JPS6319809A - Laserr beam annealing equipment - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、レーザビームアニール技術に係ね、特に絶縁
股上に半導体単結晶層を形成するだのレーザビームアニ
ール装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to laser beam annealing technology, and particularly to a laser beam annealing apparatus for forming a semiconductor single crystal layer on an insulating layer.
（従来の技術）
近年、半導体工業の分野においては、エネルギービーム
によるアニール技術を用いた５ｏｌ（Ｓ １ｌｉｃｏｎ
ｏｎ ｌ ｎ５ＵＩａｔｏｒ） ＥＴＡの形成技術の
研究゛部類が盛んに行われている。この技術では、シリ
コン単結晶基板上にシリコン該化摸やシリコン窒化膜等
の絶縁膜を形成し、その上に多結晶シリコン膜や非晶質
シリコン摸等を堆積し、電子ビーム或いはレーザビーム
等のエネルギービームの照射により、上記シリコン摸を
溶融・再結晶化させてシリコン単結晶層を成長させる方
法を採っている。(Prior art) In recent years, in the field of semiconductor industry, 5ol (S 1licon) using energy beam annealing technology has been developed.
(online5UIator) Research on ETA formation technology is actively being conducted. In this technology, an insulating film such as a silicon nitride film or a silicon nitride film is formed on a silicon single crystal substrate, a polycrystalline silicon film or an amorphous silicon film is deposited on top of the insulating film, and then an electron beam, laser beam, etc. A method is adopted in which the silicon sample is melted and recrystallized by irradiation with an energy beam to grow a silicon single crystal layer.
ところで、従来のレーザビームアニールにおいては、レ
ーザビームの形状や強度分布を変えることによって、よ
り良質の単結晶層を成長させる試みがなされている。レ
ーザビームの形状や強度分布を変える方法としては、例
えばレーザビームの後端部に凹部が形成されるようにビ
ーム整形を行う方法、レーザ発振モードを調節してドー
ナツ状の強度分布を有するレーザビームを用いる方法、
或いはレーザビームを走査方向に対して直角方向に振動
させ、周辺部での温度を中央部に比べて高くする方法等
がある。By the way, in conventional laser beam annealing, attempts have been made to grow a single crystal layer of better quality by changing the shape and intensity distribution of the laser beam. Examples of methods for changing the shape and intensity distribution of a laser beam include beam shaping so that a concave portion is formed at the rear end of the laser beam, and adjusting the laser oscillation mode to create a laser beam with a donut-shaped intensity distribution. a method using
Alternatively, there is a method in which the laser beam is vibrated in a direction perpendicular to the scanning direction to make the temperature in the peripheral area higher than in the central area.
しかしながら、これらの方法では、レーザビームのパワ
ーの効率が悪かったり、任意の強度分布のビームを得る
ことに問題があり、均一性の良い良質の半導体単結晶を
１ｑることは困難であった。However, these methods have problems such as poor efficiency of laser beam power and difficulty in obtaining a beam with arbitrary intensity distribution, making it difficult to produce 1 q of high-quality semiconductor single crystals with good uniformity.
（発明が解決しようとする問題点） 下った。(Problem that the invention attempts to solve) I went down.
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、−その目
的とするところは、レーザビームの走査方向に対して直
角方向の温度分布を略平坦なものとし、且つレーザビー
ムのパワー低下をＩＲ＜ことな−くレーザビームの端の
強度分布を急峻なものとすることができ、良質な半導体
単結晶層を製造することのできるレーザビームアニール
装置を提供することにある。The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and its purpose is to make the temperature distribution in the direction perpendicular to the scanning direction of the laser beam substantially flat, and to reduce the power drop of the laser beam by IR. <An object of the present invention is to provide a laser beam annealing apparatus which can sharpen the intensity distribution at the edge of a laser beam without any problem and can manufacture a high quality semiconductor single crystal layer.
