JPS63230698A - ビニルホスホン酸ジアルキルエステルの製造方法 - Google Patents
ビニルホスホン酸ジアルキルエステルの製造方法Info
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- JPS63230698A JPS63230698A JP63049920A JP4992088A JPS63230698A JP S63230698 A JPS63230698 A JP S63230698A JP 63049920 A JP63049920 A JP 63049920A JP 4992088 A JP4992088 A JP 4992088A JP S63230698 A JPS63230698 A JP S63230698A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
- C07F9/38—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)]
- C07F9/40—Esters thereof
-
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- C07F9/4003—Esters thereof the acid moiety containing a substituent or a structure which is considered as characteristic
- C07F9/4015—Esters of acyclic unsaturated acids
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- Organic Chemistry (AREA)
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
ビニルホスホン酸ジアルキルエステルは、純粋なビニル
ホスホン酸の製造用の前駆物質として、ならびに接着剤
または防炎性プラスチックを製造するための共重合用の
単量体としても重要である。それらは従来は種々の経路
で、しかしながら多段階法でのみ製造された。すなわち
、ドイツ特許出願公開第3.001.894−号の方法
によれば、酸性または塩基性の触媒の存在下に150な
いし270℃に加熱することによって、ビニルホスホン
酸モノアルキルエステルおよび数種の他の生成物のほか
に少量の(最高の場合には23%)ビニルホスホン酸ジ
アルキルエステルをも含有するとニルホスホン酸誘導体
の混合物が得られる。
ホスホン酸の製造用の前駆物質として、ならびに接着剤
または防炎性プラスチックを製造するための共重合用の
単量体としても重要である。それらは従来は種々の経路
で、しかしながら多段階法でのみ製造された。すなわち
、ドイツ特許出願公開第3.001.894−号の方法
によれば、酸性または塩基性の触媒の存在下に150な
いし270℃に加熱することによって、ビニルホスホン
酸モノアルキルエステルおよび数種の他の生成物のほか
に少量の(最高の場合には23%)ビニルホスホン酸ジ
アルキルエステルをも含有するとニルホスホン酸誘導体
の混合物が得られる。
これらの不満足な結果を考慮して、この方法は、ドイツ
特許出願公開第3.120.437号による改善された
2段階法によって置き換えられた。
特許出願公開第3.120.437号による改善された
2段階法によって置き換えられた。
この後者の方法によれば、上記の反応において除去され
た酢酸アルキルは留去され、そして底部生成物として得
られた反応生成物は、次いでカルボン酸のオルトエステ
ルと反応して所望のビニルホスホン酸ジアルキルエステ
ルを与える。
た酢酸アルキルは留去され、そして底部生成物として得
られた反応生成物は、次いでカルボン酸のオルトエステ
ルと反応して所望のビニルホスホン酸ジアルキルエステ
ルを与える。
開裂反応から留出物として得られ、そして次いで更に蒸
留によって精製されうるビニルホスホン酸ジアルキルエ
ステルを直接単離することは、前記の文献のいずれにも
記載されていない一本発明者らは、この度、驚くべきこ
とには、アセトキシエタンホスホン酸ジアルキルエステ
ルの開裂は、2−アセトキシエタンホスホン酸ジアルキ
ルエステルを、150ないし270℃、好ましくは18
0ないし250℃において工ないし500ミリバール、
好ましくは5ないし100 ミリバールの反応系の各成
分の合計の分圧下に、液状の触媒的に作用する媒質と接
触せしめて開裂させ、そして生成するビニルホスホン酸
ジアルキルエステルおよびその他の揮発性反応生成物を
蒸気状で取出すならば、文献に記載されているようにビ
ニルホスホン酸の誘導体の混合物をもたらすように起こ
らずに、直接にビニルホスホン酸ジアルキルエステルを
与えることを見出した。
留によって精製されうるビニルホスホン酸ジアルキルエ
