JPS6318751B2 - - Google Patents
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- JPS6318751B2 JPS6318751B2 JP54129111A JP12911179A JPS6318751B2 JP S6318751 B2 JPS6318751 B2 JP S6318751B2 JP 54129111 A JP54129111 A JP 54129111A JP 12911179 A JP12911179 A JP 12911179A JP S6318751 B2 JPS6318751 B2 JP S6318751B2
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- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Combination Of More Than One Step In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、画像合成複写方法に関する。
近来、複写機は長足の進歩をとげ、それに伴
い、複写機改良の方向は、複写機の機能を拡大す
る方向にむかいつつある。このような、複写機の
機能拡大の分野のひとつに画像合成複写の問題が
ある。画像合成複写というのは、例えば、第1図
およびに示す如き、2つの独立な画像情報
を、同一の複写上で合成し、第1図に示す如き
複写を得ようというものである。
い、複写機改良の方向は、複写機の機能を拡大す
る方向にむかいつつある。このような、複写機の
機能拡大の分野のひとつに画像合成複写の問題が
ある。画像合成複写というのは、例えば、第1図
およびに示す如き、2つの独立な画像情報
を、同一の複写上で合成し、第1図に示す如き
複写を得ようというものである。
この種の画像合成を達成する複写方法は、従来
いくつか提案されている。本発明の目的とすると
ころもまた、新規な画像合成複写方法を提供する
ことである。
いくつか提案されている。本発明の目的とすると
ころもまた、新規な画像合成複写方法を提供する
ことである。
以下、本発明を説明する。
第2図は、本発明の実施に用いる感光体の1例
を示している。
を示している。
感光体1は、導電性基体10上に、第1の光導
電層11と第2の光導電層12を積層してなり、
A色光およびB色光に対し、以下の如くに反応す
る。すなわち、感光体1にA色光を照射するとき
は、光導電層11が主として導電体化され、B色
光を照射するときは、光導電層12が主として導
電体化されるのである。
電層11と第2の光導電層12を積層してなり、
A色光およびB色光に対し、以下の如くに反応す
る。すなわち、感光体1にA色光を照射するとき
は、光導電層11が主として導電体化され、B色
光を照射するときは、光導電層12が主として導
電体化されるのである。
感光体1として理想的なものは、A色光、B色
光を別個に照射するとき、それぞれ、光導電層1
1、光導電層12のみが導電体化するものであ
る。そこで、以下では、説明の簡単のため、この
理想的な感光体を想定して説明を行なうこととす
る。
光を別個に照射するとき、それぞれ、光導電層1
1、光導電層12のみが導電体化するものであ
る。そこで、以下では、説明の簡単のため、この
理想的な感光体を想定して説明を行なうこととす
る。
第3図は、本発明による画像合成複写方法の1
例を示している。
例を示している。
プロセスの第1工程では、感光体1を、所定の
極性、例えば、図示の如く負極性に帯電する。こ
の帯電プロセスを1次帯電と称するが、1次帯電
の際、もしくは1次帯電後に、感光体1をA色光
で照射して、光導電層11のみを導電体化する
と、感光体表面に付与される負電荷に応ずる正電
荷が光導電層11,12の境界面に誘起し、光導
電層12を介して電気2重層が形成される(第3
図)。この状態を称して、光導電層12が充電
されたと称する。
極性、例えば、図示の如く負極性に帯電する。こ
の帯電プロセスを1次帯電と称するが、1次帯電
の際、もしくは1次帯電後に、感光体1をA色光
で照射して、光導電層11のみを導電体化する
と、感光体表面に付与される負電荷に応ずる正電
荷が光導電層11,12の境界面に誘起し、光導
電層12を介して電気2重層が形成される(第3
図)。この状態を称して、光導電層12が充電
されたと称する。
次に、今度は、暗中において、感光体1に正極
性の帯電を施して、1次帯電による負電荷の一部
を消去する。すると、光導電層11,12の境界
