JPS63213382A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
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- JPS63213382A JPS63213382A JP62045172A JP4517287A JPS63213382A JP S63213382 A JPS63213382 A JP S63213382A JP 62045172 A JP62045172 A JP 62045172A JP 4517287 A JP4517287 A JP 4517287A JP S63213382 A JPS63213382 A JP S63213382A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C8/00—Non-adjustable resistors consisting of loose powdered or granular conducting, or powdered or granular semi-conducting material
- H01C8/02—Coherers or like imperfect resistors for detecting electromagnetic waves
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
- G01D5/145—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices influenced by the relative movement between the Hall device and magnetic fields
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、磁気エンコーダに好適な磁気抵抗素子に関
する。特に、磁気エンコーダの出力をアナログ的手法を
用いて高分解能化する際に要求される、回転に対して正
弦波状に変化する出力が、センサーの取りつけ位置やロ
ータマグネットの着磁パターンにかかわらず、安定して
得られる磁気抵抗素子に関する。
する。特に、磁気エンコーダの出力をアナログ的手法を
用いて高分解能化する際に要求される、回転に対して正
弦波状に変化する出力が、センサーの取りつけ位置やロ
ータマグネットの着磁パターンにかかわらず、安定して
得られる磁気抵抗素子に関する。
(従来の技術〕 、
従来用いられていた光学式エンコーダに代って、近年、
磁気エンコーダが多く用いられるようになった。これは
第4図に示すように、外周に多極着磁を施したマグネッ
トを有するロータ1と、固定側に設けられた磁気抵抗素
子2によって構成される。なお、3はケース、4はベア
リング、5はシャフト、6は信号処理回路等が搭載され
た基板を示す。
磁気エンコーダが多く用いられるようになった。これは
第4図に示すように、外周に多極着磁を施したマグネッ
トを有するロータ1と、固定側に設けられた磁気抵抗素
子2によって構成される。なお、3はケース、4はベア
リング、5はシャフト、6は信号処理回路等が搭載され
た基板を示す。
磁気抵抗素子2は、一般に第5図に示すように、同一基
板に4つの磁気抵抗体a l+a2.b Itb2を、
alとa2、およびす、とb2が互に逆位相になるよう
に、また、a、とす、が90°位相の異なる位置に設け
、alとC2の一端は共通端子C8に、また、b、とb
2は同じく共通端子C6接続し、各磁気抵抗体a++a
z、bl、b2の他端はそれぞれ端子Lal+ La2
+ Lb+、 Lb2に接続される。また、点線で示す
ものは検出対象、例えばロータ1であり、N極とS極が
交互に形成され、矢印方向に8勤するものとする。
板に4つの磁気抵抗体a l+a2.b Itb2を、
alとa2、およびす、とb2が互に逆位相になるよう
に、また、a、とす、が90°位相の異なる位置に設け
、alとC2の一端は共通端子C8に、また、b、とb
2は同じく共通端子C6接続し、各磁気抵抗体a++a
z、bl、b2の他端はそれぞれ端子Lal+ La2
+ Lb+、 Lb2に接続される。また、点線で示す
ものは検出対象、例えばロータ1であり、N極とS極が
交互に形成され、矢印方向に8勤するものとする。
第6図は第5図の磁気抵抗素子2を用いて二相の出力A
、Bを得る回路である。第6図において、OPI、O1
2は比較器であり、R1−R4は抵抗体、A、Bは出力
