JPS63222464A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
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- JPS63222464A JPS63222464A JP5603087A JP5603087A JPS63222464A JP S63222464 A JPS63222464 A JP S63222464A JP 5603087 A JP5603087 A JP 5603087A JP 5603087 A JP5603087 A JP 5603087A JP S63222464 A JPS63222464 A JP S63222464A
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- 230000001133 acceleration Effects 0.000 title claims description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 101150046224 ABAT gene Proteins 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WWJZWCUNLNYYAU-UHFFFAOYSA-N temephos Chemical compound C1=CC(OP(=S)(OC)OC)=CC=C1SC1=CC=C(OP(=S)(OC)OC)C=C1 WWJZWCUNLNYYAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体基板を加工して形成された加速度センサ（以下半
導体加速度センサと呼ぶ）における低出力を改善する目
的で、拡散抵抗を、撓み部における重錘部近傍および枠
部近傍に、かつ、その長手方向が撓み部の伸長方向に平
行なようにして、形成し、かつ、これらをブリッジ接続
する。その結果、撓み部の幅を小さくすることが可能と
なり、高感度を実現した。
導体加速度センサと呼ぶ）における低出力を改善する目
的で、拡散抵抗を、撓み部における重錘部近傍および枠
部近傍に、かつ、その長手方向が撓み部の伸長方向に平
行なようにして、形成し、かつ、これらをブリッジ接続
する。その結果、撓み部の幅を小さくすることが可能と
なり、高感度を実現した。
本発明は半導体加速度センサの構成に関する。
半導体加速度センサは、圧電素子やサーボ機構を利用し
た従来の加速度センサに比べ小型・軽量化が可能である
が、より高感度・高精度のものが要求されている。
た従来の加速度センサに比べ小型・軽量化が可能である
が、より高感度・高精度のものが要求されている。
半導体集積回路の加工技術と、シリコン等の半導体単結
晶基板におけるピエゾ抵抗効果を利用した超小型加速度
センサが提案されている。〔リン・ミンチエル・ロイラ
ンス“バッチ製造されたシリコン加速度計″ （Ｌｙｎ
ｎ Ｍｉｃｈｅｌｌ Ｒｏｙｌａｎｃｅ ＡＢａｔ
ｃｈ−Ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ５ｉｌｋ−ｃｏｎ Ａｃ
ｃｅｌｅｒｏｍｅｔｅｒ ”） ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ
ａｃｔｉｏｎ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ
、 Ｖｏｌ。
晶基板におけるピエゾ抵抗効果を利用した超小型加速度
センサが提案されている。〔リン・ミンチエル・ロイラ
ンス“バッチ製造されたシリコン加速度計″ （Ｌｙｎ
ｎ Ｍｉｃｈｅｌｌ Ｒｏｙｌａｎｃｅ ＡＢａｔ
ｃｈ−Ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ５ｉｌｋ−ｃｏｎ Ａｃ
ｃｅｌｅｒｏｍｅｔｅｒ ”） ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ
ａｃｔｉｏｎ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ
、 Ｖｏｌ。
