JPS63200050A - ガスセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ガスセンサに関する。

［従来の技術とその問題点］ 従来、５ｎ０２焼結体を用いたガスセンサが用いられて
いた。

一般に、都市ガス用センサは、高いガス感度と高いガス
選択性とを有することが必要である。

ずなわら、都市ガスに含まれるメタンガス及び水素ガス
に対する感度が互いに同程度に高く、しかも、調ＩＩＰ
時等に生じるエタノールに対する感度が低いことが必要
ぐある。ところが、前記のガスセンサでは、エタノール
に対して？ｎ作することが問題となっていた。

そこで、感応部に、ガスに感応して抵抗率が変化する均
一な厚さの金属酸化物薄膜を用いたものが開発されつつ
ある。

例えば、特開昭５９−８３０４６号公報には、ＳｎＯ２
、ＺｎＯ１Ｃｒ２ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３又はＴ　ｉ　０２か
らなる均一な厚さの超微粒子薄膜を電極に接触させた構
造を有する感応部を備えたガスセンサが示されている。

この薄膜は、スパッタリング法によって作成されるｎ型
化合物半導体ぐあって、４５０℃の動作温度において、
エタノールに対して感応することなく、メタンガスに感
応してその抵抗率が変化することが同公報に示されてい
る。

第５図は、感応部に均一な厚さの金属酸化物薄膜粒子薄
膜を用いた従来のガスセンサを使用した都市ガス用のガ
ス漏れ警報器の例を示す回路図である。

ガスセンサ１は、感応部８と、この感応部の温度を上昇
させるためのヒータ２２とを有する。

感応部８には、ガスに感応して抵抗率が変化する金属酸
化物ａ膜、例えば５ｎ０２ｉ１膜が用いられ、この薄膜
の温度は、ヒータ２２によって例えば１００℃以−ヒに
上昇させられる。この動作温度において、５ｎ０２Ｂ膜
は、高いガス選択性を有する。すなわち、メタンガスに
対する感度が高く、しかもエタノールに対する感度が低
い。

さて、感応部８の抵抗値すなわちガスセンサ１の出力抵
抗の値は、従来はそのバラツキが大きく、感応部８、固
定抵抗器８２及び固定抵抗器８４とサーミスタ８６との
並列回路を直列につないだ両端に一定の電圧を印加し、
これを一定の温度及び一定のガス濃度雰囲気下に置いて
も、ガスセンｖ１の出力電圧は、一定値となることがな
かった。したがって、以Ｆ１．：説明するように、この
バラツキを補償するために、このガスセンサ１の外部に
可変抵抗器９４を配する必要があった。

同図において、端子７１．７２は、直流安定化電源回路
７４の交流入力端子７５．７６にそれぞれ接続される。

この直流安定化電源回路は、周知の回路であって、十出
力端子７７と一出力端子７８との間に、安定化された直
流を出力する。ガスセンサ１のヒータ２２は、十出力端
子１７と一出力端子７８との間に接続される。このセン
サの感応部８の一端は、十出力端子１７に接続され、そ
の他端は、固定抵抗器８２と、固定抵抗器８４及びサー
ミスタ８６の並列回路とを順次介して、−出力端子７８
に接続される。感応部８と固定抵抗器８２との接続点は
、固定抵抗器８８を介してＮＰＮトランジスタ９０のベ
ースに接続される。このトランジスタの］レクタは、十
出力端子７７に接続され、エミッタは、固定抵抗器９２
及び可変抵抗器９４を介して一出力端子１８に接続され
る。トライアック９６は、ブザー９８を介して前記交流
入力端子７５．７６に接続される。このトライアックの
ゲート端子は、前記可変抵抗器９４の中間端子に接続さ
れる。

端子７１．７２間に交流電源が接続されると、＋出力端
子１７と一出力端子７８との間には、安定化された直流
出力が得られる。したがって、ヒータ２２に直流定電流
が供給され、感応部８、固定抵抗３８２．８４及びサー
ミスタ８６からなる回路並びにトランジスタ９０、固定
抵抗器９２及び可変抵抗器９４からなる回路に直流定電
圧が供給される。

ヒータ２に定電流が通電されることにより、感応部８は
、例えば１５０℃の一定の動性温度に保たれる。ところ
で、感応部８は、ガスの濃度変化に対して抵抗値が変化
するばかりでなく、外気の温度変化に対しても抵抗値が
変化するため、固定抵抗器８２．８４及びサーミスタ８
６を用いて、このサーミスタの抵抗値の温度依存性を利
用することにより、感応部８の抵抗値の調度係数を補償
している。したがって、外気温度の変化に対して、トラ
ンジスタ９０のベースに加えられる電圧が変化すること
はない。