［発明の構成コ
（問題点を解決するための手段）
本発明の骨子は、レーザビームの形状及び強度分布をビ
ームアニールで有効なものにするために、ビームの強度
分布を同心円状から所望の分布に変換すると共に、変換
されたビームを分割して該分割されたビームの位置を入
れ換えることにある。[Structure of the Invention (Means for Solving Problems)] The gist of the present invention is to change the shape and intensity distribution of the laser beam from concentric circles to a desired shape in order to make the shape and intensity distribution of the laser beam effective in beam annealing. In addition to converting into a distribution, the converted beam is divided and the positions of the divided beams are swapped.
即ち本発明は、レーザビームアニール装置において、同
心円状の強度分布を持つレーザビームを放射するレーザ
発振器と、このレーザ発振器からのレーザビームを楕円
状若しくは多峰状の強度分布を持つレーザビームに変換
する第１の光学系と、−たちのである。That is, the present invention provides a laser beam annealing apparatus that includes a laser oscillator that emits a laser beam with a concentric intensity distribution, and a laser beam that converts the laser beam from this laser oscillator into a laser beam that has an elliptical or multimodal intensity distribution. The first optical system is the first optical system, and the second optical system is the second optical system.
（作用）
上記の構成であれば、楕円状若しくは多峰状の強度分布
を持つレーザビームを複数に分割し、レーザビームの走
査方向と直交する方向で該分割した各レーザビームの位
置を入れ換えることにより、ビーム走査方向と直交する
方向でのご一ム強度分布を略平坦なものとすることがで
きる。ざらに、ビーム端での強度分布を急峻なものとす
ることが可能となる。(Function) With the above configuration, a laser beam having an elliptical or multimodal intensity distribution can be divided into a plurality of parts, and the positions of each of the divided laser beams can be swapped in a direction orthogonal to the scanning direction of the laser beam. Accordingly, the beam intensity distribution in the direction orthogonal to the beam scanning direction can be made substantially flat. Roughly speaking, it is possible to make the intensity distribution at the beam end steep.
（実施例）
まず、実施例を説明する前に、本発明の基本原理につい
て説明する。(Example) First, before describing an example, the basic principle of the present invention will be explained.
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の詳細な説明するた
めの模式図である。第１図の例では、同心円状の強度分
布を持つレーザビーム３１をシリンドリカルレンズ等の
第１の光学系１０で楕円状の強度分布を持つレーザビー
ム３２に変換し、次いでこのビーム３２を複プリズム等
からなる第２の光学系２０により複数に分割し、各レー
ザビームの位置を入れ換え、レーザビーム３３の長さ方
布が得ら机、均一で大面積の半導Ｉ＊単結晶層の形成、
レーザビームパワー効率の向上が可能となる。FIG. 1 and FIG. 2 are schematic diagrams for explaining the present invention in detail, respectively. In the example shown in FIG. 1, a laser beam 31 with a concentric intensity distribution is converted into a laser beam 32 with an elliptical intensity distribution by a first optical system 10 such as a cylindrical lens, and then this beam 32 is converted into a laser beam 32 with an elliptical intensity distribution. The laser beam 33 is divided into a plurality of parts by a second optical system 20 consisting of a laser beam 33, and the position of each laser beam is changed to obtain a longitudinal distribution of the laser beam 33. A uniform, large-area semiconductor I* single crystal layer is formed. ,
It is possible to improve laser beam power efficiency.
なお、図中のＸ方向はビーム走査方向、Ｘ方向はこれに
直交する方向である。Note that the X direction in the figure is the beam scanning direction, and the X direction is a direction perpendicular to this direction.
また第２図の例では、同心円状の強度分布を持とル−ザ
ビーム３１を１／４波長板及び複屈折板等からなる第１
の光学系１０’で多峰状の強度分布を持つレーザビーム
３４に変換し、次いでこのビーム３４を複プリズム等か
らなる第２の光学系２０により複数に分割し、各レーザ
ビームの位置を入れ換え、レーザビーム３５の長さ方向
の強度分布を平坦化し、さらに長さ方向のビーム端での
強度分布を急峻とし、これにより均一で大面積の半導体
単結晶饗の形成、レーザビームパワー効率の向上を可能
としている。In addition, in the example shown in FIG. 2, the laser beam 31 having a concentric intensity distribution is connected to a
The optical system 10' converts the beam into a laser beam 34 having a multimodal intensity distribution, and then this beam 34 is divided into a plurality of parts by a second optical system 20 consisting of a biprism or the like, and the position of each laser beam is switched. , the intensity distribution in the length direction of the laser beam 35 is flattened, and the intensity distribution at the end of the beam in the length direction is made steeper, thereby forming a uniform, large-area semiconductor single crystal castle and improving laser beam power efficiency. is possible.
