JPS63189003A - 非線形補償回路 - Google Patents

非線形補償回路

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JPS63189003A
JPS63189003A JP62020497A JP2049787A JPS63189003A JP S63189003 A JPS63189003 A JP S63189003A JP 62020497 A JP62020497 A JP 62020497A JP 2049787 A JP2049787 A JP 2049787A JP S63189003 A JPS63189003 A JP S63189003A
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JP
Japan
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nonlinear
diode
degree hybrid
compensation circuit
route
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JP62020497A
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JPH0831747B2 (ja
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Yoshinori Fujiki
藤木 義矩
Masatoshi Ishida
昌敏 石田
Nobuaki Imai
今井 伸明
Toshio Nojima
俊雄 野島
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NEC Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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NEC Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Priority to AU11192/88A priority patent/AU605237B2/en
Priority to DE88101473T priority patent/DE3884635T2/de
Priority to US07/151,333 priority patent/US4902983A/en
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3241Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
    • H03F1/3276Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits using the nonlinearity inherent to components, e.g. a diode

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プリディストーション法により増幅器の非線
形を補償する非線形補償回路に関し、特にダイオードを
歪発生素子とした歪発生回路を使用した非線形補償回路
に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の非線形補償回路は、第3図のように構成
されている。
第3図の非線形補償回路は、入力端子17からの入力信
号を電力分配器21により2分し、一方の信号はサーキ
ュレータ22とダイオード8とからなる歪発生回路23
と可変減衰器24とから構成される非線形ルートに、他
の一方の信号は遅延線路25と可変移相器26とから構
成される線形′ルートに加えられ、それぞれの出力を電
力合成器27により逆相合成して出力端子18から出力
する構成となっている。なお、図において28は接続用
線路である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の非線形補償回路は、線形ルートと非線形
ルートとの対称性が無く、両ルートの位相差に周波数依
存性が出るために非線形補償回路としての広帯域性が望
めず、さらに各構成要素を個々に作りコネクタやケーブ
ルにより接続しているため、接続による特性のバラツキ
等により均一の特性を得ることが難しいという問題があ
った。
本発明は広帯域化と特性の均一化を計った非線°形補償
回路を提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の非線形補償回路は、分布定数線路を使用した複
数の90度ハイブリッドと各種ダイオードとの組み合わ
せにより回路を構成しており、しかも全ての回路を一つ
の誘電体基板上に形成した平面回路とペアチップ状態の
ダイオードとで構成し、かつこれを一つの気密容器内に
収容したマイクロ波集積回路として構成している。
〔実施例〕
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の回路構成図、第2図はその
具体構成の斜視図である。
第1図のように、この回路は6つの同一の分布定数線路
の90度ハイブリッドを用いて構成しており、入力端子
17に接続した第1の90度ハイブリッド1を電力分配
器7として使用し、その一方の出力端に第2の90度ハ
イブリッド2と非線型素子としてのダイオード8とで構
成した歪発生回路9と、第3の90度ハイブリッド3と
PINダイオード10とで構成した可変減衰器11を縦
列接続して非線形ルートを構成している。
また、前記電力分配器7の他方の出力端には、第4の9
0度ハイブリッド4と分布定数線路12とで構成した固
定移相器13と、第5の90度ハイブリッド5どバラク
タダイオード14とで構成した可変移相器15とを縦列
接続し、前記非線形ルートと対称性を保った線形ルート
を形成している。
更に、これら両ルートの出力を第6の90度ハイブリッ
ド6で構成した電力合成器16において逆相合成して出
力端子18から出力するように構成している。
また、本発明の非線形補償回路では、第2図に併せて示
すように、前記した非線形素子としてのダイオード8.
PINダイオード10.バラクタダイオード14は全て
ペアチップの状態で使用し、しかも前記各90度ハイブ
リッド1〜6と接続用の伝送線路及び固定移相器13を
全て1つの誘電体基板19上にパターンで形成し、全て
の回路を1つの気密容器20内に収容してマイクロ波集
積回路化している。
したがって、この構成によれば全ての回路を1つの誘電
体基板上に形成し、かつ各ダイオードをペアチップ状態
に構成し、更にこれを1つの気密容器20内に収納して