ガスもれかないときには、感応部８の抵抗値は大きいま
まである。このときには、感応部８と固定抵抗器８２ど
の接続点の電圧が低く、■ミッタフォロア回路を構成す
るトランジスタ９０のエミッタの電圧が低い。したがっ
て、トライアック９６のゲートに印加される電圧が低く
、このトライアックがトリガされることはない。つまり
、ブＩｆ−９８に電流が供給されることがないから、ブ
ザーの警報音は発生しない。

都市ガスに含まれる可燃性ガス、すなわちメタンガス及
び水素ガスの濃度が上昇すると、感応部８の抵抗値が減
少する。このとき、感応部８と固定抵抗器８２との接続
点の電圧が上昇し、トランジスタ９０のベースには、こ
の電圧が固定抵抗器８８を介して印加されるため、トラ
ンジスタ９０のエミッタの電圧が上界する。このエミッ
タ電圧は、固定抵抗器９２と可変抵抗器９４とからなる
直列回路に加えられ、この可変抵抗器９４の中間端子か
ら出力される分圧は、トライアック９６のゲートに印加
される。このゲート電圧が一定値以上の大きさになると
、トライアック９６が１〜リガされて導通するから、こ
のときには、ブザー９８に交流電流が流れ、このブデー
から警報音が出力される。

以上に説明したように、前記ガスヒンナ１を用いること
によって、都市ガスのもれを高感度で検出することがで
き、しかもエタノールに対して誤動作することがないガ
ス漏れＮｆＪｆＦＩ器を実現することができる。

さて、以上に説明したガス漏れ警報器の製品ごとに、警
報出力を開始するガス濃度を一定にしようとするとき、
感応部８の抵抗値のバラツキが問題となる。従来は、こ
のバラツキを補償するために、前記のように可変抵抗器
９４が用いられていた。すなわち、この可変抵抗器の中
間端子の位置を変更することにより、固定抵抗器９２と
可変抵抗器９４とからなる直列゛回路の分圧比を変更し
て、トライアック９６のゲートに印加する電圧を調整し
、感応部８の抵抗値のバラツキを補償する必要があった
。

このように、従来のガスセンサを用いるとき、これをガ
ス漏れ警報器等に組込んだ後、感度の調整を行う必要が
あったため、この調整のための設備やコストを必要とし
、ガス漏れ警報器等の設計の自由度を制限していた。

本発明は、以上の点に鑑み、−・定の電圧を印加した時
、一定の温度及び一定のガス濃度雰囲気において一定の
出力電圧が得られるガスセンサを提供することを目的と
する。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、前記の目的を達成するために、ガスセンサの
内部において、ガスに感応して抵抗率が変化する薄膜と
この薄膜に接触した複数の電極とからなる感応部を含む
直列回路の一部をトリミングしたものであって、第１の
発明は、ガスに感応して抵抗率が変化する薄膜とこの薄
膜に接触した複数の電極とからなる感応部を有し、一定
の温度及び一定のガス濃度雰囲気において感応部の抵抗
値が所望の値となるように感応部の一部をトリミングし
たものである。

第２の発明は、ガスに感応して抵抗率が変化する薄膜と
この薄膜に接触した複数の電極とからなる感応部との他
に膜状抵抗体を有し、少なくとも一つの前記電極とこの
膜状抵抗体とを導体によって接続し、膜状抵抗体の抵抗
値が、一定の温度及び一定のガス濃度雰囲気において測
定した感応部の抵抗値に一定値を乗じた値となるように
膜状抵抗体の一部をトリミングしたものである。

［作　用］ 薄膜は、ガスに感応してその抵抗率が変化し、この抵抗
率の変化が電極を介して取り出される。

すなわち、感応部の抵抗値は、ガスに感応して変化する
。したがって、本発明に係るガスセンサによって、従来
のガスセンサと同様に、ガスを検出することができる。

しかも、第１の発明においては、感応部の一部が一定の
温度及び一定のガス濃度雰囲気において感応部の抵抗値
が所望の値となるようにトリミングされているため、こ
のガスセンサの感応部の抵抗値のバラツギがない。

