JPS63212061A - 純チタンインゴツトの製造方法 - Google Patents
純チタンインゴツトの製造方法Info
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- JPS63212061A JPS63212061A JP4405787A JP4405787A JPS63212061A JP S63212061 A JPS63212061 A JP S63212061A JP 4405787 A JP4405787 A JP 4405787A JP 4405787 A JP4405787 A JP 4405787A JP S63212061 A JPS63212061 A JP S63212061A
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Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、スパッタリングターゲット材料や着蒸材料
など電子材料として使用される高純度の純チタンインゴ
ットの製造方法に関するものである。
など電子材料として使用される高純度の純チタンインゴ
ットの製造方法に関するものである。
純チタンインゴットは、従来、スポンジチタンをコンパ
クトしてチタンの一次電極を作製し、作製された一次電
極を消耗電極式真空アーク溶解してチタンの一次インゴ
ットを製造し、製造された一次インゴットを複数個溶接
してチタンの二次電極を作製し、再び作製された二次電
極を消耗電極式真空アーク溶解してチタンの二次インゴ
ットを製造し、二次インゴットとして得ているのが一般
的である（以下消耗電極式真空アーク溶解法と称す）。
クトしてチタンの一次電極を作製し、作製された一次電
極を消耗電極式真空アーク溶解してチタンの一次インゴ
ットを製造し、製造された一次インゴットを複数個溶接
してチタンの二次電極を作製し、再び作製された二次電
極を消耗電極式真空アーク溶解してチタンの二次インゴ
ットを製造し、二次インゴットとして得ているのが一般
的である（以下消耗電極式真空アーク溶解法と称す）。
純チタンインゴットの製造方法としては、その他に電極
を用いた電子ビーム溶解法があるが、この場合には、溶
解熱源に電子ビームを使用する点が異なるだけで、上記
と同様に、スポンジチタンをコンパクトして電極を作製
し、純チタンインゴットを製造する。
を用いた電子ビーム溶解法があるが、この場合には、溶
解熱源に電子ビームを使用する点が異なるだけで、上記
と同様に、スポンジチタンをコンパクトして電極を作製
し、純チタンインゴットを製造する。
最近では、純チタンスクラップやチタン合金スクラップ
を溶解でき、且つその溶解が高能率な溶解法として、ハ
ース型の電子ビーム溶解法やプラズマビーム溶解法が採
用され始めており、純チタンインゴットの高能率な製造
方法として発展しつつある（例えば、” Ｔｉｔａｎｉ
ｕｍ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｎ。
を溶解でき、且つその溶解が高能率な溶解法として、ハ
ース型の電子ビーム溶解法やプラズマビーム溶解法が採
用され始めており、純チタンインゴットの高能率な製造
方法として発展しつつある（例えば、” Ｔｉｔａｎｉ
ｕｍ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｎ。
１９８５ 、 Ｔｉｔａｎｉｕｍ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅ
ｎｔ Ａｓ５ｏｃｉａｔｉｏｎ 、 Ｐ２５）。 しか
し、電子材料として使用される高純度の純チタンインゴ
ットの製造を対象とした電子ビーム溶解法に関しては、
既存の公知の技術および方法は皆無である。
ｎｔ Ａｓ５ｏｃｉａｔｉｏｎ 、 Ｐ２５）。 しか
し、電子材料として使用される高純度の純チタンインゴ
ットの製造を対象とした電子ビーム溶解法に関しては、
既存の公知の技術および方法は皆無である。
一般に、電子材料用の金属は不純物元素を極限的に低下
させることが必須である。特（二Ｎ、ｉ、になどのアル
カリ金属元素やＭ７などのアルカリ土類金属元素、Ｕ、
Ｔｈなどの放射性元素、Ｆｅ、Ｏｒなどの重金属元素は
、電子材料素子の性能を劣化させることが知られている
。また、スパッタリングターゲット中のＯ，Ｎ、Ｈなど
のガス成分元素は、電子特性に影響を及ぼすと共に、基
板への付着材の付着力にも有害である。
させることが必須である。特（二Ｎ、ｉ、になどのアル
