JPS63192247A - Wafer supporter - Google Patents

Wafer supporter

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JPS63192247A
JPS63192247A JP62025236A JP2523687A JPS63192247A JP S63192247 A JPS63192247 A JP S63192247A JP 62025236 A JP62025236 A JP 62025236A JP 2523687 A JP2523687 A JP 2523687A JP S63192247 A JPS63192247 A JP S63192247A
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Japan
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wafer
platen
holding mechanism
cup
holding
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Yuuji Maeda
前田 ゆう司
Hirohiko Yamamoto
弘彦 山本
Manabu Amikura
学 網倉
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TERU BARIAN KK
Tel Varian Ltd
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TERU BARIAN KK
Tel Varian Ltd
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Abstract

PURPOSE:To implant ions by setting an angle with high accuracy by mounting a platen consisting of a holding mechanism holding a wafer between a base member and a fixing member and a rolling mechanism turning the wafer together with the holding mechanism. CONSTITUTION:A holding mechanism 10 placing a wafer 8 on a base member (a platen cup 26) and elevating and lowering the wafer and holding the wafer 8 between the base member and a fixing member (a clamping ring 30) and a rolling mechanism 23 (bearings 24, 34, gears 42, 48 and a motor 44) rotating the wafer 8 held to the holding mechanism 10 together with the holding mechanism 10 are installed. Accordingly, the wafer B placed onto the base member is held between the base member and the fixing member by the ascent and descent of the wafer by the holding mechanism 10, and turned by the rolling mechanism 23 together with the holding mechanism 10 under a held state, and the wafer 8 can be sustained at a fixed angle.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体ウェーハを保持して回転させるウェ
ーハ支持装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a wafer support device that holds and rotates a semiconductor wafer.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、ウェーハにイオン注入を行うイオン注入装置では
、イオン注入すべき゛ウェーハをプラテンに固定し、そ
のウェーハの表面に対して、その中心軸を中心にして回
転させることにより、ウェーハに対するイオン注入角度
を異ならせ、一枚のウェーハに対して異なる角度で複数
回のイオン注入を行うことが行われている。
Conventionally, in ion implantation equipment that implants ions into wafers, the wafer to be ion-implanted is fixed on a platen, and the ion implantation angle with respect to the wafer is adjusted by rotating the wafer around its central axis with respect to the surface of the wafer. Ion implantation is performed multiple times at different angles to one wafer.

このようなイオン注入について、回転機構を持たないプ
ラテンでは、−回目のイオン注入を行った後、一旦ウエ
ーハをプラテンからチャンバーの外に出し、ウェーハを
任意の角度に回転させてから、再びチャンバー内のプラ
テンに戻してイオン注入を行うという手順を繰り返すこ
とが行われている。この場合、ウェーハの角度を変える
過程において、搬送作業を伴うため、設定角度と実際に
イオンを注入する角度との間に誤差を生じやすいととも
に、一枚のウェーハに対して、複数回の搬送を行うため
、ウェーハ上に塵が付着する可能性が高くなり、また、
一枚のウェーハに対する処理時間が長くなることにより
、一定時間内のウェーハの処理枚数(スループット)が
少ないという欠点があった。
For such ion implantation, if a platen does not have a rotation mechanism, after the -th ion implantation, the wafer is taken out of the chamber from the platen, rotated to an arbitrary angle, and then put back into the chamber. The procedure of returning to the platen and performing ion implantation is repeated. In this case, the process of changing the wafer angle involves transport work, which tends to cause errors between the set angle and the actual ion implantation angle, and one wafer must be transported multiple times. Because of this, there is a high possibility that dust will adhere to the wafer, and
Since the processing time for one wafer becomes long, there is a drawback that the number of wafers processed within a certain period of time (throughput) is small.