面の正電荷は、感光体表面の負電荷に比して過剰
となり、正電荷の過剰分にバランスする負電荷
が、導電性基体10と光導電層11との境界面に
誘起する(第3図)。この状態で、光導電層1
1,12の双方が充電されたことになる。ただ
し、充電の向き、すなわち分極ベクトルの向きは
相互に逆向きである。この正極性の帯電プロセス
を2次帯電と称するが、2次帯電後、感光体の状
態は、2層の光導電層が互いに逆向きに充電され
ているのみでなく、感光体1の表面電位が十分に
大きくなければならない。表面電位が十分に大き
いとは何を意味するかについては、後述する。
性の帯電を施して、1次帯電による負電荷の一部
を消去する。すると、光導電層11,12の境界
面の正電荷は、感光体表面の負電荷に比して過剰
となり、正電荷の過剰分にバランスする負電荷
が、導電性基体10と光導電層11との境界面に
誘起する(第3図)。この状態で、光導電層1
1,12の双方が充電されたことになる。ただ
し、充電の向き、すなわち分極ベクトルの向きは
相互に逆向きである。この正極性の帯電プロセス
を2次帯電と称するが、2次帯電後、感光体の状
態は、2層の光導電層が互いに逆向きに充電され
ているのみでなく、感光体1の表面電位が十分に
大きくなければならない。表面電位が十分に大き
いとは何を意味するかについては、後述する。
さて、該例では、感光体表面には、十分な負電
荷が残つており、感光体表面電位の極性は負極性
となつている。
荷が残つており、感光体表面電位の極性は負極性
となつている。
ところで、感光体1に、このような電気的状態
を形成する方法は、上に述べたごとき方法に限ら
ない。例えば、光導電層11が正電荷に対する整
流性を有するならば、1次帯電を暗中で行つて
も、第3図Iの如き電荷分布を実現できる。さら
に、1次帯電を、B色光の照射下で正極性で行つ
たのち、負極性の2次帯電を暗中で行つても、第
3図に示す如き電気的状態を、感光体1に実現
できる。
を形成する方法は、上に述べたごとき方法に限ら
ない。例えば、光導電層11が正電荷に対する整
流性を有するならば、1次帯電を暗中で行つて
も、第3図Iの如き電荷分布を実現できる。さら
に、1次帯電を、B色光の照射下で正極性で行つ
たのち、負極性の2次帯電を暗中で行つても、第
3図に示す如き電気的状態を、感光体1に実現
できる。
本発明の実施上、必要なことは、第3図に示
すごとき電荷分布が、感光体1に実現されること
であり、これを実現する方法は、任意である。
すごとき電荷分布が、感光体1に実現されること
であり、これを実現する方法は、任意である。
さて、この状態の感光体1に対し、合成すべき
画像情報X,Yのうちの一方、画像情報Xがポジ
画像の画像露光をB色光で行なう(第3図)。
画像情報X,Yのうちの一方、画像情報Xがポジ
画像の画像露光をB色光で行なう(第3図)。
すると、この画像露光において、画像部に対応
する感光体表面部位は、露光されないままにとど
まるから、この部位における感光体表面電位は、
2次帯電後の電位を維持するのに対し、地肌部に
対応する部位は、B色光の照射を受け、光導電層
12のみが導電体化する。なお、B色光による画
像露光を実現するには、露光光束をB色光透過フ
イルターでこすか、あるいは原稿をB色光で照射
すれば良い。
する感光体表面部位は、露光されないままにとど
まるから、この部位における感光体表面電位は、
2次帯電後の電位を維持するのに対し、地肌部に
対応する部位は、B色光の照射を受け、光導電層
12のみが導電体化する。なお、B色光による画
像露光を実現するには、露光光束をB色光透過フ
イルターでこすか、あるいは原稿をB色光で照射
すれば良い。
さて、この画像露光で、地肌部対応部位は光導
電層12のみが導電体化し、同層を介して形成さ
れた電気2重層は、この部位において、次第に消
滅する。電気2重層の消滅量は露光光量に比例す
る。感光体表面の負電荷に比して光導電層12裏
面の正電荷は量において勝つているから、電気2
重層の消滅に従い、感光体表面電位は次第に0に
近づき、ついには、負極性から正極性へと反転す
る。ところで、本発明において、この画像露光工
程は、上記感光体表面電位が0となるように行な
われるのである。換言すれば、画像露光は、地肌
部対応部位における感光体表面電位が略0となつ
た時点をもつて完了されるのである。
電層12のみが導電体化し、同層を介して形成さ
れた電気2重層は、この部位において、次第に消
滅する。電気2重層の消滅量は露光光量に比例す
る。感光体表面の負電荷に比して光導電層12裏
面の正電荷は量において勝つているから、電気2
重層の消滅に従い、感光体表面電位は次第に0に
