JPS63221625A - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents

半導体ウエハの洗浄方法

Info

Publication number
JPS63221625A
JPS63221625A JP62054738A JP5473887A JPS63221625A JP S63221625 A JPS63221625 A JP S63221625A JP 62054738 A JP62054738 A JP 62054738A JP 5473887 A JP5473887 A JP 5473887A JP S63221625 A JPS63221625 A JP S63221625A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
wafers
wafer
washing
drying gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62054738A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Ozawa
誠 小沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP62054738A priority Critical patent/JPS63221625A/ja
Publication of JPS63221625A publication Critical patent/JPS63221625A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体ウェハの洗浄方法に関するものである
[従来の技術] 半導体ウェハを鏡面加工する場合は、平坦な研磨治具の
上にウェハをワックスで貼付、ワックスが固化してウェ
ハが研磨治具に固定された状態で各種研磨を行ない鏡面
にするのであるが、このとき重要なのはウェハを平坦に
取付けると共に取付は時にウェハの表面等に付着する余
分なワ・ンクスを取除いて清浄にすることである。
付着した余分なワックスを除去するには人力により吹き
取る方法と機械的に除去する方法とがある。
人力による方法はワックスを溶融させる有機溶剤を染み
込ませた布でウェハ及びその周辺を拭き取るもので、こ
の作業は有機ドラフト内でウエノ11枚毎に行なわれる
機械的に除去する方法は第4図に示すように有機溶剤の
蒸気の中で洗浄するものである。
図において1はウェハ、2はウェハ1を取付ける研磨治
具、3は研磨治具2、ウェハ1を回転させる回転金具、
4はこれらの部品を支持し昇降させる昇降アーム、5は
有機溶剤の蒸気槽を示す。
研磨治具2に所定数のウェハ1が貼付されると、研磨治
具2は回転金具3にセットされて図に示すように蒸気槽
5の中に下向きに降下される。
研磨治具2をセットした回転金具3は蒸気レベルの低下
や付着した液を落下させるため、昇降アーム4に傾斜し
た状態で取付けられており、回転しながらウェハ1を洗
浄する。
[発明が解決しようとする問題点] 」二連したように、ウェハを研磨治具に貼付させたとき
に付着する不要なワックスは人力あるいは機械的方法に
より除去されるが、人力による場合は作業効率が極めて
低いと共に洗浄剤を多量に消費する等不経済で、特別の
場合を除き余り用いられない。
機械的方法による場合は作業効率は向上するが次に述べ
るような問題点が生ずる。
ウェハ貼付後は周囲温度の変化によりワックスが軟化し
て貼付したウェハに位置ずれが生ずるのを防止する必要
があるが、洗浄中にワックスが軟化しないように温度を
調整するのはかなり面倒である。
溶剤の蒸気が凝縮するとウェハ周辺に凝縮液が付着する
が、この凝縮液を他のウェハに付着させないような機構
とすることは困難であり、ウェハサイズが異なる場合は
特に困難で、洗浄効果の再現性が全く得られない。
蒸気量を一定に保つため蒸気槽容量を大きくする必要が
あり、また温度調節機構やウェハ回転機構も必要となる
ので設備費が高額となる嫌いがある。
本発明の目的は、高効率で安価な半導体ウェハの洗浄方
法を提供することにある。
C問題点を解決するための手段] 本発明は、研磨作業時に研磨治具に貼付するウェハの表
面及び付近に付着する接着用ワックスを洗浄して除去す
る半導体ウェハの洗浄方法において、洗浄槽の内部に前
記ウェハの貼付された前記研磨治具をこのウェハの表面
が前記洗浄槽の側壁と対向するように設置し、蒸溜槽及
び冷却筒より得られた有機溶剤洗浄液を洗浄槽の前記側
壁に取付けられた洗浄液噴出口より噴出させて前記ウェ
ハを洗浄し、ついで前記洗浄液噴出口と同一側壁面に取
付けられた乾燥用ガス噴出口より乾燥ガスを噴出させて
前記ウェハを乾燥させることを特徴とし、半導体ウェハ
の洗浄が高効率、安価に行なえるようにして目的の達成
を計9たちのである。
[作 用] 本発明の半導体ウェハの洗浄方法では、洗浄槽の中にウ
ェハの貼付された研磨治具をウェハの表面が洗浄槽の側
壁と対向するように設置し、この側壁には洗浄液噴出口
と乾燥用ガス噴出口とを取付けておき、洗浄を行なう場
合は蒸溜槽で精製された有機溶剤洗浄液を上記の洗浄液
噴出口から噴出させてウェハ及び付近に付着しているワ
ックスを洗い落し、洗浄が完了したならば乾燥用ガス噴
出口から乾燥ガスを噴出させてウェハを乾燥するように
しであるので、洗浄作業を高効率化すると共に設備費を
低減させることができる。
[実施例] 以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図は本発明の半導体ウェハの洗浄方法を具体化する
一実施例の洗浄装置を示す。
図において6は蒸溜槽、7は冷却筒、8は洗浄槽である
。9はウェハの取付けされている研磨治具、10は研磨
治具9に洗浄液を吹付ける洗浄液噴出口、11は研出治
具9に乾燥ガスを吹付ける乾燥用ガス噴出口を示す。
第2図は第1図に示す研磨治具9の詳細図を示すもので
ある。
12はウェハで、図の場合は研磨治具9に6枚貼付され
た場合を示す。13は回転用ローラーで、耐溶剤、耐摩
耗性材を作製され、取付は治具9と噛合ってこれを回転
させる。14は取付は治具9が回転時に前後に動揺しな
いように支持するガイドである。
これらの図よりこの実施例では、取付は治具9にウェハ
12がワックスで貼付され、洗浄槽8内にセットされる
と洗浄が開始される。
洗浄液は蒸溜槽6で精製された有機溶剤が用いられ、こ
の洗浄液は冷却筒7で冷却された後洗浄液噴出口10か
ら噴出してウェハ12に吹付けられるので、ウェハ12
の表面及び付近に骨管しているワックスが洗浄されるこ
とになる。この時、研磨治具9は回転ローラー13によ
り回転しつつ洗浄されるので、ウェハ12はまんべんな
く洗浄されることになる。
洗浄が完了すると乾燥用ガス噴出口11より乾燥ガスが
ウェハ12の表面に吹付けられるのでウェハ12は速や
かに乾燥することにある。
第3図は本発明による他の実施例を示すもので第2図に
対応する。
図において15は排気口、16はスリット状の乾燥ガス
用噴出口を示す。
この実施例は第1図の乾燥用ガス噴出口11を排気口1
5として用いることによりウエノ1の表面に排気流を生
じさせ、この排気流によってウニ/1を乾燥させるもの
である。
また、乾燥用ガス噴出口をスリット状の噴出口16とす
ることにより、ウェハサイズが異なる場合でも均一な乾
燥効果を得ることができる。
以上、各実施例を用いることにより次のような効果が得
られる。
(1)  洗浄時に洗浄液の温度はワックスの融点以下
の温度に冷却されてから噴出されるので、貼付されたウ
ェハがワックスの溶融によって位置ずれするような現象
は生じない。
(2)従来は貼付枚数やウェハサイズが異なると洗浄用
蒸気のレベルが変動して均一な洗浄が得られなかったが
、洗浄液噴出法により均一な洗浄を行なうことができ、
洗浄効果の再現性、液量の経済的使用法等を確立するこ
とができた。
(3)洗浄液の噴出は局部的になされても研磨冶具の回
転により均一に洗浄することができるので、蒸溜槽等を
小形化することができる。
(4)洗浄液の使用量が少なくて済むので安全上からも
有利となる。
[発明の効果] 本発明によれば、高効率で安価な半導体ウエノ1の洗浄
方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は本発明の半導体ウニ11の洗浄方法に
よる一実施例の説明図、第3図は同じく他の実施例の説
明図、第4図は従来方法の説明図である。 6:蒸溜槽、 7:冷却筒、 8:洗浄槽、 9:研磨治具、 10:洗浄液噴出口、 11:乾燥用ガス噴出口、 12:ウェハ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)研磨作業時に研磨治具に貼付されたウェハの表面
    及び近辺に付着した接着用ワックスを洗浄して除去する
    半導体ウェハの洗浄方法において、洗浄槽の内部に前記
    ウェハが貼付られた前記研磨治具を該ウェハの表面が前
    記洗浄槽の側壁と対向する如く設置し、蒸溜槽及び冷却
    筒より得られた有機溶剤洗浄液を洗浄槽の前記側壁に取
    付けられた洗浄液噴出口より噴出させて前記ウェハを洗
    浄し、次いで前記洗浄液噴出口と同一側壁面に取付けら
    れた乾燥用ガス噴出口より乾燥ガスを噴出させて前記ウ
    ェハを乾燥させることを特徴とする半導体ウェハの洗浄
    方法。
JP62054738A 1987-03-10 1987-03-10 半導体ウエハの洗浄方法 Pending JPS63221625A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62054738A JPS63221625A (ja) 1987-03-10 1987-03-10 半導体ウエハの洗浄方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62054738A JPS63221625A (ja) 1987-03-10 1987-03-10 半導体ウエハの洗浄方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63221625A true JPS63221625A (ja) 1988-09-14