カリ金属元素やＭ７などのアルカリ土類金属元素、Ｕ、
Ｔｈなどの放射性元素、Ｆｅ、Ｏｒなどの重金属元素は
、電子材料素子の性能を劣化させることが知られている
。また、スパッタリングターゲット中のＯ，Ｎ、Ｈなど
のガス成分元素は、電子特性に影響を及ぼすと共に、基
板への付着材の付着力にも有害である。
ところで、近年のスポンジチタンの製造技術は、チタン
鉱石の厳選、製造プロセスおよび操業条件の改善により
大幅に向上し、純チタンスポンジ一種規格に規定する不
純物量よりも不純物量が大幅に少ないスポンジチタン（
以下高純度スポンジチタンと称す）が製造可能となって
きている。
鉱石の厳選、製造プロセスおよび操業条件の改善により
大幅に向上し、純チタンスポンジ一種規格に規定する不
純物量よりも不純物量が大幅に少ないスポンジチタン（
以下高純度スポンジチタンと称す）が製造可能となって
きている。
しかしながら、従来の消耗電極式真空アーク溶解法や電
極を用いた電子ビーム溶解法においては、スポンジチタ
ンをコンパクトする工程での不純物の混入、コンパクト
されたスポンジチタンを重ね、溶接して一次電極を作製
する工程での不純物の混入、更に一次インゴットを複数
個溶接して二次電極を作製する工程での不純物の混入な
ど、最終の純チタンインゴットを得るまでに不純物が混
入する工程が不可避である。このため、高純度スポンジ
チタンを用いたとしても、高純度スポンジチタンの不純
物レベル（−比べて最終の純チタンインゴットの不純物
レベルは大幅に上昇する傾向にある。
極を用いた電子ビーム溶解法においては、スポンジチタ
ンをコンパクトする工程での不純物の混入、コンパクト
されたスポンジチタンを重ね、溶接して一次電極を作製
する工程での不純物の混入、更に一次インゴットを複数
個溶接して二次電極を作製する工程での不純物の混入な
ど、最終の純チタンインゴットを得るまでに不純物が混
入する工程が不可避である。このため、高純度スポンジ
チタンを用いたとしても、高純度スポンジチタンの不純
物レベル（−比べて最終の純チタンインゴットの不純物
レベルは大幅に上昇する傾向にある。
また、従来の消耗電極式真空アーク溶解法においては、
溶解法そのものが比較的真空度の低い真空（〜１Ｏ−２
Ｔｏｒｒ ）で溶解するプロセスであるために、溶解中
に不純物量を低減する製錬効果は、（ＪＬ、Ｍｆなどの
一部の不純物を除いて非常（二低い。
溶解法そのものが比較的真空度の低い真空（〜１Ｏ−２
Ｔｏｒｒ ）で溶解するプロセスであるために、溶解中
に不純物量を低減する製錬効果は、（ＪＬ、Ｍｆなどの
一部の不純物を除いて非常（二低い。
クロル法で製造された高純度スポンジチタン中にはＭｙ
や（Ｊが比較的多量に含有しており、従来の消耗電極式
真空アーク溶解法では、これらの元素の除去や凝固組織
制御のために、２回溶解や３回溶解が必要となる。
や（Ｊが比較的多量に含有しており、従来の消耗電極式
真空アーク溶解法では、これらの元素の除去や凝固組織
制御のために、２回溶解や３回溶解が必要となる。
以上のようなことから、従来は、電子材料として使用す
るのに好適な高純度の純チタンインゴットを、容易に製
造することが困難であった。
るのに好適な高純度の純チタンインゴットを、容易に製
造することが困難であった。
この発明は、上述の現状に鑑み、電子材料として使用す
るのに好適な高純度の純チタンインゴット′を容易に製
造することができる、製造方法を提供することを目的と
するものである。
るのに好適な高純度の純チタンインゴット′を容易に製
造することができる、製造方法を提供することを目的と
するものである。
スパッタリングターゲット材料や着蒸材料などの電子材
料に使用される金属は、一般（二高純度であることが要
求され、純チタンインゴット中の不純物量も低い程望ま
しい。）・−ス型の電子ビーム溶解法（二より工業的に
製造し得る純度を勘案すると、純チタンインゴットの成
分組成は、次のようになる。
料に使用される金属は、一般（二高純度であることが要
求され、純チタンインゴット中の不純物量も低い程望ま
しい。）・−ス型の電子ビーム溶解法（二より工業的に
製造し得る純度を勘案すると、純チタンインゴットの成
分組成は、次のようになる。
ｏ ： ０．０２ ｗｔ％以下、Ｃ，Ｎ ： ０．００
５ｖｔ％以下、Ｆｅ、 Ｓｎ ： ０．００２ｗｔ％以
下、Ｃｕ 、 Ｎｉ 。
５ｖｔ％以下、Ｆｅ、 Ｓｎ ： ０．００２ｗｔ％以
下、Ｃｕ 、 Ｎｉ 。
Ｃｒ、 Ｍｏ、 Ｚｒ、 Ｍｌ、、 Ｖ、 Ｍｆ、 ＋
４． Ｓｉ、 Ｍｎ。
４． Ｓｉ、 Ｍｎ。
Ｎａ 、 Ｈ：０．００１０ ｖｒｔ％以下、Ｔ１およ
