JPH06103719B2 - Wafer support device - Google Patents

Wafer support device

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JPH06103719B2
JPH06103719B2 JP62025236A JP2523687A JPH06103719B2 JP H06103719 B2 JPH06103719 B2 JP H06103719B2 JP 62025236 A JP62025236 A JP 62025236A JP 2523687 A JP2523687 A JP 2523687A JP H06103719 B2 JPH06103719 B2 JP H06103719B2
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JP
Japan
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wafer
platen
cup
clamp ring
ion implantation
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JP62025236A
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Inventor
ゆう司 前田
弘彦 山本
学 網倉
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テル・バリアン株式会社
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Publication date
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体ウエーハを保持して回転させるウエ
ーハ支持装置に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a wafer supporting device for holding and rotating a semiconductor wafer.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、ウエーハにイオン注入を行うイオン注入装置で
は、イオン注入すべきウエーハをプラテンに固定し、そ
のウエーハの表面に対して、その中心軸を中心にして回
転させることにより、ウエーハに対するイオン注入角度
を異ならせ、一枚のウエーハに対して異なる角度で複数
回のイオン注入を行うことが行われている。
Conventionally, in an ion implantation apparatus that performs ion implantation on a wafer, the wafer to be ion-implanted is fixed to a platen, and the surface of the wafer is rotated about its central axis, thereby changing the ion implantation angle with respect to the wafer. Differently, ion implantation is performed a plurality of times on a single wafer at different angles.

このようなイオン注入について、回転機構を持たないプ
ラテンでは、一回目のイオン注入を行った後、一旦ウエ
ーハをプラテンからチャンバーの外に出し、ウエーハを
任意の角度に回転させてから、再びチャンバー内のプラ
テンに戻してイオン注入を行うという手順を繰り返すこ
とが行われている。この場合、ウエーハの角度を変える
過程において、搬送作業を伴うため、設定角度と実際に
イオンを注入する角度との間に誤差を生じやすいととも
に、一枚のウエーハに対して、複数回の搬送を行うた
め、ウエーハ上に塵が付着する可能性が高くなり、ま
た、一枚のウエーハに対する処理時間が長くなることに
より、一定時間内のウエーハの処理枚数(スループッ
ト)が少ないという欠点があった。
Regarding such ion implantation, in the case of a platen that does not have a rotation mechanism, after performing the first ion implantation, once the wafer is taken out of the chamber from the platen, the wafer is rotated to an arbitrary angle, and then the chamber is re-introduced. The procedure of returning to the platen and performing ion implantation is repeated. In this case, since the transfer work is involved in the process of changing the angle of the wafer, an error is likely to occur between the set angle and the angle at which the ions are actually implanted, and the transfer is performed multiple times for one wafer. Therefore, the possibility that dust adheres to the wafer increases, and the processing time for one wafer becomes long, so that the number of processed wafers (throughput) within a fixed time is small.

このため、従来、プラテンに回転機構を備えたものが用
いられているが、このものは、ウエーハを保持するため
の馬蹄形またはV字形に並んだ回転するコマ状のバンパ
ーの内、最下点に位置する二つを、同方向に回転させ、
ウエーハの縁を摩擦し、ウエーハを回転させるようにし
ている。
For this reason, conventionally, a platen equipped with a rotating mechanism has been used, but this one is located at the lowest point among rotating horseshoe-shaped or V-shaped bumpers arranged in a V-shape for holding a wafer. Rotate the two located in the same direction,
The edges of the wafer are rubbed to rotate the wafer.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

ところで、従来の回転機構を備えたものは、転がり摩擦
によりウエーハを回転させているので、回転中にスリッ
プする可能性があり、設定した角度どおりウエーハがセ
ットされるかどうか信頼性に欠け、ウエーハを駆動輪に
より直接摩擦するため、その回転中、ウエーハ裏面がプ
ラテンと接していて摩擦されることにより、塵が発生し
やすく、また、ウエーハがプラテンに密着していないた
め、ウエーハの冷却能力が劣るなどの欠点があった。
By the way, since the conventional rotating mechanism has a wafer rotating due to rolling friction, it may slip during rotation, and it is unreliable whether the wafer is set according to the set angle. Because the drive wheel directly rubs against it, the back surface of the wafer is in contact with the platen and is rubbed during the rotation, and dust is easily generated.Because the wafer is not in close contact with the platen, the cooling capacity of the wafer is reduced. There were drawbacks such as inferiority.