このため、従来、プラテンに回転機構を備えたものが用
いられているが、このものは、ウェーハを保持するため
の馬蹄形またはV字形に並んだ回転するコマ状のバンパ
ーの内、最下点に位置する二つを、同方向に回転させ、
ウェーハの縁を摩擦し、ウェーハを回転させるようにし
ている。
For this reason, a platen equipped with a rotating mechanism has conventionally been used, but this platen has rotating top-shaped bumpers arranged in a horseshoe or V shape to hold the wafer, and the platen is placed at the lowest point. Rotate the two located in the same direction,
The edges of the wafer are rubbed, causing the wafer to rotate.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ところで、従来の回転機構を備えたものは、転がり摩擦
によりウェーハを回転させているので、回転中にスリッ
プする可能性があり、設定した角度どおりウェーハがセ
ントされるかどうか信頼性に欠け、ウェーハを駆動輪に
より直接摩擦するため、その回転中、ウェーハ裏面がプ
ラテンと接していて摩擦されることにより、塵が発生し
やすく、また、ウェーハがプラテンに密着していないた
め、ウェーハの冷却能力が劣るなどの欠点があった。
By the way, in conventional systems equipped with a rotation mechanism, the wafer is rotated by rolling friction, so there is a possibility of slipping during rotation, and it is not reliable that the wafer will be centered at the set angle. During rotation, the back side of the wafer is in contact with the platen and is rubbed directly by the drive wheel, which tends to generate dust. Also, since the wafer is not in close contact with the platen, the cooling capacity of the wafer is reduced. There were disadvantages such as inferiority.

そこで、この発明は、ウェーハの保持と回転とを一体化
し、ウェーハの取出しゃ回転中の摩擦などを生じること
なく保持と回転を行い、精度の高い角度設定により、イ
オン注入を行うようにしたものである。
Therefore, this invention integrates the holding and rotation of the wafer, performs holding and rotation without causing any friction during rotation when taking out the wafer, and performs ion implantation by setting a highly accurate angle. It is.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明のウェーハ支持装置は、第1図に示すように、
i1W部材(プラテンカップ26)にウェーハ8を載せ
て昇降させ、該ウェーハ8を載置部材と固定部材(クラ
ンプリング30)との間に保持する保持機構10と、保
持機構10に保持されたウェーハ8を保持機構10とと
もに回転させる回転機構23 (ベアリング24.34
、ギヤ42.48およびモータ44)とを備えたもので
ある。
As shown in FIG. 1, the wafer support device of this invention has the following features:
A holding mechanism 10 that places a wafer 8 on an i1W member (platen cup 26) and moves it up and down, and holds the wafer 8 between the mounting member and a fixing member (clamp ring 30); and a wafer held by the holding mechanism 10. 8 together with the holding mechanism 10 (bearing 24, 34
, gears 42, 48, and a motor 44).

〔作   用〕[For production]

この発明では、このようにすれば、保持機構10によっ
て、載置部材に載せられたウェーハ8は、その昇降によ
って固定部材との間に挟まれて保持される。この保持機
構lOによって保持されたウェーハ8は、保持された状
態で保持機構10とともに、回転機構23によって回転
され、所定の角度でウェーハ8を保持することができる
のである。
According to the present invention, by doing so, the wafer 8 placed on the mounting member is held by the holding mechanism 10 while being sandwiched between the holding member and the fixing member as the wafer 8 is raised and lowered. The wafer 8 held by the holding mechanism IO is rotated by the rotation mechanism 23 together with the holding mechanism 10 in the held state, so that the wafer 8 can be held at a predetermined angle.

また、ウェーハ8とともに回転する固定部材を備えてウ
ェーハ8をプラテン側に密着させているので、回転中の
位置的変位の心配がなく、また、冷却能力も従来の回転
機構23を持たないプラテンと同等のものとなる。さら
に、ウェーハー8が回転する際、他の部材との摩擦がな
いので、塵の発生もない。
Furthermore, since a fixing member that rotates together with the wafer 8 is provided and the wafer 8 is closely attached to the platen side, there is no need to worry about positional displacement during rotation, and the cooling capacity is also lower than that of a conventional platen that does not have a rotating mechanism 23. It will be equivalent. Furthermore, when the wafer 8 rotates, there is no friction with other members, so no dust is generated.

たとえば、ウェーハ8にイオンを注入する場合、ウェー
ハ8を垂直近くまで傾ける必要があり、そのためプラテ
ンにはウェーハ8を保持(クランプ)することが必要と
なり、しかも、イオン注入中のウェーハ8は、クランプ
した状態で回転させることが必要であるが、この発明の
ウェーハ支持装置を用いれば、このような要求に応する
ことができる。
For example, when implanting ions into the wafer 8, it is necessary to tilt the wafer 8 nearly vertically, and therefore it is necessary to hold (clamp) the wafer 8 on the platen. Although it is necessary to rotate the wafer in a state in which the wafer is rotated, the use of the wafer support device of the present invention can meet such requirements.