ＥＤ−２６＋ Ｎｏ、１２． ＤｅｃｅＩｌｂｅｒ
１９７９参照〕本発明者は、上記の半導体加速度センサ
の改良型を提案している。（特願昭６１−１８３７４２
）第３図は、本発明者による、この改良型半導体加速
度センサの構成を示す平面図であって、シリコンウェハ
のような半導体基板を、公知の異方性エツチング技術を
用いて加工（具体的には選択的除去）を行い、該基板そ
のままの厚さを有する枠部３０、該枠部３０から、その
中心部に向かって伸長する、比較的薄い（例えば１０μ
ｍ）四つの撓み部３１−１．３１−２．３１−３．３１
−４、四つの該撓み部によって、該枠部３０の中心部近
傍に位置するように、支持されている、比較的厚い（例
えば０ 、３ ｖａｎ ）重錘部３２が形成される。重
錘部３２と枠部３０の間の空間Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４
では、該基板が完全に除去されている。
１９７９参照〕本発明者は、上記の半導体加速度センサ
の改良型を提案している。（特願昭６１−１８３７４２
）第３図は、本発明者による、この改良型半導体加速
度センサの構成を示す平面図であって、シリコンウェハ
のような半導体基板を、公知の異方性エツチング技術を
用いて加工（具体的には選択的除去）を行い、該基板そ
のままの厚さを有する枠部３０、該枠部３０から、その
中心部に向かって伸長する、比較的薄い（例えば１０μ
ｍ）四つの撓み部３１−１．３１−２．３１−３．３１
−４、四つの該撓み部によって、該枠部３０の中心部近
傍に位置するように、支持されている、比較的厚い（例
えば０ 、３ ｖａｎ ）重錘部３２が形成される。重
錘部３２と枠部３０の間の空間Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４
では、該基板が完全に除去されている。
撓み部３１−１．３１−２．３１−３．３１−４におけ
る枠部３０の近傍には、それぞれ、長方形の拡散抵抗Ｒ
１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４が形成されている。拡散抵抗Ｒ１
およびＲ３は、それらの長手方向が、撓み部の伸長方向
に一致するように、一方、拡散抵抗Ｒ２およびＲ４は、
それらの長手方向が撓み部の伸長方向と直角方向に向く
ように、それぞれ形成されている。該拡散抵抗Ｒ１、Ｒ
２、Ｒ３、Ｒ４は、長さを大くするために、中央で折り
曲げられた構造とされており、これにより大きな抵抗値
を得ている。
る枠部３０の近傍には、それぞれ、長方形の拡散抵抗Ｒ
１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４が形成されている。拡散抵抗Ｒ１
およびＲ３は、それらの長手方向が、撓み部の伸長方向
に一致するように、一方、拡散抵抗Ｒ２およびＲ４は、
それらの長手方向が撓み部の伸長方向と直角方向に向く
ように、それぞれ形成されている。該拡散抵抗Ｒ１、Ｒ
２、Ｒ３、Ｒ４は、長さを大くするために、中央で折り
曲げられた構造とされており、これにより大きな抵抗値
を得ている。
さらに、該拡散抵抗は、Ｒ１とＲ３が、四端子３３−１
．３３−２．３３−３．３３−４を有するブリッジ回路
の一組の対辺を、また、Ｒ２とＲ４が、該ブリッジ回路
の他の一組の対辺を、それぞれ構成するように、相互接
続されている。なお、第３図において、各拡散抵抗と、
これらに対応する西端子３３−１．３３−２．３３−３
．３３−４との間を接続する配線が、細幅のパターンで
示されている。
．３３−２．３３−３．３３−４を有するブリッジ回路
の一組の対辺を、また、Ｒ２とＲ４が、該ブリッジ回路
の他の一組の対辺を、それぞれ構成するように、相互接
続されている。なお、第３図において、各拡散抵抗と、
これらに対応する西端子３３−１．３３−２．３３−３
．３３−４との間を接続する配線が、細幅のパターンで
示されている。
第３図に示す従来の加速度センサにおいては、拡散抵抗
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、すべて、それらの長手方向
が同一方向を向くようにして、それぞれの対応する撓み
部における重錘部近傍に形成されている。これは、上記