び不可避不純物：残部。
び不可避不純物：残部。
この発明は、上記のような高純度の純チタンインゴット
を、高純度スポンジチタンを用いてハース型の電子ビー
ム溶解法により製造するもので、この発明の純チタンイ
ンゴットの製造方法は、真空室内に設置された水冷銅ハ
ーヌ内に高純度スポンジチタンを供給し、前記供給され
た高純度スポンジチタンを電子ビームを照射して溶解し
、そして、前記溶解された高純度スポンジチタンを前記
真空室内に設置された水冷銅モールドで鋳造することに
特徴を有するものである。
を、高純度スポンジチタンを用いてハース型の電子ビー
ム溶解法により製造するもので、この発明の純チタンイ
ンゴットの製造方法は、真空室内に設置された水冷銅ハ
ーヌ内に高純度スポンジチタンを供給し、前記供給され
た高純度スポンジチタンを電子ビームを照射して溶解し
、そして、前記溶解された高純度スポンジチタンを前記
真空室内に設置された水冷銅モールドで鋳造することに
特徴を有するものである。
以下、この発明の製造方法について詳述する。
第１図は、この発明の製造方法の一実施態様を示す説明
図である。
図である。
第１図において、１は真空室、２は真空室１内に設置さ
れた水冷銅ハース、３は真空室１の上部に設置された１
個または複数個の電子ビームガン、４は水冷銅ハースの
出口端に近接して真空室１内に設置された水冷銅モール
ド、５は真空室１の上部に設置されたホッパーである。
れた水冷銅ハース、３は真空室１の上部に設置された１
個または複数個の電子ビームガン、４は水冷銅ハースの
出口端に近接して真空室１内に設置された水冷銅モール
ド、５は真空室１の上部に設置されたホッパーである。
真空室１は、高純度スポンジチタン６の溶解を高真空中
で行なわせることにより、溶解した高純度スポンジチタ
ンの溶湯７における不純物元素量の増加抑制と、高蒸気
圧不純物元素の除去（所謂製錬効果）とを図るために、
１０−’ 〜１Ｏ−５Ｔｏｒｒ程度の高真空に維持され
ている。ホッパー５は、そのシュー）５ａ下部に設けた
真空仕切り弁（図示せず）により、真空室１内の高真空
を低下させずに水冷銅ハース２内に高純度スポンジチタ
ン６を連続的に供給するようになっている。
で行なわせることにより、溶解した高純度スポンジチタ
ンの溶湯７における不純物元素量の増加抑制と、高蒸気
圧不純物元素の除去（所謂製錬効果）とを図るために、
１０−’ 〜１Ｏ−５Ｔｏｒｒ程度の高真空に維持され
ている。ホッパー５は、そのシュー）５ａ下部に設けた
真空仕切り弁（図示せず）により、真空室１内の高真空
を低下させずに水冷銅ハース２内に高純度スポンジチタ
ン６を連続的に供給するようになっている。
ここで、高純度スポンジチタン６は、純テタンス、ポン
ジ一種規格に規定する不純物量よりも不純物量が大幅に
少ないスポンジチタンである。この発明で使用する高純
度スポンジチタン６における不純物元素含有量の１例を
第１表に示す。
ジ一種規格に規定する不純物量よりも不純物量が大幅に
少ないスポンジチタンである。この発明で使用する高純
度スポンジチタン６における不純物元素含有量の１例を
第１表に示す。
第１表
ホッパー５から水冷銅ハース２内に供給された高純度ス
ポンジチタン６は、電子ビームガン３により電子ビーム
８を照射されて、加熱、溶解する。
ポンジチタン６は、電子ビームガン３により電子ビーム
８を照射されて、加熱、溶解する。
このとき、真空室１内が１０””’ 〜ｌ ０−５Ｔｏ
ｒｒ 程度の高真空に維持されているので、溶解した
高純度スポンジチタンの溶湯７は、不純物元素量の増加
がなく、高蒸気圧不純物元素）：ついては除去が行なわ
れる。
ｒｒ 程度の高真空に維持されているので、溶解した
高純度スポンジチタンの溶湯７は、不純物元素量の増加
がなく、高蒸気圧不純物元素）：ついては除去が行なわ
れる。
高純度スポンジチタンの溶湯７は、次いで、水冷銅ハー
ス２の出口端から流出して、必要に応じて更に電子ビー
ム８を照射して、水冷銅モールド４内に供給される。水
冷銅モールド４内に供給された高純度スポンジチタンの
溶湯７は、１０−′〜１０ Ｔｏｒｒ程度の高真空下
で不純物元素量の増加抑制を図られながら、純チタンイ
ンゴット９（二連続鋳造される。鋳造する純チタンイン
ゴット９の断面形状は、円形でも方形でもよい。
ス２の出口端から流出して、必要に応じて更に電子ビー
ム８を照射して、水冷銅モールド４内に供給される。水
冷銅モールド４内に供給された高純度スポンジチタンの
溶湯７は、１０−′〜１０ Ｔｏｒｒ程度の高真空下
で不純物元素量の増加抑制を図られながら、純チタンイ