端子を表す。
、Bを得る回路である。第6図において、OPI、O1
2は比較器であり、R1−R4は抵抗体、A、Bは出力
端子を表す。
磁気エンコーダの分解能向上は、ロータ1のマグネット
の着磁ピッチおよび磁気抵抗素子2の磁気抵抗体aI
+ C2r 1) I * b 2のピッチをともに微
細化することにより行われるが、着磁ピッチを微細化す
ると、磁界の到達距離が減少し、ロータ1と磁気抵抗素
子を接近させる必要が生じる。これは使用部品や組立て
に高い精度が必要となるためコストの増大を招き、また
、振動や軸に加わる力によりロータ1と磁気抵抗素子2
が接触してエンコーダを破損する危険性を増す。
の着磁ピッチおよび磁気抵抗素子2の磁気抵抗体aI
+ C2r 1) I * b 2のピッチをともに微
細化することにより行われるが、着磁ピッチを微細化す
ると、磁界の到達距離が減少し、ロータ1と磁気抵抗素
子を接近させる必要が生じる。これは使用部品や組立て
に高い精度が必要となるためコストの増大を招き、また
、振動や軸に加わる力によりロータ1と磁気抵抗素子2
が接触してエンコーダを破損する危険性を増す。
ところで、シンクロ・レゾルバと呼ばれる位置センサで
は、三角関数の性質を利用して分解能を向上させる方法
が古くから知られている。同様の考え方は磁気エンコー
ダにも応用することが可能である。
は、三角関数の性質を利用して分解能を向上させる方法
が古くから知られている。同様の考え方は磁気エンコー
ダにも応用することが可能である。
第7図はこの手法を磁気エンコーダに応用した例を示す
ものである。この図で、11は発振器、12はカウンタ
、13はsin−ROM、14はcos−ROM、15
.16はDAコンバータ、17〜20は増幅器、21〜
24は可変抵抗器、a l + C2、b l * b
2は磁気抵抗体、25.26は抵抗体、27はゼロク
ロス点を検出するための比較器、28はDフリップフロ
ップである。
ものである。この図で、11は発振器、12はカウンタ
、13はsin−ROM、14はcos−ROM、15
.16はDAコンバータ、17〜20は増幅器、21〜
24は可変抵抗器、a l + C2、b l * b
2は磁気抵抗体、25.26は抵抗体、27はゼロク
ロス点を検出するための比較器、28はDフリップフロ
ップである。
その動作は、発振器11からパルスをカウンタ12が例
えば0〜255カウントし、そのカウント値に応じてs
in−ROM13.cos−ROM14のアドレスから
あらかじめ記憶しであるsin、cosに対応するディ
ジタル値を読み出し、これをDAコンバータ15.16
に入力してアナログ値に変換し、増幅器17.19では
そのまま増幅し、増幅器16.18では位相を反転して
増幅し、端子La、にはsinωt、端子La2には−
s i nωt、端子Lblにはcosωt、端子Lb
2には−cosωtに比例する交流電圧を印加し、中点
Ca、Cbの電位を加算するように構成されている。い
ま、alと82+1)l とb2に直流を印加した場合
、回転角θ(磁極1ピツチを2πとする電気角で表示す
る)に対して、中点C1の電位がcosθに比例し、中
点Cbの電圧がsinθに比例するものとすると、交流
電圧を印加した場合の中点電圧を加算して得られた信号
は、次式に示すように、印加電圧とθだけ位相のずれた
交流となる。
えば0〜255カウントし、そのカウント値に応じてs
in−ROM13.cos−ROM14のアドレスから
あらかじめ記憶しであるsin、cosに対応するディ
ジタル値を読み出し、これをDAコンバータ15.16
に入力してアナログ値に変換し、増幅器17.19では
そのまま増幅し、増幅器16.18では位相を反転して
増幅し、端子La、にはsinωt、端子La2には−
s i nωt、端子Lblにはcosωt、端子Lb
2には−cosωtに比例する交流電圧を印加し、中点
Ca、Cbの電位を加算するように構成されている。い
ま、alと82+1)l とb2に直流を印加した場合
、回転角θ(磁極1ピツチを2πとする電気角で表示す
る)に対して、中点C1の電位がcosθに比例し、中
点Cbの電圧がsinθに比例するものとすると、交流
電圧を印加した場合の中点電圧を加算して得られた信号
は、次式に示すように、印加電圧とθだけ位相のずれた
交流となる。
V=K(sinωを働 cosθ+C05(11t#s
in θ)−に番5in(ω を十〇) したがって、加算信号と印加信号の位相差を検出するこ
とで磁極1ピツチ以下の微細な回転角を検出することが
可能である。
in θ)−に番5in(ω を十〇) したがって、加算信号と印加信号の位相差を検出するこ
