半導体を用いることができる。
工ｎｐ基板上の工ｎＧａＩｎｐ、Ｇａ工ｎｐ、ＧａＡｓ
、Ｇａｐ 基板上のＺｎＳＳｅ などの多元混晶を
はじめとする、ｍ−ｖ族化合物半導体、ＩＩ−Ｖｌ族化
合物半導体、■族半導体を用いることができる。
半導体Ａ、Ｂの組み合せは作製する薄膜レンズの仕様、
使用波長に応じ適当に組み合せる事が可能である。第１
図において、４，５はそれぞれ、基板１及び薄膜レンズ
２に形成したオーム性コンタクトである。オーム性コン
タクトから電源への電気的接続を行なうことにより、薄
膜レンズ２へのキャリアー注入が可能となる。薄膜レン
ズにキャリアーの注入を行なうと、見かけ上バンドギャ
ップが拡がるため、薄膜レンズの実効屈折率が低下し、
その焦点距離はキャリアー注大童即ち、薄膜レンズへの
通電鈑に応じて長くなる。実際の使用にあたっては、あ
らかじめＡ［レンズにバイアス電流を流した状態で、半
導体レーザなどの光源と薄膜レンズの位！関係をＭ４節
しておく。ｙＣ源の発光成長が変化した場合には、薄膜
レンズの屈折率の波長依存性を考短し屈折率の変化を補
償する様、電流値の増減を行なうことにより、焦点距離
を一定に保持できる。半導体材料の屈折率は、一般には
成長が長くなるにつれて減少するため、）ｌｅ源の発光
波長が長くなった場合には、薄膜レンズの屈折率も減少
する。これを補償するためには薄膜レンズへの通電披を
減少すれば良い。
使用波長に応じ適当に組み合せる事が可能である。第１
図において、４，５はそれぞれ、基板１及び薄膜レンズ
２に形成したオーム性コンタクトである。オーム性コン
タクトから電源への電気的接続を行なうことにより、薄
膜レンズ２へのキャリアー注入が可能となる。薄膜レン
ズにキャリアーの注入を行なうと、見かけ上バンドギャ
ップが拡がるため、薄膜レンズの実効屈折率が低下し、
その焦点距離はキャリアー注大童即ち、薄膜レンズへの
通電鈑に応じて長くなる。実際の使用にあたっては、あ
らかじめＡ［レンズにバイアス電流を流した状態で、半
導体レーザなどの光源と薄膜レンズの位！関係をＭ４節
しておく。ｙＣ源の発光成長が変化した場合には、薄膜
レンズの屈折率の波長依存性を考短し屈折率の変化を補
償する様、電流値の増減を行なうことにより、焦点距離
を一定に保持できる。半導体材料の屈折率は、一般には
成長が長くなるにつれて減少するため、）ｌｅ源の発光
波長が長くなった場合には、薄膜レンズの屈折率も減少
する。これを補償するためには薄膜レンズへの通電披を
減少すれば良い。
太ＪＦｉ ｌ］ＩＪのＪ＋ｂ ｌｅａ Ｌ／ ’／ズｆ
ｌ Ｃ’ｕ ＩＭＩ Ｌ−木ナー４τＬ＋ ＪＡＲ形
成に於ては、ＭＯＣ！ＶＤ法、ＭＢＥ法、などにより容
易に実施できる。また、基板及び薄膜レンズへのオーム
性コンタクトの形成は、半導体レーザや発光ダイオード
、フォトダイオードなどの製造におけるコンタクト形成
工程と同様に、適当な電極材料を蒸着した後、不活性雰
囲気中でアニールを施すことにより容易に行なえる。
ｌ Ｃ’ｕ ＩＭＩ Ｌ−木ナー４τＬ＋ ＪＡＲ形
成に於ては、ＭＯＣ！ＶＤ法、ＭＢＥ法、などにより容
易に実施できる。また、基板及び薄膜レンズへのオーム
性コンタクトの形成は、半導体レーザや発光ダイオード
、フォトダイオードなどの製造におけるコンタクト形成
工程と同様に、適当な電極材料を蒸着した後、不活性雰
囲気中でアニールを施すことにより容易に行なえる。
（実施例２）
第２図は、本発明の薄膜レンズの一実施Ｖすを示す概略
断面図である。第４図に示す従来例と同様に、単結晶基
板６上に、ｎＡ）ｎ ｎ 、Ｅハ（Ｊｙａを満たす半導
体Ａ７と半導体Ｂ８の薄膜を交互に積層し、レンズ領域
９が形成されている。レンズ領域の中央部において、屈
折率が高くなる様に、半導体人及びＢの屈折率と、各薄
膜の厚さを設定する。基板６及びレンズ領域９はルー型
又はｐ −型の導電性を有し、両者の導電性は一致する
様に不純物の添加を行なう、１０及び１１はそれぞれレ
ンズ領域９及び基板６に形成したオーム性コンタクトで
ある。単結晶基板６及びレンズ領域９を構成する半導体
Ａ、Ｂは（実ｈ■例１）と同様に、任意のｍ−ｖ族化合
物半導体、ｎ−Ｖｌ族化合物半導体、■族半導体を用い
ることができる。又、薄膜レンズの作製も（実施例１）
と同様に行なえる、本実施例の薄膜レンズにおいて、オ
ーム性コンタクトを介してキャリアーの注入を行なうこ