のように構成されたブリッジ回路から、大きな出力信号
を得るためである。すなわち、重錘部に対して、紙面に
垂直な方向に、加速度に比例した力が加わった場合に、
拡散抵抗が形成されている部分における撓み部の変形は
、すべての撓み部において等しいが、このときの応力の
方向と拡散抵抗を流れる電流の方向との関係は、拡散抵
抗Ｒ１とＲ３の組と拡散抵抗Ｒ２とＲ４との組とでは異
なり、その結果、これらの組の間で、拡散抵抗のピエゾ
抵抗変化の符号が逆になるからである。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、すべて、それらの長手方向
が同一方向を向くようにして、それぞれの対応する撓み
部における重錘部近傍に形成されている。これは、上記
のように構成されたブリッジ回路から、大きな出力信号
を得るためである。すなわち、重錘部に対して、紙面に
垂直な方向に、加速度に比例した力が加わった場合に、
拡散抵抗が形成されている部分における撓み部の変形は
、すべての撓み部において等しいが、このときの応力の
方向と拡散抵抗を流れる電流の方向との関係は、拡散抵
抗Ｒ１とＲ３の組と拡散抵抗Ｒ２とＲ４との組とでは異
なり、その結果、これらの組の間で、拡散抵抗のピエゾ
抵抗変化の符号が逆になるからである。
しかしながら、第３図において、拡散抵抗Ｒ２と１？４
は、それらの長手方向が、撓み部３１−２および３１−
４の幅方向（これら撓み部の伸長方向に直角な方向おけ
る長さ）に向いている。このために、撓み部の幅は、拡
散抵抗が必要とする長さより小さくすることができない
。
は、それらの長手方向が、撓み部３１−２および３１−
４の幅方向（これら撓み部の伸長方向に直角な方向おけ
る長さ）に向いている。このために、撓み部の幅は、拡
散抵抗が必要とする長さより小さくすることができない
。
ところで、抵抗ρを存する拡散抵抗におけるピエゾ抵抗
変化（Δρ）と応力（Ｔ）の関係は、次式で示される。
変化（Δρ）と応力（Ｔ）の関係は、次式で示される。
Δρ２ρπＴ
ここで、πはピエゾ抵抗係数である。
上式から、拡散抵抗の抵抗値が大きいほど、また、撓み
部に印加される応力が大きいほど、ピエゾ抵抗変化が大
きい。したがって、拡散抵抗の長さ対幅比を大きくし、
また、撓み部の断面積を小さくするのが有利である。し
かしながら、拡散抵抗については、パターン精度の点か
ら、幅を小さくすることは限度があるために、最低限必
要な長さがきまる。一方、撓み部については、第３図の
構造では、上記の理由から、幅を小さくすることに限度
があり、また、厚さは、可能な最低限界に近い。したが
って、加速度センサとしての感度を、さらに向上するこ
とが困難であるという問題があった。
部に印加される応力が大きいほど、ピエゾ抵抗変化が大
きい。したがって、拡散抵抗の長さ対幅比を大きくし、
また、撓み部の断面積を小さくするのが有利である。し
かしながら、拡散抵抗については、パターン精度の点か
ら、幅を小さくすることは限度があるために、最低限必
要な長さがきまる。一方、撓み部については、第３図の
構造では、上記の理由から、幅を小さくすることに限度
があり、また、厚さは、可能な最低限界に近い。したが
って、加速度センサとしての感度を、さらに向上するこ
とが困難であるという問題があった。
従来の加速度センサにおける上記の問題点は、シリコン
基板を選択的に除去して形成された重錘部と該重錘部を
囲む枠部と該重錘部と枠部とを接続するように伸長する
少なくとも２個の弾性変形可能な撓み部とから成り、該
撓み部のおのおのに形成された長方形の拡散抵抗を有し
、該拡散抵抗が、それぞれの長手方向を該撓み部の該伸
長方向に一致するようにして、かつ、該重錘部近傍と該
枠部近傍とに形成されており、該重錘部の近傍に形成さ
れている二つの拡散抵抗がブリフジ回路の一組の対辺を
、また、該枠部の近傍に形成されている二つの拡散抵抗
が該ブリッジ回路の他の対辺を、それぞれ形成するよう
に接続されていることを特徴とする、本発明に係る加速
度センサを提供することによって、解決される。
基板を選択的に除去して形成された重錘部と該重錘部を
囲む枠部と該重錘部と枠部とを接続するように伸長する
少なくとも２個の弾性変形可能な撓み部とから成り、該
撓み部のおのおのに形成された長方形の拡散抵抗を有し