ンゴット９（二連続鋳造される。鋳造する純チタンイン
ゴット９の断面形状は、円形でも方形でもよい。
以上のように、この発明の製造方法では、従来の消耗電
極式真空アーク溶解法と異なり、高純度スポンジチタン
のコンパクト工程や溶接を必要とする一次電極、二次電
極の作製工程がないので、従来それ等の工程で混入して
いた不純物の混入がない。また、高純度スポンジチタン
の溶解および溶解した高純度スポンジチタンの鋳造を高
真空下で行なうので、不純物元素量の増加が抑制され、
更に溶解時には高蒸気圧不純物元素除去の製錬効果まで
図られる。このため、Ｏ：０．０２ｖｔ％以下、Ｃ，Ｎ
： ０．００５ｖｒｔ％以下、Ｆｅ、Ｓｎ：０．００
２ｗｔ％以下、Ｃｕ、 Ｎｉ、 Ｏｒ、 Ｍｏ、 Ｚｒ
、 Ｍ、、 Ｖ。
極式真空アーク溶解法と異なり、高純度スポンジチタン
のコンパクト工程や溶接を必要とする一次電極、二次電
極の作製工程がないので、従来それ等の工程で混入して
いた不純物の混入がない。また、高純度スポンジチタン
の溶解および溶解した高純度スポンジチタンの鋳造を高
真空下で行なうので、不純物元素量の増加が抑制され、
更に溶解時には高蒸気圧不純物元素除去の製錬効果まで
図られる。このため、Ｏ：０．０２ｖｔ％以下、Ｃ，Ｎ
： ０．００５ｖｒｔ％以下、Ｆｅ、Ｓｎ：０．００
２ｗｔ％以下、Ｃｕ、 Ｎｉ、 Ｏｒ、 Ｍｏ、 Ｚｒ
、 Ｍ、、 Ｖ。
Ｍｆ、 ＣＪ、 Ｓｉ 、 Ｍｎ 、 ＮｃＬ、 Ｈ：
Ｏ，０Ｏ１０ｖｒｔ％以下、Ｔ１および不可避不純物
：残部の成分組成の、高純度な純チタンインゴットを容
易に得ることができる。
Ｏ，０Ｏ１０ｖｒｔ％以下、Ｔ１および不可避不純物
：残部の成分組成の、高純度な純チタンインゴットを容
易に得ることができる。
この発明の方法により高純度スポンジチタンを使用して
純チタンインゴットを製造した。比較のために、従来の
消耗電極式真空アーク溶解法により、高純度スポンジチ
タンを使用して純チタンインゴットを製造した。得られ
た純チタンインゴットにおける不純物元素含有量を第２
表に示す。
純チタンインゴットを製造した。比較のために、従来の
消耗電極式真空アーク溶解法により、高純度スポンジチ
タンを使用して純チタンインゴットを製造した。得られ
た純チタンインゴットにおける不純物元素含有量を第２
表に示す。
第２表に示されるように、従来法では、高純度スポンジ
チタンのコンパクト工程や電極作製工程などでの不純物
混入により、Ｏ，Ｎの含有量が本発明法に比較して著し
く上昇している。また、その他の元素についても、本発
明法では高真空中での溶解の効果が現われ、特に、ｙｇ
、 ＣＩ 、 Ｓｎ ＋Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ等の蒸気圧
の高い元素については、従来法に比べて製錬効果が著し
く大きく、高真空下での電子ビームによる溶解によって
、高純度化が図られていることが判る。
チタンのコンパクト工程や電極作製工程などでの不純物
混入により、Ｏ，Ｎの含有量が本発明法に比較して著し
く上昇している。また、その他の元素についても、本発
明法では高真空中での溶解の効果が現われ、特に、ｙｇ
、 ＣＩ 、 Ｓｎ ＋Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ等の蒸気圧
の高い元素については、従来法に比べて製錬効果が著し
く大きく、高真空下での電子ビームによる溶解によって
、高純度化が図られていることが判る。
以上説明したように、この発明の製造方法によれば、高
純度スポンジチタンにより純度を損うことなく、高純度
の純チタンインゴットが容易に製造できる。この発明の
方法により製造された純チタンインゴットは充分に高純
度なので、使用形状にあわせて熱間加工を施し、ビレッ
ト、棒材、板材、線材等にしても、著しく純度を損うこ
とはない。このようにして得られた純チタン材は、スパ
ッタリングターゲツト材、各種蒸着材料素材等の、不純
物を嫌う電子材料への用途で、その効果を発揮する。
純度スポンジチタンにより純度を損うことなく、高純度
の純チタンインゴットが容易に製造できる。この発明の
方法により製造された純チタンインゴットは充分に高純
度なので、使用形状にあわせて熱間加工を施し、ビレッ
ト、棒材、板材、線材等にしても、著しく純度を損うこ
とはない。このようにして得られた純チタン材は、スパ
ッタリングターゲツト材、各種蒸着材料素材等の、不純
物を嫌う電子材料への用途で、その効果を発揮する。
なお、この発明の製造方法は、純チタンに類似した金属
、例えばジルコニウムのインゴットを製造することにも
適用可能である。
