JPS6319547A - 酸素濃度センサ− - Google Patents
酸素濃度センサ−Info
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- JPS6319547A JPS6319547A JP61163754A JP16375486A JPS6319547A JP S6319547 A JPS6319547 A JP S6319547A JP 61163754 A JP61163754 A JP 61163754A JP 16375486 A JP16375486 A JP 16375486A JP S6319547 A JPS6319547 A JP S6319547A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、酸素濃度センサーに関するものである。
鉄鋼、窯業、セメント、石油化学、電子材料等の各種工
業分野に於いてガス中の酸素濃度を測定する事が必要と
されている。又自動車等の内燃機、閏の空燃比制御にも
必要とされている。これらの燃焼施設においてl!Jl
Ii濃度を測定し制御を行う事は経済上あるいは公害防
止上極めて重要である。
業分野に於いてガス中の酸素濃度を測定する事が必要と
されている。又自動車等の内燃機、閏の空燃比制御にも
必要とされている。これらの燃焼施設においてl!Jl
Ii濃度を測定し制御を行う事は経済上あるいは公害防
止上極めて重要である。
又、居住環境管理、生化学分野、医療分野等に於いても
酸素濃度の測定は不可欠なものである。
酸素濃度の測定は不可欠なものである。
[従来の技術]
従来の酸素濃度センサーにあっては、ジルコニア等から
なる酸素イオン透過性固体電解質のそれぞれ対応する両
面に白金等の多孔買電極層を形成し、一方の電極層に微
細な拡散孔を設けた固体を接着し一空を形成するか、若
しくは電極上に無機質多、孔体をコーティングして、ガ
スの拡散律速層を設けて構成されている。そして、固体
電解質が酸素イオン透過性を示す温度、一般的には70
0℃近傍まで加熱して、拡散律速層側の電極を陰極とし
他方を陽極として定電圧を印加すると、被測定ガス中の
酸素濃度に比例した飽和電流が流れるようになっており
、この電流を測定する事によって被測定ガス中の酸素濃
度を検出するようになっている。
なる酸素イオン透過性固体電解質のそれぞれ対応する両
面に白金等の多孔買電極層を形成し、一方の電極層に微
細な拡散孔を設けた固体を接着し一空を形成するか、若
しくは電極上に無機質多、孔体をコーティングして、ガ
スの拡散律速層を設けて構成されている。そして、固体
電解質が酸素イオン透過性を示す温度、一般的には70
0℃近傍まで加熱して、拡散律速層側の電極を陰極とし
他方を陽極として定電圧を印加すると、被測定ガス中の
酸素濃度に比例した飽和電流が流れるようになっており
、この電流を測定する事によって被測定ガス中の酸素濃
度を検出するようになっている。
[発明が解決しようとする問題点]
この種のセンサーは拡散律速層の拡散機構によって性質
が異る。この拡散機構については、例えば5AE−85
0350に発表されている。代表的な拡散y1横の1つ
として、拡散孔が分子径より十分大きく分子相互の衝突
によって拡散が支配されている分子拡散に於いては、そ
の拡散量は温度T075 に比例している。もう1つの
代表例として細孔内の壁に分子が衝突して拡散が進むク
ヌーセン拡散に於いては、その拡散量は1[T に
比例している事が知られている。この様に細孔径の大き
さによって拡散の性質が異ってくる。そしてこの細孔径
の大きさを111wJする事で、拡散量は温度T°に比
例するw4域即ち温度依存性の無い領域がある事が示さ
れている。これらの拡散機構を用いた代表的なセンサー
には画体に穴を明けたタイプと、セラミック層をコーテ
ィングしたタイプがある。
が異る。この拡散機構については、例えば5AE−85
0350に発表されている。代表的な拡散y1横の1つ
として、拡散孔が分子径より十分大きく分子相互の衝突
によって拡散が支配されている分子拡散に於いては、そ
の拡散量は温度T075 に比例している。もう1つの
代表例として細孔内の壁に分子が衝突して拡散が進むク
ヌーセン拡散に於いては、その拡散量は1[T に
比例している事が知られている。この様に細孔径の大き
さによって拡散の性質が異ってくる。そしてこの細孔径
