JPS63228007A - パタ−ン認識装置 - Google Patents

パタ−ン認識装置

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Publication number
JPS63228007A
JPS63228007A JP62062066A JP6206687A JPS63228007A JP S63228007 A JPS63228007 A JP S63228007A JP 62062066 A JP62062066 A JP 62062066A JP 6206687 A JP6206687 A JP 6206687A JP S63228007 A JPS63228007 A JP S63228007A
Authority
JP
Japan
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light
filter
distribution
pupil
light beam
Prior art date
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Application number
JP62062066A
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English (en)
Inventor
Yuji Imai
裕二 今井
Shigeo Murakami
成郎 村上
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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Publication of JPS63228007A publication Critical patent/JPS63228007A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70308Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は特有のパターンを光電的に認識する装置に関し
、特に光ビームを物体に照射し、該光ビームをプローブ
光として上記パターンを認識する装置、例えば半導体素
子の製造で使われる各種基1F1i(マスク、レチクル
、ウェハ等)の位置を検出して、該基板をアライメント
するための検出装置に適用されるものに関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のパターン認識装置としては、例えば特開
昭61−128106号公報に開示されているように、
ウェハ上に形成されたアライメントマークからの回折光
、散乱光を検出光学系の瞳共役面で選択的に抽出し、所
謂暗視野的にアライメントマークを認識する装置が知ら
れている。
この装置では、検出光学系の結像対物レンズがテレセン
トリック系であり、結像対物レンズの瞳(特に射出[)
と共役な面を検出光学系内に作り出し、ここに、アライ
メントマークからの回折光(0次光も含む)や散乱光の
みを通すような透明開口部を有する空間フィルターが配
置され、この空間フィルターを通過した光を光電検出す
るように構成されている。そしてアライメントマーク検
出用の照明光として、レーザ光が結像対物レンズを介し
てウェハ上に照射され、ウェハ上にはレーザ光の集光し
たスポットが結像し、このスポット光とアライメントマ
ークとを相対走査することで、スポット光をプローブ光
にしてマーク検出を行なうものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来装置では、瞳共役面に空間フィルターが設けら
れ、瞳面内で本来マークからの回折光や散乱光が通るべ
き領域に透明開口部(例えば矩形)が形成されているた
め、瞳面上のそれ以外の領域に達する光は遮断されるこ
とになり、余分の光情報(バックグラウンドノイズ等)
がカットされる。しかしながら、従来の空間フィルター
は、単に光を透過する領域と遮断する領域とを区画する
だけの構成であった。このため、ウェハ上のスポット光
の照射部分全体から生じる平均的なバックグラウンドノ
