JPS63215009A - 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物Info
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- JPS63215009A JPS63215009A JP62049239A JP4923987A JPS63215009A JP S63215009 A JPS63215009 A JP S63215009A JP 62049239 A JP62049239 A JP 62049239A JP 4923987 A JP4923987 A JP 4923987A JP S63215009 A JPS63215009 A JP S63215009A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気機器、電子機器で発生する異常高電圧、ノ
イズ、静電気から半導体及び回路を保護するためのコン
デンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依存性非直線抵
抗体磁器組成物に関するものである。
イズ、静電気から半導体及び回路を保護するためのコン
デンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依存性非直線抵
抗体磁器組成物に関するものである。
従来の技術
従来、各種電気機器、電子機器における異常高電圧の吸
収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電圧
依存性非直線抵抗特性を有するSiCバリスタや、Zn
O系バリスタなどが使用されていた。このようなバリス
タの電圧−電流特性は近似的に次式のように表すことが
できる。
収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電圧
依存性非直線抵抗特性を有するSiCバリスタや、Zn
O系バリスタなどが使用されていた。このようなバリス
タの電圧−電流特性は近似的に次式のように表すことが
できる。
I=(V/C)a
ここで、■は電流、■は電圧、Cはバリスタ固有の定数
、αは電圧非直線指数である。
、αは電圧非直線指数である。
SiCバリスタのαは2〜7程度、2nO系バリスタで
はαが50にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く、固有の静電容量が小さいため、バリス
タ電圧以下の比較的低い電圧の吸収に対してはほとんど
効果を示さず、また誘電損失tanδが5〜10%と大
きい。
はαが50にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く、固有の静電容量が小さいため、バリス
タ電圧以下の比較的低い電圧の吸収に対してはほとんど
効果を示さず、また誘電損失tanδが5〜10%と大
きい。
一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見かけの
誘電率が5 X 10’程度で、tanδが1%前後の
半導体コンデンサが利用されている。しがし、このよう
な半導体コンデンサはサージなどによりある限度以上の
電圧または電流が印加されると、破壊したりしてコンデ
ンサとしての機能を果たさなくなったりする。
誘電率が5 X 10’程度で、tanδが1%前後の
半導体コンデンサが利用されている。しがし、このよう
な半導体コンデンサはサージなどによりある限度以上の
電圧または電流が印加されると、破壊したりしてコンデ
ンサとしての機能を果たさなくなったりする。
そこで最近になって、5rTiOsを主成分とし、バリ
スフ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが
開発され、マイクロコンピュータなどの電子機器におけ
るIC,LSIなどの半導体素子の保護に使用されてい
る。
スフ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが
開発され、マイクロコンピュータなどの電子機器におけ
るIC,LSIなどの半導体素子の保護に使用されてい
る。
発明が解決しようとする問題点
上記の5rTi03を主成分とするバリスタはZnO系
バリスタに比べ誘電率が約10倍と大きいが、電圧非直
線指数(α)やサージ耐量が小さく、粒内抵抗が高いた
め、高周波のノイズなどを十分に吸収できないといった
欠点を有していた。
バリスタに比べ誘電率が約10倍と大きいが、電圧非直
線指数(α)やサージ耐量が小さく、粒内抵抗が高いた
め、高周波のノイズなどを十分に吸収できないといった
欠点を有していた。
そこで本発明では、誘電率が太き(αが大きいと共に、
サージ耐量が大きぐ、粒内抵抗が低い電圧依存性非直線
抵抗体磁器組成物を提供することを目的とする。
サージ耐量が大きぐ、粒内抵抗が低い電圧依存性非直線
抵抗体磁器組成物を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
上記の問題点を解決するために本発明では、5rTi0
3. CaxSr+−xTiO2(0,001≦X≦0
.5)。
3. CaxSr+−xTiO2(0,001≦X≦0
.5)。
BaySr+−yTi03(0,001≦y≦0.5)
。
。
MgzSr+−zT!03(0,001≦2≦0.5)
(以下第一成分と呼ぶ)のうち少な(とも1種類以上を
90,000=99.9981o1*、 Nb2O5,
Ta205. WO3゜DI/2031 Y2O3,
Lat03. CeO2,51203,Pr5O目
。
(以下第一成分と呼ぶ)のうち少な(とも1種類以上を
90,000=99.9981o1*、 Nb2O5,
Ta205. WO3゜DI/2031 Y2O3,
Lat03. CeO2,51203,Pr5O目
。
Nd203(以下第二成分と呼ぶ)のうち少なくとも1
種類以上を0.001−5.000so1g、 VN
(以下第三成分と呼ぶ)を0.001=5.000so
l$含有してなるか、または第一成分を80.0OL9
9.997molJ、第二成分を0.001−5.00
0mo1*、第三成分を0.0OL=5.000mo目
、Al2O3,5b203. Bad、 Bed、 P
bO,B2O3,CeO2゜Cr2O5,Fe2O*、
CdO,KtO,Cab、 Co2O3,CuO+C
utOr Ll 201 KgOp Mn022M0O
3r Na2Or N tO+nh2o3.5e02.