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。Hereinafter, details of the present invention will be explained with reference to illustrated embodiments.
第３図は本発明の一実施例に係わるレーザビームアニー
ル装置を示す概略構成図である。図示しないレーザ発掘
器から放射されたレーザビーム３１は、シリンドリカル
凸レンズ１１及びシリンドリカル凹レンズ１２からなる
第１の光学系１０を通過する。第１の光学系１０を通過
したレーザビーム３２は、２個の複プリズム２１．２２
を対向配置させた第２の光学系２０を通過する。そして
、第２の光学系２０を通過したレーザビーム３３が集束
レンズ４０により集束され、該集束さの進行方向（走査
方向）に対して垂直な方向（ｙ方向）の強度分布は、第
４図（ａ）に示す如く同心円状となっている。このレー
ザビーム３１は第１の光学系１０により、第４図（ｂ）
に示す如くＸ方向よりもｙ方向の方が長い楕円状の強度
分布を持つレーザビーム３２に変換される。強度分布を
楕円状に変換されたレーザビーム３２は、第２の光学系
２０により、中央で（×軸を中心として）互いに分割さ
れその位置を入れ換えられることにより、第４図（Ｃ）
に示す如く平坦性の良い強度分布を持つレーザビーム３
３に変換される。そして、このレーザビーム３３が集束
レンズ４０を介して試料５０上に照射され、レーザビー
ムアニールに供されることになる。FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a laser beam annealing apparatus according to an embodiment of the present invention. A laser beam 31 emitted from a laser excavator (not shown) passes through a first optical system 10 consisting of a cylindrical convex lens 11 and a cylindrical concave lens 12. The laser beam 32 that has passed through the first optical system 10 passes through two double prisms 21 and 22.
The light passes through a second optical system 20 in which the light beams are arranged opposite to each other. The laser beam 33 that has passed through the second optical system 20 is focused by the focusing lens 40, and the intensity distribution in the direction (y direction) perpendicular to the direction of movement (scanning direction) of the focused state is shown in FIG. As shown in (a), they are concentric circles. This laser beam 31 is transmitted by the first optical system 10 as shown in FIG. 4(b).
As shown in the figure, the laser beam 32 is converted into a laser beam 32 having an elliptical intensity distribution that is longer in the y direction than in the x direction. The laser beams 32 whose intensity distribution has been converted into an elliptical shape are split at the center (centered on the x-axis) by the second optical system 20 and their positions are swapped, as shown in FIG. 4(C).
Laser beam 3 has a flat intensity distribution as shown in
Converted to 3. Then, this laser beam 33 is irradiated onto the sample 50 via the focusing lens 40, and is subjected to laser beam annealing.
次に、上記装置を用いたシリコン単結晶層の製造方法に
ついて説明する。試料としては、第５図に示す如く面方
位（，１００）、５インチ径の単結晶Ｓｉ基板５１上に
厚さ１．３ ［μｍ］のＳｉＯ２膜（絶縁ｇ１）５２を
堆積し、その上に厚さ０．６ ［μｍ］の多結晶３ｉ膜
５３ 全堆積Ｌ、１．５［＃ｌＩＩ！］、横方向（Ｘ方
向）で０．８ ［ｓ］となるようにした。また、レーザ
ビームの走査速度は４０ ［ｍＩＩＩ／ｓｅｃ ］とし
た。Next, a method for manufacturing a silicon single crystal layer using the above apparatus will be described. As a sample, as shown in FIG. 5, a SiO2 film (insulating g1) 52 with a thickness of 1.3 [μm] was deposited on a single crystal Si substrate 51 with a plane orientation of (,100) and a diameter of 5 inches. Polycrystalline 3i film 53 with a thickness of 0.6 [μm] Total deposition L, 1.5 [#lII! ], and 0.8 [s] in the horizontal direction (X direction). Further, the scanning speed of the laser beam was set to 40 [mIII/sec].
