JPS63194524A - 突入電流制限スイッチ回路 - Google Patents

突入電流制限スイッチ回路

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JPS63194524A
JPS63194524A JP2643087A JP2643087A JPS63194524A JP S63194524 A JPS63194524 A JP S63194524A JP 2643087 A JP2643087 A JP 2643087A JP 2643087 A JP2643087 A JP 2643087A JP S63194524 A JPS63194524 A JP S63194524A
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JP
Japan
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switch
bcr
conduction element
bidirectional conduction
circuit
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政木 和三
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、単線方式で、白熱電球の突入電流r防止しよ
うとするスイッチに関するものである。
第1図は基本回路であって、電源ACからスイッチS’
に閉じると、電源はP点から抵抗R1ヲ経て電球11一
点燈して電源ACに帰る回路?造る。
例えば、抵抗R1勿100オームとし、電球?100ワ
ットとし、電球フィラメントの常温抵抗テ10オームと
すれば、電球には約0.9アンペアの電流が流れてフィ
ラメントの温度?数百層にあげることになる。
その電流によってダイオード群Dnの両端E@F間には
電流値に無関係の約2.8ボルトの電圧が発生する。
ダイオード群Dnの極性?逆にしたダイオードー担当た
シの電圧降下は約0.7ボルトである。
ダイオード群DnのE−F間における電圧全整流用ダイ
オードD1に工って抵抗R2からコンデンサCに充電す
る。抵抗R2とコンデンサCは充電回路の時定数?持つ
ものであって電球のフィラメントの予熱時間0.1秒か
ら0.3秒ぐらいとする。
スイッチS’に閉じた瞬間から一定時間が経つとコンデ
ンサCの電荷により発光ダイオードD2が発光し、光に
工って抵抗が変化する光感応抵抗CDSの抵抗が数キロ
オームから数10オームまで減少する。
光感応抵抗CDSの抵抗が数10オームとなれば、ダイ
オード群DnのFの電位が光感応抵抗CDS’に通り双
方向導通サイリスタBCRのゲートGに印加され双方向
導通素子BCRは導通となり直列抵抗R1は短絡される
第2図はコンデンサCの充電曲線である。約0.15秒
後に発光ダイオードD2が充分な光量に達する電位とな
る。
発光ダイオードD2が光れば、・光感応抵抗CDSの抵
抗は第3図の工うに100分の1ぐらいに低下し、サイ
リスタBCRのゲートに駆動に充分な電圧kF点力)ら
供給し、サイリスタBCRに導通となり、サイリスタB
CR(7)P−に間の電圧波形は第4図に示す工うにス
イッチ・オンの瞬間(00時間)には抵抗R1= 10
0オーム、電球りの抵抗10オームで電流は100ボル
ト÷100オーム+10オーム=0.9アンペアである
が電流によって電球のフィラメントが加熱され温度が上
昇する為にフィラメント抵抗が増加して図の工うにR,
= 100オームの両端の電圧は降下してゆく。
そして、スイッチ・オン後0.15秒のときサイリスタ
BCRが導通とな5 R1= 100オーム全短絡し、
全電圧が電球に印加されサイリスタBCROPφに間の
電圧は第4図の後半の電圧波形のようにサイリスタ内の
降下電圧だけとなる。
もしも、充電回路または発光ダイオード等に故障ができ
て正常に作動しない場合は直列抵抗R□は高温となり焼
損することになるが直列抵抗R□と密着して、サーミス
タ抵抗Thk付着させることにLって直列抵抗R1が高
温となったときはサーミスタThは抵抗が数10オーム
以下となり光感応抵抗CDSの代りにダイオード群[)
nの電圧?サイリスタBCRのゲートに供給し、サイリ
スタBCR?導通として直列抵抗R□の焼損?防ぐこと
になる。
このスイッチ全採用することによつて、スイッチ・オン
の瞬間の突入電流は完全になくなり電球寿命全永くする
ことになる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本案の基本回路 第2図はコンデンサの電圧曲線

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 双方向導通素子BCRと直列に複数の正・負極を逆方向
    に接続したダイオード群を接続し、ダイオード群の降下
    電圧を整流し、時定数を持つ回路に充電し、コンデンサ
    の電荷によって発光ダイオードがスイッチ・オンの瞬間
    から一定の時間後に発光し、ダイオードの発光によって
    光感応抵抗CDSの抵抗が減少しダイオード群の降下電
    圧を双方向導通素子BCRのゲートに供給し、それを導
    通状態とし、スイッチ・オンの瞬間は双方向導通素子B
    CRと並列接続されている直列抵抗を通り電球に電流が
    流れ、電球のフィラメントを予熱し、フィラメントの温
    度が上昇後に全電圧が印加し突入電流を防止し、直列抵
    抗にサーミスタを密着し時定数回路が正常に働かず直列
    抵抗が高温となればサーミスタ抵抗の減少によりダイオ
    ード群の降下電圧が双方向導通素子BCRのゲートに印
    加され双方向導通素子BCRは導通となり事故を未然に
    防ぐようにした回路をスイッチに取り付けるか、または
    、電流回路内に取り付けるようにした単線用ホトカプラ
    ー付電球突入電流防止スイッチ。
JP2643087A 1987-02-09 1987-02-09 突入電流制限スイッチ回路 Granted JPS63194524A (ja)

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US07/149,184 US4855649A (en) 1987-02-09 1988-01-27 Single-wired switching circuit directed to limit surge into lamp
EP88300754A EP0278639A1 (en) 1987-02-09 1988-01-28 Single-wired switching circuit directed to limit surge into lamp
BR8800440A BR8800440A (pt) 1987-02-09 1988-02-04 Circuito de comutacao monofilar para limitar sobretensao em lampada eletrica
KR1019880001186A KR880010547A (ko) 1987-02-09 1988-02-09 단선용 전구직통전류 파동방지 스위치회로

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JPS63194524A true JPS63194524A (ja) 1988-08-11
JPH0368617B2 JPH0368617B2 (ja) 1991-10-29

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