ステルを直接単離することは、前記の文献のいずれにも
記載されていない一本発明者らは、この度、驚くべきこ
とには、アセトキシエタンホスホン酸ジアルキルエステ
ルの開裂は、2−アセトキシエタンホスホン酸ジアルキ
ルエステルを、150ないし270℃、好ましくは18
0ないし250℃において工ないし500ミリバール、
好ましくは5ないし100 ミリバールの反応系の各成
分の合計の分圧下に、液状の触媒的に作用する媒質と接
触せしめて開裂させ、そして生成するビニルホスホン酸
ジアルキルエステルおよびその他の揮発性反応生成物を
蒸気状で取出すならば、文献に記載されているようにビ
ニルホスホン酸の誘導体の混合物をもたらすように起こ
らずに、直接にビニルホスホン酸ジアルキルエステルを
与えることを見出した。
「反応系の各成分の合計の分圧」という表現は、2−ア
セトキシエタンホスホン酸ジアルキルエステルの圧力お
よびそれから生成される反応生成物のそれの両方を包含
するものとし、後者は、大部分出発物質に比較してより
揮発性でありそしてその限りにおいて蒸留によって混合
物から除去されうる。上記の例えば10ないし100ミ
リバールの圧力は、種々の方法で得られる。
セトキシエタンホスホン酸ジアルキルエステルの圧力お
よびそれから生成される反応生成物のそれの両方を包含
するものとし、後者は、大部分出発物質に比較してより
揮発性でありそしてその限りにおいて蒸留によって混合
物から除去されうる。上記の例えば10ないし100ミ
リバールの圧力は、種々の方法で得られる。
一つの実施態様においては反応は減圧下に行われ、もう
一つの方法においては反応は500 ミリバール以上の
圧力下に行われ、その際、全圧と反応系の各成分の所望
の分圧との差は、反応の条件下に反応系に対して不活性
であるガスによって得ることができる。そのような適当
な不活性ガスとしては、実用上通例のもの、なかん゛ず
く窒素、しかし場合によっては二酸化炭素または軽質炭
化水素、例えばメタンまたはエタンそして特別な場合に
はまたアルゴンのような希ガスが用いられる。もちろん
、これらのガスの混合物を使用することもできる。
一つの方法においては反応は500 ミリバール以上の
圧力下に行われ、その際、全圧と反応系の各成分の所望
の分圧との差は、反応の条件下に反応系に対して不活性
であるガスによって得ることができる。そのような適当
な不活性ガスとしては、実用上通例のもの、なかん゛ず
く窒素、しかし場合によっては二酸化炭素または軽質炭
化水素、例えばメタンまたはエタンそして特別な場合に
はまたアルゴンのような希ガスが用いられる。もちろん
、これらのガスの混合物を使用することもできる。
触媒的の作用する媒質としては、ドイツ特許出願公開第
3.120.437号公報に挙げられているもの、特に
酸性あるいは塩基性の媒質が適している。酸性媒質とし
ては、例えば、硫酸、リン酸、ハロゲン含有カルボン酸
、例えばジーおよびトリクロロ酢酸ならびにトリフルオ
ロ酢酸、芳香族スルホン酸、例えばベンゼン−およびp
−トルエンスルホン酸、ビニルホスホン酸が好適である
が、なかんずく、本発明の反応の際に底部に生成する、
すなわち、高沸点の副生成物を水を用いる熱処理(その
際、水処理は例えば5分間ないし2時間煮沸することに
よって行われうる)によって得られる生成物が適当であ
る。
3.120.437号公報に挙げられているもの、特に
酸性あるいは塩基性の媒質が適している。酸性媒質とし
ては、例えば、硫酸、リン酸、ハロゲン含有カルボン酸
、例えばジーおよびトリクロロ酢酸ならびにトリフルオ
ロ酢酸、芳香族スルホン酸、例えばベンゼン−およびp
−トルエンスルホン酸、ビニルホスホン酸が好適である
が、なかんずく、本発明の反応の際に底部に生成する、
すなわち、高沸点の副生成物を水を用いる熱処理(その
際、水処理は例えば5分間ないし2時間煮沸することに
よって行われうる)によって得られる生成物が適当であ
る。
塩基性媒質としては、例えば第三級脂肪族および芳香族
アミンおよびホスファン(以前はホスフィンと呼ばれた
)、例えば同様にドイツ特許出願公開第3.120.4
37号に多数挙げられているものが用いられる。
アミンおよびホスファン(以前はホスフィンと呼ばれた
)、例えば同様にドイツ特許出願公開第3.120.4
37号に多数挙げられているものが用いられる。
触媒的に作用する媒質は、一般に、通されたアセトキシ
エタンホスホン酸ジアルキルエステルに対して少なくと
も0.1重量%の量で使用される。反応混合物中の濃度
は、それが反応媒質として作用するので、当然かなり高
くなる。一般にその量は、1ないし20重量%であるが
、もとよりできう、る限り最小限の量を使用することが
好ましく、通されたアセトキシエタンホスホン酸ジアル
キルエステルに対して5重量%を超えない量を使用する
ことが有利である。他方、そしてこれは特に水を用いて
処理された本発明による反応の副生成物を使用する場合
に当てはまることであるが、触媒的に作用する媒質を、