、例えばジルコニウムのインゴットを製造することにも
適用可能である。
第１図は、この発明の製造方法の一実施態様を示す説明
図である。図面において、 ｌ・・・真空室、 ２・・・水冷銅ハース、３
・・・電子ビームガン、４・・・水冷銅モールド、５・
・・ホッパー、 ６・・・高純度スポンジチタン
７・・・溶湯、 ８・・・電子ビーム、９・
・・純チタンインゴット。
図である。図面において、 ｌ・・・真空室、 ２・・・水冷銅ハース、３
・・・電子ビームガン、４・・・水冷銅モールド、５・
・・ホッパー、 ６・・・高純度スポンジチタン
７・・・溶湯、 ８・・・電子ビーム、９・
・・純チタンインゴット。
Claims (1)
- 真空室内に設置された水冷銅ハース内に高純度スポンジ
チタンを供給し、前記供給された高純度スポンジチタン
を電子ビームを照射して溶解し、そして、前記溶解され
た高純度スポンジチタンを前記真空室内に設置された水
冷銅モールドで鋳造することを特徴とする、純チタンイ
ンゴットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4405787A JPS63212061A (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | 純チタンインゴツトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4405787A JPS63212061A (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | 純チタンインゴツトの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63212061A true JPS63212061A (ja) | 1988-09-05 |
Family
ID=12680986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4405787A Pending JPS63212061A (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | 純チタンインゴツトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63212061A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993005911A1 (en) * | 1991-09-13 | 1993-04-01 | Axel Johnson Metals, Inc. | Static vacuum casting of ingots |
| US5454424A (en) * | 1991-12-18 | 1995-10-03 | Nobuyuki Mori | Method of and apparatus for casting crystalline silicon ingot by electron bean melting |
-
1987
- 1987-02-28 JP JP4405787A patent/JPS63212061A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993005911A1 (en) * | 1991-09-13 | 1993-04-01 | Axel Johnson Metals, Inc. | Static vacuum casting of ingots |
| AU641596B2 (en) * | 1991-09-13 | 1993-09-23 | Axel Johnson Metals, Inc. | Static vacuum casting of ingots |
| US5291940A (en) * | 1991-09-13 | 1994-03-08 | Axel Johnson Metals, Inc. | Static vacuum casting of ingots |
| US5454424A (en) * | 1991-12-18 | 1995-10-03 | Nobuyuki Mori | Method of and apparatus for casting crystalline silicon ingot by electron bean melting |
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