とにより薄膜レンズの屈折率及び焦点距離を制御できる
点も（実施例１）と同様である。
断面図である。第４図に示す従来例と同様に、単結晶基
板６上に、ｎＡ）ｎ ｎ 、Ｅハ（Ｊｙａを満たす半導
体Ａ７と半導体Ｂ８の薄膜を交互に積層し、レンズ領域
９が形成されている。レンズ領域の中央部において、屈
折率が高くなる様に、半導体人及びＢの屈折率と、各薄
膜の厚さを設定する。基板６及びレンズ領域９はルー型
又はｐ −型の導電性を有し、両者の導電性は一致する
様に不純物の添加を行なう、１０及び１１はそれぞれレ
ンズ領域９及び基板６に形成したオーム性コンタクトで
ある。単結晶基板６及びレンズ領域９を構成する半導体
Ａ、Ｂは（実ｈ■例１）と同様に、任意のｍ−ｖ族化合
物半導体、ｎ−Ｖｌ族化合物半導体、■族半導体を用い
ることができる。又、薄膜レンズの作製も（実施例１）
と同様に行なえる、本実施例の薄膜レンズにおいて、オ
ーム性コンタクトを介してキャリアーの注入を行なうこ
とにより薄膜レンズの屈折率及び焦点距離を制御できる
点も（実施例１）と同様である。
（実施例３）
第５図は、本発明の薄膜レンズの一実施例を示す。人は
平面図、Ｂは断面図である。第８図に示す従来例と同様
に、単結晶基板１２上に形成したクラツディング層１３
．光導Ｒ層１４．レンズ領域１５から構成されている。
平面図、Ｂは断面図である。第８図に示す従来例と同様
に、単結晶基板１２上に形成したクラツディング層１３
．光導Ｒ層１４．レンズ領域１５から構成されている。
基板１２．クラツディング層１３．レンズ領域１５は同
一の導電性を有し、１４は高抵抗Ｊ−とする。レンズ領
域１５．光導波層１４．クラツディング層１３．基板１
２の屈折率をそれぞれ ｎＬ、ｎＷ、ｎｏ、ｎｆｌとす
ると、 ｎ ｘ、 ） ｎ ｗ ） ｎ 。
一の導電性を有し、１４は高抵抗Ｊ−とする。レンズ領
域１５．光導波層１４．クラツディング層１３．基板１
２の屈折率をそれぞれ ｎＬ、ｎＷ、ｎｏ、ｎｆｌとす
ると、 ｎ ｘ、 ） ｎ ｗ ） ｎ 。
なる関係を満たす様に、レンズ領域、光導波Ｍ。
クラツディング層の材料を選択する。
ｎ ｗ ） ｎ ｓ
なる関係が、光導波層と基板の材料の間に成立する場合
には、クラツディング層１３を設けなくても良い、１６
及び１７は、それぞれレンズ領域１５、基板１２に形成
したオーム性コンタクトである。
には、クラツディング層１３を設けなくても良い、１６
及び１７は、それぞれレンズ領域１５、基板１２に形成
したオーム性コンタクトである。
単結晶基板１２及びクラツディングＮ１３、光導波層１
４．レンズ領域１５を構成する材料としては、（実施例
１，２）と同様に、任意のｍ−ｖ族化合物半導体、ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体、■族半導体を用いることができ
る。又、薄膜レンズの作製も、（実施例１）と同様に行
なえる。レンズ領域１５の形成は以下の様に行なう、光
導波層１４の一部分を、所望とする薄膜レンズの形状に
応じて、フォトリソグラフィー技術とエツチングにより
除去する。しかる後に、除去して形成された開口部を埋
め込む様にレンズ材料の選択的エピタキシャル成長する
１本実施例の薄膜レンズの集光特性が、レンズの形状と
レンズを構成する材料の組み合せにより任意に設計でき
る点は従来例と同じである。又、オーム性コンタクト１
６．１７を介してキャリアーの注入を行なうことにより
、薄膜レンズの屈折率及び焦点距離を制御できる点は、
（実施例１，２）と同様である。
４．レンズ領域１５を構成する材料としては、（実施例
１，２）と同様に、任意のｍ−ｖ族化合物半導体、ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体、■族半導体を用いることができ
る。又、薄膜レンズの作製も、（実施例１）と同様に行
なえる。レンズ領域１５の形成は以下の様に行なう、光
導波層１４の一部分を、所望とする薄膜レンズの形状に
応じて、フォトリソグラフィー技術とエツチングにより
除去する。しかる後に、除去して形成された開口部を埋
め込む様にレンズ材料の選択的エピタキシャル成長する
１本実施例の薄膜レンズの集光特性が、レンズの形状と
レンズを構成する材料の組み合せにより任意に設計でき