近づき、ついには、負極性から正極性へと反転す
る。ところで、本発明において、この画像露光工
程は、上記感光体表面電位が0となるように行な
われるのである。換言すれば、画像露光は、地肌
部対応部位における感光体表面電位が略0となつ
た時点をもつて完了されるのである。
すると、この状態で、感光体1には、負極性の
表面電位分布により、画像情報Xに対応する静電
潜像が形成された訳である。
表面電位分布により、画像情報Xに対応する静電
潜像が形成された訳である。
次に、情報画像Xと合成すべき画像情報Yのネ
ガ像の書き込みを、A色光によつて行なう。この
書き込み工程は、画像情報YのA色光によるネガ
像の照射によつて行つても良いし、画像情報Yを
信号化し、その信号によつて強度変調されたA色
光ビームによる光走査で行なつてもよい。そし
て、この書き込みは、画像情報Xの地肌部対応部
位に行なわれる。
ガ像の書き込みを、A色光によつて行なう。この
書き込み工程は、画像情報YのA色光によるネガ
像の照射によつて行つても良いし、画像情報Yを
信号化し、その信号によつて強度変調されたA色
光ビームによる光走査で行なつてもよい。そし
て、この書き込みは、画像情報Xの地肌部対応部
位に行なわれる。
さて、この書き込み工程により露光されるの
は、感光体1の、画像情報Yの画像部のみであ
る。そして、書き込みは、A色光で行なわれるか
ら、この部分では、光導電層11のみが導電体化
される。すると、今度は、光導電層11を介して
形成された電気2重層が消滅していく(第3図
)。これによつて、光導電層12裏面の正電荷
が消失するので感光体表面の負電荷は、再び、こ
のA色光露光部位において、感光体表面電位に有
効に寄与するようになる。書き込みが行なわれる
部位は、書き込み工程前において、画像露光工程
によつて0電位となつているから、このことは、
A色光によつて書き込みがなされた部位における
表面電位が、負極性となることを意味する。
は、感光体1の、画像情報Yの画像部のみであ
る。そして、書き込みは、A色光で行なわれるか
ら、この部分では、光導電層11のみが導電体化
される。すると、今度は、光導電層11を介して
形成された電気2重層が消滅していく(第3図
)。これによつて、光導電層12裏面の正電荷
が消失するので感光体表面の負電荷は、再び、こ
のA色光露光部位において、感光体表面電位に有
効に寄与するようになる。書き込みが行なわれる
部位は、書き込み工程前において、画像露光工程
によつて0電位となつているから、このことは、
A色光によつて書き込みがなされた部位における
表面電位が、負極性となることを意味する。
この書き込みが行なわれた状態において、感光
体表面の状態を見れば、画像情報Xに対応して、
負極性の電位分布があり、画像情報Yに対応して
やはり、負極性の電位分布がある。しかし、一般
的に見て、画像情報Yに対応する電位は、画像情
報Xに対応するそれよりも低い。画像情報Yに対
応する感光体表面電位分布を静電潜像として利用
するには、2次帯電後すなわち、光導電層11,
12が、逆向きに充電されたときの感光体表面電
位が、それ相応に大きくなくてはならない。先に
のべた、2次帯電後における感光体表面電位が充
分に大きいということは、このことを意味するの
である。
体表面の状態を見れば、画像情報Xに対応して、
負極性の電位分布があり、画像情報Yに対応して
やはり、負極性の電位分布がある。しかし、一般
的に見て、画像情報Yに対応する電位は、画像情
報Xに対応するそれよりも低い。画像情報Yに対
応する感光体表面電位分布を静電潜像として利用
するには、2次帯電後すなわち、光導電層11,
12が、逆向きに充電されたときの感光体表面電
位が、それ相応に大きくなくてはならない。先に
のべた、2次帯電後における感光体表面電位が充
分に大きいということは、このことを意味するの
である。
さて、このようにして、感光体1に、画像情報
X,Yの合成静電潜像が同極性に形成されたのち
は、第3図Vに示すように、正極性のトナーTで
これを可視化することにより、合成可視像を得る
ことができる。あとは、この合成可視像を、感光
体1に定着して複写に供するか(感光体1がシー
ト状の場合)、もしくは、適当な記録シート上へ
転写・定着して複写に供すれば良い。
X,Yの合成静電潜像が同極性に形成されたのち
は、第3図Vに示すように、正極性のトナーTで
これを可視化することにより、合成可視像を得る
ことができる。あとは、この合成可視像を、感光
体1に定着して複写に供するか(感光体1がシー
ト状の場合)、もしくは、適当な記録シート上へ
転写・定着して複写に供すれば良い。
第4図には、第3図に示すプロセスにおける、