Aggo、 5102. StC,SrO,T12O
−ThOx 、 Ti1t 、 V2O5、BixOs
、 WOs、ZnO、ZrO2,5nOz(以下第四
成分と呼ぶ)のうち少な(とも1種類以上を0.001
〜10.000s+ol零含有してなる電圧依存性非直
線抵抗体磁器組成物を得ることにより、問題を解決しよ
うとするものである。
種類以上を0.001−5.000so1g、 VN
(以下第三成分と呼ぶ)を0.001=5.000so
l$含有してなるか、または第一成分を80.0OL9
9.997molJ、第二成分を0.001−5.00
0mo1*、第三成分を0.0OL=5.000mo目
、Al2O3,5b203. Bad、 Bed、 P
bO,B2O3,CeO2゜Cr2O5,Fe2O*、
CdO,KtO,Cab、 Co2O3,CuO+C
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3r Na2Or N tO+nh2o3.5e02.
Aggo、 5102. StC,SrO,T12O
−ThOx 、 Ti1t 、 V2O5、BixOs
、 WOs、ZnO、ZrO2,5nOz(以下第四
成分と呼ぶ)のうち少な(とも1種類以上を0.001
〜10.000s+ol零含有してなる電圧依存性非直
線抵抗体磁器組成物を得ることにより、問題を解決しよ
うとするものである。
作用
上記発明において第一成分は主成分であり、第二成分は
主に半導体化を促進する金属酸化物である。また、第三
成分は誘電率及び粒内抵抗の改善に寄与するものであり
、第四成分は誘電率、α。
主に半導体化を促進する金属酸化物である。また、第三
成分は誘電率及び粒内抵抗の改善に寄与するものであり
、第四成分は誘電率、α。
サージ耐量の改善に寄与する。特に、第三成分は素子全
体に均一に分散し、添加時点では窒化物であるが、還元
焼成後に空気中で熱処理することにより酸化物に変わり
、電子を放出する反応がおこる。すなわち、粒界部分で
は拡散してきた多量の酸素により酸化物が形成され、放
出された電子は酸素イオンに捕獲され粒界は絶縁化され
る。一方、粒子内部は酸素の拡散が起こりにくいため大
部分のVNが窒化物のままで存在し、仮に粒子内部まで
酸素が拡散してきても原子価が変わることによって電子
を放出するため、酸化による高抵抗化を抑制する作用を
する。このため粒子内部を低抵抗にすることができる。
体に均一に分散し、添加時点では窒化物であるが、還元
焼成後に空気中で熱処理することにより酸化物に変わり
、電子を放出する反応がおこる。すなわち、粒界部分で
は拡散してきた多量の酸素により酸化物が形成され、放
出された電子は酸素イオンに捕獲され粒界は絶縁化され
る。一方、粒子内部は酸素の拡散が起こりにくいため大
部分のVNが窒化物のままで存在し、仮に粒子内部まで
酸素が拡散してきても原子価が変わることによって電子
を放出するため、酸化による高抵抗化を抑制する作用を
する。このため粒子内部を低抵抗にすることができる。
実施例
以下に本発明の実施例を上げて具体的に説明する。
まず、SrCO3,CaCO5、BaCO3,MgC(
h * TiO2を下記の第1表の組成比になるように
秤量し、ボールミルなどで40時間混合し、乾燥した後
、1000℃で15時間仮焼する。こうして得られた仮
焼物にZrNと添加物を下記の第1表の組成比になるよ
うに秤量し、ボールミルなどで24時間混合し、乾燥し
た後、ポリビニルアルコールなどのバインダーを10w
tネ添加して造粒した後、1(t/cj)のプレス圧力
で10φXlt(w+m)の円板状に成形する。その後
、空気中で1100℃、1時間仮焼脱バインダーを行っ
た後、N2: H2=9 : 1の混合ガス中で152
0℃、3時間焼成する。さらに、空気中で1100℃、
12時間焼成し、このようにして得られた第1図、第2
図に示す焼結体1の両手面に外周を残すようにしてAg
などの導電性ペーストをスクリーン印刷などにより塗布
し、600℃、5分間焼成し、電極2,3を形成する。