反応の実現性に対する懸念なしに20重量%より多い量
さえ使用することが可能である。ここで重量%とは、す
べての場合にアセトキシエタンホスホン酸ジアルキルエ
ステルの重量に対するものである。
エタンホスホン酸ジアルキルエステルに対して少なくと
も0.1重量%の量で使用される。反応混合物中の濃度
は、それが反応媒質として作用するので、当然かなり高
くなる。一般にその量は、1ないし20重量%であるが
、もとよりできう、る限り最小限の量を使用することが
好ましく、通されたアセトキシエタンホスホン酸ジアル
キルエステルに対して5重量%を超えない量を使用する
ことが有利である。他方、そしてこれは特に水を用いて
処理された本発明による反応の副生成物を使用する場合
に当てはまることであるが、触媒的に作用する媒質を、
反応の実現性に対する懸念なしに20重量%より多い量
さえ使用することが可能である。ここで重量%とは、す
べての場合にアセトキシエタンホスホン酸ジアルキルエ
ステルの重量に対するものである。
本発明の方法は、ビニルホスホン酸ジメチルエステルお
よびビニルホスホン酸ジエチルエステルの工業的製造に
特に適しているが、2個より多くの炭素原子を有するア
ルキル基、例えばプロピル、イソプロピルおよび種々の
ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチルおよびオクチル
基を有するエステルを製造することが可能である。従っ
て一般に、本発明によって製造されたエステルは、8個
より多くはない、好ましくは4個より多くはない炭素原
子を含有するが、異なったアルキル基を有する混合エス
テルを使用しそして製造することも可能である。
よびビニルホスホン酸ジエチルエステルの工業的製造に
特に適しているが、2個より多くの炭素原子を有するア
ルキル基、例えばプロピル、イソプロピルおよび種々の
ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチルおよびオクチル
基を有するエステルを製造することが可能である。従っ
て一般に、本発明によって製造されたエステルは、8個
より多くはない、好ましくは4個より多くはない炭素原
子を含有するが、異なったアルキル基を有する混合エス
テルを使用しそして製造することも可能である。
本発明による方法は、非連続°的に実施することができ
るが、生成された開裂生成物、特にビニルホスホン酸ジ
アルキルエステルを反応混合物から連続的に留去するこ
とが有利である。
るが、生成された開裂生成物、特にビニルホスホン酸ジ
アルキルエステルを反応混合物から連続的に留去するこ
とが有利である。
従来技術による方法においては、より高い圧力において
そしてその他は同様な条件下において起こるべき唯一の
反応は、ビニルホスホン酸モノアルキルエステルおよび
残留生成物としての他の化合物の生成を伴う酢酸アルキ
ルの開裂であるけれども、本発明において使用される条
件においてビニルホスホン酸ジアルキルエステルが単一
の工程において、しかも高い収量で得られるということ
は、驚くべきことであった。
そしてその他は同様な条件下において起こるべき唯一の
反応は、ビニルホスホン酸モノアルキルエステルおよび
残留生成物としての他の化合物の生成を伴う酢酸アルキ
ルの開裂であるけれども、本発明において使用される条
件においてビニルホスホン酸ジアルキルエステルが単一
の工程において、しかも高い収量で得られるということ
は、驚くべきことであった。
本発明のもう一つの利点は、純粋なビニルホスホン酸ジ
アルキルエステルの製造のための高価なカルボン酸のオ
ルトエステルの使用を省略することが今や可能であるこ
とである。
アルキルエステルの製造のための高価なカルボン酸のオ
ルトエステルの使用を省略することが今や可能であるこ
とである。
本発明に従って製造されるビニルホスホン酸ジアルキル
エステルは、所望ならば蒸留によって更に精製されるこ
とができ、そしてその代わりに、あるいはその後で、こ
のものは、ビニルホスホスホン酸へと加水分解され、あ
るいは更に処理されることなく重合される。
エステルは、所望ならば蒸留によって更に精製されるこ
とができ、そしてその代わりに、あるいはその後で、こ
のものは、ビニルホスホスホン酸へと加水分解され、あ
るいは更に処理されることなく重合される。
本発明を以下の実施例によって更に詳細に説明する。
実施例
1)底部生成物のための流出装置およびフラスコ上に設
置された自動還流分割器、蒸留受器、下流に位置された
冷トラップ(固体二酸化炭素による低温冷却)及び付属
の真空ポンプを有する蒸留塔(内径25−1長さ0.7
m、 6msのラシッヒリングを充填)を備えた1リツ
トルの攪拌器付きフラスコ内に粗製ビニルホスホン酸5
0gを予め装入した。このフラスコを210℃に加熱し
、次いでアセトキシエタンホスホン酸ジメチルエステル
毎時200gを210℃およびlOミリバールの圧力下
に滴加した。蒸留塔の還流比は、0.5に調整された。