、該拡散抵抗が、それぞれの長手方向を該撓み部の該伸
長方向に一致するようにして、かつ、該重錘部近傍と該
枠部近傍とに形成されており、該重錘部の近傍に形成さ
れている二つの拡散抵抗がブリフジ回路の一組の対辺を
、また、該枠部の近傍に形成されている二つの拡散抵抗
が該ブリッジ回路の他の対辺を、それぞれ形成するよう
に接続されていることを特徴とする、本発明に係る加速
度センサを提供することによって、解決される。
長方形の拡散抵抗を、その長手方向が撓み部の伸長方向
に平行になるようにして、撓み部における重錘部近傍と
枠部近傍とに形成することによって、ピエゾ抵抗変化の
符号の異なる拡散抵抗を得る。そして、重錘近傍に形成
した二つの拡散抵抗を、ブリッジ回路の一組の対辺に、
また、枠部近傍に形成した二つの拡散抵抗を、このブリ
ッジ回路の他の対辺に配置することにより、検出感度を
大きくした。この構造によれば、撓み部の幅は、拡散抵
抗の長さによる制約を受けることなく、小さくできるの
で、加速度センサの感度を向上できる。
に平行になるようにして、撓み部における重錘部近傍と
枠部近傍とに形成することによって、ピエゾ抵抗変化の
符号の異なる拡散抵抗を得る。そして、重錘近傍に形成
した二つの拡散抵抗を、ブリッジ回路の一組の対辺に、
また、枠部近傍に形成した二つの拡散抵抗を、このブリ
ッジ回路の他の対辺に配置することにより、検出感度を
大きくした。この構造によれば、撓み部の幅は、拡散抵
抗の長さによる制約を受けることなく、小さくできるの
で、加速度センサの感度を向上できる。
第１図および第２図は、それぞれ、本発明の一実施例を
示す平面図および断面図である。第１図において、従来
の加速度センサにおけると同様に、例えば、シリコン基
板を、異方性エツチング技術を用いて、選択的に除去し
、重錘部１２、この重錘部１２を囲む枠部１０、および
重錘部１２と枠部１０を接続するように伸長する四つの
撓み部１１−１．１１−２．１１−３および１１−４を
形成する。図において、重錘部１２と枠部ｌＯの間の空
間Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４では、該基板が完全に除去さ
れている。さらに、撓み部１１−１と１１−３のそれぞ
れにおける、重錘部１２の近傍には、拡散抵抗Ｒ１およ
びＲ３が形成されており、また、撓み部１１−２および
１１−４のそれぞれにおける、枠部１０の近傍には、拡
散抵抗Ｒ２およびＲ４が形成されている。
示す平面図および断面図である。第１図において、従来
の加速度センサにおけると同様に、例えば、シリコン基
板を、異方性エツチング技術を用いて、選択的に除去し
、重錘部１２、この重錘部１２を囲む枠部１０、および
重錘部１２と枠部１０を接続するように伸長する四つの
撓み部１１−１．１１−２．１１−３および１１−４を
形成する。図において、重錘部１２と枠部ｌＯの間の空
間Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４では、該基板が完全に除去さ
れている。さらに、撓み部１１−１と１１−３のそれぞ
れにおける、重錘部１２の近傍には、拡散抵抗Ｒ１およ
びＲ３が形成されており、また、撓み部１１−２および
１１−４のそれぞれにおける、枠部１０の近傍には、拡
散抵抗Ｒ２およびＲ４が形成されている。
拡散抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、いずれも、そ
の長手方向が、対応する撓み部１１−１．１１−２．１
１−３および１１−４の伸長方向と平行に配置されてお
り、また、大きな実効長を得るために、中央部で折り曲
げられた構造とされている。さらに、従来と同様に、こ
れらの拡散抵抗は、Ｒ１と日が、西端子１３−１．１３
−２．１３−３および１３−４を有するブリフジ回路の
一組の対辺を、また、Ｒ２とＲ４が、このブリッジ回路
の他の一組の対辺を、それぞれ構成するように、相互接
続されている。なお、第１図においても、各拡散抵抗と
、これらに対応する西端子１３−１．１３−２．１３−
３および１３−４との間を接続する配置が、細幅のパタ
ーンで示されている。
の長手方向が、対応する撓み部１１−１．１１−２．１
１−３および１１−４の伸長方向と平行に配置されてお
