JPS632185A - 光デイスクカ−トリツジおよび記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光ディスクおよび光ディスクに情報を記録再生
する情報記録再生装置にかかシ特に、追記型光ディスク
のカートリッジおよびその記録再生装置に関する。

従来の技術 従来の追記型光ディスクおよびその記録再生装置として
は、記録膜にレーザ光ビームで記録膜を蒸発させて穴を
形成゛することによって信号を記録する、いわゆる−度
記録の再生は何度でも可能と言うものであって磁気ディ
スクのように同一セクタに繰シ返しデータを記録再生消
去することはできなかった。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような記録再生消去ができない光
ディスクにおいては、光ディスク上にべ記録されたデー
タを管理するだめのディレクトリは消去出来ないために
新しいディレクトリを追加記録していき再生のときは、
ディレクトリの最後に書かれたセクタを最初に探して逆
順にセクタを読み出して目的のセクタを読み出し、そう
してやっと目的のデータの記録しであるセクタをアクセ
ス出来る訳である。このことは、目的のデータの検索時
間が非常に長くかかるということを意味する。

また、データの更新に当たって各ファイルのディレクト
リ情報はセクタ長より短いにもかかわらず停電などの事
故や使用を終わるときのファイルクローズ操作のし忘れ
などを防止するために１セクタ１デイレクトリという使
い方がされ、セクタの容量の使用効率が悪かった。

本発明はかかる点に鑑み、光ディスクに記録再生消去が
自由に出来る半導体メモリを備えた光ディスクカートリ
ッジとその記録再生装置を提供することを目的とする。

問題点を解決するための手段 本発明は半導体メモリを内蔵し、カートリッジの表面に
前記半導体メモリとデータ送受信を行なうためのコンタ
クト部とを有する光ディスクカートリッジである。また
本発明は、光ディスクにデータを記録再生する手段と光
ディスクカートリッジの中に内蔵された半導体メモリに
信号を記録再生する手段とを備えた記録再生装置である
。

作　　用 本発明は前記した構成により、光ディスクカートリッジ
に内蔵された半導体メモリに書き換えを必要とするディ
レクトリなどの管理情報を記録でき、このディレクトリ
領域の書き換え機能と大容量の追記型光ディスクとによ
って消去ディスクの機能を実現する。

実施例 以下図面に従って、本発明の実施例について説明する。

第１図は本発明の概要を示すブロック図である。

ホストコンピュータ１が光ディスクにデータを書き込み
たい場合、ホストコンピュータ１は光ディスク記録再生
装置２内の光ディスクコントローラＣＰＵ３に書き込み
を指示するコマンド情報１００を送り、さらにディレク
トリ情報１ｏ１、データ情報１ｏ２を送る。光ディスク
記録再生装置２内のディレクトリリードライト制御部４
及びデータリードライト制御部５では光ディスクコ／ト
ローラＣＰＵ３よりのリードライト制御信号１０３゜１
０４をうけてデータ書き込みを行なう。ディレクトリリ
ードライト制御部４では、光ディスクカートリッジ６内
の半導体メモリ部７にディレクトリ情報１０１の書き込
みを行ない、データリードライト制御部５では、レーザ
を用いた一般的な光学的記録再生系８を通して光ディス
クメモリ部９にデータ情報１０２の書き込みを行々う。

またホストコンピュータ１が光ディスクからデータを読
み出したい場合、ホストコンピュータ１は光ディスクコ
ントローラＣＰＵ３に読み出しを指示するコマンド情報
１ｏ○を送る。光ディスク記録再生装置２内のディレク
トリリードライト制御部４及びデータリードライト制御
部５では光ディスクコントローラＣＰｔＪ３よりのリー
ドライト制御信号１０３，１０４を受けてデータ読み出
しを行なう。ディレクトリリードライト制御部４では、
光ディスクカートリッジ内の半導体メモリ部７からディ
レクトリ情報を読み出し、データリードライト制御部６
では、読み出したディレクトリ情報をもとに光ディスク
メモリ部９からデータ情報の読み出しを行なう。

このような構成とすることによシディレクトリ情報につ
いては書き換えが可能となるため、ファイル内容の更新
などでディレクトリを何度も書き換えた時、追記型ディ
スク内にディレクトリを書き込んでいた場合では目的デ
ィレクトリの検索時間が非常に長くかかっていた問題点
が解消できる。

半導体メモリへのディレクトリ情報のリードライト方法
についてさらに詳細に述べる。光ディスク記録再生装置
２と光ディスクカートリッジ内の半導体メモリ部７は、
装置側送受信コンタクト部１０と半導体メモリ側送受信
コンタクト部１１で接続される。このコンタクトは例え
ば電気信号を伝えるために導電性の金属片で構成された
電気的コンタクトであシ、装置へのカートリッジ装着時
に接続される。ディレクトリ情報１０１の書き込み、読
み出しの場合、ディレクトリリードライト制御部４は送
受信コンタクト部１０．１１を介して半導体メモリ部７
内のメモリインターフェース１２にメモリ制御信号１０
５を送出し、入出力データ１０６の送受信を行なう。メ
モリインターフェース１２では、受は取ったメモリ制御
信号１０７及び入出力データ１０８を、使用しているメ
モリ１３へのアドレス１０９．データ１１０．ライトイ
ネーブル信号１１１などに分離して、メモリ１３への書
き込み、読み出しを行なう。ここで装置側のコンタクト
とカートリッジ側のコンタクト間の入出力データ１１２
は、コンタクト数の制限からビットシリアルなデータ転
送が適当である。またメモリ制御信号１１３は、最低限
入出力データ１１２の方向を指定する入出力データ方向
線があれば半導体メモリのデータ記録再生が可能となる
。