h * TiO2を下記の第1表の組成比になるように
秤量し、ボールミルなどで40時間混合し、乾燥した後
、1000℃で15時間仮焼する。こうして得られた仮
焼物にZrNと添加物を下記の第1表の組成比になるよ
うに秤量し、ボールミルなどで24時間混合し、乾燥し
た後、ポリビニルアルコールなどのバインダーを10w
tネ添加して造粒した後、1(t/cj)のプレス圧力
で10φXlt(w+m)の円板状に成形する。その後
、空気中で1100℃、1時間仮焼脱バインダーを行っ
た後、N2: H2=9 : 1の混合ガス中で152
0℃、3時間焼成する。さらに、空気中で1100℃、
12時間焼成し、このようにして得られた第1図、第2
図に示す焼結体1の両手面に外周を残すようにしてAg
などの導電性ペーストをスクリーン印刷などにより塗布
し、600℃、5分間焼成し、電極2,3を形成する。
次に、半田などによりリード線(図示せず)を取付け、
エポキシなどの樹脂(図示せず)を塗装す渇。このよう
にして得られた素子の特性を以下の第2表に示す。なお
、誘電率はIKHzでの静電容量から計算したものであ
り、粒内抵抗(ESR)は共振周波数でのインピーダン
スにより評価し、αは a = 1 / Log (V l0IIA/ V I
ImA )(ただし、V IOmA 、V 1mAは1
0+aA、 1mAの電流をそれぞれ流した時に素子の
両端にかかる電圧である。)で評価した。また、サージ
耐量はパルス性の電流を印加した後のVlmAの変化が
±10零以内である時の最大のパルス性電流値により評
価している。
エポキシなどの樹脂(図示せず)を塗装す渇。このよう
にして得られた素子の特性を以下の第2表に示す。なお
、誘電率はIKHzでの静電容量から計算したものであ
り、粒内抵抗(ESR)は共振周波数でのインピーダン
スにより評価し、αは a = 1 / Log (V l0IIA/ V I
ImA )(ただし、V IOmA 、V 1mAは1
0+aA、 1mAの電流をそれぞれ流した時に素子の
両端にかかる電圧である。)で評価した。また、サージ
耐量はパルス性の電流を印加した後のVlmAの変化が
±10零以内である時の最大のパルス性電流値により評
価している。
(以 下 余 白 )
また、第一成分の5rTi(h。
CaxSr+−xTiO2(0,001≦X≦0.5)
。
。
BaySr+−yTi03(0,001≦y≦0.5)
。
。
MgzSr+−xTiO3(0,001≦2≦06石)
のx、y、zの範囲を規定したのは、o、ooi未満で
は効果を示さず、0.5を越えると粒成長及び半導体化
が抑制され特性が劣化するためである。また、第二成分
は0.001mo1g未満では効果を示さず、5.00
0mo1gを越えると粒界に偏析して粒界の高抵抗化を
抑制し、粒界に第二相を形成するため特性が劣化するも
のである。さらに、第三成分は0.001soH未満で
は効果を示さず、5.000moHを越えると粒界に第
二相を形成するため特性が劣化するものである。そして
、第四成分は0.001mol*未満では効果を示さず
、5.000mol$を越えると粒界に第二相を形成し
粒成長が抑制され、粒界の抵抗は高くなるが粒界の幅が
厚くなるため、静電容量が小さくなり、バリスタ電圧が
高くなり、サージに対して弱くなることによる。
のx、y、zの範囲を規定したのは、o、ooi未満で
は効果を示さず、0.5を越えると粒成長及び半導体化
が抑制され特性が劣化するためである。また、第二成分
は0.001mo1g未満では効果を示さず、5.00
0mo1gを越えると粒界に偏析して粒界の高抵抗化を
抑制し、粒界に第二相を形成するため特性が劣化するも
のである。さらに、第三成分は0.001soH未満で
は効果を示さず、5.000moHを越えると粒界に第
二相を形成するため特性が劣化するものである。そして
、第四成分は0.001mol*未満では効果を示さず
、5.000mol$を越えると粒界に第二相を形成し
粒成長が抑制され、粒界の抵抗は高くなるが粒界の幅が
厚くなるため、静電容量が小さくなり、バリスタ電圧が