イズ成分(指向性がなく平均的な大きさで生じる散乱光
成分)が大きくなると、空間フィルターの透明開口部を
通るノイズ成分も本来の信号(回折光等)成分の絶対量
に比較して相対的に多くなる。この結果光電検出時のS
/N比を悪化させ、マークの検出精度すなわちマークの
認識率を低下させるといった問題が生じる。
〔問題点を解決する為の手段〕
この問題点を解決するために、本発明では空間フィルタ
ー(瞳共役面等)上で、アライメントマーク等のパター
ンからの固有の光情報(正反射光、回折光、及び指向性
をもつ散乱光)が通る部分に、光ビームの強度分布(例
えばレーザ光の場合はガウス分布)と所定の相関関係で
抽出率が変化するフィルター部、−例としては透過率が
ガウス分布を持つ濃淡部を形成するようにした。
〔作 用〕
このように例えば透過型の空間フィルターにガウス分布
の透過率(濃淡部)を持たせて回折光等を抽出するよう
にすると、光ビーム自体がガウス分布である場合に、瞳
面を通る回折光の強度分布も本来ガウス状であることか
ら、パターンからの回折光が強調されることになり、バ
ックグラウンドノイズが相対的に低減されることになる
。すなわち本発明では検出すべき光情報が持つべき本来
の光強度分布と、空間フィルターの抽出率が変化する部
分(濃淡分布)との光学的な掛は算を行なうことにより
、検出された信号のS/N比を改善しようとするもので
ある。
〔実施例〕
第2図は本発明の実施例によるパターン認識装置を投影
露光装置に適用した場合を示す構成図である。本実施例
では、先の特開昭61−128106号公報に開示され
たものと同様に、光ビームが静止し、この光ビームに対
して認識すべきパターン、ここではアライメントマーク
を有するウェハを移動させる場合について述べるが、光
ビームを静止したウェハに対して走査する場合でも同様
に本発明を適用できる。第2図において、露光用照明系
の一部であるコンデンサーレンズ1からの露光光は回路
パターン等を有するレチクルRを均一に照明し、その回
路パターンの像は、射出瞳がほぼ無限遠、すなわち露光
されるべきウェハW側がテレセントリックな投影レンズ
2を介して、所定の結像面に形成される。そしてこの結
像面内に予めフォトレジストの塗布されたウェハWが位
置するようにウェハWを載置するための2次元移動ステ
ージ3が設けられる。ステージ3はモータ4により移動
され、その位置はレーザ光波干渉測長器(干渉計)5に
より検出される。一方、アライメント(マーク検出)用
のレーザ光源10から射出したレーザ光は不図示のビー
ムエクスパンダ−を介してシリンドリカルレンズ11に
入射し、ビームスプリッタ12、対物レンズ13を介し
てミラー14で反射した後、投影レンズ2に軸外からア
ライメント用レーザ光LBとして入射する。この対物レ
ンズ13も好ましくはテレセントリック系で設計される
。さて、レーザ光LBは投影レンズ2の瞳epの中心を
通り、かつビ・−ムサイズが瞳epではその径よりも小
さくなるように送光される。このため投影レンズ2から
ウェハWに達するレーザ光LBは光軸AXと平行になり
、ウェハW上にはシリンドリカルレンズ11の作用で、
ウェハW上のアライメントマークAMと平行に伸びたス
リット(又はシート)状のスポット光が形成される。そ
して、このスポット光がマークAMを照射すると、マー
クAMからは正反射光の他に回折光やエツジ散乱光が生
じ、これら光情報は投影レンズ2、ミラー14、対物レ
ンズ13を介してビームスプリッタ12に入射し、さら
にここで反射されて、瞳epをリレーするリレー系15
を介して、空間フィルター20に達する。この空間フィ
ルター20で光学的な相関演算が行なわれた光情報はフ
ォトマルチプライヤ等の受光素子22に受光され、その
光量に応じた光電信号に変換される。
上記構成において、ウェハW上のアライメントマークA
Mは従来通りの回折格子パターンとし、その幅とスポッ
ト光の幅とはほぼ等しいものとする。また空間フィルタ
ー20は、対物レンズ13、リレー系15によって作り
出された投影レンズ2の瞳epの共役面に配置される。
さて、このような構成で瞳epの中心を通るレーザ光L
BがウェハWに達すると、ここで正反射した光はテレセ
ントリックの特性から、再び瞳epの中心をレーザ光L
Bと同一形状、同一寸法の分布で通ることになる。また