そこで、この発明は、ウエーハの保持と回転とを一体化
し、ウエーハの取出しや回転中の摩擦などを生じること
なく保持と回転を行い、精度の高い角度設定により、イ
オン注入を行うようにしたものである。
Therefore, in the present invention, the wafer holding and the rotation are integrated, the wafer is held and rotated without causing the friction during the taking-out and the rotation of the wafer, and the ion implantation is performed by setting the angle with high accuracy. Is.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明のウエーハ支持装置は、第1図に例示するよう
に、プラテン本体(2)に回転かつ昇降可能に取り付け
られるとともに凹部(28)を成す載置面を備え、前記載
置面にウエーハ(8)が設置されるプラテンカップ(2
6)と、前記プラテン本体に回転可能に取り付けられて
前記プラテンカップの前記載置面上に設置されたクラン
プリング(30)と、前記プラテンカップの上昇により前
記載置面と前記クランプリングとの間に前記ウエーハを
支持させ、前記プラテンカップの下降により前記ウエー
ハの支持を解除する昇降機構(ベローズ12)と、前記プ
ラテンカップに回転力を付与することにより、前記プラ
テンカップと前記クランプリングとの間に支持させてい
る前記ウエーハを回転させる回転機構(23)とを備えた
ものである。
As illustrated in FIG. 1, the wafer supporting apparatus of the present invention is provided with a mounting surface which is mounted on a platen body (2) so as to be rotatable and can be moved up and down, and which has a recess (28). 8) Platen cup (2)
6), a clamp ring (30) rotatably attached to the platen body and installed on the mounting surface of the platen cup, and the rising of the platen cup causes the clamping surface of the mounting surface and the clamp ring to be separated. Between the platen cup and the clamp ring, a lifting mechanism (bellows 12) for supporting the wafer in between and releasing the support of the wafer by lowering the platen cup, and applying a rotational force to the platen cup. And a rotation mechanism (23) for rotating the wafer supported between them.

〔作用〕[Action]

この発明のウエーハ支持装置においては、凹部を成す載
置面に置かれたウエーハは、プラテンカップの上昇によ
って前記載置面とクランプリングとの間に挟まれて固定
される。このように固定されたウエーハは、回転機構に
よって回転することができ、所定の角度でウエーハを保
持することができる。
In the wafer supporting apparatus of the present invention, the wafer placed on the placing surface forming the concave portion is fixed by being sandwiched between the placing surface and the clamp ring by raising the platen cup. The wafer thus fixed can be rotated by the rotating mechanism, and the wafer can be held at a predetermined angle.

また、ウエーハ8とともに回転する固定部材を備えてウ
エーハ8をプラテン側に密着させているので、回転中の
位置的変位の心配がなく、また、冷却能力も従来の回転
機構23を持たないプラテンと同等のものとなる。さら
に、ウエーハ8が回転する際、他の部材との摩擦がない
ので、塵の発生もない。
Further, since the wafer 8 is provided in close contact with the platen side by providing a fixing member that rotates together with the wafer 8, there is no concern about positional displacement during rotation, and the cooling capacity is the same as that of the conventional platen without the rotating mechanism 23. Will be equivalent. Further, when the wafer 8 rotates, there is no friction with other members, so that no dust is generated.

たとえば、ウエーハ8にイオンを注入する場合、ウエー
ハ8を垂直近くまで傾ける必要があり、そのためプラテ
ンにはウエーハ8を保持(クランプ)することが必要と
なり、しかも、イオン注入中のウエーハ8は、クランプ
した状態で回転させることが必要であるが、この発明の
ウエーハ支持装置を用いれば、このような要求に応ずる
ことができる。
For example, when implanting ions into the wafer 8, it is necessary to incline the wafer 8 almost vertically, which requires holding the wafer 8 on the platen (clamping). In addition, the wafer 8 during ion implantation is clamped. Although it is necessary to rotate the wafer in the above state, it is possible to meet such a demand by using the wafer supporting apparatus of the present invention.

そして、この発明のウエーハ支持装置において、クラン
プリングは、ベアリングを介してプラテン本体に取り付
けられることにより、プラテンカップとともに回転させ
ることができる。
Further, in the wafer supporting apparatus of the present invention, the clamp ring can be rotated together with the platen cup by being attached to the platen body via the bearing.