とで磁極1ピツチ以下の微細な回転角を検出することが
可能である。
ところで、上に示した式が正確に成り立つのは、磁気抵
抗素子2の抵抗が、回転角に対して、正弦波状に変化す
る場合のみに限られる。実際には、磁気抵抗素子2の両
端に直流を印加して中点の電圧を観察すると、磁気抵抗
素子2とロータ1の距離が接近している場合は、正弦波
から大きく歪み、磁気抵抗素子2とロータ1の距離を遠
ざけると、出力波形は正弦波に近づくが、出力電圧が低
下しノイズの影響を受けやすくなるという問題点がある
。
抗素子2の抵抗が、回転角に対して、正弦波状に変化す
る場合のみに限られる。実際には、磁気抵抗素子2の両
端に直流を印加して中点の電圧を観察すると、磁気抵抗
素子2とロータ1の距離が接近している場合は、正弦波
から大きく歪み、磁気抵抗素子2とロータ1の距離を遠
ざけると、出力波形は正弦波に近づくが、出力電圧が低
下しノイズの影響を受けやすくなるという問題点がある
。
この発明は上記の点にかんがみなされたもので、ロータ
と磁気抵抗素子の間隔をどのように設定しても、また、
ロータの発生磁界が正弦波から歪んでいても、ロータの
回転に対して正弦波状に抵抗が変化する磁気抵抗素子を
提供することを目的とする。
と磁気抵抗素子の間隔をどのように設定しても、また、
ロータの発生磁界が正弦波から歪んでいても、ロータの
回転に対して正弦波状に抵抗が変化する磁気抵抗素子を
提供することを目的とする。
この発明に係る磁気抵抗素子は、周期的に設けられた磁
極の変位を磁気抵抗体により検出する磁気抵抗素子であ
って、Jif1極に対する感度がg1極の変位方向に対
し磁極の一極幅の整数間に近似した分布幅を有し、少な
くとも1つのピーク値を有するように磁気抵抗体を配置
したものである。
極の変位を磁気抵抗体により検出する磁気抵抗素子であ
って、Jif1極に対する感度がg1極の変位方向に対
し磁極の一極幅の整数間に近似した分布幅を有し、少な
くとも1つのピーク値を有するように磁気抵抗体を配置
したものである。
(作用)
この発明においては、磁気抵抗素子の磁気感応部分に、
ロータ磁極の移動方向に関して分布を有しているため、
ロータの磁極と磁気抵抗素子との間隔やロータ磁極の磁
化分布にかかわらず、ロータ回転に伴なう出力電圧変化
が正弦波に近くなる。
ロータ磁極の移動方向に関して分布を有しているため、
ロータの磁極と磁気抵抗素子との間隔やロータ磁極の磁
化分布にかかわらず、ロータ回転に伴なう出力電圧変化
が正弦波に近くなる。
この発明の詳細な説明する前に、この発明の原理につい
て説明する。
て説明する。
基板上にロータの回転方向にとった座標に関する位置δ
にある磁気抵抗素子の抵抗変化ρは、ロータの回転角θ
とδの和の関数であり、かつ周期を2πとする周期関数
で表される。これは次のようにフーリエ展開される。
にある磁気抵抗素子の抵抗変化ρは、ロータの回転角θ
とδの和の関数であり、かつ周期を2πとする周期関数
で表される。これは次のようにフーリエ展開される。
ρ (δ十〇)=Σ (a K−cos に(δ十〇)
kl1 + b K ・sin k(δ+θ) )−(1
)磁気抵抗素子はδの0〜2πの範囲に亘って、頻度分
布が、式 %式%(2) で表される形状に置かれているものとする。素子全体の
抵抗変化は、これら第(1)式と第 (2)式の積を積
分することにより次のように与えられる。
kl1 + b K ・sin k(δ+θ) )−(1
)磁気抵抗素子はδの0〜2πの範囲に亘って、頻度分
布が、式 %式%(2) で表される形状に置かれているものとする。素子全体の
抵抗変化は、これら第(1)式と第 (2)式の積を積
分することにより次のように与えられる。
1″cp(δ+θ) ・wdδ−a ・kl:l 27
I(al・cosk(δOkilI O +θ)+bk−sink(δ+θ)) (1+cosδ
)dδこの積分は三角関数の性質により、k=1の項部
外は全て0となり、最終的に次式に変形される。
I(al・cosk(δOkilI O +θ)+bk−sink(δ+θ)) (1+cosδ
)dδこの積分は三角関数の性質により、k=1の項部
外は全て0となり、最終的に次式に変形される。
2π
1ρ(δ十〇)−wdδ−−7−sin(δ+ε)ただ
し、γとεはalおよびblによって定まる定数である
。これより、それぞれの位置δにおける磁気抵抗素子の
抵抗変化が、いかに歪んだ波形を示しても、上記した感
応部分の配置を用いれば、常に正弦波出力を得ることが
できる。そして、一般には第(2)式は W=α+β・cosδ (αは任意の実数、βは0でな