の大きさを111wJする事で、拡散量は温度T°に比
例するw4域即ち温度依存性の無い領域がある事が示さ
れている。これらの拡散機構を用いた代表的なセンサー
には画体に穴を明けたタイプと、セラミック層をコーテ
ィングしたタイプがある。
その1つである画体を使用したセンサーに於いては、第
6図に示す如く、画体11をジルコニア素子体10に被
覆接着する構成となっているが、かかるi体をジルコニ
ア素子体に被覆接着する事は構造上からも製造上からも
複雑になり、更に強度的にも好ましいものではない。特
に、8体11の細孔12の大きさは当該センサーの測定
能力を左右する為適切な拡散律速が19られる様に細孔
径は精密に加工されている。その細孔12はセンサーに
よって異るが概ね0.1mlと云う極めて微細なもので
ある。この様な拡散孔をセラミックスからなるi体に加
工するのに、ドリルやレーザー光線が使用されているが
、その為に高度な技術や設備が必要とされている。ある
いは精密成形型によるプレス成形が行われている。しか
しこれらの従来技術では加工精度・歩留りに難点がある
。又1板状固体電解質10に8体11を接着するに当り
、一般的にはガラスが使用されているが、接着過程でi
体がズしたり電極部にガラスが流れ出したり接着構造上
から、気密を得る事が難しい等の問題がある。更に上述
の構造・製造上の問題だけでなくその性質上から使用条
件に制約がある。前述の様に分子拡散には温度依存性が
ある為、実際の使用にあたっては高精度の温度コントロ
ールシステムを必要としている。
6図に示す如く、画体11をジルコニア素子体10に被
覆接着する構成となっているが、かかるi体をジルコニ
ア素子体に被覆接着する事は構造上からも製造上からも
複雑になり、更に強度的にも好ましいものではない。特
に、8体11の細孔12の大きさは当該センサーの測定
能力を左右する為適切な拡散律速が19られる様に細孔
径は精密に加工されている。その細孔12はセンサーに
よって異るが概ね0.1mlと云う極めて微細なもので
ある。この様な拡散孔をセラミックスからなるi体に加
工するのに、ドリルやレーザー光線が使用されているが
、その為に高度な技術や設備が必要とされている。ある
いは精密成形型によるプレス成形が行われている。しか
しこれらの従来技術では加工精度・歩留りに難点がある
。又1板状固体電解質10に8体11を接着するに当り
、一般的にはガラスが使用されているが、接着過程でi
体がズしたり電極部にガラスが流れ出したり接着構造上
から、気密を得る事が難しい等の問題がある。更に上述
の構造・製造上の問題だけでなくその性質上から使用条
件に制約がある。前述の様に分子拡散には温度依存性が
ある為、実際の使用にあたっては高精度の温度コントロ
ールシステムを必要としている。
一方、セラミック層をコーティングしたセンサーに於い
ては、第7図に示す如く、薄板状固体電解質10の電極
3面上にセラミックWJ13をコーティングした構成と
なっている。このセンサーに於いては、はとんどill
依存性が無く、センサーを使用する条件としては好都合
である。しかしこの種のセンサーは一般にプラズマ溶射
により耐熱性無機質をコーティングして拡@律速層を形
成している。かかるプラズマ溶射コーティングはsi間
的に溶融した無機質を吹きつけてコーティングしている
為、被コーテイング体である素子体10が急に高温に熱
せられ歪による割れが発生すると云う問題がある。又よ
り低温度でセンサーを動作させる為にはンサーのインピ
ーダンスを下げる必要がある。その対応として素子体1
0の固体電解質層を薄くしその面積を広くする手段が取
られる。
ては、第7図に示す如く、薄板状固体電解質10の電極
3面上にセラミックWJ13をコーティングした構成と
なっている。このセンサーに於いては、はとんどill
依存性が無く、センサーを使用する条件としては好都合
である。しかしこの種のセンサーは一般にプラズマ溶射
により耐熱性無機質をコーティングして拡@律速層を形
成している。かかるプラズマ溶射コーティングはsi間
的に溶融した無機質を吹きつけてコーティングしている
為、被コーテイング体である素子体10が急に高温に熱
せられ歪による割れが発生すると云う問題がある。又よ
り低温度でセンサーを動作させる為にはンサーのインピ
ーダンスを下げる必要がある。その対応として素子体1
0の固体電解質層を薄くしその面積を広くする手段が取
られる。