また、この発明のウエーハ支持装置において、回転機構
は、前記プラテンカップの周縁部にギヤを形成し、この
ギヤにモータの回転力を付与するようにすれば、容易に
プラテンカップとともにウエーハを回転させることがで
きる。
Further, in the wafer supporting apparatus of the present invention, if the rotating mechanism forms a gear on the peripheral portion of the platen cup and the rotational force of the motor is applied to this gear, the wafer is easily rotated together with the platen cup. be able to.

〔実施例〕〔Example〕

第1図ないし第4図は、この発明のウエーハ支持装置の
第1実施例を示す。
1 to 4 show a first embodiment of the wafer supporting apparatus according to the present invention.

この実施例は、ウエーハ支持装置をイオン注入装置のプ
ラテン機構に実施したものである。すなわち、プラテン
機構には、基盤としてのプラテン本体2の下面の円周上
に3本の支柱4を介してベローズプレート6が取り付け
られ、保持機構10における保持すべきウエーハ8を昇降
させる昇降手段であるベローズ12が支持されている。
In this embodiment, the wafer supporting device is applied to the platen mechanism of the ion implantation device. That is, the bellows plate 6 is attached to the platen mechanism on the circumference of the lower surface of the platen main body 2 as a base via the three columns 4, and the lifting mechanism is used to lift and lower the wafer 8 to be held in the holding mechanism 10. A bellows 12 is supported.

ベローズ12の上部にはカップホルダ14が固定されてい
る。カップホルダ14は、プラテン本体2を垂直に昇降可
能に貫通するとともに、プラテン本体2の下方に付勢す
るスプリング16を取り付けたガイドシャフト18によって
弾性的に平衡状態で支持されている。このガイドシャフ
ト18は、第2図に示すように、カップホルダ14の中心軸
を中心にして等しい角度で円周上に配置されて、プラテ
ン本体2に圧入されているベアリング19を通して摺動可
能にされており、スプリング16はプラテン本体2の下面
とガイドシャフト18に取り付けた受け板20との間に挿入
されている。
A cup holder 14 is fixed to the upper part of the bellows 12. The cup holder 14 penetrates the platen body 2 vertically so as to be vertically movable, and is elastically supported in a balanced state by a guide shaft 18 to which a spring 16 that biases the platen body 2 is attached. As shown in FIG. 2, the guide shaft 18 is arranged on the circumference at an equal angle around the center axis of the cup holder 14 and slidable through a bearing 19 press-fitted into the platen body 2. The spring 16 is inserted between the lower surface of the platen body 2 and the receiving plate 20 attached to the guide shaft 18.

そして、カップホルダ14の上面にインナレース22ととも
に回転機構23におけるベアリング24を介して回転可能に
ウエーハ8を載せるための載置部材である円形のプラテ
ンカップ26が取り付けられている。プラテンカップ26
は、第3図に示すように円形を成しており、ウエーハ8
を載置するための凹部28によって載置面が形成されてい
る。
A circular platen cup 26, which is a mounting member for rotatably mounting the wafer 8 together with the inner race 22 via a bearing 24 in the rotating mechanism 23, is attached to the upper surface of the cup holder 14. Platen cup 26
Has a circular shape as shown in FIG.
A mounting surface is formed by the concave portion 28 for mounting the.

このプラテンカップ26の上部には、プラテン本体2に取
り付けられた固定部材としてのクランプリング30が設置
され、このクランプリング30の先端部は、プラテンカッ
プ26上に載置されるウエーハ8を押さえるために、プラ
テンカップ26を凹部28に入り込むように設定されてい
る。
A clamp ring 30 as a fixing member attached to the platen body 2 is installed on an upper portion of the platen cup 26, and a tip portion of the clamp ring 30 presses the wafer 8 placed on the platen cup 26. Further, the platen cup 26 is set so as to enter the recess 28.

クランプリング30は、プラテン本体2に取り付けられた
クランプブロック32にベアリング34を介して回転可能に
取り付けられ、その上端縁にはリテーナ36が設けられて
いる。
The clamp ring 30 is rotatably attached to a clamp block 32 attached to the platen body 2 via a bearing 34, and a retainer 36 is provided on the upper end edge thereof.