特に、感応部のうち薄膜の一部をトリミングしたガスセ
ンサでは、この薄膜を構成する物質の量が調整されるこ
とにより、感応部の抵抗値が調整されている。感応部の
うち電極の一部をトリミングしたガスセンサでは、前記
薄膜に電圧を印加する電極の部分が制限され、この薄膜
のうち前記抵抗値に寄与する部分が制限されることによ
って、感応部の抵抗値が調整されている。

第２の発明においては、前記膜状抵抗体の抵抗値が、一
定の温度及び一定のガス濃度雰囲気において測定した感
応部の抵抗値に−・定値を乗じた値となるように膜状抵
抗体の一部がトリミングされている。この膜状抵抗体と
薄膜との間は、電極及び導体によって接続されている。

したがって、抵抗値がｒｌである感応部と抵抗値がｒ２
　　（ｒ２−ａｘｒｌ　　：ａは定数である。）である
膜状抵抗体とは、直列接続されている。

このように直列接続されたもの全体に一定の電圧Ｖを印
加すると、感応部の両端から、次式（１）によって表わ
される電圧■°が出力される。

Ｖ’　＝Ｖｘｒ１　／　（ｒｌ　＋ｒ２　）＝Ｖ／　（
１＋ａ＞・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・（１）感応部の抵抗値ｒ１にバラツキがあ
っても、この電圧■゛を一定値とすることができるから
、このガスセンサの出力のバラツキが補償される。

なお、膜状抵抗体の両端の電圧ら同様に一定値とするこ
とができるから、これを利用することもできる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

本発明の実施例に係るガスセンサを、第１図（ａ）　、
　（ｂ）に示す。

まず、ガスセンサ１の構成を説明する。

２は、ガスに感応して抵抗率が変化する例えばＳｎＯ２
からなる薄膜である。二つの矩形の白金電極４．６は、
絶縁性を有するサファイア基板２０上に互いに離して形
成される。前記薄膜２は、各電極４．６の間を覆うよう
に、かつこれらの上面の一部に接触するように形成され
ている。

そして、以上のＲＩＩＦｆｆ２と電極４，６とは、感応
部８を構成している。

薄膜２は、ＰＶＤ、ＣＶＤ、印刷等の方法により均一な
厚さの膜として形成された後、レーザの照射やサンドブ
ラスト等の方法により、その一部がトリミングされてい
る。１０は、トリミング部位であって、電極４，６の長
辺と平行な細い溝として形成される。この溝は、同図に
示すようにサファイヤ基板２０に至らないものでもよい
し、これに至るものであってもよい。このトリミングは
、一定の温度及び一定のガス濃度雰囲気において感応部
８の抵抗値が所望の値となるように、トリミング部位１
０の形状、寸法又はその数を調整することにより行なわ
れる。

サファイア基板２０は、無機系接着剤によりセラミック
ヒータ２２の上面に接着される。このセラミックヒータ
の上面の対角線上の一組の隅には、リードフレーム２４
．２６がそれぞれ放射状に外方に伸びるように取付けら
れている。また、伯の一組の隅には、それぞれリードフ
レーム２８、３０が取付けられ、セラミックヒータ２２
に電流を供給することができるようにしている。電極４
，６は、それぞれリードフレーム２４．２６にボンディ
ングワイヤ３２．３４によって接続されている。４本の
リードフレーム２４．２６，２８．３０は、それぞれ端
子３６．３８．４０．４２に接続される。端子３６．３
８は、信号出力端子であり、端子４０．４２は、ヒータ
入力端子であって、それぞれ前記セラミックヒ〜り２２
、この上に接着されたサファイヤ基板２０及びこの上の
感応部８を中空に保持している。４本の端子３６．３８
．４０．４２は、絶縁物からなる部品構造体４４を貫通
するようにこれらに固定されており、ガスセンサ１の入
出力ビンとして用いられる。

以上に説明したガス吐ン勺１を用いるとき、セラミック
ヒータ２２には、ヒータ入力端子４０゜４２を通して定
電流が供給され、感応部８は、一定の高い温度に保持さ
れる。このとき、セラミックヒータ２２の下面に接触す
るものがないから、熱効率が高い。

さて、薄膜２は、この構成形状を調整することにより、
一定の温度及び一定のガス濃度雰囲気において感応部８
の抵抗値が所望の値となるようにトリミングされている
。したがって、プリント配線等により信号出力端子３８
に一定の抵抗値を有する固定抵抗器の一端を接続し、こ
の固定抵抗器の他端と信号出力端子３６との間に直流定
電圧を印加すると、信号出力端子３８には、一定の温度
及び一定のガス濃度雰囲気において一定の出力電圧が得
られる。