上記の条件で試料５０をビームアニールしたところ、ア
ニール後の試料５０では、幅１［履］のシリコン再結晶
層が得られ、その平面状態も極めて平坦性の優れたもの
であった。また、多結晶シリコン膜５３の下部５ｉ０２
膜５２の一部を開口させた構造の試料では、上記５ｉ０
２膜５２の開口部で基板シリコンと直接接触した多結晶
シリコン膜５３の再結晶時に基板から垂直方向にエピタ
キシャル成長し、次いでＳｉ○２膜５２上のシリコン層
も横方向にエピタキシャルする結果、この幅１［履］の
溶融体に含まれた領域中では、大面積の（１００）方位
の単結晶層が得られた。When the sample 50 was beam annealed under the above conditions, a silicon recrystallized layer with a width of 1 mm was obtained in the annealed sample 50, and its planar state was also extremely excellent in flatness. In addition, the lower part 5i02 of the polycrystalline silicon film 53
In a sample having a structure in which the membrane 52 is partially opened, the above 5i0
During recrystallization of the polycrystalline silicon film 53 that is in direct contact with the substrate silicon at the opening of the 2 film 52, it grows epitaxially in the vertical direction from the substrate, and then the silicon layer on the Si○2 film 52 also grows laterally, resulting in this width. In the region included in the melt of No. 1, a large-area (100)-oriented single crystal layer was obtained.
かくして本実施例によれば、第１及び第２の光学系１０
．２０を用いることにより、ビーム走査方向に対して垂
直方向のビーム強度分布を略平坦なものとし、且つビー
ム端での強度分布を急峻なものとすることができる。即
ち、レーザビームの一部を用いて多結晶シリコン躾等を
アニールすることにより、絶縁膜上に大面積で良質のシ
リコン単結晶層を製造することが可能となり、その有用
性は絶大である。Thus, according to this embodiment, the first and second optical systems 10
．． By using 20, the beam intensity distribution in the direction perpendicular to the beam scanning direction can be made substantially flat, and the intensity distribution at the beam end can be made steep. That is, by annealing polycrystalline silicon or the like using a portion of a laser beam, it becomes possible to manufacture a high-quality silicon single crystal layer over a large area on an insulating film, and its usefulness is enormous.
第６図は他の実施例に係わるレーザビームアニール装置
を示す概略構成図である。なお、第３図と同一部分には
同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing a laser beam annealing apparatus according to another embodiment. Note that the same parts as in FIG. 3 are given the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted.
この実施例が先に説明した実施例と異なる点は、前記第
１の光学系１０を構成するシリンドリカルレンズ１１．
１２の代りに、１／４波長板１３と複屈折板１４とを組
合わせた第１の光学系１０′を用いたことにある。即ち
、レーザ発振器から故旧されたレーザビーム３１は、ビ
ームエキスパンダー６０を介して拡大されたのら、まず
１７７４波長板１３を通過し、次いで複屈折板１４を通
過する。このとき、第７図（ａ）に示す如き同心円状の
強度分布を持つレーザビーム３１は、同図（ｂ）に示す
如く双峰状の強度分布を持つレーザビーム第４図（Ｃ）
に示す如く平坦性の良い強度分布を持つレーザビーム３
５に変換される。そして、このレーザビーム３５が、集
光レンズ６０を介して集束されたビーム３７となり試料
５０上に照射されるものとなっている。This embodiment differs from the previously described embodiments in that the cylindrical lens 11.
12 is replaced by a first optical system 10' which is a combination of a quarter wavelength plate 13 and a birefringent plate 14. That is, the laser beam 31 emitted from the laser oscillator is expanded through the beam expander 60, first passes through the 1774 wavelength plate 13, and then passes through the birefringent plate 14. At this time, the laser beam 31 having a concentric intensity distribution as shown in FIG. 7(a) becomes the laser beam 31 having a bimodal intensity distribution as shown in FIG. 7(b), as shown in FIG. 4(C).