そして、この発明のウェーハ支持装置において、保持機
構10は、ウェーハ8を載せるプラテンカップ26を上
昇させることにより、本体側に固定されたクランプリン
グ30とプラテンカップ26との間にウェーハ8を保持
するようにすれば、ウェーハ8を確実に保持することが
できる。
In the wafer support device of the present invention, the holding mechanism 10 holds the wafer 8 between the clamp ring 30 fixed to the main body side and the platen cup 26 by lifting the platen cup 26 on which the wafer 8 is placed. By doing so, the wafer 8 can be held securely.

また、この発明のウェーハ支持装置において、保持機構
10は、プラテンカップ26の縁部にプラテンカップ2
6の上昇に応じて回動してウェーハ8上に臨むロック部
材(アーム54.56)を備え、ロック部材によってウ
ェーハ8を保持するようにすれば、ウェーハ8上に本体
側の部材としてはロック部材のみとなり、塵埃などの発
生を極力抑えることができる。
Further, in the wafer support device of the present invention, the holding mechanism 10 has a platen cup 2 attached to the edge of the platen cup 26.
If a locking member (arm 54, 56) is provided that rotates in response to the rise of the wafer 6 and faces onto the wafer 8, and the wafer 8 is held by the locking member, the locking member on the main body side can be placed on the wafer 8. Since it is only a member, it is possible to suppress the generation of dust and the like as much as possible.

〔実 施 例〕〔Example〕

第1図ないし第4図は、この発明のウェーハ支持装置の
第1実施例を示す。
1 to 4 show a first embodiment of the wafer support device of the present invention.

この実施例は、ウェーハ支持装置をイオン注入装置のプ
ラテン機構に実施したものである。すなわち、プラテン
機構には、基盤としてのプラテン本体2の下面の円周上
に3本の支柱4を介してベローズプレート6が取り付け
られ、保持機構10における保持すべきウェーハ8を昇
降させる昇降手段であるベローズ12が支持されている
In this embodiment, a wafer support device is implemented in a platen mechanism of an ion implanter. That is, a bellows plate 6 is attached to the platen mechanism via three supports 4 on the circumference of the lower surface of the platen main body 2 as a base, and is a lifting means for raising and lowering the wafer 8 to be held in the holding mechanism 10. A bellows 12 is supported.

ベローズ12の上部にはカップホルダ14が固定されて
いる。カップホルダ14は、プラテン本体2を垂直に昇
降可能に貫通するとともに、プラテン本体2の下方に付
勢するスプリング16を取り付けたガイドシャフト18
によって弾性的に平衡状態で支持されている。このガイ
ドシャフト18は、第2図に示すように、カップホルダ
14の中心軸を中心にして等しい角度で円周上に配置さ
れて、プラテン本体2に圧入されているベアリング19
を通して摺動可能にされており、スプリング16はプラ
テン本体2の下面とガイドシャフト18に取り付けた受
は板20との間に挿入されている。
A cup holder 14 is fixed to the upper part of the bellows 12. The cup holder 14 vertically passes through the platen body 2 so as to be vertically movable, and a guide shaft 18 is attached with a spring 16 that urges the platen body 2 downward.
is elastically supported in equilibrium by As shown in FIG. 2, this guide shaft 18 has bearings 19 disposed circumferentially at equal angles around the central axis of the cup holder 14 and press-fitted into the platen body 2.
The spring 16 is inserted between the lower surface of the platen body 2 and a plate 20 attached to the guide shaft 18.

そして、カップホルダ14の上面にインナレース22と
ともに回転機構23におけるベアリング24を介して回
転可能にウェーハ8を載せるためのR置部材である円形
のプラテンカップ26が取り付けられている。プラテン
カップ26は、第3図に示すように円形を成しており、
ウェーハ8をt2置するための凹部28が形成されてい
る。
A circular platen cup 26 is attached to the upper surface of the cup holder 14 along with the inner race 22 as an R-mounting member for rotatably mounting the wafer 8 via a bearing 24 in the rotation mechanism 23. The platen cup 26 has a circular shape as shown in FIG.
A recess 28 is formed for placing the wafer 8 at t2.