合成静電潜像形成にいたるまでの、感光体表面電
位の変遷を模型的に示す。
合成静電潜像形成にいたるまでの、感光体表面電
位の変遷を模型的に示す。
第5図は、本発明の他のプロセス例を示してい
る。第5図は、感光体1の光導電層11,12
が、逆向きに充電された状態を示している。この
状態を実現するプロセスは、本発明者らが先に提
案した種々の2色複写プロセスに関連して、種々
知られており、そのどれかによつて実現するか
は、全く任意である。
る。第5図は、感光体1の光導電層11,12
が、逆向きに充電された状態を示している。この
状態を実現するプロセスは、本発明者らが先に提
案した種々の2色複写プロセスに関連して、種々
知られており、そのどれかによつて実現するか
は、全く任意である。
第5図に示す状態では、光導電層12の表面
の負電荷に比して、裏面の正電荷は圧倒的に多量
であり、感光体表面電位は正極性であつて、充分
な大きさを有している。
の負電荷に比して、裏面の正電荷は圧倒的に多量
であり、感光体表面電位は正極性であつて、充分
な大きさを有している。
この状態の感光体1に対して、画像情報XのA
色光による画像露光工程を行つて、地肌部におけ
る感光体表面電位を略0とし(第5図)、次い
で、画像情報Yのネガ像の、B色光による地肌部
への書き込み工程を行なえば(第5図)、正極
性の感光体表面電位分布により、画像情報X,Y
の合成静電潜像が得られ、これは、負帯電のトナ
ーT1によつて可視化することができる。
色光による画像露光工程を行つて、地肌部におけ
る感光体表面電位を略0とし(第5図)、次い
で、画像情報Yのネガ像の、B色光による地肌部
への書き込み工程を行なえば(第5図)、正極
性の感光体表面電位分布により、画像情報X,Y
の合成静電潜像が得られ、これは、負帯電のトナ
ーT1によつて可視化することができる。
第6図には、第5図に示すプロセスにおける、
感光体表面電位の変遷の一例を、モデル的に示
す。
感光体表面電位の変遷の一例を、モデル的に示
す。
ところで、第3図に示すプロセスの場合、合成
静電潜像を構成するのは、感光体表面の負電荷の
分布であるのに対し、第5図に示すプロセスにあ
つては、光導電層12裏面の正電荷の分布が合成
静電潜像を構成することになり、この差異のた
め、これら合成静電潜像から得られる可視像を比
較した場合、第3図に示すプロセスのものの方
が、解像性の点で、より優れている。
静電潜像を構成するのは、感光体表面の負電荷の
分布であるのに対し、第5図に示すプロセスにあ
つては、光導電層12裏面の正電荷の分布が合成
静電潜像を構成することになり、この差異のた
め、これら合成静電潜像から得られる可視像を比
較した場合、第3図に示すプロセスのものの方
が、解像性の点で、より優れている。
以下には、本発明者の行つた、具体的な実施例
を記する。
を記する。
実験例 1
厚さ2mmのアルミニウム板を、導電性基体と
し、この上に、純度99.99%のAs2Se3合金を厚さ
20μに蒸着して第1の光導電層とした。蒸着時の
支持温度は220度、真空度は10-5torrである。こ
の第1の光導電層上に、PVK−TNF(ポリビニ
ルカルバゾール−トリニトロフルオレノン)有機
光導電体をデイピング法により、厚さ35μにオー
バーコートして、第2の光導電層とした。
し、この上に、純度99.99%のAs2Se3合金を厚さ
20μに蒸着して第1の光導電層とした。蒸着時の
支持温度は220度、真空度は10-5torrである。こ
の第1の光導電層上に、PVK−TNF(ポリビニ
ルカルバゾール−トリニトロフルオレノン)有機
光導電体をデイピング法により、厚さ35μにオー
バーコートして、第2の光導電層とした。
このように形成された感光体の第1の光導電層
の分光感度特性と、第2の光導電層のそれとを、
第7図に示す。すなわち、第7図の曲線7−1が
第1の光導電層の分光感度特性、曲線7−2が第
2の光導電層の分光感度特性を示している。
の分光感度特性と、第2の光導電層のそれとを、
第7図に示す。すなわち、第7図の曲線7−1が
第1の光導電層の分光感度特性、曲線7−2が第
2の光導電層の分光感度特性を示している。
この感光体に、例えば、750nmの波長の光を
照射すると、この光は、ほとんどそのまま、第2
の光導電層を透過して、第1の光導電層に入射す
る。一方、第1の光導電層は、この光に対して十
分な光感度を有している。従つて感光体に上記光
を照射すると、感光体の第1の光導電層のみが導
電体化する。
照射すると、この光は、ほとんどそのまま、第2
の光導電層を透過して、第1の光導電層に入射す
る。一方、第1の光導電層は、この光に対して十