Laser beam 3 has a flat intensity distribution as shown in
5. This laser beam 35 becomes a focused beam 37 via a condensing lens 60 and is irradiated onto the sample 50.
次に、第６図に示す装置を用いたシリコン単結晶層の製
造方法について説明する。まず、試料５０としては前記
第５図に示すものと同一のものを用いた。レーザビーム
のパワー及びビーム走歪速度も先の実施例と同様にした
。レーザビームの形状は試料５０上で長さ方向が１．５
［＃］となるようにした。Next, a method for manufacturing a silicon single crystal layer using the apparatus shown in FIG. 6 will be described. First, the same sample 50 as shown in FIG. 5 was used. The power of the laser beam and the beam strain velocity were also the same as in the previous example. The shape of the laser beam is 1.5 in the length direction on the sample 50.
[#].
上記の条件で試料５０をビームアニールしたところ、ア
ニール後の試料５ｏでは、幅１［ｍ］のシリコン再結晶
層が１９られ、その平面状態も極めて平坦性の浸れたも
のであった。また、多結晶シリコン１ｉ１５３の下部Ｓ
ｉ ０２膜５２の一部を間口させた構造の試料では、
前記３ｉ０２摸５２の開口部で基板シリコンと直接接触
した多結晶シリコン膜５３の再結晶時に基板からの垂直
にエビタキ′１このように本実施例によっても、レーザ
ビームの形状及び強度分布をビームアニールに好適する
条件に設定することができ、先の実施例と同様の効果が
得ら机る。When sample 50 was beam annealed under the above conditions, sample 5o after annealing had a silicon recrystallized layer 19 with a width of 1 [m], and its planar state was extremely flat. In addition, the lower part S of polycrystalline silicon 1i153
In a sample with a structure in which a part of the i02 film 52 is opened,
During recrystallization of the polycrystalline silicon film 53 that is in direct contact with the substrate silicon at the opening of the 3i02 model 52, the laser beam is emitted vertically from the substrate by beam annealing. The conditions can be set to suit the conditions, and the same effects as in the previous embodiment can be obtained.
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記第２の光学系として、第８図に示す
如く２個の４面複プリズム２３゜２４を対向させた光学
系２０’ を用い、レーザビームの走査方向の強度分布
の平坦性を上げるようにしてもよい。また、前記レーザ
ビームの楕円状強度分布は単なる楕円状に限定されるも
のではなく、レーザビームの強度分布の形状が長さ方向
と幅方向の比が１より大きいものであればよい。さらに
、前記レーザど−ムの双峰状強度分布は単なる双峰状に
限るものではなく、多経状或いはなだ゛らかな強度分布
であるものであればよい。また、レーザビームの分割数
及びビーム立置の入れ換え方向等の条件は、仕様に応じ
て適宜変更可能である。その他、本発明の要旨を逸叫し
ない範囲で、種々変形して実施することができろ。Note that the present invention is not limited to the embodiments described above. For example, as the second optical system, an optical system 20' having two four-sided compound prisms 23 and 24 facing each other as shown in FIG. 8 is used to improve the flatness of the intensity distribution in the scanning direction of the laser beam. You can do it like this. Furthermore, the elliptical intensity distribution of the laser beam is not limited to a mere ellipse, but may be any shape as long as the ratio of the length direction to the width direction is greater than 1. Furthermore, the bimodal intensity distribution of the laser beam is not limited to a simple bimodal pattern, but may be a multi-curved or gentle intensity distribution. Further, conditions such as the number of divisions of the laser beam and the direction in which the beams are placed vertically can be changed as appropriate depending on the specifications. In addition, various modifications may be made without departing from the gist of the present invention.
［発明の効果］
効率の向上が可能となる。このため、良質の半導体単結
晶層を大面積に亙って製造することができる。[Effects of the invention] Efficiency can be improved. Therefore, a high quality semiconductor single crystal layer can be manufactured over a large area.