このプラテンカップ26の上部には、プラテン本体2に
取り付けられた固定部材としてのクランプリング30が
設置され、このクランプリング30の先端部は、プラテ
ンカップ26上に載置されるウェーハ8を押さえるため
に、プラテンカップ26の凹部28に入り込むように設
定されている。
A clamp ring 30 as a fixing member attached to the platen body 2 is installed on the top of the platen cup 26, and the tip of the clamp ring 30 is used to hold down the wafer 8 placed on the platen cup 26. It is set so as to fit into the recess 28 of the platen cup 26.

クランプリング30は、プラテン本体2に取り付けられ
たクランプブロック32にベアリング34を介して回転
可能に取り付けられ、その上端縁にはリテーナ36が設
けられている。
The clamp ring 30 is rotatably attached to a clamp block 32 attached to the platen body 2 via a bearing 34, and a retainer 36 is provided on the upper edge thereof.

そして、ベローズプレート6の中心に設けられた流体の
注入孔38からベローズ12内の空間に圧力流体40を
流入させることによりベローズ12の伸長を促し、その
上に構成されるカップホルダ14、プラテンカップ26
などを垂直に上昇させることができる。このとき、ガイ
ドシャフト18も上に引き上げられ、ガイドシャフト1
8の下端に固定された受は板20と、プラテン本体2と
の間に挿入されているスプリング16が圧縮されるので
ある。ガイドシャフト18は、プラテン本体2のベアリ
ング19にガイドされて滑らかに昇降することができ、
カップホルダ14およびプラテンカップ26を昇降する
際のガイドとして機能する。
Then, the pressure fluid 40 is caused to flow into the space inside the bellows 12 from the fluid injection hole 38 provided at the center of the bellows plate 6, thereby promoting the expansion of the bellows 12, and the cup holder 14 and the platen cup configured above the bellows 12. 26
etc. can be raised vertically. At this time, the guide shaft 18 is also pulled up, and the guide shaft 1
The spring 16 inserted between the plate 20 and the platen body 2 is compressed by the receiver fixed to the lower end of the platen 8. The guide shaft 18 is guided by the bearing 19 of the platen body 2 and can move up and down smoothly.
It functions as a guide when raising and lowering the cup holder 14 and the platen cup 26.

したがって、ウェーハ8は、プラテンカップ26の上昇
により、第4図に示すように、クランプリング30との
間に挟まれてクランプが完了するのである。また、ウェ
ーハ8を外す場合には、ベローズ12内の圧力流体40
の圧力を低下させることにより、圧縮されたスプリング
16の反力が働き、カップホルダ14を下降させ、それ
に固定されたプラテンカップ26が下降することでアン
クランプを完了する。
Therefore, as the platen cup 26 rises, the wafer 8 is sandwiched between the clamp ring 30 and clamping is completed, as shown in FIG. In addition, when removing the wafer 8, the pressure fluid 40 in the bellows 12
By lowering the pressure, the reaction force of the compressed spring 16 acts to lower the cup holder 14, and the platen cup 26 fixed thereto lowers to complete unclamping.

そして、プラテンカップ26およびクランプリング30
は、それぞれベアリング24.34を介してプラテン本
体2に回転可能に固定されているとともに、プラテンカ
ップ26の周囲部に形成されたギヤ42にモータ44の
回転軸46に取り付けられたギヤ48が噛み合わされて
いる。すなわち、ウェーハ8を保持させた状態で回転さ
せるための回転機構23は、ベアリング24.34、ギ
ヤ42.48およびモータ44で構成されているのであ
る。
Then, the platen cup 26 and the clamp ring 30
are rotatably fixed to the platen body 2 via bearings 24 and 34, respectively, and a gear 48 attached to a rotating shaft 46 of a motor 44 meshes with a gear 42 formed around the platen cup 26. has been done. That is, the rotation mechanism 23 for rotating the wafer 8 while holding it is composed of bearings 24, 34, gears 42, 48, and a motor 44.

したがって、このような回転機構23によって、  。Therefore, by such a rotation mechanism 23.

プラテンカップ26とクランプリング30との間にウェ
ーハ8を保持した後、モータ44を回転させることによ
り、プラテンカップ26を回転させることができ、任意
の角度にウェーハ8を設定することができる。そして、
プラテンカップ26およびクランプリング30は、ウェ
ーハ8を介してクランプされて回転するので、ウェーハ
8の回転を、ウェーハ8と他の部材との間に摩擦を生じ
ることなく行うことができるのである。
After holding the wafer 8 between the platen cup 26 and the clamp ring 30, by rotating the motor 44, the platen cup 26 can be rotated, and the wafer 8 can be set at an arbitrary angle. and,
Since the platen cup 26 and the clamp ring 30 are clamped and rotated via the wafer 8, the wafer 8 can be rotated without causing friction between the wafer 8 and other members.