い実数) で表すことができ、この発明は、α≧βの場合に常に成
立する。
し、γとεはalおよびblによって定まる定数である
。これより、それぞれの位置δにおける磁気抵抗素子の
抵抗変化が、いかに歪んだ波形を示しても、上記した感
応部分の配置を用いれば、常に正弦波出力を得ることが
できる。そして、一般には第(2)式は W=α+β・cosδ (αは任意の実数、βは0でな
い実数) で表すことができ、この発明は、α≧βの場合に常に成
立する。
次にこの発明の磁気抵抗素子の実施例について述べる。
第1図はこの発明の一実施例を示すもので、C0は共通
端子、Llll+ La2+ Ll+II Lb2は端
子であり、a l t 82 + 1) I + t)
2は分布をもたせた磁気抵抗体である。この第1図の
パターンは基本形を示している。
端子、Llll+ La2+ Ll+II Lb2は端
子であり、a l t 82 + 1) I + t)
2は分布をもたせた磁気抵抗体である。この第1図の
パターンは基本形を示している。
磁気抵抗素子2は前述した第5図に示すようにガラス等
の絶縁体基板上に強磁性体または半導体薄膜を設け、エ
ツチング等の手段により所定のパターンを残すことによ
って製造される。パターンとしては、第5図のように、
対向磁極に対応した磁気抵抗体a l t 82 +
1) I + 1) 2を位相をずらして2ないし8本
設けるのが一般的である。寸法の一例を示すと、膜厚数
百人、線幅10μm前後、磁極幅百μm乃至数百μm程
度となる。
の絶縁体基板上に強磁性体または半導体薄膜を設け、エ
ツチング等の手段により所定のパターンを残すことによ
って製造される。パターンとしては、第5図のように、
対向磁極に対応した磁気抵抗体a l t 82 +
1) I + 1) 2を位相をずらして2ないし8本
設けるのが一般的である。寸法の一例を示すと、膜厚数
百人、線幅10μm前後、磁極幅百μm乃至数百μm程
度となる。
従来の磁気抵抗素子は、上記第5図に示したように、N
極とS極の磁極境界線に平行、すなわち、一つの磁気抵
抗体は単一の電気角の部分に置かれる。これに対し、こ
の発明になる磁気抵抗素子2は、第1図に示すように、
磁気境界線に対して傾きをもって、すなわち、電気角に
関して広がりをもって設置される。このように分布幅を
もたせることにより、出力波形の高次成分を抑制し、基
本波成分のみを効率良く取り出すことができる。
極とS極の磁極境界線に平行、すなわち、一つの磁気抵
抗体は単一の電気角の部分に置かれる。これに対し、こ
の発明になる磁気抵抗素子2は、第1図に示すように、
磁気境界線に対して傾きをもって、すなわち、電気角に
関して広がりをもって設置される。このように分布幅を
もたせることにより、出力波形の高次成分を抑制し、基
本波成分のみを効率良く取り出すことができる。
次に、目的とする磁気感応部分の分布と、磁気抵抗素子
2の各磁気抵抗体a l t 82 + ’) 1 *
1) 2の軌跡(形状)との関係について説明する。
2の各磁気抵抗体a l t 82 + ’) 1 *
1) 2の軌跡(形状)との関係について説明する。
磁気抵抗素子2の面内にロータ回転方向に座標軸δ、お
よびδ、と直交する方向に座標軸Zをとる。磁気抵抗素
子2の抵抗変化は飽和しない範囲で電流の方向に直交す
る磁界の大きさに比例し、面に平行な磁界はδ方向のみ
であるため、磁気抵抗体aI + C2* bI +
b 2の微小経路dj2とZ軸のなす角をψとすれば、
微小経路d℃における抵抗変化はdJ!−cosψに比
例することになる。微小経路をdλの2方向の長さをd
z、δ方向の長さをdδとすると、d 1 = d z
/ c o sψの関係により、dδにおける抵抗変
化はdzに比例する。
よびδ、と直交する方向に座標軸Zをとる。磁気抵抗素
子2の抵抗変化は飽和しない範囲で電流の方向に直交す
る磁界の大きさに比例し、面に平行な磁界はδ方向のみ
であるため、磁気抵抗体aI + C2* bI +
b 2の微小経路dj2とZ軸のなす角をψとすれば、
微小経路d℃における抵抗変化はdJ!−cosψに比
例することになる。微小経路をdλの2方向の長さをd
z、δ方向の長さをdδとすると、d 1 = d z
/ c o sψの関係により、dδにおける抵抗変
化はdzに比例する。
従って、δにおける磁気感応部分の量は、dz/dδに
比例するとみなすことができる。
比例するとみなすことができる。
磁気抵抗体の軌跡を開数f(δ)で表す。位置δにおけ
る磁気感応部分の量の条件により、この関数は次式を満
足する必要がある。