高くなり、サージに対して弱くなることによる。
なお、本実施例では一部の添加物の組み合わせについて
のみ示したが、その他の添加物の組み合わせについても
同様の効果があることを確認した。
のみ示したが、その他の添加物の組み合わせについても
同様の効果があることを確認した。
発明の効果
以上に示したように本発明によれば、誘電率。
αが大きく、粒内抵抗が小さいため、サージ電流が印加
された後の発熱が少ないため、素子の劣化が小さく、サ
ージ耐量が太き(なるという効果が得られる。
された後の発熱が少ないため、素子の劣化が小さく、サ
ージ耐量が太き(なるという効果が得られる。
第1図は本発明による素子を示す上面図、第2図は本発
明による素子の断面図である。 1・・・・・・焼結体、2,3・・・・・・電極。
明による素子の断面図である。 1・・・・・・焼結体、2,3・・・・・・電極。
Claims (2)
- (1)SrTiO_3、Ca_xSr_1_−_xTi
O_3(0.001≦x≦0.5)、Ba_ySr_1
_−_yTiO_3(0.001≦y≦0.5)、Mg
_zSr_1_−_zTiO_3(0.001≦z≦0
.5)のうち少なくとも1種類以上を90.000〜9
9.998mol%、Nb_2O_5、Ta_2O_5
、WO_3、Dy_2O_3、Y_2O_3、La_2
O_3、CeO_2、Sm_2O_3、Pr_6O_1
_1、Nd_2O_3のうち少なくとも1種類以上を0
.001〜5.000mol%、VNを0.001〜5
.000mol%含有してなる電圧依存性非直線抵抗体
磁器組成物。 - (2)SrTiO_3、Ca_xSr_1_−_xTi
O_3(0.001≦x≦0.5)、Ba_ySr_1
_−_yTiO_3(0.001≦y≦0.5)、Mg
_zSr_1_−_zTiO_3(0.001≦z≦0
.5)のうち少なくとも1種類以上を80.000〜9
9.997mol%、Nb_2O_5、Ta_2O_5
、WO_3、Dy_2O_3、Y_2O_3、La_2
O_3、CeO_2、Sm_2O_3、Pr_6O_1
_1、Nd_2O_3のうち少なくとも1種類以上を0
.001〜5.000mol%、VNを0.001〜5
.000mol%、Al_2O_3、Sb_2O_3、
BaO、BeO、PbO、B_2O_3、CeO_2、
Cr_2O_3、Fe_2O_3、CdO、K_2O、
CaO、Co_2O_3、CuO、Cu_2O、Li_
2O、MgO、MnO_2、MoO_3、Na_2O、
NiO、Rh_2O_3、SeO_2、Ag_2O、S
iO_2、SiC、SrO、Tl_2O、ThO_2、
TiO_2、V_2O_5、Bi_2O_3、WO_3
、ZnO、ZrO_2、SnO_2のうち少なくとも1
種類以上を0.001〜10.000mol%含有して
なる電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62049239A JPS63215009A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62049239A JPS63215009A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63215009A true JPS63215009A (ja) | 1988-09-07 |
Family
ID=12825322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62049239A Pending JPS63215009A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63215009A (ja) |
-
1987
- 1987-03-04 JP JP62049239A patent/JPS63215009A/ja active Pending
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