次に、第5図ないし第7図は、この発明のウェ−ハ支持
装置の第2実施例を示す。
Next, FIGS. 5 to 7 show a second embodiment of the wafer support device of the present invention.

第5図に示すように、この実施例のプラテン機構におい
て、ウェーハ8を保持するためのベローズ12などの昇
降手段、ウェーハ8を回転する回転機構23は、第1実
施例と同様に構成されているが、ウェーハ8を保持する
ための保持機構10が異なっている。
As shown in FIG. 5, in the platen mechanism of this embodiment, the elevating means such as bellows 12 for holding the wafer 8 and the rotation mechanism 23 for rotating the wafer 8 are constructed in the same manner as in the first embodiment. However, the holding mechanism 10 for holding the wafer 8 is different.

すなわち、この実施例のプラテン機構では、第6図に示
すように、プラテンカップ26の周囲部には、その複数
箇所に一定の間隔を置いて保持機構10の一対のブラケ
ット50.5°2が取り付けられており、第7図の(A
)は、保持機構10によるウェーハ8の保持前、第7図
の(B)はウェーハ8の保持後を示す。
That is, in the platen mechanism of this embodiment, as shown in FIG. 6, a pair of brackets 50.5°2 of the holding mechanism 10 are provided at a plurality of locations around the platen cup 26 at regular intervals. It is attached and shown in (A) in Figure 7.
) shows the state before the wafer 8 is held by the holding mechanism 10, and (B) in FIG. 7 shows the state after the wafer 8 is held.

ブラケット50.52の間には、第7図の(E)に示す
ように、ウェーハ8を固定するロック部材としてのアー
ム54.56が、ブラケット50.52に挟持される形
で、ベアリング58を介して支持軸としてのピン60を
中心に回転可能に支持されている。アーム54の上部に
は、第7図の(D)に示すように、ベアリング62を介
してピン64を中心に回転できるように、クランプ片6
6が固定されており、クランプ片66と、アーム54の
背部との間には、第7図の(C)に示すように、スプリ
ング68が設けられ、このスプリング68の張力により
、このクランプ片66はロッド70に押し付けられてい
る。
Between the brackets 50.52, as shown in FIG. 7(E), an arm 54.56 serving as a locking member for fixing the wafer 8 is sandwiched between the brackets 50.52 and holds a bearing 58. It is supported rotatably around a pin 60 serving as a support shaft. As shown in FIG. 7(D), the upper part of the arm 54 is provided with a clamp piece 6 so as to be rotatable around a pin 64 via a bearing 62.
6 is fixed, and a spring 68 is provided between the clamp piece 66 and the back of the arm 54, as shown in FIG. 7(C), and the tension of the spring 68 causes the clamp piece to 66 is pressed against the rod 70.

ロッド70は、第7図の(B)に示すように、アーム5
4の背部をベアリング71を介して、滑らかに上下動で
きるように貫通しており、その下端はアーム56に接触
している。
The rod 70 is connected to the arm 5 as shown in FIG. 7(B).
4 through a bearing 71 so as to be able to move up and down smoothly, and its lower end is in contact with the arm 56.

アーム56の端部は、第7図の(A)および(D)に示
すように、ベアリング73を介在させたピン74を介し
てテンションブロック72と連結されており、その連結
点はテンションブロック72の長穴76により、回転運
動と、ある程度の左右運動を許されるが、上下方向の運
動を拘束されている。
As shown in FIGS. 7A and 7D, the end of the arm 56 is connected to the tension block 72 via a pin 74 with a bearing 73 interposed therebetween, and the connection point is connected to the tension block 72. The elongated hole 76 allows rotational movement and a certain degree of left-right movement, but vertical movement is restricted.

プラテン本体2にベアリング78を介して固定されたイ
ンナーレース80と、テンションブロック72とは、テ
ンションスクリュー82によって連結されている。ベア
リング78は、プラテンカップ26を回転させるための
ベアリング24と同一の回転中心を持つように取り付け
られている。
An inner race 80 fixed to the platen body 2 via a bearing 78 and a tension block 72 are connected by a tension screw 82. The bearing 78 is mounted so as to have the same rotation center as the bearing 24 for rotating the platen cup 26.