置された自動還流分割器、蒸留受器、下流に位置された
冷トラップ(固体二酸化炭素による低温冷却)及び付属
の真空ポンプを有する蒸留塔(内径25−1長さ0.7
m、 6msのラシッヒリングを充填)を備えた1リツ
トルの攪拌器付きフラスコ内に粗製ビニルホスホン酸5
0gを予め装入した。このフラスコを210℃に加熱し
、次いでアセトキシエタンホスホン酸ジメチルエステル
毎時200gを210℃およびlOミリバールの圧力下
に滴加した。蒸留塔の還流比は、0.5に調整された。
5時間の間に留出物として、未反応のアセトキシエタン
ホスホン酸ジメチルエステル6.0重量%、ビニルホス
ホン酸ジメチルエステル80重量%、酢酸メチル1.2
重量%および酢酸10重量%を含有する混合物650g
が得られた。冷トラップ中には、酢酸メチル78重量%
、酢酸4重置%およびビニルホスホン酸ジメチルエステ
ル7重量%を含有する混合物226gが得られた。残留
物として、種々のビニルホスホン酸誘導体の混合物14
5gが得られ、このものは本発明の反応のための触媒と
して再度の使用に適している。
ホスホン酸ジメチルエステル6.0重量%、ビニルホス
ホン酸ジメチルエステル80重量%、酢酸メチル1.2
重量%および酢酸10重量%を含有する混合物650g
が得られた。冷トラップ中には、酢酸メチル78重量%
、酢酸4重置%およびビニルホスホン酸ジメチルエステ
ル7重量%を含有する混合物226gが得られた。残留
物として、種々のビニルホスホン酸誘導体の混合物14
5gが得られ、このものは本発明の反応のための触媒と
して再度の使用に適している。
反応したアセトキシエタンホスホン酸ジメチルエステル
に対するビニルホスホン酸ジメチルエステルの収量は、
80%であっ・た。
に対するビニルホスホン酸ジメチルエステルの収量は、
80%であっ・た。
2)実験の配置は、実施例1と同様であった。
ビニルホスホン酸50gを予め装入しそして210℃に
加熱した後に、10ミリバールの圧力においてアセトキ
シエタンホスホン酸ジメチルエステル95重量%および
ビニルホスホン酸5重量%の混合物を毎時的140gの
量で配量した。一定の条件に調整した後、反応フラスコ
中の底部生成物の水準は、底部物質を、同様に排気した
容器に連続的に排出せしめることによって、約200*
1の体積水準に一定に保たれた。蒸留塔の還流比は1に
調整された。
加熱した後に、10ミリバールの圧力においてアセトキ
シエタンホスホン酸ジメチルエステル95重量%および
ビニルホスホン酸5重量%の混合物を毎時的140gの
量で配量した。一定の条件に調整した後、反応フラスコ
中の底部生成物の水準は、底部物質を、同様に排気した
容器に連続的に排出せしめることによって、約200*
1の体積水準に一定に保たれた。蒸留塔の還流比は1に
調整された。
40時間の間に5,500gが導入された。これから留
出物3+ 200g−冷トラップよりの生成物1 、0
20gおよび底部生成物より排出された物質1 、22
5gが得られた。
出物3+ 200g−冷トラップよりの生成物1 、0
20gおよび底部生成物より排出された物質1 、22
5gが得られた。
底部物質は、水と共に煮沸されそしてその水が留去され
た後に、供給原料混合物の開裂のための触媒として再び
使用されうる。留出物は、ビニルホスホン酸ジメチルエ
ステル89重量%および酢酸メチル1.1重置%を含有
していた。亀残部は実質的に酢酸であった。
た後に、供給原料混合物の開裂のための触媒として再び
使用されうる。留出物は、ビニルホスホン酸ジメチルエ
ステル89重量%および酢酸メチル1.1重置%を含有
していた。亀残部は実質的に酢酸であった。
冷トラップ中に存在する生成物は、ビニルホスホン酸ジ
メチルエステル6重量%、メタノール約4重量%および
酢酸3重量%を含有していた。残部は実質的に酢酸メチ
ルであった。
メチルエステル6重量%、メタノール約4重量%および
酢酸3重量%を含有していた。残部は実質的に酢酸メチ
ルであった。
使用されたアセトキシエタンホスホン酸ジメチルエステ
ルに対するビニルホスホン酸ジメチルエステルの収量は
、80重量%であった。
ルに対するビニルホスホン酸ジメチルエステルの収量は
、80重量%であった。
3)実験の配置は、実施例1と同様であった。
粗製のビニルホスホン酸50gを予め装入し、そして2
10℃に加熱した後に、2−アセトキシエタンホスホン
酸ジエチルエステル毎時224gを5ミリバールの圧力
下に情態した。還流比は0.5に調整された。5時間の
間に、ビニルホスホン酸ジエチルエステル74重量%、
酢酸21重量%、アセトキシエタンホスホン酸ジエチル
エステル2重量%およびリン酸トリエチル1.7重量%
を含有する留出物825gが得られた。
10℃に加熱した後に、2−アセトキシエタンホスホン
酸ジエチルエステル毎時224gを5ミリバールの圧力
下に情態した。還流比は0.5に調整された。5時間の
間に、ビニルホスホン酸ジエチルエステル74重量%、