る磁気感応部分の量の条件により、この関数は次式を満
足する必要がある。
df(δ)/dδ;γ・(α+β・cosδ)ただし、
γは比例定数である。これは積分により簡単に解けて、
次式を得る。
γは比例定数である。これは積分により簡単に解けて、
次式を得る。
f(δ)−γ・(α・δ+β・sinδ)十〇ここで、
Cは任意の定数である。実際の素子を考える場合、Z方
向のスケールと原点の位置は任意であるから、これらの
自由度を認めて式を簡略化すれば次のようになる。
Cは任意の定数である。実際の素子を考える場合、Z方
向のスケールと原点の位置は任意であるから、これらの
自由度を認めて式を簡略化すれば次のようになる。
f(δ)−α・δ+β・sinδ
さらに、注目されるのが磁気感応部分のδに対応する「
量」であって「2方向の位置」ではないことから、素線
軌跡は任意の位置で折り返すことができる。また、わず
かに位相の異なる二つの正弦波を合成すると中間の位相
をもつ正弦波となる。
量」であって「2方向の位置」ではないことから、素線
軌跡は任意の位置で折り返すことができる。また、わず
かに位相の異なる二つの正弦波を合成すると中間の位相
をもつ正弦波となる。
これらの性質を利用して、少ない面積に、位相関係を異
にするいくつかの磁気抵抗素線を配置したり、引出し線
を取りやすい形状にパターンをまとめることができる。
にするいくつかの磁気抵抗素線を配置したり、引出し線
を取りやすい形状にパターンをまとめることができる。
このようにして構成した磁気抵抗素子の他のパターン列
を第2図(a)、(b)に示した。
を第2図(a)、(b)に示した。
第2図(a)は引出し線を一方にまとめた例で、第1図
の基本形における磁気抵抗体al + a2 。
の基本形における磁気抵抗体al + a2 。
b、、b、を折返した形のものである。
第2図(b)は各磁気抵抗体a I + a 2 、b
I + b 2のそれぞれを磁界変化によって発生す
る起電力が打消されるように2個直列に接続したパター
ンの例である。
I + b 2のそれぞれを磁界変化によって発生す
る起電力が打消されるように2個直列に接続したパター
ンの例である。
感度分布は、また、磁気抵抗体a1〜b2の長さを調整
することによフて設けることもできる。
することによフて設けることもできる。
第3図はこのようにして得た磁気抵抗素子2の一例で、
磁気抵抗体a1〜b2の長さ1が回転角δに対して、a
=α+βCOSδの関係を満足するよう磁気抵抗体a1
〜b2が配設されている。この方法は着磁ピッチが磁気
抵抗体の幅に対して大きい場合には、前述の方法に比べ
て磁気抵抗体を多く設けることができ、感度面で有利で
ある。
磁気抵抗体a1〜b2の長さ1が回転角δに対して、a
=α+βCOSδの関係を満足するよう磁気抵抗体a1
〜b2が配設されている。この方法は着磁ピッチが磁気
抵抗体の幅に対して大きい場合には、前述の方法に比べ
て磁気抵抗体を多く設けることができ、感度面で有利で
ある。
この発明による磁気抵抗素子2はロータ(第4図、第5
図参照)の磁化パターンや、磁気抵抗素子2とロータの
間隔によって出力波形が変化することなく常に正弦波が
出力されるので、第6図に示したような高い分解能が得
られる多重てい倍型磁気エンコーダ等に好適である。
図参照)の磁化パターンや、磁気抵抗素子2とロータの
間隔によって出力波形が変化することなく常に正弦波が
出力されるので、第6図に示したような高い分解能が得
られる多重てい倍型磁気エンコーダ等に好適である。
以上詳細に説明したように、この発明によれば、磁気抵
抗体の磁気感応部分にロータ磁極の8動方向の分布を持
たせるようにしたので、磁気抵抗素子とロータとの間隔
や、ロータの磁化パターンによらず、ロータの回転に伴
なって正弦波状に出力信号が変化する磁気抵抗素子を得
ることができる。これはアナログ的手法を利用した分解
能向上を行う際に特に好適であり、少ない費用で、分解
能、精度が良好で堅牢な位置センサーを得ることができ
る利点がある。
抗体の磁気感応部分にロータ磁極の8動方向の分布を持
たせるようにしたので、磁気抵抗素子とロータとの間隔
や、ロータの磁化パターンによらず、ロータの回転に伴
なって正弦波状に出力信号が変化する磁気抵抗素子を得
ることができる。これはアナログ的手法を利用した分解
能向上を行う際に特に好適であり、少ない費用で、分解
能、精度が良好で堅牢な位置センサーを得ることができ
る利点がある。
第1図はこの発明の一実施例を示す平面図、第2図(a
)、(b)はこの発明の他の実施例をそれぞれ示す平面
図、第3図はこの発明のさらに他の実施例を示す平面図