したがって、第7図の(A)に示すウェーハ8の保持前
では、クランプ片66がスプリング68の張力によりロ
ッド70を押し、ロンドアoの他端がアーム56を押す
ことにより、アーム54は全体としてアーム56に対し
て直角より僅かにプラテン本体2の中心部方向に鋭角的
に傾き、アーム56に設けられたストッパに接した状態
で安定する。
Therefore, before the wafer 8 is held as shown in FIG. It is tilted at an acute angle slightly toward the center of the platen body 2 from a right angle to the arm 56, and is stabilized in a state in contact with a stopper provided on the arm 56.

この状態から、ウェーハ8をクランプするために、ベロ
ーズ12に圧力流体40を注入してベローズ12を膨張
させることにより、プラテンカップ26を除々に上昇さ
せると、これに固定されたブラケット50.52も同じ
く上昇し、ブラケット50.52、アーム54.56の
4部品の接続点が上昇することになる。この連結点の上
昇に伴い、アーム56は他端をテンションブロック72
に拘束されているため、その傾きが連結点を中心に除々
に変わり、アーム54およびクランプ片66は、前述の
状態を保持したままアーム56と共に回転する。
From this state, in order to clamp the wafer 8, by injecting pressure fluid 40 into the bellows 12 and expanding the bellows 12, the platen cup 26 is gradually raised, and the brackets 50 and 52 fixed thereto are also lifted. Similarly, the connecting point of the four parts, bracket 50.52 and arm 54.56, will also rise. As the connection point rises, the arm 56 connects the other end to the tension block 72.
Since the arm 54 and the clamp piece 66 are restrained by the arm 56, the inclination gradually changes around the connection point, and the arm 54 and the clamp piece 66 rotate together with the arm 56 while maintaining the above-mentioned state.

このようにして、第7図の(B)および(C)に示すよ
うに、アーム54の角度が垂直になったとき、アーム5
4の前部の両゛側から横に張り出した突起物が、ブラケ
ット50.52に接し、これ以上アーム54が回転しよ
うとするのを妨げる。
In this way, as shown in FIGS. 7B and 7C, when the angle of the arm 54 becomes vertical, the arm 5
Laterally projecting protrusions from both sides of the front part of the arm 54 contact the brackets 50, 52 and prevent the arm 54 from rotating any further.

この瞬間においては、アーム54.56、クランプ片6
6の位置関係は保たれたままであるから、アーム56は
ウェーハ8に対して平行な角度よりも僅かに外側に傾き
、クランプ片66も同様に傾いた状態で、クランプ片6
6の先端はウェーハ8には接していない。
At this moment, the arms 54 and 56, the clamp piece 6
6 remains the same, the arm 56 is tilted slightly outward from the angle parallel to the wafer 8, and the clamp piece 66 is also tilted in the same manner.
The tip of 6 does not touch the wafer 8.

次に、プラテンカップ26が上昇しようとすると、アー
ム56はウェーハ8に対して平行な状態になる。このと
き、アーム54は垂直状態を保持し続けるから、このこ
とによりロッド70が押し上げられ、ロンドア0の他端
がクランプ片66を突き上げる。よって、クランプ片6
6はウェーハ8と平行な角度まで回転し、第7図の(B
)に示すように、ウェーハ8が固定状態となり、クラン
プが完了する。
Next, as the platen cup 26 attempts to rise, the arm 56 becomes parallel to the wafer 8. At this time, since the arm 54 continues to maintain its vertical state, the rod 70 is pushed up, and the other end of the door 0 pushes up the clamp piece 66. Therefore, clamp piece 6
6 is rotated to an angle parallel to the wafer 8, and as shown in FIG.
), the wafer 8 becomes fixed and the clamping is completed.

ところで、このように固定されたウェーハ8を回転させ
た場合、保持機構10は、ブラケット50.52により
プラテンカップ26に固定されているため、ウェーハ8
と一体的に回転し、また、テンションスクリュー82は
自由に回転できるインナーレース80に固定されている
ため、回転中でも一定の張力すなわちクランプ力を保持
し続けるのである。このため、ウェーハ8は、回転中に
他の部材との摩擦を生じないので、回転による塵の発生
がない。
By the way, when the wafer 8 fixed in this way is rotated, the holding mechanism 10 is fixed to the platen cup 26 by the brackets 50 and 52, so the wafer 8 is rotated.
Since the tension screw 82 is fixed to the inner race 80 which can rotate freely, a constant tension, that is, clamping force is maintained even during rotation. Therefore, since the wafer 8 does not generate friction with other members during rotation, no dust is generated due to rotation.