しかし、この様な素子体はプラズマ溶射コーティングの
吹きつけ圧力に抗しきれず割れ易く、且つ広い面積に均
一にコーティングする事が困難である。この様に温度依
存性が少なく低温で作動させる事ができる高精度で安価
な酸素センサーが1qられていない。
吹きつけ圧力に抗しきれず割れ易く、且つ広い面積に均
一にコーティングする事が困難である。この様に温度依
存性が少なく低温で作動させる事ができる高精度で安価
な酸素センサーが1qられていない。
本発明では温度依存性が少なく低温動作が可能な容易に
製作できる構造の酸素濃度センサーを提供するものであ
る。
製作できる構造の酸素濃度センサーを提供するものであ
る。
[問題点を解決するための手段]
本発明では拡散律速層に従来の細孔を有した画体や電極
面上に直接多孔質層をコーティングする方法にかえて、
酸素イオン透過性固体電M賀を有底円筒状に成形し素子
体の内面とそれに対応する外面に′:4極を設ける構成
とする事によって、強度を保ちながら薄くて広い素子体
を得、これにより比較的低温で動作できるようにすると
共に、それほど精度を必要としない比較的大きな拡散孔
を有している上記素子体の開口部に拡散を律速する多数
の微細孔を有する多孔質セラミックスプラグを嵌装する
構成とする事によって、温度依存性を十分小ざくしたも
のである。
面上に直接多孔質層をコーティングする方法にかえて、
酸素イオン透過性固体電M賀を有底円筒状に成形し素子
体の内面とそれに対応する外面に′:4極を設ける構成
とする事によって、強度を保ちながら薄くて広い素子体
を得、これにより比較的低温で動作できるようにすると
共に、それほど精度を必要としない比較的大きな拡散孔
を有している上記素子体の開口部に拡散を律速する多数
の微細孔を有する多孔質セラミックスプラグを嵌装する
構成とする事によって、温度依存性を十分小ざくしたも
のである。
更に詳しくは本発明の実施例に基づいて説明する。
[実施例〕
酸素濃度センサーの実施例を第1図に示す。
図中1は有底円筒状の素子体に成形された酸素イオン透
過性固体電解質でF3 101%のイツトリアを含む部
分安定化ジルコニアからなっている。2及び3は上記素
子体1の内面1aと、これに対応する外面1bとにそれ
ぞれ形成された多孔質白金電極で、白金ペースト塗布後
焼成して形成する。
過性固体電解質でF3 101%のイツトリアを含む部
分安定化ジルコニアからなっている。2及び3は上記素
子体1の内面1aと、これに対応する外面1bとにそれ
ぞれ形成された多孔質白金電極で、白金ペースト塗布後
焼成して形成する。
若しくは塩化白金酸による化学メッキにより形成する。
4は素子体1と同一材料の部分安定化ジルコニアよりな
る多孔質プラグである。多孔質プラグの平均細孔径は0
.1μ鶴である。この多孔体の細孔径は1μm以下にす
る必要がある。更に好ましくは0.1μm以下である。
る多孔質プラグである。多孔質プラグの平均細孔径は0
.1μ鶴である。この多孔体の細孔径は1μm以下にす
る必要がある。更に好ましくは0.1μm以下である。
1μ鵡以上の場合分子拡散の影響を強く受は温度依存性
も大きくなり目的のセンサーが得られない。多孔質プラ
グ4の直径長さは目的の飽和電流値に合わせて選択する
。
も大きくなり目的のセンサーが得られない。多孔質プラ
グ4の直径長さは目的の飽和電流値に合わせて選択する
。
尚多孔質プラグ4の固定には素子体1及びプラグ4とで
きるだけ熱膨張係数の近い接着材を使うことが望ましい
。
きるだけ熱膨張係数の近い接着材を使うことが望ましい
。
かくして製造された酸素センサーのN極2,3にそれぞ
れリード1!15を接続し定電圧を印加する直流電源6
及び飽和電流を測定する電流計7を配設して酸素測定装
置が構成されている。なお直流f’1lli6は定電圧
だけでなく、センサーの特性を評価する為、電圧を変化
させる事ができるにうになっている。
れリード1!15を接続し定電圧を印加する直流電源6
及び飽和電流を測定する電流計7を配設して酸素測定装
置が構成されている。なお直流f’1lli6は定電圧
だけでなく、センサーの特性を評価する為、電圧を変化
させる事ができるにうになっている。
センサ一部分を市販の加熱装置で約700℃の一定温度
に保ち酸素濃度既知のガスを流してセンサー特性の評価
を行った。そのときの印加電圧(V)と素子電流(mA
)との関係を第2図に示す。ここでAは酸素濃度O%の
純窒素ガス、Bは5.07%、Cは9.8%、Dは24