そして、ベローズプレート6の中心に設けられた流体の
注入孔38からベローズ12内の空間に圧力流体40を流入さ
せることによりベローズ12の伸長を促し、その上に構成
されるカップホルダ14、プラテンカップ26などを垂直に
上昇させることができる。このとき、ガイドシャフト18
も上に引き上げられ、ガイドシャフト18の下端に固定さ
れた受け板20と、プラテン本体2との間に挿入されてい
るスプリング16が圧縮されるのである。ガイドシャフト
18は、プラテン本体2のベアリング19にガイドされて滑
らかに昇降することができ、カップホルダ14およびプラ
テンカップ26を昇降する際のガイドとして機能する。
Then, the pressure fluid 40 is caused to flow into the space inside the bellows 12 from the fluid injection hole 38 provided at the center of the bellows plate 6 to promote the expansion of the bellows 12, and the cup holder 14 and the platen cup configured thereabove. You can raise things like 26 vertically. At this time, guide shaft 18
The spring 16 inserted between the platen body 2 and the receiving plate 20 fixed to the lower end of the guide shaft 18 is also compressed. Guide shaft
The guide 18 can be smoothly moved up and down by being guided by the bearing 19 of the platen main body 2, and functions as a guide when the cup holder 14 and the platen cup 26 are moved up and down.

したがって、ウエーハ8は、プラテンカップ26の上昇に
より、第4図に示すように、クランプリング30との間に
挟まれてクランプが完了するのである。また、ウエーハ
8を外す場合には、ベローズ12内の圧力流体40の圧力を
低下させることにより、圧縮されたスプリング16の反力
が働き、カップホルダ14を下降させ、それに固定された
プラテンカップ26が下降することでアンクランプを完了
する。
Therefore, the wafer 8 is clamped by being lifted by the platen cup 26 and sandwiched between the wafer 8 and the clamp ring 30, as shown in FIG. When the wafer 8 is removed, the reaction force of the compressed spring 16 works by lowering the pressure of the pressure fluid 40 in the bellows 12, lowers the cup holder 14, and lowers the platen cup 26 fixed to it. The unclamping is completed when is lowered.

そして、プラテンカップ26およびクランプリング30は、
それぞれベアリング24、34を介してプラテン本体2に回
転可能に固定されているとともに、プラテンカップ26の
周囲部に形成されたギヤ42にモータ44の回転軸46に取り
付けられたギヤ48が噛み合わされている。すなわち、ウ
エーハ8を保持させた状態で回転させるための回転機構
23、ベアリング24、34、ギヤ42、48およびモータ44で構
成されているのである。
Then, the platen cup 26 and the clamp ring 30 are
A gear 48 is rotatably fixed to the platen body 2 via bearings 24 and 34, respectively, and a gear 48 formed on a peripheral portion of the platen cup 26 is meshed with a gear 48 attached to a rotation shaft 46 of a motor 44. There is. That is, a rotation mechanism for rotating the wafer 8 while holding it.
23, bearings 24 and 34, gears 42 and 48, and motor 44.

したがって、このような回転機構23によって、プラテン
カップ26とクランプリング30との間にウエーハ8を保持
した後、モータ44を回転させることにより、プラテンカ
ップ26を回転させることができ、任意の角度にウエーハ
8を設定することができる。そして、プラテンカップ26
およびクランプリング30は、ウエーハ8を介してクラン
プされて回転するので、ウエーハ8の回転を、ウエーハ
8と他の部材との間に摩擦を生じることなく行うことが
できるのである。
Therefore, by holding the wafer 8 between the platen cup 26 and the clamp ring 30 by such a rotating mechanism 23, the platen cup 26 can be rotated by rotating the motor 44, and the platen cup 26 can be rotated at an arbitrary angle. Wafer 8 can be set. And the platen cup 26
Since the clamp ring 30 is clamped via the wafer 8 to rotate, the rotation of the wafer 8 can be performed without causing friction between the wafer 8 and other members.

次に、第5図ないし第7図は、この発明のウエーハ支持
装置の第2実施例を示す。
Next, FIGS. 5 to 7 show a second embodiment of the wafer supporting apparatus of the present invention.