また、ウェーハ8を外すには、クランプとは全く逆の動
作によって行うことができる。
Further, the wafer 8 can be removed by an operation completely opposite to that of clamping.

そして、この発明のウェーハ支持装置をイオン注入装置
に用いた場合、イオン注入を途中で中断した後、一定角
度(たとえば90°)プラテンを回転し、再注入を行う
ことができ、この動作は1回の注入中に何回も行うこと
ができる。
When the wafer support device of the present invention is used in an ion implantation device, after interrupting ion implantation, the platen can be rotated by a certain angle (for example, 90°) to perform re-implantation. It can be done multiple times during a single injection.

この場合、一般にイオン注入時には、チャネリング防止
のため、イオンビームとウェーハとがある角度(通常は
7°前後)を持っており、アスペクト比のあるパターン
にイオン注入するとき、山により壁や底面に影が生ずる
(壁に未注入部が生じる)が、プラテンをたとえば90
°ずつインデックスして注入を行うと、未注入部を無く
すとともに、パターンの陵や側面にもイオン注入を行う
ことができ、デバイスの絶縁や特性向上に効果がある。
In this case, generally during ion implantation, the ion beam and wafer are at a certain angle (usually around 7 degrees) to prevent channeling, and when implanting ions into a pattern with a certain aspect ratio, the ridges may cause the wall or bottom surface to A shadow will appear (an unfilled area will appear on the wall), but if the platen is
By indexing and implanting ions in degrees, it is possible to eliminate unimplanted areas and also implant ions into the ridges and sides of the pattern, which is effective in improving device insulation and characteristics.

また、プラテンを傾斜させる機構との併用により、パタ
ーンの側面に任意の量のイオン注入を行うことも可能で
ある。また、注入中に回転することにより、上記の効果
が期待できる一方、ドーズ均一性が大幅に改善される。
Further, by using a mechanism for tilting the platen, it is also possible to implant an arbitrary amount of ions into the side surface of the pattern. Further, by rotating during implantation, the above effects can be expected, while the dose uniformity is significantly improved.

たとえば、ウェーハ8を回転させた場合、回転しない場
合に比較してドーズ均一性が1.03%から0.33%
になったことが確認された。
For example, when the wafer 8 is rotated, the dose uniformity is 1.03% to 0.33% compared to when it is not rotated.
It was confirmed that

また、イオン注入において、結晶格子とイオンビームと
の成す角度は、一定の関係を持っているので、結晶格子
の方向はウェーハ外周のオリエンテーションフラットと
呼ばれるフラット面で示されるが、フラット面の位置精
度は±1@以内が要求され、化合物半導体の場合には、
さらに厳しい精度が要求されつつある。従来、プラテン
以外のステージでオリエンテーションフラットの位置合
わせを行った後、プラテン上にウェーハを搬送しており
、その間にウェーハがずれる可能性があり、プラテン上
での精度は必ずしも正確とは言えないものであったが、
この発明のウェーハ支持装置を用いた場合、このような
不都合を解消することができる。
In addition, in ion implantation, the angle formed between the crystal lattice and the ion beam has a certain relationship, so the direction of the crystal lattice is indicated by a flat surface called the orientation flat on the wafer's periphery, but the positional accuracy of the flat surface is is required to be within ±1@, and in the case of compound semiconductors,
Even stricter precision is being required. Conventionally, the wafer is transferred onto the platen after aligning the orientation flat on a stage other than the platen, and the wafer may shift during this time, so the accuracy on the platen cannot necessarily be said to be accurate. However,
When the wafer support device of the present invention is used, such inconveniences can be eliminated.

そして、プラテン本体にフォトセンサを内蔵し、オリエ
ンテーションフラットの位置を正確に測定できるため、
ウェーハ搬送中の誤差は全く考慮する必要がなく、オリ
エンテーションフラットを任意の角度に設定できるので
ある。
A photosensor is built into the platen body to accurately measure the orientation flat position.
There is no need to consider errors during wafer transport, and the orientation flat can be set at any angle.