.7%の窒素稀釈の酸素ガスである。またこの図から飽
和電流値(mA)と酸素濃度(%)の関係を求めると第
3図に示すようになり、極めて高い直線性が得られてい
る。
に保ち酸素濃度既知のガスを流してセンサー特性の評価
を行った。そのときの印加電圧(V)と素子電流(mA
)との関係を第2図に示す。ここでAは酸素濃度O%の
純窒素ガス、Bは5.07%、Cは9.8%、Dは24
.7%の窒素稀釈の酸素ガスである。またこの図から飽
和電流値(mA)と酸素濃度(%)の関係を求めると第
3図に示すようになり、極めて高い直線性が得られてい
る。
又センサーの温度依存性を従来のものと比較して試験を
行った。試験は酸素濃度20%のガス中でセンサー温度
を450℃から700℃に変化させて行った。このとき
のセンサー温度(’C)と飽和電流(mA)との関係を
第4図に示す。ここで、Eは第6図に示す8体を使用し
たセンサー、Fは第7図に示すセラミックス層をコーテ
ィングしたセンサー、Gは本実施例のセンサーのもので
ある。
行った。試験は酸素濃度20%のガス中でセンサー温度
を450℃から700℃に変化させて行った。このとき
のセンサー温度(’C)と飽和電流(mA)との関係を
第4図に示す。ここで、Eは第6図に示す8体を使用し
たセンサー、Fは第7図に示すセラミックス層をコーテ
ィングしたセンサー、Gは本実施例のセンサーのもので
ある。
Eは高い温度依存性を有しているが、E、Fは殆んど無
い。特に本実施例のFでは温度変化に対し極めて安定し
ており、比較的低温の450°以上で安定して使用でき
ることを示している。
い。特に本実施例のFでは温度変化に対し極めて安定し
ており、比較的低温の450°以上で安定して使用でき
ることを示している。
次に本実施例に於ける多孔質プラグの平均細孔径を4゛
えた時の飽和電流値に対する温度依存性を評価した。セ
ンサー温度(℃)に対する飽和電流(mA)を第5図に
示す。ここで、日は平均細孔径0.1μm、Iはl、c
zm、Jは10μInのデータである。
えた時の飽和電流値に対する温度依存性を評価した。セ
ンサー温度(℃)に対する飽和電流(mA)を第5図に
示す。ここで、日は平均細孔径0.1μm、Iはl、c
zm、Jは10μInのデータである。
オン、オフ制御のヒーターコントロールによる±10℃
の温度幅に於ける素子電流の変化を±0.5%以下にす
る為には多孔質プラグの平均細孔径を1μm以下にする
必要がある。
の温度幅に於ける素子電流の変化を±0.5%以下にす
る為には多孔質プラグの平均細孔径を1μm以下にする
必要がある。
かくして本酸素センサーは簡易な温度コントロールに於
いても温度の影響を受ける事なく高精度に広範囲な酸素
濃度を測定する事ができる。
いても温度の影響を受ける事なく高精度に広範囲な酸素
濃度を測定する事ができる。
[発明の効果]
以上の説明から明らかな様に本発明の酸素センサーは有
底円筒状の素子体に拡散律速層として多孔質プラグを嵌
装する構造とした為、従来の細孔を有した8体や電極面
上に多孔質層をコーティングする構造のセンサーと較べ
湿度依存性が小さく低温度で作動でき高精度で安価に製
作する事ができる。
底円筒状の素子体に拡散律速層として多孔質プラグを嵌
装する構造とした為、従来の細孔を有した8体や電極面
上に多孔質層をコーティングする構造のセンサーと較べ
湿度依存性が小さく低温度で作動でき高精度で安価に製
作する事ができる。
第1図は本発明センサーの一実施例を示す説明図、第2
図は酸素′a度の異なるガスについての印加電圧と素子
電流の間熱を示す図、第3図は酸素濃度と飽和電流との
関係を示す図、第4図はセンサー温度と飽和電流の関係
を従来のものと対比して示す図、第5図は細孔径の異な
るプラグ体を用いたときのセンサー温度と飽和電流との
関係を示す図、第6図及び第7図はそれぞれ異なる従来
のセンサーの説明図である。 1・・・素子体、2,3・・・電極、4・・・セラミッ
クスプラグ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図 (mA) 第3図 (mA) 鹸jk 4友 第4図 (mA) 第6図 特許庁長官 黒 1)明 雄 殿 1、事件の表示 特願昭61−163754号 2、発明の名称 酸素濃度センサー 3、補正をする者 事件との関係 特許中願人 キャタラーエ業株式会社 5、自発補正 AmW /、 7、補正の内容 (1) 明細書第5頁第19行目に記載の「ンサー」