いるので、接続によるバラツキ、不要リアクタンス等に
よって生ずる特性のバラツキを小さくでき、特性の均一
化を計ることができる。
また、非線形ルートと線形ルートとの対称性を保つよう
に、即ち同一の位相特性を持つように構成しているので
、両ルートの位相差の周波数依存性が小さく広帯域化が
容易である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の非線形補償回路は、分布定
数線路を使用した90度ハイブリッドと各種ダイオード
とを組み合わせて回路を構成し、しかも回路の対称性を
保ちつつ1つの誘電体基板上に形成しかつ1つの気密容
器内に収容してマイクロ波集積回路化しているので、広
帯域化と特性の均一化を達成することができる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の回路構成図、第2図はその具
体構成の要部の斜視図、第3図は従来の回路構成図であ
る。 1〜6・・・90度ハイブリッド、7・・・電力分配器
、8・・・非線形素子としてのダイオード、9・・・歪
発生回路、10・・・PINダイオード、11・・・可
変減衰器、12・・・分配定数線路、13・・・固定移
相器、14・・・バラクタダイオード、15・・・可変
移相器、16・・・電力合成器、17・・・入力端子、
18・・・出力端子、19・・・誘導体基板、20・・
・気密容器の基底部、21・・・電力分配器、22・・
・サーキュレータ、23・・・歪発生回路、24・・・
可変減衰器、25・・・遅延線路、26・・・可変移相
器、27・・・電力合成器、28・・・接続用線路。 第3図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)プリディストーション法を用いて増幅器の非線形
    を補償する非線形補償回路において、誘導体基板上に分
    布定数線路を用いた6つの同一の90度ハイブリッドを
    形成し、第1の90度ハイブリッドを電力分配器として
    使用し、第2の90度ハイブリッドと非線形素子として
    のダイオードからなる歪発生回路と、第3の90度ハイ
    ブリッドとPINダイオードからなる可変減衰器とを縦
    列接続して非線形ルートを形成し、この非線形ルートと
    対称性を保つように第4の90度ハイブリッドと伝送線
    路からなる固定移相器と、第5の90度ハイブリッドと
    バラクタダイオードからなる可変移相器とを縦列接続し
    て線形ルートを形成し、各ルートの出力を第6の90度
    ハイブリッドにより逆相合成する構成としたことを特徴
    とする非線形補償回路。
  2. (2)全てのダイオードをペアチップ構成とし、かつ回
    路全体を気密容器内に収納して1つのマイクロ波集積回
    路を構成してなる特許請求の範囲第1項記載の非線形補
    償回路。
JP62020497A 1987-02-02 1987-02-02 非線形補償回路 Expired - Lifetime JPH0831747B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62020497A JPH0831747B2 (ja) 1987-02-02 1987-02-02 非線形補償回路
CA000557888A CA1280180C (en) 1987-02-02 1988-02-01 Nonlinear signal generating circuit and nonlinear compensating deviceusing the same
EP88101473A EP0277636B1 (en) 1987-02-02 1988-02-02 Nonlinear signal generating circuit and nonlinear compensating device using the same
AU11192/88A AU605237B2 (en) 1987-02-02 1988-02-02 Nonlinear signal generating circuit and nonlinear compensating device using the same
DE88101473T DE3884635T2 (de) 1987-02-02 1988-02-02 Nichtlineare Signalgeneratorschaltung und davon Gebrauch machende nichtlineare Kompensiereinrichtung.
US07/151,333 US4902983A (en) 1987-02-02 1988-02-02 Nonlinear signal generating circuit and nonlinear compensating device using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62020497A JPH0831747B2 (ja) 1987-02-02 1987-02-02 非線形補償回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63189003A true JPS63189003A (ja) 1988-08-04
JPH0831747B2 JPH0831747B2 (ja) 1996-03-27

Family

ID=12028798

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62020497A Expired - Lifetime JPH0831747B2 (ja) 1987-02-02 1987-02-02 非線形補償回路

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JP (1) JPH0831747B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108111132A (zh) * 2016-11-24 2018-06-01 北京遥感设备研究所 一种Ka波段线性化功放组件

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108111132A (zh) * 2016-11-24 2018-06-01 北京遥感设备研究所 一种Ka波段线性化功放组件

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Publication number Publication date
JPH0831747B2 (ja) 1996-03-27

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