JPS63224320A - 分子線エピタキシ−装置 - Google Patents
分子線エピタキシ−装置Info
- Publication number
- JPS63224320A JPS63224320A JP5817587A JP5817587A JPS63224320A JP S63224320 A JPS63224320 A JP S63224320A JP 5817587 A JP5817587 A JP 5817587A JP 5817587 A JP5817587 A JP 5817587A JP S63224320 A JPS63224320 A JP S63224320A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shroud
- evaporation
- evaporation source
- molecular beam
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 title claims description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 43
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
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- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ウェハに分子線にて所望の薄膜を成長させ
る為の分子線エピタキシー装置（以下ＭＢＥ装置と略記
する）に関する。
る為の分子線エピタキシー装置（以下ＭＢＥ装置と略記
する）に関する。
チェンバー内に、筒状のシュラウドと、ウェハを該シュ
ラウドの内部に支持する為の支持具を設置し、前記シュ
ラウドの側面の延長によって取り囲まれる空間の外側に
開口部がくる様に蒸発源を設置する。
ラウドの内部に支持する為の支持具を設置し、前記シュ
ラウドの側面の延長によって取り囲まれる空間の外側に
開口部がくる様に蒸発源を設置する。
従来、第３図に示すように、ＭＢＥ装置には蒸発源から
の熱輻射対策および真空度の向上の目的からＬＮｚを冷
媒とするシュラウド７を設置することが知られていた。
の熱輻射対策および真空度の向上の目的からＬＮｚを冷
媒とするシュラウド７を設置することが知られていた。
しかし、従来のＭＢＥ装置は、蒸発源３ａからの蒸発物
質が蒸発源３ｂの開口部の鉛直上方の点Ｐに付着し、該
点Ｐから付着物の落下がある場合前記蒸発Ｒ３ｂに前記
蒸発源３ａの蒸発物質が混入する欠点があった。
質が蒸発源３ｂの開口部の鉛直上方の点Ｐに付着し、該
点Ｐから付着物の落下がある場合前記蒸発Ｒ３ｂに前記
蒸発源３ａの蒸発物質が混入する欠点があった。
そこで、この発明は蒸発源へ他の蒸発物質が混入するこ
とが無いＭＢＥ装置を得ることを目的としている。
とが無いＭＢＥ装置を得ることを目的としている。
上記問題点を解決するために、この発明は、ＭＢＥ装置
において、チェンバーと、該チェンバー内に設置された
筒状のシュラウドと、ウェハを該シュラウドの内部に支
持する為の支持具と、前記シュラウドの側面の延長面に
よって取り囲まれる空間の外側に開口部がくる様に設置
された蒸発源とから構成する。
において、チェンバーと、該チェンバー内に設置された
筒状のシュラウドと、ウェハを該シュラウドの内部に支
持する為の支持具と、前記シュラウドの側面の延長面に
よって取り囲まれる空間の外側に開口部がくる様に設置
された蒸発源とから構成する。
上記のように構成されたＭＢＥ装置のシュラウドおよび
チェンバー内壁に付着した蒸発物質が蒸発源に落下して
も、該蒸発源中の蒸発物質には他の蒸発物質の混入は無
く、蒸発源物質への不純物の混入を防止できるのである
。
チェンバー内壁に付着した蒸発物質が蒸発源に落下して
も、該蒸発源中の蒸発物質には他の蒸発物質の混入は無
く、蒸発源物質への不純物の混入を防止できるのである
。
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図において、チェンバー１内にウェハ支持具２．シ
ュラウド５を設置し、該シュラウド５の外面円筒の延長
面の外側に開口部がくるように蒸発源３を設置する。第
２図に横断面図を示す。
ュラウド５を設置し、該シュラウド５の外面円筒の延長
面の外側に開口部がくるように蒸発源３を設置する。第
２図に横断面図を示す。
以上のような実施例において、蒸発源３ａからの分子線
は前記シュラウド５によって遮られ、蒸発源３ｃ、３ｄ
、３ｅの開口部の上方には前記シュラウド５の影６が生
じ、前記蒸発［３ａの蒸発物質は付着せず、前記蒸発源
３ｃ、３ｄ、３ｅへの前記蒸発源３ａからの蒸発物質の
混入を防止できる。
は前記シュラウド５によって遮られ、蒸発源３ｃ、３ｄ
、３ｅの開口部の上方には前記シュラウド５の影６が生
じ、前記蒸発［３ａの蒸発物質は付着せず、前記蒸発源
３ｃ、３ｄ、３ｅへの前記蒸発源３ａからの蒸発物質の
混入を防止できる。
この発明は、以上説明したように、チェンバー内に、筒
状のシュラウドと、ウェハを該シュラウドの内部に支持
する為の支持具を設置し、前記シュラウドの側面の延長
面によって取り囲まれる空間の外側に開口部がくる様に
蒸発源を設置することによって、蒸発源への他の蒸発物
質の混入を無くす効果がある。
状のシュラウドと、ウェハを該シュラウドの内部に支持
する為の支持具を設置し、前記シュラウドの側面の延長
面によって取り囲まれる空間の外側に開口部がくる様に
蒸発源を設置することによって、蒸発源への他の蒸発物
質の混入を無くす効果がある。
第１図は、この発明にかかるＭＢＥ装置の縦断面図、第
２図は、この発明にかかるＭＢＥ装置の横断面図、第３
図は、従来のＭＢＥ装置に用いられているシェラウドの
縦断面図である。 ｌ・・・チェンバー ２・・・支持具 ３・・・蒸発源 ５・・・シュラウド 以上
２図は、この発明にかかるＭＢＥ装置の横断面図、第３
図は、従来のＭＢＥ装置に用いられているシェラウドの
縦断面図である。 ｌ・・・チェンバー ２・・・支持具 ３・・・蒸発源 ５・・・シュラウド 以上
Claims (1)
- チェンバーと、該チェンバー内に設置された筒状のシュ
ラウドと、ウェハを該シュラウドの内部に支持する為の
支持具と、前記シュラウドの側面の延長面によって取り
囲まれる空間の外側に開口部がくる様に設置された蒸発
源から成ることを特徴とする分子線エピタキシー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5817587A JPS63224320A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 分子線エピタキシ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5817587A JPS63224320A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 分子線エピタキシ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63224320A true JPS63224320A (ja) | 1988-09-19 |
Family
ID=13076661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5817587A Pending JPS63224320A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 分子線エピタキシ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63224320A (ja) |
-
1987
- 1987-03-13 JP JP5817587A patent/JPS63224320A/ja active Pending
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