瞳epにおけるレーザ光LBの断面形状はシリンドリカ
ルレンズ11の作用で、ウェハW上に形成されるスポッ
ト光の長手方向と直交する方向に伸びたスリット状に形
成される。これは、シリンドリカルレンズ11、対物レ
ンズ13、投影レンズ2を幾何光学的に配置することと
、レーザ光源10からのレーザ光がほぼ平行であること
に起因して生じる現象である。
第3図はウェハW上のマークAMとスポット光の配置と
、瞳epにおける各種光情報の分布との関係を示す。第
3図(a)に示すように、マークAMはX方向に時定ピ
ッチで格子要素(凸又は凹)Gを配列した直格子であり
、このマークAMの計測方向はX方向である。このため
スポット光SPはX方向に細長く伸びたシート状に配置
される。このスポット光SPのウェハW上での強度分布
はX方向、X方向ともガウス分布になる。これは照明光
としてレーザ光を用いるからである。ただし、レーザ光
LBの送光光路中に絞りを設けて、ビームの外周で1 
/ e ”以下の強度部分を遮断してしまう場合もある
が、この場合もガウス分布の特徴的な形状はほとんど保
存されていると言える。
スポット光SPがX方向に相対走査されマークAMと重
なると、瞳epには第3図(b)に示すような光分布が
現われる。第3図(b)において、瞳epの中心にはレ
ーザ光LBそのものが分布するとともに、同じ位置に正
反射光(0次光)Doが重なって分布する。尚、この0
次光り。はスポット光SPがウェハW上に集光している
限り常に発生する。そしてマークAMの格子定数、レー
ザ光波長に応じてO次光DoのX方向の両脇には高次回
折光DI、Dt 、D3・・・・・・が互いに分離して
分布する。例えば0次光D0の左側には正の1次光+D
1.2次光+Dt、3次光+D、が0次光D0とほぼ相
似形で分布し、右側には負の1次光−D、 、2次光−
D2.3次光−D、が0次光り。とほぼ相似形で分布す
る。これら高次光り、、D z 、D :+の分布はス
ポット光SPがマークAMと重なっている間は同時に発
生する。またマークAMのX方向に伸びたエツジ(各格
子要素Gの工ッジ)からは高次光Dr 、l)z 、、
Dsとは異なる方向にエツジ散乱光が生じ、これは瞳e
p上の0次光D0の分布を挟んでX方向に広がった散乱
光分布(以下0次光散乱光とする)Dfとなる。このO
次数乱光Dfは本実施例では特に考慮せず、専ら回折光
Do 、Dr 、Dt 、D:lについて考えるものと
する。ところでウェハW上のスポット光SPの光強度分
布は第4図(a)に示すように、スポット光SPのX方
向の中心(幅方向の中心)においてはX方向にガウス分
布Eyとなり、X方向の中心(長手方向の中心)におい
てはX方向にガウス分布E、となる。このため第4図(
b)に示すように、瞳ep面での回折光り、(ただし、
ここではn=o、1.2.3)についてもX方向に関す
る分布Fx、3’方向に関する分布F、はともにガウス
状になる。
そこで、本実施例では回折光Do 、Dr 、Di、D
3のうち0次光D0を除く高次光D+、Dz、D3に対
して空間フィルター20による光学的相関演算を行なう
ようにする。このため空間フィルター20には第1図(
a)に示すように、高次光DI、D2 、Dsの夫々が
通るべき位置に面内での透過率がガウス分布で変化する
濃淡にュートラルデンシティ)フィルター部20a、2
0b、20cが遮光面20d中に形成される。フィルタ
ー部20aは1次光±D、に対してガウス分布との相関
演算を行ない、フィルター部20bは2次光±D2に対
してガウス分布との相関演算を行ない、フィルター部2
0cは3次光±D、に対してガウス分布との相関演算を
行なうように定められる。
これらフィルター部20a、20b、20cの各透過率
の2次元的な分布は第1図(b)に示すように、第4図
(b)に示した分布とFX、F。
と相イ以のF、’ 、F、″ になるように、すなわち
中心部で透過率が高く周辺で低くなるように定められ、
各フィルター部の形状、寸法は空間フィルター20が位
置する瞳共役面における各回折光D7の形状、寸法とな
るべく一致するように作られる。これは相関演算を最適
に実行させて、マーク検出時のS/N比を最大にするた
めには重要なことである。もちろん、フィルター部20
a、20b、20cの形状、寸法をそのように最適に合
