JPS63188976A - オプトエレクトロニクス・カプラ - Google Patents
オプトエレクトロニクス・カプラInfo
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- JPS63188976A JPS63188976A JP63012435A JP1243588A JPS63188976A JP S63188976 A JPS63188976 A JP S63188976A JP 63012435 A JP63012435 A JP 63012435A JP 1243588 A JP1243588 A JP 1243588A JP S63188976 A JPS63188976 A JP S63188976A
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- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 52
- 210000002105 tongue Anatomy 0.000 claims description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 241000218645 Cedrus Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光放出半導体デバイスと感光装置と一平面
内にあって互に平行する１つの共通金属帯から作り出さ
れた２つの端子群とを備え、各端子群の接続導体の接触
舌片は他の端子群の接続導体の接触舌片に対抗して設け
られ、光放出半導体デバイスは１つの端子群の接続導体
に電気的に結合されてこの接続導体の接触舌片の上に設
けられ、感光装置は他の端子群の接続導体に電気的に結
合されて接続導体の光放出半導体デバイスに対向する接
触舌片の上に設けられ、感光装置の感光面は接触舌片に
平行に拡がり、感光装置と光放出半導体デバイスは透光
性媒質によって相互結合されているオプトエレクトロニ
クス・カプラに関するものである。
内にあって互に平行する１つの共通金属帯から作り出さ
れた２つの端子群とを備え、各端子群の接続導体の接触
舌片は他の端子群の接続導体の接触舌片に対抗して設け
られ、光放出半導体デバイスは１つの端子群の接続導体
に電気的に結合されてこの接続導体の接触舌片の上に設
けられ、感光装置は他の端子群の接続導体に電気的に結
合されて接続導体の光放出半導体デバイスに対向する接
触舌片の上に設けられ、感光装置の感光面は接触舌片に
平行に拡がり、感光装置と光放出半導体デバイスは透光
性媒質によって相互結合されているオプトエレクトロニ
クス・カプラに関するものである。
この種のオプトエレクトロニクス・カプラは例えばドイ
ツ連邦共和国特許第２９５０６４９号明細書に記載され
ている。このカプラでは接触舌片を備える接続導体が平
坦な金属薄板から打抜かれている。１つの発光ダイオー
ドと１つの感光半導体デバイスがそれぞれ対向する接触
舌片上に固定されている。更にこの対向する接触舌片が
接続導体の平面に対して約４５°だけ同じ向きに傾斜し
ている。接触舌片の平面とこの舌片に取り付けられた感
光デバイスの表面は互に平行する。発光ダイオードはそ
の放出光が発光ダイオードを固定する接触舌片の平面に
平行するように構成される。
ツ連邦共和国特許第２９５０６４９号明細書に記載され
ている。このカプラでは接触舌片を備える接続導体が平
坦な金属薄板から打抜かれている。１つの発光ダイオー
ドと１つの感光半導体デバイスがそれぞれ対向する接触
舌片上に固定されている。更にこの対向する接触舌片が
接続導体の平面に対して約４５°だけ同じ向きに傾斜し
ている。接触舌片の平面とこの舌片に取り付けられた感
光デバイスの表面は互に平行する。発光ダイオードはそ
の放出光が発光ダイオードを固定する接触舌片の平面に
平行するように構成される。
上記のドイツ連邦共和国特許第２９５０６４９号明細書
ではこの種の発光ダイオードが水平放射型と呼ばれ、Ｐ
Ｎ接合で発生した光がＰＮ接合面の方向に進み光放出前
面から外に出る構成である。
ではこの種の発光ダイオードが水平放射型と呼ばれ、Ｐ
Ｎ接合で発生した光がＰＮ接合面の方向に進み光放出前
面から外に出る構成である。
４５°１頃斜した接触舌片により水平放射型発光ダイオ
ードの光放出前面が感光半導体デバイスの感光面に平行
