JPS63193450A - 試料保持装置 - Google Patents
試料保持装置Info
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- JPS63193450A JPS63193450A JP2313787A JP2313787A JPS63193450A JP S63193450 A JPS63193450 A JP S63193450A JP 2313787 A JP2313787 A JP 2313787A JP 2313787 A JP2313787 A JP 2313787A JP S63193450 A JPS63193450 A JP S63193450A
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ｍ業上の利用分野）
この発明は、イオン注入装置、スパッタリングによる薄
膜形成装置、イオン注入と真空蒸着とを併用するイオン
蒸着薄説形成装置、イオンビームによるエツチングｆａ
ｔなどに用いられ、真空室内で処理する試料、例えばウ
ェハを保持台に保持する試料保持装置に関する。
膜形成装置、イオン注入と真空蒸着とを併用するイオン
蒸着薄説形成装置、イオンビームによるエツチングｆａ
ｔなどに用いられ、真空室内で処理する試料、例えばウ
ェハを保持台に保持する試料保持装置に関する。
（従来の技術）
例えば、真空室内でウェハにイオン注入などの処理を施
こすと、該ウェハが発熱して損傷することがあるので、
従来ではウェハを、冷却水、冷却ガスなどの冷却媒体を
循環させた保持台で保持し、これを冷却するを一般とし
ている。
こすと、該ウェハが発熱して損傷することがあるので、
従来ではウェハを、冷却水、冷却ガスなどの冷却媒体を
循環させた保持台で保持し、これを冷却するを一般とし
ている。
しかし、保持台の金属面にウェハを置いているだけでは
、微視的にみてウェハと金属面の接触部がほとんどない
、他方、真空中におけるウェハの熱放散の大部分は、保
持台を介しての熱伝導のみとなり、したがって、その熱
伝導が悪いなどといった不都合がある。
、微視的にみてウェハと金属面の接触部がほとんどない
、他方、真空中におけるウェハの熱放散の大部分は、保
持台を介しての熱伝導のみとなり、したがって、その熱
伝導が悪いなどといった不都合がある。
この対策として、例えばゴムに金属粉などを混合し、そ
の硬Ｉｆ（測定方法： Ｊ ｌ５Ｋ６３０１゜以下同じ
、）が９０以上（一般に市販されているもの、）の熱伝
導体を介して試料である例えばウェハを保持台であるプ
ラテンに圧着することにより、接触面の増加を図ること
が提案されている。
の硬Ｉｆ（測定方法： Ｊ ｌ５Ｋ６３０１゜以下同じ
、）が９０以上（一般に市販されているもの、）の熱伝
導体を介して試料である例えばウェハを保持台であるプ
ラテンに圧着することにより、接触面の増加を図ること
が提案されている。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、前記熱転４体が硬いので、これらの間には、
微視的にみるとやはり凹凸があり、点接触となり、密行
性が悪く、その熱伝導が充分ではなかった。特に、近年
のようにイオンビームｆｆｌ流の大電流化が図られるに
つれ、ウェハの温度上昇が過大となり、ウェハ上に描か
れたパターンのレジスト膜を劣化するなどといった不都
合があり、その改善が強く望まれている。
微視的にみるとやはり凹凸があり、点接触となり、密行
性が悪く、その熱伝導が充分ではなかった。特に、近年
のようにイオンビームｆｆｌ流の大電流化が図られるに
つれ、ウェハの温度上昇が過大となり、ウェハ上に描か
れたパターンのレジスト膜を劣化するなどといった不都
合があり、その改善が強く望まれている。
この発明は上述の事柄に鑑み、試料と熱伝導体およびこ
れと保持台との間の密着性の向上を図り、ウェハを効果
的に冷却することを目的とする。
れと保持台との間の密着性の向上を図り、ウェハを効果
的に冷却することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、試料と保持台との間に、硬度が５０〜７０
の熱伝導体を介在することを特徴とする。
の熱伝導体を介在することを特徴とする。
（作 用）
熱伝導体に柔軟性があるので、そのクッシジ／作用によ
り、試料と熱伝導体およびこれと保持台との密着性、す
なわち接触面積が増大し、これらの間の熱抵抗が低減さ
れ、熱伝導が向上する。
り、試料と熱伝導体およびこれと保持台との密着性、す
なわち接触面積が増大し、これらの間の熱抵抗が低減さ
れ、熱伝導が向上する。
（実施例）
以下この発明の一実施例を示す図に基づいて説明する。
同図に示すように、保持台である例えば上面中央部分が
やや凸状となる球面状（図には表われていない、）のプ
ラテンｌに、その硬度が５０〜７０の熱転４体２を介し