Family

ID=12979125

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62054738A Pending JPS63221625A (ja) 1987-03-10 1987-03-10 半導体ウエハの洗浄方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63221625A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05123968A (ja) * 1991-07-19 1993-05-21 Nikko Kyodo Co Ltd 研磨加工方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05123968A (ja) * 1991-07-19 1993-05-21 Nikko Kyodo Co Ltd 研磨加工方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6145519A (en) Semiconductor workpiece cleaning method and apparatus
KR100323502B1 (ko) 액정표시패널의 제조방법 및 이것에 사용되는 세정장치
JPS5931853B2 (ja) 食刻方法
KR100365078B1 (ko) 도포방법및도포장치
KR100794919B1 (ko) 글라스 식각장치 및 식각방법
JPS6116528A (ja) ウエハ洗浄装置
JPS63221625A (ja) 半導体ウエハの洗浄方法
JP2000114219A (ja) 基板処理装置
JP3038449B2 (ja) 洗浄方法及び洗浄装置
JPH08229524A (ja) 液晶用カセット洗浄装置
JPH11283951A (ja) 半導体ウエーハ等用洗浄装置
JP3720451B2 (ja) ポリッシング装置及びその運転方法
JP2767165B2 (ja) ウエーハ洗浄槽
JPS6250219B2 (ja)
JPH047831A (ja) 基体乾燥方法及び基体乾燥装置
JPH06151405A (ja) 基板乾燥方法
JPS63307741A (ja) 基板面の異物除去装置
JPH04118067A (ja) 塗布装置および塗布処理方法
JPH06104376A (ja) フロン代替洗浄におけるすすぎ水乾燥装置
JPH07130694A (ja) 基板洗浄装置
JPH0621040A (ja) 噴流式ウェットエッチング装置
JPH02310989A (ja) プリント基板の洗浄方法およびその装置
JPH11169801A (ja) 流液式ワーク洗浄方法及び装置
JPH0528758Y2 (ja)
JPH0824113B2 (ja) 乾燥方法及び装置