となり、放出光は感光半導体デバイスに垂直に当るよう
になるから反射鏡は必要無くなる。
ードの光放出前面が感光半導体デバイスの感光面に平行
となり、放出光は感光半導体デバイスに垂直に当るよう
になるから反射鏡は必要無くなる。
ドイツ連邦共和国特許第２９５０６４９号明細書に記載
されているオプトエレクトロニクス・カプラは前面から
光を放出する発光ダイオードだけが使用されるという欠
点を持つ。このような発光ダイオードの光放出面は主面
から光を放出する同寸法の発光ダイオードに比べて光放
出面が小さく効率も低い。主面を接触舌片に接し従って
良好な載置面を持ち、載置面に対向する主面から光を放
出するこの種の半導体デバイスはその放出光が感光半導
体デバイスの感光面に垂直に当らずそれに平行して進む
から公知のオプトエレクトロニクス・カプラには使用さ
れない。
されているオプトエレクトロニクス・カプラは前面から
光を放出する発光ダイオードだけが使用されるという欠
点を持つ。このような発光ダイオードの光放出面は主面
から光を放出する同寸法の発光ダイオードに比べて光放
出面が小さく効率も低い。主面を接触舌片に接し従って
良好な載置面を持ち、載置面に対向する主面から光を放
出するこの種の半導体デバイスはその放出光が感光半導
体デバイスの感光面に垂直に当らずそれに平行して進む
から公知のオプトエレクトロニクス・カプラには使用さ
れない。
光放出面がｉａ載置面なっている主面に平行に拡がり、
放出光が感光半導体デバイスの感光面にほぼ垂直に当る
発光半導体デバイスを使用する別のオプトエレクトロニ
クス・カプラも公知である。
放出光が感光半導体デバイスの感光面にほぼ垂直に当る
発光半導体デバイスを使用する別のオプトエレクトロニ
クス・カプラも公知である。
例えばドイツ連邦共和国特許出願公告第２４３１３７５
号明細書には、互に平行に設けられた発光半導体デバイ
スと感光半導体デバイスの上に反射鏡を配置することが
記載されている。この種の装置の欠点は散乱と吸収によ
る損失と比較的短い光路に基く低い結合度である。
号明細書には、互に平行に設けられた発光半導体デバイ
スと感光半導体デバイスの上に反射鏡を配置することが
記載されている。この種の装置の欠点は散乱と吸収によ
る損失と比較的短い光路に基く低い結合度である。
これとは別に発光ダイオードと感光半導体デバイスを備
える２つの支持体で構成されるオプトエレクトロニクス
・カプラがドイツ連邦共和国特許出願公開筒２１１８３
９１号□公”報により公知である。これらのデバイスは
カプラの製作に際して互に対向して鋳造杉板にとりつけ
透光性媒質を注ぎ、硬化後形板を取り去って作ったもの
であるが、このカプラの欠点は２つの異った支持体を２
つの作業過程で作る必要があり、更に別の２つの作業過
程でこれらの支持体に半導体デバイスを取り付けた後支
持体の精確な位置合せを行う必要があることである。
える２つの支持体で構成されるオプトエレクトロニクス
・カプラがドイツ連邦共和国特許出願公開筒２１１８３
９１号□公”報により公知である。これらのデバイスは
カプラの製作に際して互に対向して鋳造杉板にとりつけ
透光性媒質を注ぎ、硬化後形板を取り去って作ったもの
であるが、このカプラの欠点は２つの異った支持体を２
つの作業過程で作る必要があり、更に別の２つの作業過
程でこれらの支持体に半導体デバイスを取り付けた後支
持体の精確な位置合せを行う必要があることである。
この発明の目的は、主面で光を放射する半導体デバイス
を備えるオプトエレクトロニクス・カプラであって効率
が高く簡単に製作されるものを提供することである。
を備えるオプトエレクトロニクス・カプラであって効率
が高く簡単に製作されるものを提供することである。
この目的は特許請求の範囲第１項に特徴として挙げた構
成とすることによって達成される。
成とすることによって達成される。
この発明によるオプトエレクトロニクス・カプラは良好
な効率を示すと同時に、発光半導体デバイスと感光装置
をそれぞれ別の支持体に取り付けた後これらの支持体を
精確に配向させて固定しなければならない２バンド方式
のもののように高価な位置合せ操作を必要としない、更
にオプトエレクトロニクス・カプラ°の組立も次に示す
ように容易である。即ちまず１つの金属バンドから連続
した並列接続導体を備える枠を作る。次いで感光半導体
デバイスを接続導体の接触舌片上に乗せ接続導体と結合
した後、枠を１８０°回転して感光装置をそれ用の接触