本発明の他の実施例に係るガスセンサを、第２図（ａ）
　、　（ｂ）に示す。

本実施例においては、ガスセンナ１の薄膜２は、セラミ
ックヒータ２２上に直接形成される。

この薄膜の上面には、二つの側縁に沿って、二つの矩形
の電極４．６が互いに離して形成される。

この薄膜２と電極４．６とは、前記と同様に感応部８を
構成する。薄膜２のうち電極４．６の間において上方に
向って露出した部分には、前記と同様の方法により、電
極４．６の長辺と平行な細い溝としてトリミング部位１
０が形成される。この溝は、同図に示すようにセラミッ
クヒータ２２に至らないしのでもよいし、これに至るも
のであってもよい。このトリミングは、前記と同様に、
一定の温度及び一定のガス濃度雰囲気において感応部８
の抵抗値が所望の値となるように、トリミング部位１０
の形状、寸法又はその数を調整Ｊることにより行なわれ
る。

セラミックヒータ２２の上面の対角線上の一組の隅には
、リードフレーム２８．３０がそれぞれ放射状に外方に
伸びるように取付けられており、これらのリードフレー
ムは、それぞれヒータ入力端子４０．４２に接続され、
このセラミックヒータに電流を供給することができるよ
うにしている。電極４，６は、それぞれボンディングヮ
イＡ７３２．３４によって信号出力端子３６．３８に直
接接続されている。

５０は、成形された断熱材であって、この断熱材５０に
は、貫通する矩形の孔が中央に設けられ、上１ノからこ
の孔に前記セラミックヒータ２２が挿入されるとともに
、この孔の上部周縁に形成された断熱材５０の肩部５１
によって、このセラミックヒータ２２が支持されている
。また、セラミックヒータ２２の下方には、この孔中に
、特に熱伝導率の低い成形されていない断熱材５２が充
填されており、この断熱材５２はセラミックヒータ２２
の下面のほとんど全面に当接している。これらの断熱材
５０．５２は、部品構造体４４によって支持されている
。なお、４本の端子３６．３８．４０．４２は、成形さ
れた断熱材５０及び絶縁物からなる部品構造体４４を貫
通するようにこれらに固定されており、各端子の先端は
、ガスセンサ１の入出力ビンとして用いられる。

以上に説明したガスセン＋ｊ１を用いるとき、前記と同
様にして、感応部８は、セラミックヒータ２２によって
一定の高い温度に保持される。

このとき、セラミックヒータ２２の下面の大部分は、成
形されていないため機械的な強度は低いが、熱伝導率の
低い断熱材５２に当接しているため、セラミックヒータ
２２のＦ面からの熱放散が抑制されており、熱効率が高
い。特に、空気よりも熱伝導率の低い断熱材５２を用い
る場合には、前回に示したものよりも熱効率が高くなる
。

さて、簿膜２は、前記と同様にトリミングされているか
ら、一定の温度及び一定のガス濃度雰囲気において、こ
のガスセンサ１から一定の出力電圧を得ることができる
。

以上に説明したように、薄膜の一部をトリミングしたガ
スセンサにおいては、このセンサの製造過程中トリミン
グ工程において、レーザ照射時の熱や１ｊンドブラスト
時の衝撃により、薄膜の結晶構造が変化してその物性が
変化するおそれがあるが、トリミング操作を容易に実行
することができる。これに対して、次に説明するように
、電極の一部をトリミングしたガスセン勺においては、
トリミング操作が複雑になるが、トリミング部位が薄膜
に及ばないようにすることにより、薄膜の結晶構造が変
化してその物性が変化するおそれがない。

次に一部３図（ａ）　、　（ｂ）に示した本発明の第３
の実施例に係るガスセンサについて説明する。

このガスセンサ１は、前回とほぼ同様の構成であるが、
トリミング部位１０が薄膜２の一部に形成されるのでは
なくて、電極４の一部に形成される点において異なる。

トリミング部位１０が電極４において、ちょうど薄膜２
に至る深さで形成されることによって、この電極は、ｎ
いに離れた２つの部分４ａ、４ｂに分離される一方、簿
ｎ斐２はトリミングされない。このうち、一方の部分４
ａは、ボンディングワイヤ３２によって信号出力端子３
６に接続されているが、他方の部分４ｂは、どの端子に
も接続されていない。このトリミングは、−・定の温度
及び一定のガス濃度雰囲気において感応部８の抵抗値が
所望の値となるように、トリミング部位１０の形状、幅
寸法又はその数を調整することにより行なわれる。