わせることなく、回折光Dnに対して余裕をもたせた大
きさく又は小さな寸法)にしても相関演算による効果は
得られる。また本実施例のフィルター部20a、20b
、20cの透過率分布FXl、Py゛において、中心の
透過率Pつ、Pyはほぼ100%になるように作られて
いる。また各フィルター部は必らずしも連続的に透過率
が変化するものに限られず、段階的に、又は離散的に変
化するものでも、全体としてガウス分布に近似していれ
ば十分である。
また第1図(b)の場合、各フィルター部の周辺は透過
率がなだらかに零とはなっていないが、もちろんなだら
かに零にするような分布にすることがよいことは言うま
でもない。
そこで、このような空間フィルター20を用いた場合の
作用について、第5図を参照して説明する。第5図(a
)はウェハWの表面に格子要素Gの大きさよりも小さな
微小凹凸が平均的に存在した場合に、1つのフィルター
部20aに達する光の様子を示している。この場合スポ
ット光SPの照射領域内には無数の微小凹凸が存在する
ことになり、瞳epの全面にはこれら微小凹凸からほぼ
無指向に発生する散乱光が、はぼ均等なレベルで通るこ
とになる。このためフィルター部20aに達する光もほ
ぼ均一なレベルrのバックグラウンドノイズNlとして
通ることになる。第5図(a)はフィルター部20aの
X方向(長手方向)の断面方向に関する光強度分布を表
わしたもので、バックグラウンドノイズ(光)Nffi
はフィルター部20aを通過すると、ガウス分布透過率
との相関によって、ノイズ光Nf’ の分布に変換され
る。
従来はこのフィルター部が単なる開口であったため、ノ
イズ光N℃はそのままのレベルで透過してしまうが、本
実施例では減光されることになる。
この結果、マークAMの存在しない領域から発生した光
によって得られる受光素子22の出力信号は従来の場合
にくらべて格段に小さくなる。一方、第5図(b)に示
すように、スポット光SPがマークAMと重なると、レ
ベルrのノイズ光とマークAMからのレベルhの1次回
折光との重畳したものが1次光り、となってフィルター
部20aに達する。そしてこの1次光り、がフィルター
部20aを通過すると、相関演算された1次光り、゛の
分布が得られる。この1次光D1″はフィルター部の中
心では100%の透過率であるためそのままのレベル(
r+h)であるが、周辺にいくにつれて急激に減衰する
。すなわち1次光D1のようにガウス分布をもつ光情報
に対しては最も良好な相関が得られることになる。この
第5図のような現象は他のフィルター部20b、20c
でも同時に生じるため、受光素子22で受光されるフィ
ルタリング後の各次数光±DI’、±D2゛、±D 3
’は同時にS/N比が向上したものとなる。尚、第5図
はX方向についてのみ示したが、X方向についての相関
検出も全く同様である。
さて、第6図は本発明の第2の実施例による空間フィル
ターと光電検出器との配置を示す平面図である。第6図
において、空間フィルター200には第1図と同様に±
1次光り、を通すフィルター部200a、±2次光D2
を通すフィルター部200 b、±3次光D3を通ずフ
ィルター部200cが設けられ、さらに0次光り。を通
すためのフィルター部200eも設けられる。そして各
フィルター部の裏側には0次光D0を受光する素子PD
、、1次光の正負の各々を独立に受光する2つの素子P
D、、2次光の正負の各々を独立に受光する2つの素子
PD、、及び3次光の正負の各々を独立に受光する2つ
の素子PD3がそれぞれ配列される。
上記フィルター部200a、200b、200C120
0eはともに第1図(b)に示すようにガウス分布の透
過率を有するものとする。またその形状も従来と同様の
スリンI・状に形成されているものとする。そしてこれ
ら7つの受光素子PD。、PD、、PD2、PD3の各
々からの光電信号は第7図に示すように独立に波形処理
する回路100に入力し、各次数別又は正負別に信号波
形上の特徴点(レベル差、位相差、歪率差等)が比較さ
れ、7つの光電信号のうちどれをマーク位置検出のため
に使うか、あるいは信号波形上に適宜補正を加えた後マ
ーク位置検出を行なうか等が判断される。この7つの波
形処理回路100は、干渉計5から出力される単位移動
毎のパルス信号CPに応答して素子PDo 、PD+ 