り、また、大きな実効長を得るために、中央部で折り曲
げられた構造とされている。さらに、従来と同様に、こ
れらの拡散抵抗は、Ｒ１と日が、西端子１３−１．１３
−２．１３−３および１３−４を有するブリフジ回路の
一組の対辺を、また、Ｒ２とＲ４が、このブリッジ回路
の他の一組の対辺を、それぞれ構成するように、相互接
続されている。なお、第１図においても、各拡散抵抗と
、これらに対応する西端子１３−１．１３−２．１３−
３および１３−４との間を接続する配置が、細幅のパタ
ーンで示されている。
第１図の構造に押いて、重錘部１２に対し、紙面に垂直
方向に、加速度に比例した力が加わった場合、撓み部に
おける重錘部１２の近傍と枠部１ｏの近傍とでは、加わ
る応力の方向が異なる０例えば、重錘部１２の近傍にお
いて圧縮応力が働くとすれば、枠部１０の近傍では引張
応力が働く。その結果、重錘部１２の近傍に形成されて
いる拡散抵抗Ｒ１およびＲ３と、枠部１０の近傍に形成
されている拡散抵抗Ｒ２およびＲ４とでは、ピエゾ抵抗
変化の符号が逆となる。したがって、これらの拡散抵抗
から構成されるブリッジ回路から大きな出力信号が得ら
れることは、第３図に示した従来の加速度センサにおけ
るのと同様である。
方向に、加速度に比例した力が加わった場合、撓み部に
おける重錘部１２の近傍と枠部１ｏの近傍とでは、加わ
る応力の方向が異なる０例えば、重錘部１２の近傍にお
いて圧縮応力が働くとすれば、枠部１０の近傍では引張
応力が働く。その結果、重錘部１２の近傍に形成されて
いる拡散抵抗Ｒ１およびＲ３と、枠部１０の近傍に形成
されている拡散抵抗Ｒ２およびＲ４とでは、ピエゾ抵抗
変化の符号が逆となる。したがって、これらの拡散抵抗
から構成されるブリッジ回路から大きな出力信号が得ら
れることは、第３図に示した従来の加速度センサにおけ
るのと同様である。
しかしながら、第１図の実施例による本発明の加速度セ
ンサにおいては、おのおのの撓み部の幅（伸長方向に対
して垂直方向の長さ）は、従来の加速度センサとは異な
って、拡散抵抗の長手方向の長さによる制約を受けない
。この幅は、折り曲げられた拡散抵抗が形成可能な大き
さであれば、実際上は充分である。その結果、重錘部１
２に対して同じ大きさの力が印加された場合に、拡散抵
抗形成部分に加わる応力（Ｔ）の値は、第３図の加速度
センサより大きく、したがって、大きな出力信号が得ら
れる。具体的例を挙げると、第１図の加速度センサと第
３図の加速度センサとでは、撓み部の幅は、それぞれ０
．３＋１１および１．０龍で、同一抵抗値の拡散抵抗を
形成した場合、第１図の加速度センサの出力信号は第３
図の加速度センサの約３倍であった。
ンサにおいては、おのおのの撓み部の幅（伸長方向に対
して垂直方向の長さ）は、従来の加速度センサとは異な
って、拡散抵抗の長手方向の長さによる制約を受けない
。この幅は、折り曲げられた拡散抵抗が形成可能な大き
さであれば、実際上は充分である。その結果、重錘部１
２に対して同じ大きさの力が印加された場合に、拡散抵
抗形成部分に加わる応力（Ｔ）の値は、第３図の加速度
センサより大きく、したがって、大きな出力信号が得ら
れる。具体的例を挙げると、第１図の加速度センサと第
３図の加速度センサとでは、撓み部の幅は、それぞれ０
．３＋１１および１．０龍で、同一抵抗値の拡散抵抗を
形成した場合、第１図の加速度センサの出力信号は第３
図の加速度センサの約３倍であった。
第１図に示した本発明の加速度センサにおいて実施され
ているような、撓み部に対する拡散抵抗との配置態様に
は、さらに次のような利点がある。
ているような、撓み部に対する拡散抵抗との配置態様に
は、さらに次のような利点がある。
すなわち、第３図に示す従来の配置では、応力の方向と
電流の方向が同じである場合と異なる場合とで、ピエゾ
抵抗変化の符号が逆になることを利用しているが、この
ような現象が生じるのは、Ｐ型拡散抵抗の場合だけであ
る。一方、第１図に示す本発明の配置では、応力の方向
の違い（圧縮方向と引張り方向）による、ピエゾ抵抗変
化の符号の違いを利用しており、この現象は、Ｐ型およ
びＮ型いずれの拡散抵抗でも生じる。すなわち、本発明
の加速度センサにおいては、シリコン基板はＮ型および
Ｐ型のいずれでも用いることができる。