以上に説明したガスセンサ１を用いるとき、前記と同様
に、ヒータ入力端子４０．４２を介してセラミックヒー
タ２２に一定の電流が供給され、感応部８は、一定の高
い温度に保持される。一方、信号出力端子３８には、こ
のセンサの外部において、一定の抵抗値を有する固定抵
抗器の一端が接続され、この固定抵抗器の他端と信号出
力端子３６との間には、直流定電圧が印加される。

すると、トリミング部位１０が形成されていない場合と
比較して、電極４の部分４ｂが薄膜２への電圧の印加に
寄与しないため、薄膜２中における電流分布が異なり、
感応部８の抵抗値が大きくなる。したがって、前記のト
リミングの実論が可能であって、このようにトリミング
されているために、信号出力端子３８には、一定の温度
及び一定のガス濃度雰囲気において一定の出力電圧が得
られる。

本発明の第４の実施例に係るがスセンサを、第４図（ａ
）　、　（ｂ）に示す。

ガスセンサ１のうち、左半に示した部分は、第１図（ａ
ｊ　、　（ｂ）に示したものとほぼ同様であって、簿膜
２にトリミング部位１０が形成されない点で異なるのみ
である。したがって、その説明は、省略する。

このガスセンサ１のうち、６半に示した部分には、膜状
抵抗体１２が形成されでいる。この部分では、部品構造
体４４の厚さが大きくなっており、この部分の上面に設
けられる膜状抵抗体１２が、左半部に設けられる感応部
８とほぼ同じ高さになるようにすることにより、左半部
と右半部との接続を容易にしている。

Ｊなわち、右半部において、部品構造体４４の上には、
セラミック基板６０が埋め込まれており、このセラミッ
ク基板の上面には、厚膜抵抗６２が形成されている。さ
らに、このセラミック基板の上面には、この厚膜抵抗６
２の二つの側縁に接触するように二つの矩形の膜状白金
電極６４．６６が形成されており、厚膜抵抗６２ととも
に膜状抵抗体１２を構成している。

さて、一方の電極６４は、ボンディングワイヤ６８を介
して、信号出力端子３８に接続され、前記感応部８の一
方のＴｉ電極に導通している。すなわち、電極６電極６
４との間は、導体３４．２６．３８゜６８によって接続
されている。膜状抵抗体１２の他方の電極６６は、ボン
ディングワイ１７６９によって第３の信号出力端子７０
に接続され、この端子は、他の端子と同様に部品構造体
４４を貫通ずるようにこれに固定されていて、ガスセン
サ１の出力ビンとして用いられる。

ところで、１０は、トリミング部位を示し、厚膜抵抗６
２のほぼ中央の位置に、電４４６４，６６の長辺と平行
な幅の狭い溝としで形成される。この溝は、同図に示す
ようにセラミック基板６０に至らないものでもよいし、
これに至るものであってらよい。このトリミング部位１
０の形状、寸法又はその数は、次のようにして決定され
る。すなわち、まず一定の温度及び一定のガス１１度雰
囲気において、信号出力端子３６．３８間の抵抗値づな
わら感応部８の抵抗値ｒ１が測定される。

次に、信号出力端子３８．７０間の抵抗値すなわら膜状
抵抗体１２の抵抗値ｒ２が前記抵抗１ｉＩ′１ｉｒ１に
一定値ａを乗じた値となるように、膜状抵抗体１２がト
リミングされる。なお、膜状抵抗体１２の厚膜抵抗６２
を構成する物質を適当に選択して、膜状抵抗体１２の抵
抗（ｉｆＩｒ　２の温度依存性を利用することにより、
感応部８の抵抗値ｒ１の温度係数を補償することができ
る。このときには、このガスセンサ１の外部に、従来の
ように温度補償のためのサーミスタを接続する必要がな
い。