なお、実施例では、イオン注入装置について説明したが
、この発明のウェーハ支持装置は、イオン注入装置の他
、イオンエツチング装置など、ウェーハを保持しながら
回転させる場合に広く利用できるものである。
Although the ion implantation apparatus has been described in the embodiments, the wafer support apparatus of the present invention can be widely used in ion etching apparatuses and the like in addition to ion implantation apparatuses when rotating a wafer while holding it.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、この発明によれば、処理ウェーハ
を保持しつつ回転させ、その回転角度を任意に設定し、
その回転角度の設定を容易に行うことができ、たとえば
、イオン注入装置に用いてウェーハに均一なイオン注入
が実現できる。
As explained above, according to the present invention, a wafer to be processed is held and rotated, the rotation angle is arbitrarily set,
The rotation angle can be easily set, and uniform ion implantation into a wafer can be realized using, for example, an ion implantation device.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明のウェーハ支持装置の第1実施例を示
す断面図、第2図は第1図に示したウェーハ支持装置に
おけるプラテン機構のガイドシャフトおよびモータの位
置関係を示す図、第3図は第1図に示したウェーハ支持
装置のプラテン機構の平面図、第4図は第1図に示した
ウェーハ支持装置のプラテン機構によるウェーハの固定
状態を示す図、第5図はこの発明のウェーハ支持装置の
第2実施例を示す断面図、第6図は第5図に示したウェ
ーハ支持装置のプラテン機構の保持機構を示す平面図、
第7図は第6図に示した保持機構の構成および動作機構
を示す図である。 8・・・ウェーハ、10・・・保持機構、12・・・ベ
ローズ、23・・・回転機構、24.34・・・ベアリ
ング、26・・・プラテンカップ(載置部材)、30・
・・クランブリング(固定部材)、42.48・・・ギ
ヤ、44・・・モータ。 第2図
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of the wafer support device of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the positional relationship between the guide shaft and motor of the platen mechanism in the wafer support device shown in FIG. 1, and FIG. The figure is a plan view of the platen mechanism of the wafer support device shown in FIG. 1, FIG. 4 is a diagram showing a state in which a wafer is fixed by the platen mechanism of the wafer support device shown in FIG. 1, and FIG. 6 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the wafer support device; FIG. 6 is a plan view showing the holding mechanism of the platen mechanism of the wafer support device shown in FIG. 5;
FIG. 7 is a diagram showing the configuration and operating mechanism of the holding mechanism shown in FIG. 6. 8... Wafer, 10... Holding mechanism, 12... Bellows, 23... Rotating mechanism, 24. 34... Bearing, 26... Platen cup (mounting member), 30...
...Crumble ring (fixed member), 42.48...Gear, 44...Motor. Figure 2

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)載置部材にウェーハを載せて昇降させ、該ウェー
ハを載置部材と固定部材との間に保持する保持機構と、
この保持機構に保持されたウェーハを保持機構とともに
回転させる回転機構とからなるプラテンを備えたウェー
ハ支持装置。
(1) a holding mechanism that places a wafer on a mounting member and raises and lowers it, and holds the wafer between the mounting member and the fixing member;
A wafer support device including a platen and a rotation mechanism that rotates the wafer held by the holding mechanism together with the holding mechanism.
(2)前記保持機構は、ウェーハを載せるプラテンカッ
プを上昇させることにより、本体側に固定されたクラン
プリングとプラテンカップとの間にウェーハを保持させ
る特許請求の範囲第1項に記載のウェーハ支持装置。
(2) The wafer support according to claim 1, wherein the holding mechanism holds the wafer between a clamp ring fixed to the main body side and the platen cup by raising the platen cup on which the wafer is placed. Device.
(3)前記保持機構は、プラテンカップの縁部にプラテ
ンカップの上昇に応じて回動してウェーハ上に臨むロッ
ク部材を備え、このロック部材によってウェーハを保持
する特許請求の範囲第1項に記載のウェーハ支持装置。
(3) The holding mechanism includes a locking member on the edge of the platen cup that rotates as the platen cup rises and faces onto the wafer, and the holding mechanism holds the wafer by the locking member. The wafer support device described.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5350427A (en) * 1993-06-14 1994-09-27 Varian Associates, Inc. Wafer retaining platen having peripheral clamp and wafer lifting means
JP2010016167A (en) * 2008-07-03 2010-01-21 Sumco Corp Method of manufacturing simox wafer

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