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の基本原理を説明す
るための模式図、第３図は本発明の一実施例に係わるレ
ーザビームアニール装置を示す電絡構成図、第４図は上
記実施例装置の作用を説明するための模式図、第５図は
上記実施例装置を用いてアニールした試料の構造を示す
断面図、第６図は本発明の池の実施例装置を示す概略溝
成図、第７図は上記他の実施例の作用を説明するための
模式図、第８図は変形例を説明するための要部溝成図で
ある。
１０．１０’・・・第１の光学系、１１．１２・・・シ
リントリカルレンズ、１３・・・１／′４波長（反、１
４・・・複屈折板、２０．２０’ ・・・第２の光学系
、２１゜〜、２４・・・複プリズム、３１．〜，３７・
・・レーザビーム。
＠多蓼ヤ己
出願人 工業技術院長 得≠均−達一
（″
第 ５図
第 ８１図1 and 2 are schematic diagrams for explaining the basic principle of the present invention, FIG. 3 is an electric circuit configuration diagram showing a laser beam annealing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the basic principle of the present invention. A schematic diagram for explaining the operation of the embodiment device, FIG. 5 is a sectional view showing the structure of a sample annealed using the above embodiment device, and FIG. 6 is a schematic diagram showing the structure of the pond example device of the present invention. FIG. 7 is a schematic diagram for explaining the operation of the above-mentioned other embodiment, and FIG. 8 is a schematic diagram for explaining a modification. 10.10'...First optical system, 11.12...Cylindrical lens, 13...1/'4 wavelength (anti, 1
4... Birefringent plate, 20. 20'... Second optical system, 21°~, 24... Biprism, 31. ~,37・
...Laser beam. @Tataya Self-applicant Director of the Agency of Industrial Science and Technology
Claims (5)
るレーザ発振器と、このレーザ発振器からのレーザビー
ムを楕円状若しくは多峰状の強度分布を持つレーザビー
ムに変換する第１の光学系と、この第１の光学系により
その強度分布が変換されたレーザビームを複数に分割し
、各レーザビームの位置を入れ換える第２の光学系とを
具備してなることを特徴とするレーザビームアニール装
置。(1) a laser oscillator that emits a laser beam with a concentric intensity distribution; a first optical system that converts the laser beam from the laser oscillator into a laser beam with an elliptical or multimodal intensity distribution; A laser beam annealing apparatus comprising: a second optical system that divides the laser beam whose intensity distribution has been converted by the first optical system into a plurality of parts, and switches the positions of the respective laser beams.
なるもので、前記レーザ発振器からのレーザビームの強
度分布を楕円状に変換するものであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のレーザビームアニール装置
。(2) The first optical system is made of a cylindrical lens and converts the intensity distribution of the laser beam from the laser oscillator into an elliptical shape. laser beam annealing equipment.
を組合わせてなるもので、前記レーザ発振器からのレー
ザビームの強度分布を楕円状から多峰状に変換するもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレ
ーザビームアニール装置。(3) The first optical system is made up of a combination of a quarter-wave plate and a birefringent plate, and converts the intensity distribution of the laser beam from the laser oscillator from an elliptical shape to a multimodal shape. A laser beam annealing apparatus according to claim 1, characterized in that:
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレー
ザビームアニール装置。(4) The laser beam annealing apparatus according to claim 1, wherein the second optical system is composed of a double prism.
ムの走査方向と直交する方向で、該ビームの位置を入れ
換えるものであることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のレーザビームアニール装置。(5) The second optical system replaces the position of the divided laser beams in a direction perpendicular to the scanning direction of the divided laser beams.
The laser beam annealing device described in Section 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16388086A JPS6319809A (en) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | Laserr beam annealing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16388086A JPS6319809A (en) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | Laserr beam annealing equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6319809A true JPS6319809A (en) | 1988-01-27 |
Family
ID=15782543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16388086A Pending JPS6319809A (en) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | Laserr beam annealing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6319809A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1986-07-14 JP JP16388086A patent/JPS6319809A/en active Pending
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