酢酸21重量%、アセトキシエタンホスホン酸ジエチル
エステル2重量%およびリン酸トリエチル1.7重量%
を含有する留出物825gが得られた。
冷トラップ中に得られた生成物(180g)は、ビニル
ホスホン酸ジエチルエステル7重量%、酢酸28重量%
、酢酸エチル55重量%およびエタノール8重量%を含
有していた。この間に底部生成物は115gに増加して
いた。
ホスホン酸ジエチルエステル7重量%、酢酸28重量%
、酢酸エチル55重量%およびエタノール8重量%を含
有していた。この間に底部生成物は115gに増加して
いた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、触媒の使用下に150ないし270℃の温度におい
て、2−アセトキシエタンホスホン酸ジアルキルエステ
ルよりビニルホスホン酸ジアルキルエステルを製造する
方法において、2−アセトキシエタンホスホン酸ジアル
キルエステルを、1ないし500ミリバールの反応系の
各成分の合計の分圧下に液状の触媒的に作用する媒質と
接触せしめて開裂させ、そして生成するビニルホスホン
酸ジアルキルエステルおよびその他の揮発性反応生成物
を蒸気状で取出すことを特徴とする上記ビニルホスホン
酸ジアルキルエステルの製造方法。 2、500ミリバール以上の圧力において操作し、その
際全圧と反応系の各成分の合計の分圧との差圧がこれら
に対して反応条件下に不活性であるガスによって作られ
る、請求項1記載の方法。 3、反応系中の全圧が圧力減少によって5ないし500
ミリバールに調整される請求項1記載の方法。 4、反応系の各成分の合計の分圧が50ないし100ミ
リバールである請求項1ないし3のいずれかに記載の方
法。 5、180ないし250℃の温度において実施する請求
項1ないし4のいずれかに記載の方法。 6、エステルのアルキル基がそれぞれ1ないし8個、好
ましくは1ないし4個そして特に1または2個の炭素原
子を有する請求項1ないし5のいずれかに記載の方法。 7、触媒的に作用する媒質が混合されたアセトキシエタ
ンホスホン酸ジアルキルエステルの重量に対して、少な
くとも0.1%、好ましくは1ないし20%、特に5%
までの量で使用される請求項1ないし6のいずれかに記
載の方法。 8、酸性の触媒的に作用する媒質、好ましくは反応の際
に高沸点副生成物として生成し、そして次いで熱時に水
で処理された生成物を使用する請求項1ないし7のいず
れかに記載の方法。 9、水と共に煮沸することによる熱処理を5分間ないし
2時間行う請求項8記載の方法。 10、開裂生成物を反応帯域から連続的に取出す請求項
1ないし9のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873707149 DE3707149A1 (de) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | Verfahren zur herstellung von vinylphosphonsaeuredialkylestern |
DE3707149.1 | 1987-03-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63230698A true JPS63230698A (ja) | 1988-09-27 |
JP2650947B2 JP2650947B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=6322378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63049920A Expired - Lifetime JP2650947B2 (ja) | 1987-03-06 | 1988-03-04 | ビニルホスホン酸ジアルキルエステルの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4894470A (ja) |
EP (1) | EP0281122B1 (ja) |
JP (1) | JP2650947B2 (ja) |
KR (1) | KR950004961B1 (ja) |
CA (1) | CA1297494C (ja) |
DE (2) | DE3707149A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5547758A (en) * | 1992-04-20 | 1996-08-20 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Insulating material |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0329595B1 (de) * | 1988-02-19 | 1996-05-08 | Hoechst Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von Alkenylphosphinsäurealkylestern |