第5図に示すように、この実施例のプラテン機構におい
て、ウエーハ8を保持するためのベローズ12などの昇降
手段、ウエーハ8を回転する回転機構23は、第1実施例
と同様に構成されているが、ウエーハ8を保持するため
の保持機構10が異なっている。
As shown in FIG. 5, in the platen mechanism of this embodiment, the lifting means such as the bellows 12 for holding the wafer 8 and the rotating mechanism 23 for rotating the wafer 8 are constructed in the same manner as in the first embodiment. However, the holding mechanism 10 for holding the wafer 8 is different.

すなわち、この実施例のプラテン機構では、第6図に示
すように、プラテンカップ26の周囲部には、その複数箇
所に一定の間隔を置いて保持機構10の一対のブラケット
50、52が取り付けられており、第7図の(A)は、保持
機構10によるウエーハ8の保持前、第7図の(B)はウ
エーハ8の保持後を示す。
That is, in the platen mechanism of this embodiment, as shown in FIG. 6, a pair of brackets of the holding mechanism 10 are provided at a plurality of positions around the platen cup 26 at regular intervals.
50 and 52 are attached, FIG. 7 (A) shows before the holding of the wafer 8 by the holding mechanism 10, and FIG. 7 (B) shows after the holding of the wafer 8.

ブラケット50、52の間には、第7図の(E)に示すよう
に、ウエーハ8を固定するロック部材としてのアーム5
4、56が、ブラケット50、52に挟持される形で、ベアリ
ング58を介して支持軸としてのピン60を中心に回転可能
に支持されている。アーム54の上部には、第7図の
(D)に示すように、ベアリング62を介してピン64を中
心に回転できるように、クランプ片66が固定されてお
り、クランプ片66と、アーム54の背部との間には、第7
図の(C)に示すように、スプリング68が設けられ、こ
のスプリング68の張力により、このクランプ片66はロッ
ド70に押し付けられている。
Between the brackets 50 and 52, as shown in FIG. 7 (E), an arm 5 as a lock member for fixing the wafer 8 is provided.
4, 56 are supported by a bracket 58 so as to be rotatable about a pin 60 serving as a support shaft, while being sandwiched between brackets 50, 52. As shown in FIG. 7D, a clamp piece 66 is fixed to the upper portion of the arm 54 so that the pin 64 can be rotated about a pin 64 via a bearing 62. Between the back of the 7th
As shown in (C) of the figure, a spring 68 is provided, and the tension of the spring 68 pushes the clamp piece 66 against the rod 70.

ロッド70は、第7図の(B)に示すように、アーム54の
背部をベアリング71を介して、滑らかに上下動できるよ
うに貫通しており、その下端はアーム56に接触してい
る。
As shown in FIG. 7B, the rod 70 penetrates the back portion of the arm 54 through a bearing 71 so that the rod 70 can smoothly move up and down, and the lower end thereof contacts the arm 56.

アーム56の端部は、第7図の(A)および(D)に示す
ように、ベアリング73を介在させたピン74を介してテン
ションブロック72と連結されており、その連結点はテン
ションブロック72の長穴76により、回転運動と、ある程
度の左右運動を許されるが、上下方向の運動を拘束され
ている。
As shown in FIGS. 7A and 7D, the end of the arm 56 is connected to the tension block 72 via a pin 74 with a bearing 73 interposed, and the connection point is the tension block 72. The elongated hole 76 allows a rotational movement and a certain amount of lateral movement, but restrains vertical movement.

プラテン本体2にベアリング78を介して固定されたイン
ナーレース80と、テンションブロック72とは、テンショ
ンスクリュー82によって連結されている。ベアリング78
は、プラテンカップ26を回転させるためのベアリング24
と同一の回転中心を持つように取り付けられている。
An inner race 80 fixed to the platen body 2 via a bearing 78 and a tension block 72 are connected by a tension screw 82. Bearing 78
Bearings 24 for rotating the platen cup 26
It is attached so that it has the same center of rotation as.

したがって、第7図の(A)に示すウエーハ8の保持前
では、クランプ片66がスプリング68の張力によりロッド
70を押し、ロッド70の他端がアーム56を押すことによ
り、アーム54は全体としてアーム56に対して直角より僅
かにプラテン本体2の中心部方向に鋭角的に傾き、アー
ム56に設けられたストッパに接した状態で安定する。
Therefore, before the wafer 8 is held as shown in FIG.
By pushing 70 and pushing the arm 56 by the other end of the rod 70, the arm 54 as a whole is provided on the arm 56 with an acute inclination to the center of the platen body 2 from a right angle with respect to the arm 56. Stabilizes in contact with the stopper.