る点は従来例と同じである。又、オーム性コンタクト１
６．１７を介してキャリアーの注入を行なうことにより
、薄膜レンズの屈折率及び焦点距離を制御できる点は、
（実施例１，２）と同様である。
本発明の薄膜レンズは、単独の光学素子として半導体レ
ーザ、ゲＣファイバーなどから出射される光ビームの集
光に用いるのみでなく、半導体レーザやフォトダイオー
ドなどと共に同一基板上にモノリシックに集積し、光集
積化素子へと応用することも可能である。
ーザ、ゲＣファイバーなどから出射される光ビームの集
光に用いるのみでなく、半導体レーザやフォトダイオー
ドなどと共に同一基板上にモノリシックに集積し、光集
積化素子へと応用することも可能である。
以上述べた様に、本発明によれば、単結晶基板上に形成
された半導体薄膜からなるレンズ領域と該レンズ領域に
キャリアーを注入するための電極とから薄膜レンズを構
成することにより、半導体レーザなどの発光デバイスの
発光波長が変化することによって生ずる角点距離の変化
を、薄膜レンズに注入するキャリアーの量、即ち通電電
流値の大きさにより容易に制御ができる様になった。
された半導体薄膜からなるレンズ領域と該レンズ領域に
キャリアーを注入するための電極とから薄膜レンズを構
成することにより、半導体レーザなどの発光デバイスの
発光波長が変化することによって生ずる角点距離の変化
を、薄膜レンズに注入するキャリアーの量、即ち通電電
流値の大きさにより容易に制御ができる様になった。
本発明の薄膜レンズは半導体レーザ、フォトダイオード
などとの集積化が容易にできることから光集積回路や光
集積デバイスを作製する際に、極めて重要な構成要素に
なるものと確信する。
などとの集積化が容易にできることから光集積回路や光
集積デバイスを作製する際に、極めて重要な構成要素に
なるものと確信する。
第１図は本発明の薄膜レンズの一実施例を示す概略断面
図。 １・・・・・・・・・単結晶基板 ２・・・…・・・薄膜レンズ ３・・・・・・・・・光 軸 ４．５・・・オーム性コンタクト 第２図は本発明の薄膜レンズの一実施例を示す概略断面
図。 ６・・・・・・・・・単結晶基板 ７・・・・・・・・・半導体Ａ ８・・・・・・・・・ｈＰ等体Ｂ ９・・・・・・・・・レンズ領域 １０．１１・・・・・・オーム性コンタクト第５図（Ａ
）、（Ｂ）は本発明の薄膜レンズの一実施例を示す概略
図で、Ａが平面図、Ｂが断面図である。 １２・・・・・・単結晶基板 １３・・・・・・クラツディング層 １４・・・・・・光導波層 １５・・・・・・レンズ領域 １（Ｓ、１７・・・・・・オーム性コンタクト１８・・
・・・・光線軌跡 第４図は従来提案されている′Ｎｉ膜レンズの断面概略
図。 １９・・・・・・半導体Ａ ２０・・・・・・半４体Ｂ ２１・・・・・・単結晶基板 ２２・・・・・・薄膜レンズ 第５図は従来提案されている薄膜レンズの断面概略図。 ２６・・・・・・単結晶基板 ２４・・・・・・薄膜レンズ ２５・・・・・・光軸 第６図は従来提案されている薄膜レンズの厚さ方向にお
ける組成分布。 第７図は従来提案されている薄膜レンズの厚さ方向にお
ける屈折率分布。 第６図（Ａ）、（Ｂ）は従来提案されている薄膜レンズ
の構成概略図、Ａは平面図、Ｂは断面図２６・・・・・
・光導波層 ２７・・・・・・レンズ領゛域 ２８・・・・・・光線軌跡 ２９・・・・・・クラツディング層 ３０・・・・・・基 板 以 上 λ： ど蒔、゛に灸シンＸ 第１区 第２目 ｌり、 トンス゛々負粘Ｘ 争３図 工 茅ＬＪ、、田 ル６ ル＾ 華Ｓ図
図。 １・・・・・・・・・単結晶基板 ２・・・…・・・薄膜レンズ ３・・・・・・・・・光 軸 ４．５・・・オーム性コンタクト 第２図は本発明の薄膜レンズの一実施例を示す概略断面
図。 ６・・・・・・・・・単結晶基板 ７・・・・・・・・・半導体Ａ ８・・・・・・・・・ｈＰ等体Ｂ ９・・・・・・・・・レンズ領域 １０．１１・・・・・・オーム性コンタクト第５図（Ａ
）、（Ｂ）は本発明の薄膜レンズの一実施例を示す概略
図で、Ａが平面図、Ｂが断面図である。 １２・・・・・・単結晶基板 １３・・・・・・クラツディング層 １４・・・・・・光導波層 １５・・・・・・レンズ領域 １（Ｓ、１７・・・・・・オーム性コンタクト１８・・
・・・・光線軌跡 第４図は従来提案されている′Ｎｉ膜レンズの断面概略