舌片に取り付は接続導体に電気結合する。この製作順序
は逆にしても良い。これによって各デバイスに対する固
定装置への手入れが容易になる外に例えば接続導体のボ
ンディングが容易になり接触舌片の所定の開き角によっ
て制限されなくなる。
な効率を示すと同時に、発光半導体デバイスと感光装置
をそれぞれ別の支持体に取り付けた後これらの支持体を
精確に配向させて固定しなければならない２バンド方式
のもののように高価な位置合せ操作を必要としない、更
にオプトエレクトロニクス・カプラ°の組立も次に示す
ように容易である。即ちまず１つの金属バンドから連続
した並列接続導体を備える枠を作る。次いで感光半導体
デバイスを接続導体の接触舌片上に乗せ接続導体と結合
した後、枠を１８０°回転して感光装置をそれ用の接触
舌片に取り付は接続導体に電気結合する。この製作順序
は逆にしても良い。これによって各デバイスに対する固
定装置への手入れが容易になる外に例えば接続導体のボ
ンディングが容易になり接触舌片の所定の開き角によっ
て制限されなくなる。
図面についてこの発明をさらに詳細に説明する。
第１図に示した連続した平行接続導体９．３を持つ枠８
は１本の金属バンドから例えば打抜きによって作られる
。接続導体９．３は２つの接続群５と４に分割され、接
続導体９の接触舌片９ａが接続導体３の接触舌片３ａに
対向する。枠８と連続した平行接続導体９，３は容易に
切り離しできるように構成するのが有利である。切り離
し線は第１図に１０として示される。
は１本の金属バンドから例えば打抜きによって作られる
。接続導体９．３は２つの接続群５と４に分割され、接
続導体９の接触舌片９ａが接続導体３の接触舌片３ａに
対向する。枠８と連続した平行接続導体９，３は容易に
切り離しできるように構成するのが有利である。切り離
し線は第１図に１０として示される。
第２図にこの発明によるオプトエレクトロニクス・カプ
ラの断面を示す。接続導体３と９は一平面内にある。接
続導体３の接触舌片３ａは接ｖ１導体３．９の平面に対
して例えば下向きに傾斜し、接続導体９の接触舌片９ａ
はそれと逆の方間例えば上向きに傾斜し接触舌片９ａと
３ａがほぼ平行して対向する。接触舌片３ａの上面には
感光装置２が設けられ、接触舌片９ａの下面には光放出
半導体デバイス１が設けられる。デバイス１の取付けは
これとは逆にしてもよい、感光装置２の感光面は接触舌
片３ａの面に平行であり、光放出半導体デバイス１例え
ばフォトトランジスタの光放出面は光が接触舌片９ａの
平面の垂直に放出され少くともほぼ垂直に感光装置２の
感光面に当るように構成されている。光放出半導体デバ
イスｌは感光装置２を取り付けた接触舌片３ａに対向す
る接触舌片９ａ上に置かれる。この構成により半導体デ
バイス１の光放出面が感光装置２の感光面に向けられる
ようになる。感光装置２と光放出半導体デバイス１は透
光性の媒質７によって相互に結合される。接触舌片９ａ
と３ａ、光放出半導体デバイス１、感光装Ｗ、２および
透光性媒質７は１つの透光性合成樹脂容器に収めるのが
有利である。この容器は第２図に示されていない。この
合成樹脂容器の外に出た接続導体部分は枠８から分離し
た後使用者に必要な位Ｗに曲げておくことができる。
ラの断面を示す。接続導体３と９は一平面内にある。接
続導体３の接触舌片３ａは接ｖ１導体３．９の平面に対
して例えば下向きに傾斜し、接続導体９の接触舌片９ａ
はそれと逆の方間例えば上向きに傾斜し接触舌片９ａと
３ａがほぼ平行して対向する。接触舌片３ａの上面には
感光装置２が設けられ、接触舌片９ａの下面には光放出
半導体デバイス１が設けられる。デバイス１の取付けは
これとは逆にしてもよい、感光装置２の感光面は接触舌
片３ａの面に平行であり、光放出半導体デバイス１例え
ばフォトトランジスタの光放出面は光が接触舌片９ａの
平面の垂直に放出され少くともほぼ垂直に感光装置２の
感光面に当るように構成されている。光放出半導体デバ
イスｌは感光装置２を取り付けた接触舌片３ａに対向す
る接触舌片９ａ上に置かれる。この構成により半導体デ
バイス１の光放出面が感光装置２の感光面に向けられる
ようになる。感光装置２と光放出半導体デバイス１は透
光性の媒質７によって相互に結合される。接触舌片９ａ
と３ａ、光放出半導体デバイス１、感光装Ｗ、２および
透光性媒質７は１つの透光性合成樹脂容器に収めるのが
有利である。この容器は第２図に示されていない。この