この状態から、ウエーハ8をクランプするために、ベロ
ーズ12に圧力流体40を注入してベローズ12を膨張させる
ことにより、プラテンカップ26を徐々に上昇させると、
これに固定されたブラケット50、52も同じく上昇し、ブ
ラケット50、52、アーム54、56の4部品の接続点が上昇
することになる。この連結点の上昇に伴い、アーム56は
他端をテンションブロック72に拘束されているため、そ
の傾きが連結点を中心に徐々に変わり、アーム54および
クランプ片66は、前述の状態を保持したままアーム56と
共に回転する。
From this state, in order to clamp the wafer 8, by injecting the pressure fluid 40 into the bellows 12 to expand the bellows 12, the platen cup 26 is gradually raised,
The brackets 50 and 52 fixed to this also rise, and the connection point of the four parts of the bracket 50 and 52 and the arms 54 and 56 rises. Since the other end of the arm 56 is restrained by the tension block 72 as the connecting point rises, its inclination gradually changes around the connecting point, and the arm 54 and the clamp piece 66 maintain the above-mentioned state. It rotates with the arm 56 as it is.

このようにして、第7図の(B)および(C)に示すよ
うに、アーム54の角度が垂直になったとき、アーム54の
前部の両側から横に張り出した突起物が、ブラケット5
0、52に接し、これ以上アーム54が回転しようとするの
を妨げる。この瞬間においては、アーム54、56、クラン
プ片66の位置関係は保たれたままであるから、アーム56
はウエーハ8に対して平行な角度よりも僅かに外側に傾
き、クランプ片66も同様に傾いた状態で、クランプ片66
の先端はウエーハ8には接していない。
In this way, as shown in FIGS. 7B and 7C, when the angle of the arm 54 becomes vertical, the projections that laterally protrude from the both sides of the front portion of the arm 54 become
It contacts 0, 52 and prevents the arm 54 from trying to rotate any more. At this moment, the positional relationship between the arms 54 and 56 and the clamp piece 66 is maintained, so the arm 56
Is tilted slightly outside the angle parallel to the wafer 8, and the clamp piece 66 is also tilted in the same manner.
Is not in contact with the wafer 8.

次に、プラテンカップ26が上昇しようとすると、アーム
56はウエーハ8に対して平行な状態になる。このとき、
アーム54は垂直状態を保持し続けるから、このことによ
りロッド70が押し上げられ、ロッド70の他端がクランプ
片66を突き上げる。よって、クランプ片66はウエーハ8
と平行な角度まで回転し、第7図の(B)に示すよう
に、ウエーハ8が固定状態となり、クランプが完了す
る。
Next, when the platen cup 26 tries to rise, the arm
56 is parallel to the wafer 8. At this time,
Since the arm 54 continues to maintain the vertical state, this pushes up the rod 70, and the other end of the rod 70 pushes up the clamp piece 66. Therefore, the clamp piece 66 is the wafer 8
The wafer 8 is rotated to an angle parallel to, and the wafer 8 is fixed as shown in FIG. 7B, and the clamping is completed.

ところで、このように固定されたウエーハ8を回転させ
た場合、保持機構10は、ブラケット50、52によりプラテ
ンカップ26に固定されているため、ウエーハ8と一体的
に回転し、また、テンションスクリュー82は自由に回転
できるインナーレース80に固定されているため、回転中
でも一定の張力すなわちクランプ力を保持し続けるので
ある。このため、ウエーハ8は、回転中に他の部材との
摩擦を生じないので、回転による塵の発生がない。
By the way, when the wafer 8 fixed in this way is rotated, since the holding mechanism 10 is fixed to the platen cup 26 by the brackets 50 and 52, the holding mechanism 10 rotates integrally with the wafer 8 and the tension screw 82 Since is fixed to the inner race 80 that can rotate freely, it maintains a constant tension, that is, a clamping force even during rotation. Therefore, since the wafer 8 does not cause friction with other members during rotation, dust is not generated due to rotation.