電流の方向が同じである場合と異なる場合とで、ピエゾ
抵抗変化の符号が逆になることを利用しているが、この
ような現象が生じるのは、Ｐ型拡散抵抗の場合だけであ
る。一方、第１図に示す本発明の配置では、応力の方向
の違い（圧縮方向と引張り方向）による、ピエゾ抵抗変
化の符号の違いを利用しており、この現象は、Ｐ型およ
びＮ型いずれの拡散抵抗でも生じる。すなわち、本発明
の加速度センサにおいては、シリコン基板はＮ型および
Ｐ型のいずれでも用いることができる。
第２図は、第１図に示す本発明の加速度センサのＡ−０
断面およびＢ−０断面である。第２図に示すように、こ
の加速度センサは、上表面に酸化シリコン（Ｓｉ０２）
の保護層２１が形成され、下部には枠部１０と同じ形状
の枠部２２−１を有する蓋部２２が設けられ、両枠部１
０と２２−１との間が接合層２３で接続された構造を有
している。
断面およびＢ−０断面である。第２図に示すように、こ
の加速度センサは、上表面に酸化シリコン（Ｓｉ０２）
の保護層２１が形成され、下部には枠部１０と同じ形状
の枠部２２−１を有する蓋部２２が設けられ、両枠部１
０と２２−１との間が接合層２３で接続された構造を有
している。
なお、枠部１０は、上記実施例のような四角形に限るこ
とはなく、その他の任意の多角形もしくは円環状でもよ
く、また、撓み部は１１−１．１１−２．１１−３およ
び１１−４の四つに限ることはなく、重錘部１２を枠部
１０に接続することにより支持可能な、少なくとも二つ
あればよい。さらに、拡散抵抗、例えばＲ１とＲ２を、
一つの撓み部、例えば１１−１における重錘部１２の近
傍と枠部１０の近傍に、それぞれ設けてもよく、同様に
、拡散抵抗Ｒ３とＲ４を、他の撓み部１１−２．１１−
３および１１−４の任意の一つにおける、重錘部１２の
近傍および枠部１０の近傍に、それぞれ設けてもよく、
これらの拡散抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４が、上記実施
例と同様のブリッジ回路を構成するように接続されてい
れば、同様の目的を達成することができる。
とはなく、その他の任意の多角形もしくは円環状でもよ
く、また、撓み部は１１−１．１１−２．１１−３およ
び１１−４の四つに限ることはなく、重錘部１２を枠部
１０に接続することにより支持可能な、少なくとも二つ
あればよい。さらに、拡散抵抗、例えばＲ１とＲ２を、
一つの撓み部、例えば１１−１における重錘部１２の近
傍と枠部１０の近傍に、それぞれ設けてもよく、同様に
、拡散抵抗Ｒ３とＲ４を、他の撓み部１１−２．１１−
３および１１−４の任意の一つにおける、重錘部１２の
近傍および枠部１０の近傍に、それぞれ設けてもよく、
これらの拡散抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４が、上記実施
例と同様のブリッジ回路を構成するように接続されてい
れば、同様の目的を達成することができる。
本発明によれば、半導体加速度センサにおける撓み部の
幅を、ここに形成される拡散抵抗の長さとは無関係に、
小さくできるので、高感度のセンサを提供可能とする効
果がある。また、使用するシリコン基板を、その導電型
に無関係に選ぶことができ、製造プロセスの自由度を大
きくする効果がある。
幅を、ここに形成される拡散抵抗の長さとは無関係に、
小さくできるので、高感度のセンサを提供可能とする効
果がある。また、使用するシリコン基板を、その導電型
に無関係に選ぶことができ、製造プロセスの自由度を大
きくする効果がある。
第１図および第２図は、それぞれ、本発明の半導体加速
度センサの一実施例を示す平面図および断面図、 第３図は、従来の半導体加速度センサの構成を示す平面
図である。 図において、 １０は枠部、 １１−１と１１−２と１１−３と１１−４は撓み部、１
２は重錘部、 １３−１と１３−２と１３−３と１３−４は端子、Ｒ１
と１？２とＲ３とＲ４は拡散抵抗、２１は保護層、 ２２は蓋部、 ２２−１は枠部、 ２３は接合層 である。 第１図 、ｉ項≦明の〃口速序亡ンすめ喚“元図第Ｚ図
度センサの一実施例を示す平面図および断面図、 第３図は、従来の半導体加速度センサの構成を示す平面
図である。 図において、 １０は枠部、 １１−１と１１−２と１１−３と１１−４は撓み部、１