このようにしてトリミングが行なわれたガスセンサ１を
用いるとき、前記と同様に、ヒータ入力端子４０．４２
を介してセラミックヒータ２２に一定の電流が供給され
、感応部８は、一定の高い温度に保持される。一方、信
号出力端子３６゜７０間には安定化した直流が印加され
、感応部８の抵抗値ｒ１にバラツキがあっても、一定の
温度及び一定のガス濃度雰囲気にＪ３いて、信号出力端
？　３６．３８間又は信号出力端子３８．７０間には、
一定の出力電圧が得られる。

以上に説明したように、膜状抵抗体の一部をトリミング
したガスセンサにおいでは、このセンサの製造過程中ト
リミング工程において、感応部の薄膜の物性が変化する
おそれがなく、かつトリミング操作を容易に実行するこ
とができる。

［発明の効果１ 本発明においては、感応部の−・部又はこれに直列接続
されこれと同一のガスセンサに備えられた膜状抵抗体の
一部をトリミングしているため、ガスセンナの出力をト
リミングによって予め調整することができ、本発明に係
るガスセンサを例えばガス漏れ警報器に用いるとき、高
価な可変抵抗器を用いる必要がなく、コストダウンを図
ることができるとともに、ガス漏れ警報器をコンパクト
なものとすることができる効果がある。また、従来ガス
漏れ警報器のコストのかなりの部分をしめていた回路へ
の組込み俊の調整のための設備や工数を不要のものとす
ることができるとともに、このガスセンサの回りの回路
設計の自由度を増すことができる。

以上に説明したように、本発明によれば、一定の電圧を
印加した時、一定の温度及び一定のガス濃度雰囲気にお
いて一定の出力電圧が得られるガスセンサを提供するこ
とができる。

特に、第２の発明においては、感応部の一部をトリミン
グせずに、これに直列に接続されこれと同一のガスセン
サに備えらだ膜状抵抗体の一部をトリミングしているた
め、このセンサの製造過程中トリミング操作において、
感応部の薄膜の物性が変化するおそれがなく、かつトリ
ミング操作を容易に実行することができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は、本発明の実施例に係るガスセンサの平
面図、第１図（ｂ）は、前回のＩＦ−Ｉ断面図、 第２図（ａ）は、本発明の他の実施例に係るガスセンサ
の平面図、第２図（ｂ）は、前回のｍ−■断面図、 第３図（ａ）は、本発明の第３の実施例に係るガスセン
サの平面図、第３図（ｂ）は、０１図のＩＶ−ＩＶ断面
図、 第４図（ａ）は、本発明の第４の実施例に係るガスセン
サの平面図、第４図（ｂ）は、面図のＶ−■断面図、 第５図は、従来のガスセンサを用いたガス漏れ！ｌｆ報
器の回路図である。 符号の説明 ２・・・薄膜、４，６・・・電極、８・・・感応部、１
０・・・トリミ°ング部位、１２・・・膜状抵抗体、２
０・・・サファイヤ基板、２２・・・セラミックヒータ
、２４．２６．２８．３０・・・リードフレーム、３２
，３１１・・・ボンディングワイＶ、３６、３８・・・
信号出力端子、４０．４２・・・ヒータ入力端子、４４
・・・部品描造体、５０．５２・・・断熱材、６０・・
・セラミック基板、６２・・・厚膜抵抗、６４．ｆ３６
・・・電極、６８、６９・・・ボンディングワイヤ、７
０・・・信号出力端ｒ１８６・・・サーミスタ、９０・
・・トランジスタ、９４・・・可変抵抗器、９６・・・
トライアック、９８・・・ブザー。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ガスに感応して抵抗率が変化する薄膜と前記薄膜に
   接触した複数の電極とからなる感応部を有し、一定の温
   度及び一定のガス濃度雰囲気において前記感応部の抵抗
   値が所望の値となるように前記感応部の一部をトリミン
   グしたことを特徴とするガスセンサ。 ２、薄膜の一部をトリミングしたことを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載のガスセンサ。 ３、電極の一部をトリミングしたことを特徴とする特許
   請求の範囲第１項又は第２項記載のガスセンサ。 ４、ガスに感応して抵抗率が変化する薄膜と前記薄膜に
   接触した複数の電極とからなる感応部と、膜状抵抗体と
   を有し、少なくとも一つの前記電極と前記膜状抵抗体と
   を導体によつて接続し、前記膜状抵抗体の抵抗値が、一
   定の温度及び一定のガス濃度雰囲気において測定した前
   記感応部の抵抗値に一定値を乗じた値となるように前記
   膜状抵抗体の一部をトリミングしたことを特徴とするガ
   スセンサ。