また、ウエーハ8を外すには、クランプとは全く逆の動
作によって行うことができる。
Further, the removal of the wafer 8 can be performed by an operation which is completely opposite to that of the clamp.

そして、この発明のウエーハ支持装置をイオン注入装置
に用いた場合、イオン注入を途中で中断した後、一定角
度(たとえば90°)プラテンを回転し、再注入を行うこ
とができ、この動作は1回の注入中に何回も行うことが
できる。
When the wafer supporting apparatus of the present invention is used in an ion implantation apparatus, the ion implantation can be interrupted midway, and then the platen can be rotated by a predetermined angle (for example, 90 °) to perform reimplantation. It can be repeated many times during one injection.

この場合、一般にイオン注入時には、チャネリング防止
のため、イオンビームとウエーハとがある角度(通常は
7°前後)を持っており、アスペクト比のあるパターン
にイオン注入するとき、山により壁や底面に影が生ずる
(壁に未注入部が生じる)が、プラテンをたとえば90°
ずつインデックスして注入を行うと、未注入部を無くす
とともに、パターンの陵や側面にもイオン注入を行うこ
とができ、デバイスの絶縁や特性向上に効果がある。
In this case, generally, at the time of ion implantation, the ion beam and the wafer have an angle (usually around 7 °) to prevent channeling. There is a shadow (the wall has an unfilled part), but the platen is, for example, 90 °
By performing the implantation by indexing each one, it is possible to eliminate the unimplanted portion and also perform the ion implantation on the ridges and side surfaces of the pattern, which is effective in insulating the device and improving the characteristics.

また、プラテンを傾斜させる機構との併用により、パタ
ーンの側面に任意の量のイオン注入を行うことも可能で
ある。また、注入中に回転することより、上記の効果が
期待できる一方、ドーズ均一性が大幅に改善される。
Further, it is also possible to perform an arbitrary amount of ion implantation on the side surface of the pattern by using together with the mechanism for inclining the platen. Further, by rotating during implantation, the above effect can be expected, while the dose uniformity is significantly improved.

たとえば、ウエーハ8を回転させた場合、回転しない場
合に比較してドーズ均一性が1.03%から0.33%になった
ことが確認された。
For example, it was confirmed that when the wafer 8 was rotated, the dose uniformity was changed from 1.03% to 0.33% as compared with the case where the wafer 8 was not rotated.

また、イオン注入において、結晶格子とイオンビームと
の成す角度は、一定の関係を持っているので、結晶格子
の方向はウエーハ外周のオリエンテーションフラットと
呼ばれるフラット面で示されるが、フラット面の位置精
度は±1°以内が要求され、化合物半導体の場合には、
さらに厳しい精度が要求されつつある。従来、プラテン
以外のステージでオリエンテーションフラットの位置合
わせを行った後、プラテン上にウエーハを搬送してお
り、その間にウエーハがずれる可能性があり、プラテン
上での精度は必ずしも正確とは言えないものであった
が、この発明のウエーハ支持装置を用いた場合、このよ
うな不都合を解消することができる。
Also, in ion implantation, the angle between the crystal lattice and the ion beam has a constant relationship, so the direction of the crystal lattice is indicated by the flat surface called the orientation flat on the outer circumference of the wafer. Is required to be within ± 1 °, and in the case of compound semiconductors,
More stringent precision is being demanded. Conventionally, after aligning the orientation flat on a stage other than the platen, the wafer is transported onto the platen, and the wafer may shift during that time, so the accuracy on the platen is not always accurate. However, such inconvenience can be solved by using the wafer supporting apparatus of the present invention.

そして、プラテン本体にフォトセンサを内蔵し、オリエ
ンテーションフラットの位置を正確に測定できるため、
ウエーハ搬送中の誤差は全く考慮する必要がなく、オリ
エンテーションフラットを任意の角度に設定できるので
ある。
And since the photo sensor is built into the platen body, the position of the orientation flat can be measured accurately,
The orientation flat can be set at an arbitrary angle without having to consider the error during wafer transfer.