を「センサー」と訂正する。
図は酸素′a度の異なるガスについての印加電圧と素子
電流の間熱を示す図、第3図は酸素濃度と飽和電流との
関係を示す図、第4図はセンサー温度と飽和電流の関係
を従来のものと対比して示す図、第5図は細孔径の異な
るプラグ体を用いたときのセンサー温度と飽和電流との
関係を示す図、第6図及び第7図はそれぞれ異なる従来
のセンサーの説明図である。 1・・・素子体、2,3・・・電極、4・・・セラミッ
クスプラグ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図 (mA) 第3図 (mA) 鹸jk 4友 第4図 (mA) 第6図 特許庁長官 黒 1)明 雄 殿 1、事件の表示 特願昭61−163754号 2、発明の名称 酸素濃度センサー 3、補正をする者 事件との関係 特許中願人 キャタラーエ業株式会社 5、自発補正 AmW /、 7、補正の内容 (1) 明細書第5頁第19行目に記載の「ンサー」
を「センサー」と訂正する。
Claims (3)
- (1)有底円筒状に成形した酸素イオン透過性固体電解
質の素子体の内面とそれに対応する外面に電極を設ける
と共に、上記素子体の開口端部にガスの拡散を律速する
多孔質セラミックスプラグを嵌装した事を特徴とする酸
素濃度センサー。 - (2)多孔質セラミックスプラグが素子体の酸素イオン
透過性固体電解質と同じ材質である特許請求の範囲第1
項記載の酸素濃度センサー。 - (3)多孔質セラミックスプラグの細孔径が1μm以下
である特許請求の範囲第1項又は第2項記載の酸素濃度
センサー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61163754A JPS6319547A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 酸素濃度センサ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61163754A JPS6319547A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 酸素濃度センサ− |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6319547A true JPS6319547A (ja) | 1988-01-27 |
Family
ID=15780062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61163754A Pending JPS6319547A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 酸素濃度センサ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6319547A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5819554A (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-04 | Nippon Denso Co Ltd | 酸素濃度検出器 |
JPS61132854A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-20 | Shimadzu Corp | 限界電流式酸素センサ |
-
1986
- 1986-07-14 JP JP61163754A patent/JPS6319547A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5819554A (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-04 | Nippon Denso Co Ltd | 酸素濃度検出器 |
JPS61132854A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-20 | Shimadzu Corp | 限界電流式酸素センサ |
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