5PDz 、PD3の各々からの光電信号の強度を同時
にデジタルサンプリングするためのアナログデジタル変
換器(ADC)101やサンプリングされた信号波形を
記憶するメモリ(RAM)102等を含んでおり、基本
構成は先に掲げた従来装置のものと同一である。従来と
異なる主な点は、処理回路100の高速演算用のプロセ
ッサー103によって、上記特徴点が高速に比較される
ことである。
このように各次数別に回折光を分離して抽出したのは、
マークAMの位置決定にあたって、マーク形状の歪みや
変形、あるいは表面にコートされたレジストによる影響
を推定し、それにより生じた位置検出の誤差量を低減す
るためである。本来、マーク(回折格子)が設計値通り
にできていれば、1次光、2次光、3次光の夫々に対応
した信号波形はともに、スポット光とマークとの相対位
置に関して対称的で相似形となる。しかしマークが変形
したりすると、各次数間の信号波形が微妙に異なってく
る。そこでその変化をとらえて、より精密にマーク位置
を決定するように、分離抽出された各信号波形を再編成
しようとするものである。
従ってプロセッサー103は適宜最適なアルゴリズムで
上記再構成を実行し、正確なマーク位置情報ALGを出
力する。このように本実施例では次数別、正負別に信号
検出を行ない、波形上の特徴点を抽出する構成であるた
め、空間フィルター200によって各次数光が相関演算
されることで各信号波形の特徴がノイズ成分に影響され
ずに強調することができ、検出精度が向上するといった
効果が得られる。
尚、本実施例のように次数別、正負別に別個に信号検出
を行なうことは、先の第1図に示した空間フィルター2
0を用いる場合でも同等に適用できる。
以上本発明の各実施例においては、いずれも投影レンズ
2(対物光学系)の瞳epの中心にレーザ光LBが通る
ようにしたが、これは必ずしも必要なことではない。テ
レセントリックな光学系の場合、瞳中心に照明光束を通
すと、正反射光も瞳中心を通るように戻ってくるが、よ
り厳密に表現すれば、瞳面内の照明光束が通る領域に対
して瞳中心と点対称な領域に正反射光が戻るということ
になる。従ってレーザ光LBの中心光線が瞳中心からは
ずれる場合は、正反射光、回折光とも瞳中心から偏心し
て分布することになる。この場合でも、その偏心した分
布に合わせて空間フィルターを設計すればよい。
また各実施例では各次数元側に独立゛したフィルター部
を設けるとしたが、例えば1次光と2次光とを同時に取
り込む大きさ、形状のフィルター部としてもよい。この
場合、1次光と2次光との間に分布する散乱成分も取り
込むためS/N比は多少悪化するが、実用上は何ら問題
のない場合もある。さらに空間フィルターの各フィルタ
ー部は透過形に変えて反射型にしてもよい。この場合は
反射率の分布をガウス状にするだけで、同様の効果が得
られる。またフィルター部の透過率又は反射率等の抽出
率の分布は、かならずしもガウス状である必要はなく、
適宜相関を取るべき分布(逆ガウス状、三角状、半円状
等)に定め得ることは述べるまでもない。
またフィルター部の抽出率の分布は2次元的である必要
もなく、少なくとも1次元に関して所定の分布(単なる
開口の分布は除()を有していればよい。さらに抽出率
分布を有する空間フィルターと従来と同等の空間フィル
ターとを選択的に瞳共役面に挿入し、両方で得られたマ
ークの情報(例えば信号波形)を比較できるような構成
にしてもよい。
さらに本発明はレチクルとウェハの夫々に形成されたマ
ークを光ビームで検出するアライメント系に対しても同
様に適用できる。また第3図(b)に示したようにエツ
ジ散乱光Dfについても別個に光電検出する場合は、こ
のエツジ散乱光Dfが到達する空間フィルター上の部分
に、同様のフィルター部を設けてエツジ散乱光Dfを強
調するようにすれば同様の効果が得られる。さらに、光
ビームとして物体に照射されるスポット光にガウス分布
以外の特別な強度分布(例えば三角状)をもたせるよう
にして、空間フィルターによって、その分布との相関を
とるようにしてもよい。
〔発明の効果] 以上本発明によれば、パターンから発生する設計値に対
応した光情報に重みを付けることができるため、信号の
S/N比を大きくすることができる。またパターンがプ
ロセスによって変形を受けて、設計値と異なる光情報に