図。 １９・・・・・・半導体Ａ ２０・・・・・・半４体Ｂ ２１・・・・・・単結晶基板 ２２・・・・・・薄膜レンズ 第５図は従来提案されている薄膜レンズの断面概略図。 ２６・・・・・・単結晶基板 ２４・・・・・・薄膜レンズ ２５・・・・・・光軸 第６図は従来提案されている薄膜レンズの厚さ方向にお
ける組成分布。 第７図は従来提案されている薄膜レンズの厚さ方向にお
ける屈折率分布。 第６図（Ａ）、（Ｂ）は従来提案されている薄膜レンズ
の構成概略図、Ａは平面図、Ｂは断面図２６・・・・・
・光導波層 ２７・・・・・・レンズ領゛域 ２８・・・・・・光線軌跡 ２９・・・・・・クラツディング層 ３０・・・・・・基 板 以 上 λ： ど蒔、゛に灸シンＸ 第１区 第２目 ｌり、 トンス゛々負粘Ｘ 争３図 工 茅ＬＪ、、田 ル６ ル＾ 華Ｓ図
Claims (2)
- （１）単結晶基板上に形成された半導体薄膜からなるレ
ンズ領域と該レンズ領域にキャリアーを注入するための
電極から構成されることを特徴とする薄膜レンズ。 - （２）レンズ領域を形成する半導体薄膜がIII−Ｖ族化
合物半導体薄膜、II−VI族化合物半導体薄膜、IV族半導
体薄膜のうちいずれか一種類又はそれ以上であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜レンズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6482787A JPS63231304A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 薄膜レンズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6482787A JPS63231304A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 薄膜レンズ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63231304A true JPS63231304A (ja) | 1988-09-27 |
Family
ID=13269465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6482787A Pending JPS63231304A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 薄膜レンズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63231304A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02213805A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 導波路レンズおよび光機能素子の構造およびその製造方法 |
| JP2005266187A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Brother Ind Ltd | 波面曲率変調器および画像表示装置 |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP6482787A patent/JPS63231304A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02213805A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 導波路レンズおよび光機能素子の構造およびその製造方法 |
| JP2005266187A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Brother Ind Ltd | 波面曲率変調器および画像表示装置 |
| WO2005091058A1 (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | 波面曲率変調器および画像表示装置 |
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