なお、実施例では、イオン注入装置について説明した
が、この発明のウエーハ支持装置は、イオン注入装置の
他、イオンエッチング装置など、ウエーハを保持しなが
ら回転させる場合に広く利用できるものである。
In addition, although the ion implantation apparatus has been described in the embodiment, the wafer supporting apparatus of the present invention can be widely used for rotating a wafer while holding the wafer, such as an ion implantation apparatus as well as an ion etching apparatus.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、この発明によれば、処理すべきウ
エーハを保持しながら回転させることができ、その回転
角度を任意かつ容易に設定でき、例えば、イオン注入装
置に用いて均一なイオン注入処理を実現することができ
る。
As described above, according to the present invention, the wafer to be processed can be rotated while being held, and the rotation angle can be arbitrarily and easily set. For example, a uniform ion implantation process can be performed by using the ion implantation apparatus. Can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明のウエーハ支持装置の第1実施例を示
す断面図、第2図は第1図に示したウエーハ支持装置に
おけるプラテン機構のガイドシャフトおよびモータの位
置関係を示す図、第3図は第1図に示したウエーハ支持
装置のプラテン機構の平面図、第4図は第1図に示した
ウエーハ支持装置のプラテン機構によるウエーハの固定
状態を示す図、第5図はこの発明のウエーハ支持装置の
第2実施例を示す断面図、第6図は第5図に示したウエ
ーハ支持装置のプラテン機構の保持機構を示す平面図、
第7図は第6図に示した保持機構の構成および動作機構
を示す図である。 2…プラテン本体 8…ウエーハ 12…ベローズ(昇降機構) 23…回転機構 26…プラテンカップ 28…凹部 30…クランプリング 34…ベアリング 42…ギヤ
1 is a sectional view showing a first embodiment of a wafer supporting device of the present invention, and FIG. 2 is a view showing a positional relationship between a guide shaft of a platen mechanism and a motor in the wafer supporting device shown in FIG. 1, 3 1 is a plan view of the platen mechanism of the wafer supporting apparatus shown in FIG. 1, FIG. 4 is a view showing a state where the wafer is fixed by the platen mechanism of the wafer supporting apparatus shown in FIG. 1, and FIG. FIG. 6 is a sectional view showing a second embodiment of the wafer supporting device, FIG. 6 is a plan view showing a holding mechanism of the platen mechanism of the wafer supporting device shown in FIG. 5,
FIG. 7 is a diagram showing a configuration and an operating mechanism of the holding mechanism shown in FIG. 2 ... Platen body 8 ... Wafer 12 ... Bellows (elevating mechanism) 23 ... Rotating mechanism 26 ... Platen cup 28 ... Recess 30 ... Clamp ring 34 ... Bearing 42 ... Gear

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】プラテン本体に回転かつ昇降可能に取り付
けられるとともに凹部を成す載置面を備え、前記載置面
にウエーハが設置されるプラテンカップと、 前記プラテン本体に回転可能に取り付けられて前記プラ
テンカップの前記載置面上に設置されたクランプリング
と、 前記プラテンカップの上昇により前記載置面と前記クラ
ンプリングとの間に前記ウエーハを支持させ、前記プラ
テンカップの下降により前記ウエーハの支持を解除する
昇降機構と、 前記プラテンカップに回転力を付与することにより、前
記プラテンカップと前記クランプリングとの間に支持さ
せている前記ウエーハを回転させる回転機構と、 を備えたことを特徴とするウエーハ支持装置。
1. A platen cup rotatably and vertically mounted on a platen body and having a mounting surface forming a recess, wherein a wafer is mounted on the mounting surface, and a platen cup rotatably mounted on the platen body. A clamp ring installed on the mounting surface of the platen cup, the wafer is supported between the mounting surface and the clamp ring by raising the platen cup, and the wafer is supported by lowering the platen cup. And a rotating mechanism that rotates the wafer supported between the platen cup and the clamp ring by applying a rotating force to the platen cup. Wafer support device.
【請求項2】前記クランプリングは、ベアリングを介し
て前記プラテン本体に取り付けられていることを特徴と
する特許請求の範囲第1項に記載のウエーハ支持装置。
2. The wafer supporting apparatus according to claim 1, wherein the clamp ring is attached to the platen body via a bearing.
【請求項3】前記回転機構は、前記プラテンカップの周
縁部にギヤを形成し、このギヤにモータの回転力を付与
することを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のウ
エーハ支持装置。
3. The wafer supporting apparatus according to claim 1, wherein the rotating mechanism forms a gear on a peripheral portion of the platen cup and applies a rotational force of a motor to the gear. .
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