て試料である例えばウェハ３を載せ、これをウニ入神え
４をもってバネ５により圧着する。このような状態で、
真空室内において、前記ウェハ３に図示しないイオン源
からイオンビーム！Ｂを照射してイオン注入処理を行う
、なお、図中６は、冷却水、冷却ガスなどの冷却媒体を
循環する冷媒路である。
やや凸状となる球面状（図には表われていない、）のプ
ラテンｌに、その硬度が５０〜７０の熱転４体２を介し
て試料である例えばウェハ３を載せ、これをウニ入神え
４をもってバネ５により圧着する。このような状態で、
真空室内において、前記ウェハ３に図示しないイオン源
からイオンビーム！Ｂを照射してイオン注入処理を行う
、なお、図中６は、冷却水、冷却ガスなどの冷却媒体を
循環する冷媒路である。
前記熱転４体２は、例えば、弾性および耐熱性を有する
シリコーンゴムに、アルミナ、ボロンナイトライド、ア
ルミニウム、ダイヤモンド、カーボン、あるいは金など
からなる熱伝導微粒子を混合して、その硬度が５０〜７
０となるように調整したものであり、その厚さは、２０
〜５００μ程度、その熱転４率がαＯ０５〜α０５（Ｊ
／ｃｍ−８ｅＣ−Ｋ）であればよい、また、必要に応じ
て基材の強度補強などの目的で、例えばガラス繊維など
を充填材として充填したものでもよい、なお、前記熱転
４体２は、単にプラテン１の上に社せて置くのみでよい
が、これがウェハ３とともに移動したりするのを防ぐた
めに、その周辺部分を接着剤によりｔｌ＃したり、ある
いはこれら熱伝導体２をプラテン１に一体的に融着して
もよい。
シリコーンゴムに、アルミナ、ボロンナイトライド、ア
ルミニウム、ダイヤモンド、カーボン、あるいは金など
からなる熱伝導微粒子を混合して、その硬度が５０〜７
０となるように調整したものであり、その厚さは、２０
〜５００μ程度、その熱転４率がαＯ０５〜α０５（Ｊ
／ｃｍ−８ｅＣ−Ｋ）であればよい、また、必要に応じ
て基材の強度補強などの目的で、例えばガラス繊維など
を充填材として充填したものでもよい、なお、前記熱転
４体２は、単にプラテン１の上に社せて置くのみでよい
が、これがウェハ３とともに移動したりするのを防ぐた
めに、その周辺部分を接着剤によりｔｌ＃したり、ある
いはこれら熱伝導体２をプラテン１に一体的に融着して
もよい。
以上の構成によれば、イオンビームＩＢの照射処理によ
りウェハ３が発熱しても、その熱はウェハ３と熱転４体
２およびこれとプラテン１との密着性が向上し、ナなわ
Ｓ接触面積が増大したことにより、その熱抵抗が小さく
な９、プラテン１に速やかに伝達され、冷却される。こ
の結果、ウェハ３の温度上昇が抑制される。
りウェハ３が発熱しても、その熱はウェハ３と熱転４体
２およびこれとプラテン１との密着性が向上し、ナなわ
Ｓ接触面積が増大したことにより、その熱抵抗が小さく
な９、プラテン１に速やかに伝達され、冷却される。こ
の結果、ウェハ３の温度上昇が抑制される。
（実験例）
厚さ１００μ、硬度が６５で、その熱伝導率がα００５
（Ｊ ／ｃｓ−ｓｅｃ−Ｋ）の未加硫のシリコーンゴ
ム製の熱伝導体を、図示するように、プラテン１の試料
ａｔ面に加熱加圧（加硫成形）により、一体的に融着し
たものを作り、その上にシリコンウェハ３をαせ、ウニ
入神え４をもってバネ５により圧着した。この状態で、
冷却路に冷却水を循環しながら、真空室内で前記シリコ
ンウェハ３仁イオン注入処理を行なった。イオン注入装
置は、定格２００ｋＶ、１．５ｍＡで、そのイオン注入
による熱エネルギーは、ａｏｏｗに相当する。
（Ｊ ／ｃｓ−ｓｅｃ−Ｋ）の未加硫のシリコーンゴ
ム製の熱伝導体を、図示するように、プラテン１の試料
ａｔ面に加熱加圧（加硫成形）により、一体的に融着し
たものを作り、その上にシリコンウェハ３をαせ、ウニ
入神え４をもってバネ５により圧着した。この状態で、
冷却路に冷却水を循環しながら、真空室内で前記シリコ
ンウェハ３仁イオン注入処理を行なった。イオン注入装
置は、定格２００ｋＶ、１．５ｍＡで、そのイオン注入
による熱エネルギーは、ａｏｏｗに相当する。
この時のウェハ３の表面温度を測定したところ、８１℃
であった。
であった。
これに対して、熱伝導体として厚さ１００μ、硬度が９
２、その熱転４率がαＯｌ （Ｊ ／ ｃｍ ＊’Ｓｅ
Ｃ・Ｋ）のシリコーンゴム製のものを用いたものを作り
、前記実験例と同一の条件で、シリコンウェハにイオン
注入処理を行なった。この時のウェハの表面温度は、１
２５℃であった。
２、その熱転４率がαＯｌ （Ｊ ／ ｃｍ ＊’Ｓｅ
Ｃ・Ｋ）のシリコーンゴム製のものを用いたものを作り
、前記実験例と同一の条件で、シリコンウェハにイオン
注入処理を行なった。この時のウェハの表面温度は、１
２５℃であった。
（発明の効果）
以上詳述の通りこの発明によれば、柔軟性を有する熱伝
導体を、試料と保持台とのｎｌに介在したことにより、
その弾性を実質的に維持しつつ、試料あるいは保持台と