２は重錘部、 １３−１と１３−２と１３−３と１３−４は端子、Ｒ１
と１？２とＲ３とＲ４は拡散抵抗、２１は保護層、 ２２は蓋部、 ２２−１は枠部、 ２３は接合層 である。 第１図 、ｉ項≦明の〃口速序亡ンすめ喚“元図第Ｚ図
Claims (4)
- （１）シリコン基板を選択的に除去して形成された重錘
部と該重錘部を囲む枠部と該重錘部と枠部とを接続する
ように伸長する少なくとも２個の弾性変形可能な撓み部
とから成り、該撓み部のおのおのに形成された長方形の
拡散抵抗を有する加速度センサにおいて、 該拡散抵抗が、それぞれの長手方向を該撓み部の該伸長
方向に一致するようにして、かつ、該重錘部近傍と該枠
部近傍とに形成されていることを特徴とする半導体加速
度センサ。 - （２）該拡散抵抗（Ｒ１・Ｒ３）が、それぞれ、該重錘
部（１２）の近傍に形成されている二つの撓み部（１１
−１および１１−３）と、 該拡散抵抗（Ｒ２・Ｒ４）が、それぞれ、該枠部（１０
）の近傍に形成されている二つの撓み部（１１−２およ
び１１−４） とから成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体加速度センサ。 - （３）該拡散抵抗Ｒ１およびＲ３がブリッジ回路の一組
の対辺を、また、該拡散抵抗Ｒ２およびＲ４が該ブリッ
ジ回路の他の対辺を、それぞれ形成するように接続され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半
導体加速度センサ。 - （４）該拡散抵抗は、長手方向に連結され，かつ、互い
に平行をなすように、連結部分で１８０度折り曲げられ
た、少なくとも２の長方形の構成要素から成ることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体加速度セン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5603087A JPS63222464A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5603087A JPS63222464A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63222464A true JPS63222464A (ja) | 1988-09-16 |
Family
ID=13015670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5603087A Pending JPS63222464A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63222464A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5115292A (en) * | 1988-09-02 | 1992-05-19 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Semiconductor sensor |
| JPH0830717B2 (ja) * | 1989-02-27 | 1996-03-27 | サンドストランド・コーポレイション | 共平面プッシュプル力変換器を有する加速度計 |
-
1987
- 1987-03-11 JP JP5603087A patent/JPS63222464A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5115292A (en) * | 1988-09-02 | 1992-05-19 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Semiconductor sensor |
| JPH0830717B2 (ja) * | 1989-02-27 | 1996-03-27 | サンドストランド・コーポレイション | 共平面プッシュプル力変換器を有する加速度計 |
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