光ディスクカートリッジ内のメモリ１３ば、例えばスタ
ティックＲＡＭ等のメモリであるが、この場合ＲＡＭの
内容が消えないようにするため、バックアップ電源１４
が必要となる。しかし電気的に消去可能なＥ　Ｅ　Ｐ　
ＲＯＭを使用し、カートリッジ装着時のみ装置側から電
源を供給すればバックアップ電源１４を必要としないこ
とも可能である。

ただし、コンタクト部では装置側からの給電ラインが必
要となる。またバックアップ電源を持つ場合、カートリ
ッジ装着を表わす信号を半導体メモリのチップセレクト
信号とすることにより、カートリッジが装着されていな
い時にはメモリを低電流のスタンバイモードに設定でき
る。

第２図に本発明における光ディスクカートリッジの一実
施例を示す。第２図（ａ）はディスク保護用のシャッタ
ー１５が閉じているところを示し、第２図（′ｂ）は光
ディスクカートリッジが装置に装着されてシャッター１
６が開いているところを示している。また第２図（Ｃ）
は第２図（ト））の上面図である。

１６はカートリッジ内のディスクをクランプするための
センタ穴、１７は光学ヘッドが移動できるスペース穴で
ある。１８は半導体メモリの電気的コンタクト部を示し
、装置への装着時以外はシャッター１５で保護されてい
る。メモリ１３、バックアップ電源１４等の半導体メモ
リ部７は、第２図（Ｃ）の点線で示すようにカートリッ
ジ内の空きスペース１９に収納される。電気的コンタク
ト１８は第２図伽）に示すようにディスク装着時シャッ
ターが開いた時のみ表面に出て、装着時以外はシャッタ
ーで保護されている。記録再生装置では装置側のコンタ
クト部が、カートリッジ装着時にカートリッジのコンタ
クト部と接点を持つような構造としておく。

また本実施例においては、電気的コンタクトを介してデ
ィレクトリ情報を送受信する形態について説明したが、
送受信手段がホトカプラ等を用いた光学的手段、あるい
は磁気ヘッド等を用いた磁気的手段であっても本発明の
主旨からはずれるものでないことは言うまでもない。

発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、光ディスクカート
リッジに内蔵された不揮発機能を有するメモリに書き換
えを必要とするディレクトリなどの管理情報を記録して
おくことによって、ディレフトリ領域の書き換えと大容
量の追記型光ディスクとにより消去ディスクかのように
機能し、ディレクトリ検索のためのアクセス時間の短縮
が可能となる。

また、ディレクトリの書き換えが頻繁に行なわれる場合
、ディレクトリ情報を追記型光ディスクに対して１セク
タ１デイレクトリという書き込み方法をとる場合よりも
ディスクの使用効率が非常に良くその実用的効果は大き
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明における光ディスク記録再生装置及び光
ディスクカートリッジのブロック図、第２図は光ディス
クカートリッジの外形図である。 １５・・・・・・シャッター、１６・・・・・・センタ
穴、１７・・・・・・スペース穴、１８・・・・・・コ
ンタクト部、１００・・・・・・コマンド、１０１・・
・・・・ディレクトリ情報、１ｏ２・・・・・・データ
情報、１０３，１０４・・・・・・リードライト指令信
号、１０５，１０７，１１３・・・・・・メモリ制御信
号、１０６　、１０８　、１１２・・・・・・入出力デ
ータ、１０９・・・・・・アドレス、１１０・・川・デ
ータ、１１１・・・・・・ライトイネーブル信号。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）光ディスクを収納するカートリッジ内に半導体メ
   モリを内蔵すると共に、カートリッジ表面に前記半導体
   メモリとデータ送受信を行なうためのコンタクト部を設
   けたことを特徴とする光ディスクカートリッジ。
2. （２）カートリッジ内に内蔵した半導体メモリは不揮発
   性機能を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の光ディスクカートリッジ。
3. （３）半導体メモリのコンタクト部は少なくともデータ
   入出力線、データ入出力方向線を有しビットシリアルで
   データが記録再生されることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の光ディスクカートリッジ。
4. （４）半導体メモリのコンタクト部は、電気的または磁
   気的または光学的コンタクトで形成されることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の光ディスクカートリッ
   ジ。
5. （５）半導体メモリのコンタクト部は、カートリッジ装
   着時以外はシャッターで保護されていることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の光ディスクカートリッジ
   。
6. （６）半導体メモリのチップセレクト信号は、カートリ
   ッジ装着を示す信号としたことを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の光ディスカートリッジ。
7. （７）光ディスクにデータを記録再生する手段と、前記
   光ディスクを収納するカートリッジ内に設けられた半導
   体メモリにデータを記録再生する手段とを有することを
   特徴とする光ディスク記録再生装置。
8. （８）半導体メモリに給電する手段を有することを特徴
   とする特許請求の範囲第７項記載の光ディスク記録再生
   装置。
9. （９）半導体メモリに対しビットシリアルでデータを記
   録再生することを特徴とする特許請求の範囲第７項記載
   の光ディスク記録再生装置。