合成樹脂容器の外に出た接続導体部分は枠８から分離し
た後使用者に必要な位Ｗに曲げておくことができる。
この発明によるオプトエレクトロニクス・カプラの感光
半導体デバイスは１つだけに限定されるものではな（、
複数例えば２つの感光半導体デバイスから構成すること
ができる。これらの感光半導体デバ・イスは１つの接触
舌片上に互に絶縁して設けるか、あるいは複数の接触舌
片上に１つづつ設は適当な方法で接続導体に結合する。
半導体デバイスは１つだけに限定されるものではな（、
複数例えば２つの感光半導体デバイスから構成すること
ができる。これらの感光半導体デバ・イスは１つの接触
舌片上に互に絶縁して設けるか、あるいは複数の接触舌
片上に１つづつ設は適当な方法で接続導体に結合する。
第３図には接続導体３．９の４種の配置方法を示す、感
光装置２を取り付ける接続導体３は１つの端子群４にま
とめられ、光放出半導体デバイスｌを取り付ける接Ｖｔ
導体９は１つの端子群５にまとめられる。この場合感光
装置２は例えば１つの接触舌片３ａの上面に固定され、
適当な方法で接続導体３に電気的に結合される。光放出
半導体デバイスｌは１つの接触舌片９ａの下面に固定さ
れ、適当な方法で接続導体９に電気的に結合される。
光装置２を取り付ける接続導体３は１つの端子群４にま
とめられ、光放出半導体デバイスｌを取り付ける接Ｖｔ
導体９は１つの端子群５にまとめられる。この場合感光
装置２は例えば１つの接触舌片３ａの上面に固定され、
適当な方法で接続導体３に電気的に結合される。光放出
半導体デバイスｌは１つの接触舌片９ａの下面に固定さ
れ、適当な方法で接続導体９に電気的に結合される。
第３図ａの接ＶＥ導体３，９の配置は第１図のものにほ
ぼ対応する。光放出半導体デバイス１が例えばフォトダ
イオードであれば、第１図において）オドダイオードの
一方の極はこのフォトダイオードが設けられている接続
導体９に電気結合され、他方の極はその横にある接続導
体９に結ばれる。
ぼ対応する。光放出半導体デバイス１が例えばフォトダ
イオードであれば、第１図において）オドダイオードの
一方の極はこのフォトダイオードが設けられている接続
導体９に電気結合され、他方の極はその横にある接続導
体９に結ばれる。
フォトダイオードを取付けた接触舌片９ａの上面に対向
する接触舌片３ａの上には感光装置例えばフォトトラン
ジスタが設けられる。このフォトトランジスタは例えば
それを支持する接触舌片３ａに電気結合される。このフ
ォトトランジスタに対して必要なその他の接続導体は端
子群４の必要な接続導体３に結ばれている。第３図ａの
下部には上記の接続導体群の側面が示される。
する接触舌片３ａの上には感光装置例えばフォトトラン
ジスタが設けられる。このフォトトランジスタは例えば
それを支持する接触舌片３ａに電気結合される。このフ
ォトトランジスタに対して必要なその他の接続導体は端
子群４の必要な接続導体３に結ばれている。第３図ａの
下部には上記の接続導体群の側面が示される。
第３図すの接続導体は感光装置２として２つの感光半導
体デバイスが使用されている点だけで第３図ａのものと
異る。これらの感光半導体デバイスは光放出半導体デバ
イス１を支持する接触舌片９ａに対向する接触舌片３ａ
上に互に絶縁されて固定される。これらの感光半導体デ
バイスは適当な方法で端子群４の接続導体３に結合され
る。この接続導体構造の側面が第３図すの下側に示され
る。両方の感光半導体デバイスは光放出半導体デバイス
１の放出光を少くともほぼ等しい量だけ受けるように接
触舌片３ａ上に配置される。
体デバイスが使用されている点だけで第３図ａのものと
異る。これらの感光半導体デバイスは光放出半導体デバ
イス１を支持する接触舌片９ａに対向する接触舌片３ａ
上に互に絶縁されて固定される。これらの感光半導体デ
バイスは適当な方法で端子群４の接続導体３に結合され
る。この接続導体構造の側面が第３図すの下側に示され
る。両方の感光半導体デバイスは光放出半導体デバイス
１の放出光を少くともほぼ等しい量だけ受けるように接
触舌片３ａ上に配置される。
第３図Ｃには更に別の接続導体構造を示す。接続導体３
．９の位置は端子群４の接続導体３と端子群５の接続導
体９が互にかみ合うている点で第３図ａと第３図すのも
のと異る。感光装置２と光放出半導体デバイス１は互に
対向する接触舌片３ａ、９ａ上に設けられる。第３図Ｃ
の構成は傾斜した接触舌片３ａ、９ａがより近接して並
ぶという利点を示す。