の接触部における実効的な熱伝導率を向上し、効果的に
試料を冷却することができる。
導体を、試料と保持台とのｎｌに介在したことにより、
その弾性を実質的に維持しつつ、試料あるいは保持台と
の接触部における実効的な熱伝導率を向上し、効果的に
試料を冷却することができる。
なお、上述した実施例では、試料を保持台にバネ力をも
って保持した場合について詳述したが、この発明はこの
ようなものに限定されるものではな（、他の保持手段例
えば、ディスク伏の保持台に試料を載せ、これを回転し
て遠心力を利用するようにしたものなどにも適用できる
のは勿論である。
って保持した場合について詳述したが、この発明はこの
ようなものに限定されるものではな（、他の保持手段例
えば、ディスク伏の保持台に試料を載せ、これを回転し
て遠心力を利用するようにしたものなどにも適用できる
のは勿論である。
図は、この発明の一実施例を示す要部拡大断面図である
。 １ニブラテン（保持台）、２：熱伝導体、３：ウェハ（
試料）。
。 １ニブラテン（保持台）、２：熱伝導体、３：ウェハ（
試料）。
Claims (1)
- 真空室内で処理する試料を保持台に保持するものにおい
て、前記試料と保持台との間に、硬度が５０〜７０の熱
伝導体を介在したことを特徴とする試料保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2313787A JPS63193450A (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 試料保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2313787A JPS63193450A (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 試料保持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63193450A true JPS63193450A (ja) | 1988-08-10 |
Family
ID=12102158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2313787A Pending JPS63193450A (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 試料保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63193450A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5280178A (en) * | 1991-03-18 | 1994-01-18 | U.S. Philips Corporation | Specimen holder for use in a charged particle beam device |
| EP1089326A2 (en) * | 1999-09-29 | 2001-04-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Wafer support with a dustproof covering film and method for producing the same |
-
1987
- 1987-02-03 JP JP2313787A patent/JPS63193450A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5280178A (en) * | 1991-03-18 | 1994-01-18 | U.S. Philips Corporation | Specimen holder for use in a charged particle beam device |
| EP1089326A2 (en) * | 1999-09-29 | 2001-04-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Wafer support with a dustproof covering film and method for producing the same |
| EP1089326A3 (en) * | 1999-09-29 | 2005-12-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Wafer support with a dustproof covering film and method for producing the same |
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