DE4014483A1 (de) * | 1990-05-07 | 1991-11-14 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von vinylphosphonsaeurederivaten |
US5281631A (en) * | 1991-12-20 | 1994-01-25 | Arch Development Corp. | Phosphonic acid based ion exchange resins |
DE4342570C1 (de) * | 1993-12-14 | 1995-09-21 | Hoechst Ag | Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von Vinylphosphonsäuredialkylestern |
DE19501336A1 (de) * | 1995-01-18 | 1996-07-25 | Hoechst Ag | Verfahren zur Herstellung von Vinylphosphonsäuredimethylester aus 2-Acetoxyethanphosphonsäuredimethylester |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3110975A1 (de) * | 1981-03-20 | 1982-09-30 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung von vinylphosphonsaeure |
DE3120437A1 (de) * | 1981-05-22 | 1982-12-09 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung von vinylphosphonsaeure |
-
1987
- 1987-03-06 DE DE19873707149 patent/DE3707149A1/de not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-03-03 EP EP88103226A patent/EP0281122B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-03 US US07/163,797 patent/US4894470A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-03 DE DE8888103226T patent/DE3862774D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-03-04 JP JP63049920A patent/JP2650947B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-04 CA CA000560543A patent/CA1297494C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-03-04 KR KR1019880002246A patent/KR950004961B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5547758A (en) * | 1992-04-20 | 1996-08-20 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Insulating material |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4894470A (en) | 1990-01-16 |
KR950004961B1 (ko) | 1995-05-16 |
EP0281122A3 (en) | 1990-01-17 |
DE3707149A1 (de) | 1988-09-15 |
EP0281122B1 (de) | 1991-05-15 |
EP0281122A2 (de) | 1988-09-07 |
KR880011180A (ko) | 1988-10-27 |
CA1297494C (en) | 1992-03-17 |
JP2650947B2 (ja) | 1997-09-10 |
DE3862774D1 (de) | 1991-06-20 |
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