．９の位置は端子群４の接続導体３と端子群５の接続導
体９が互にかみ合うている点で第３図ａと第３図すのも
のと異る。感光装置２と光放出半導体デバイス１は互に
対向する接触舌片３ａ、９ａ上に設けられる。第３図Ｃ
の構成は傾斜した接触舌片３ａ、９ａがより近接して並
ぶという利点を示す。
第３図ｄの構成は第３図Ｃの構成に対応するものである
が、感光装置２が２つの感光半導体デバイスから成る点
で異っている。これらの感光半導体デバイスは端子群４
の接続導体３の隣り合った接触舌片３ａ上に設けられる
。光放出半導体デバイスｌは２つの接触舌片３ａの間に
突き出した接触舌片上に設けられる。第３図ｄの下側は
この構造の側面を示す。
が、感光装置２が２つの感光半導体デバイスから成る点
で異っている。これらの感光半導体デバイスは端子群４
の接続導体３の隣り合った接触舌片３ａ上に設けられる
。光放出半導体デバイスｌは２つの接触舌片３ａの間に
突き出した接触舌片上に設けられる。第３図ｄの下側は
この構造の側面を示す。
透光性媒′ｊｔ７と透光性合成樹脂容器は熱膨張係数が
近似的に等しくなるように選ぶのが効果的である。これ
によって温度負荷に際してせん断力がほとんど無くなり
、カプラの損傷が避けられるという利点が得られる。こ
のような材料としては石英粉末が特に有利である。
近似的に等しくなるように選ぶのが効果的である。これ
によって温度負荷に際してせん断力がほとんど無くなり
、カプラの損傷が避けられるという利点が得られる。こ
のような材料としては石英粉末が特に有利である。
第１図は連続した平行接続導体を備える金属バンド製枠
、第２図はこの発明の実施例、第３図は接続導体構造の
種々の可能形態を示すもので、３と９は一平面内に置か
れる接続導体、３ａと９ａは対向する接触舌片、４と５
は端子群、８は枠である。 ＩＧＩ ＩＧ２
、第２図はこの発明の実施例、第３図は接続導体構造の
種々の可能形態を示すもので、３と９は一平面内に置か
れる接続導体、３ａと９ａは対向する接触舌片、４と５
は端子群、８は枠である。 ＩＧＩ ＩＧ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）光放出半導体デバイス（１）と感光装置（２）と一
平面内にあって互に平行する１つの共通金属帯から作り
出された２つの端子群（４、５）を備え、 各端子群の接続導体（３、９）の接触舌片（３ａ、９ａ
）は他の端子群の接続導体の接触舌片に対向して設けら
れ、 光放出半導体デバイス（１）は１つの端子群（５）の接
続導体（９）に電気的に結合されてこの接続導体の接触
舌片９ａの上に設けられ、 感光装置（２）は他の端子群（４）の接続導体（３）に
電気的に結合されて接続導体（３）の光放出半導体デバ
イス（１）に対向する接触舌片（３ａ）の上に設けられ
、 感光装置（２）の感光面は接触舌片（３ａ）に平行に拡
がり、 感光装置（２）と光放出半導体デバイス（１）は透光性
媒質によって相互結合されているオプトエレクトロニク
ス・カプラにおいて、光放出半導体デバイス（１）が舌
片（９ａ）の面に垂直に光を放出するように構成され、
光放出半導体デバイス（１）を支持する端 子群（５）の接触舌片（９ａ）が接続導体（９、３）の
平面に対して１つの方向に傾斜し、感光装置（２）を支
持する端子群（４）の接触舌片（３ａ）が他の方向に傾
斜し、 光放出半導体デバイス（１）と感光装置（２）が傾斜し
た接触舌片（３ａ、９ａ）の対向する表面に設けられて
いることを特徴とするオプトエレクトロニクス・カプラ
。 ２）感光装置（２）が少くとも２つの感光半導体デバイ
スで構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のオプトエレクトロニクス・カプラ。 ３）各感光半導体デバイスがそれぞれ固有の接触舌片（
３ａ）上に設けられていることを特徴とする特許請求の
範囲第２項記載のオプトエレクトロニクス・カプラ。 ４）各感光半導体デバイスが同じ接触舌片（３ａ）上に
互に絶縁して設けられていることを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載のオプトエレクトロニクス・カプラ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3702231 | 1987-01-26 | ||