変形(歪みの付加等)したとしても、このような光情報
から設計上の情報はより多く取り込み、設計値からはず
れた情報は取除くといったフィルター効果が大きくなり
、信号波形(光強度分布等)の歪みを小さくするといっ
た効果も得られる。さらに実施例によれば空間フィルタ
ーのフィルター部の周辺が従来のようにデジクリック(
透過か遮光)ではなく、なめらかな抽出率(透過率又は
反射率)変化になっているため、光情報がフィルター部
の周辺で急激にけられることによる信号波形上の歪みも
小さくなるといった利点もある。
【図面の簡単な説明】
好 第1  本発明の第1の実施例による空間フィルターの
形状及びフィルター部の特性を示す平面(ノイズ光及び
回折光)に対す空間フィルターの相関演算の様子を示す
図、第6図は本発明の第2の実施例による空間フィルタ
ーの形状と受光素子の配置を示す平面図、第7図は第6
図の受光素子からの信号を処理する回路の回路ブロック
図である。 〔主要部分の符号の説明〕 W・・・ウェハ AM・・・アライメントマーク LB・・・レーザ光 SP・・・スポット光 2・・・投影レンズ(対物光学系) ep・・・瞳 20.200・・・空間フィルター 22、PD、、PD、、PD、、PD3・・・受光素子
20a、20b、20c、200a、200b。 200c、200e・・・フィルター部D0・・・0次
光 D+ 、D! 、D3・・・高次回折光Df・・・エツ
ジ散乱光

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)所定形状のパターンが形成された物体に特有の強
    度分布を有する光ビームを照射し、該光ビームが前記パ
    ターンを照射したときに該パターンから生じる光情報を
    対物光学系を介して入射し、該対物光学系の瞳面、又は
    その共役面もしくはそれらの近傍で前記光情報の固有成
    分を選択抽出することによって前記パターンを認識する
    装置において、 前記対物光学系の瞳面、又はその共役面もしくはそれら
    の近傍の検出面に設けられ、前記光情報の固有成分の通
    る領域に、前記光ビームの特有の強度分布と所定の相関
    関係で抽出率が変化するフィルター部を形成した空間フ
    ィルターと;該空間フィルターのフィルター部を介して
    得られる前記光情報の固有成分を光電検出する検出手段
    とを備えたことを特徴とするパターン認識装置。
  2. (2)前記対物光学系は少なくとも前記物体側がテレセ
    ントリック系であり、該対物光学系の瞳面上の所定領域
    に該瞳の径よりも小さな寸法で前記光ビームを通すよう
    に、前記光ビームを対物光学系に入射させる送光光学系
    を有し、前記空間フィルターは前記光情報のうちの少な
    くとも回折光成分の通る領域に前記フィルター部を形成
    したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の装置
  3. (3)前記光ビームをレーザビームとしたとき、前記空
    間フィルターのフィルター部をほぼガウス分布の透過率
    を有する透過形に形成したことを特徴とする特許請求の
    範囲第1項、又は第2項記載の装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005326409A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh 対象物を光学的に検査するための測定器およびこの測定器の作動方法
JP2014044134A (ja) * 2012-08-28 2014-03-13 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法及びそれを用いた装置

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JP2005326409A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh 対象物を光学的に検査するための測定器およびこの測定器の作動方法
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