、第4図は従来の磁気エンコーダを示す断面略図、第5
図は従来用いられている磁気抵抗素子の平面図、第6図
は従来の多重てい倍型磁気エンコーダに用いられている
多重てい倍型回路のブロック図、第7図は第6図の回路
を用いて構成した磁気エンコーダの回路図である。 図中、a l t 82 + 1) + + 1) 2
は磁気抵抗体、Lj a I +Lal L+b1.
Lb2は端子、Co 、 Ca 、 Cbは共通端子で
ある。 第1図 第2図 (a) Ca、Cb: n通簿子 Co共通端子 第4図 第5図 第6図
)、(b)はこの発明の他の実施例をそれぞれ示す平面
図、第3図はこの発明のさらに他の実施例を示す平面図
、第4図は従来の磁気エンコーダを示す断面略図、第5
図は従来用いられている磁気抵抗素子の平面図、第6図
は従来の多重てい倍型磁気エンコーダに用いられている
多重てい倍型回路のブロック図、第7図は第6図の回路
を用いて構成した磁気エンコーダの回路図である。 図中、a l t 82 + 1) + + 1) 2
は磁気抵抗体、Lj a I +Lal L+b1.
Lb2は端子、Co 、 Ca 、 Cbは共通端子で
ある。 第1図 第2図 (a) Ca、Cb: n通簿子 Co共通端子 第4図 第5図 第6図
Claims (2)
- (1)周期的に設けられた磁極の変位を磁気抵抗体によ
り検出する磁気抵抗素子であって、前記磁極に対する感
度が磁極の変位方向に対し前記磁極の一極幅の整数倍に
近似した分布幅を有し、少なくとも1つのピーク値を有
するように前記磁気抵抗体を配置したことを特徴とする
磁気抵抗素子。 - (2)磁気抵抗体は、磁極の変位方向に対して下記の式
を満足するように設けられていることを特徴とする特許
請求の範囲第(1)項記載の磁気抵抗素子。 w=α+β・cosδ ただし、αは任意の実数、βは0でない実数、δは磁極
の移動方向にとった座標であり、磁場の大きさの一周期
の変化に対応する変位を2πとする。
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US07/160,190 US4843365A (en) | 1987-03-02 | 1988-02-25 | Magnetoresistance element |
KR1019880002056A KR960000909B1 (ko) | 1987-03-02 | 1988-02-27 | 자기 저항 소자 |
DE8888301785T DE3866743D1 (de) | 1987-03-02 | 1988-03-01 | Anordnung mit magnetfeldempfindlichem widerstand. |
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- 1987-03-02 JP JP62045172A patent/JP2556851B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1988
- 1988-02-25 US US07/160,190 patent/US4843365A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-02-27 KR KR1019880002056A patent/KR960000909B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-03-01 EP EP88301785A patent/EP0283163B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-01 DE DE8888301785T patent/DE3866743D1/de not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2556851B2 (ja) | 1996-11-27 |
EP0283163B1 (en) | 1991-12-11 |
KR960000909B1 (ko) | 1996-01-15 |
US4843365A (en) | 1989-06-27 |
EP0283163A1 (en) | 1988-09-21 |
KR880011834A (ko) | 1988-10-31 |
DE3866743D1 (de) | 1992-01-23 |
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