| DE3702231.8 | 1987-01-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63188976A true JPS63188976A (ja) | 1988-08-04 |
Family
ID=6319562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63012435A Pending JPS63188976A (ja) | 1987-01-26 | 1988-01-22 | オプトエレクトロニクス・カプラ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0276749A1 (ja) |
| JP (1) | JPS63188976A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012517016A (ja) * | 2009-02-04 | 2012-07-26 | ネーデルランドセ・オルガニサティ・フォール・トゥーヘパスト−ナトゥールウェテンスハッペライク・オンデルズーク・テーエヌオー | オリガミセンサー |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3970377B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2007-09-05 | 沖電気工業株式会社 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3808673A (en) * | 1971-03-17 | 1974-05-07 | Monsanto Co | Opto-isolator devices and method for the fabrication thereof |
| US3839782A (en) * | 1972-03-15 | 1974-10-08 | M Lincoln | Method for using a lead frame for the manufacture of electric devices having semiconductor chips placed in a face-to-face relation |
| DE2555492C3 (de) * | 1975-12-10 | 1981-05-14 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Optoelektronischer Koppler |
| JPS5582475A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-21 | Toshiba Corp | Photo-coupling semiconductor device |
| US4446375A (en) * | 1981-10-14 | 1984-05-01 | General Electric Company | Optocoupler having folded lead frame construction |
| US4694183A (en) * | 1985-06-25 | 1987-09-15 | Hewlett-Packard Company | Optical isolator fabricated upon a lead frame |
-
1988
- 1988-01-20 EP EP88100794A patent/EP0276749A1/de not_active Withdrawn
- 1988-01-22 JP JP63012435A patent/JPS63188976A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012517016A (ja) * | 2009-02-04 | 2012-07-26 | ネーデルランドセ・オルガニサティ・フォール・トゥーヘパスト−ナトゥールウェテンスハッペライク・オンデルズーク・テーエヌオー | オリガミセンサー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0276749A1 (de) | 1988-08-03 |
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