分な光感度を有している。従つて感光体に上記光
を照射すると、感光体の第1の光導電層のみが導
電体化する。
この感光体を、暗中で負極性に1次帯電し、そ
の表面電位を−1800Vとし、次いで暗中で正極性
の2次帯電を行つて、表面電位を−600Vとした。
の表面電位を−1800Vとし、次いで暗中で正極性
の2次帯電を行つて、表面電位を−600Vとした。
この状態の感光体に、マイクロ・フイルム上の
ポジ画像を、白色光で拡大照射し、地肌部の表面
電位を0Vとした。画像露光における面照度は
210μW/cm2、露光時間は1/30秒間である。
ポジ画像を、白色光で拡大照射し、地肌部の表面
電位を0Vとした。画像露光における面照度は
210μW/cm2、露光時間は1/30秒間である。
次に地肌部に対し、波長750nmのレーザー光
で特定パターンの書き込みを行つた。この状態に
おいて、マイクロ・フイルム上の画像に対応する
部位における感光体表面電位は−530V、特定パ
ターンに対応する部位における感光体表面電位
は、−110Vであつた。このようにして得られた、
合成静電潜像を、株式会社リコー製FT−2500用
現像剤(正帯電トナーを含む)で現像し、得られ
た可視像を普通紙に転写したところ、鮮明な合成
複写像を得ることができた。
で特定パターンの書き込みを行つた。この状態に
おいて、マイクロ・フイルム上の画像に対応する
部位における感光体表面電位は−530V、特定パ
ターンに対応する部位における感光体表面電位
は、−110Vであつた。このようにして得られた、
合成静電潜像を、株式会社リコー製FT−2500用
現像剤(正帯電トナーを含む)で現像し、得られ
た可視像を普通紙に転写したところ、鮮明な合成
複写像を得ることができた。
この実験は、第3図に示すプロセスを実現した
ものである。図との対応を考えるならば、B色光
は白色光、A色光は波長750nmの光である。
ものである。図との対応を考えるならば、B色光
は白色光、A色光は波長750nmの光である。
特定パターンに対応する静電潜像の電位が−
110Vと比較的低いのは、白色光による露光の際、
第2の光導電層のみならず、第1の光導電層もあ
る程度導電体化されたためと考えられる。
110Vと比較的低いのは、白色光による露光の際、
第2の光導電層のみならず、第1の光導電層もあ
る程度導電体化されたためと考えられる。
実験例 2
そこで、実験例1における感光体の2層の光導
電層間に、700nm以下の波長の光を吸収する色
素フイルター層を介設して新たな感光体を形成
し、この新たな感光体に対し、実施例1と同種の
実験を行つたところ、白色光によるポジ画像露光
で、地肌部の電位を0にするのに要する時間は、
210μW/cm2の面照度に対し、1/60秒と実験例1
の場合の1/2に短縮され、750nm波長の光により
書きこまれたパターンに対応する静電潜像の電位
も−330Vに改善された。フイルター層のため、
白色光による露光時に、第1の光導電層に入射す
る光量がへり、第1の光導電層における導電体化
の効率が小さくなつたためと考えられる。
電層間に、700nm以下の波長の光を吸収する色
素フイルター層を介設して新たな感光体を形成
し、この新たな感光体に対し、実施例1と同種の
実験を行つたところ、白色光によるポジ画像露光
で、地肌部の電位を0にするのに要する時間は、
210μW/cm2の面照度に対し、1/60秒と実験例1
の場合の1/2に短縮され、750nm波長の光により
書きこまれたパターンに対応する静電潜像の電位
も−330Vに改善された。フイルター層のため、
白色光による露光時に、第1の光導電層に入射す
る光量がへり、第1の光導電層における導電体化
の効率が小さくなつたためと考えられる。
実験例 3
実験例2で用いた感光体を、700nm以下の波
長の光で照射しつつ、正極性の1次帯電を行な
い、次いで暗中で負極性の2次帯電を行つて表面
電位を−600Vとした。次いで実験例2と同じプ
ロセスを行ない、実験例2におけると同様の結果
を得た。
長の光で照射しつつ、正極性の1次帯電を行な
い、次いで暗中で負極性の2次帯電を行つて表面
電位を−600Vとした。次いで実験例2と同じプ
ロセスを行ない、実験例2におけると同様の結果
を得た。
実験例 4
実験例2と同じプロセスを行ない、1次帯電の
際、感光体を750nmの波長の光で均一照射した
ところ、書き込みパターンに対応する潜像電位が
−420Vと改良された。1次帯電の際の、導電性
基体から第1の光導電層への正孔の注入効率が助
長されたためと考えられる。
際、感光体を750nmの波長の光で均一照射した
ところ、書き込みパターンに対応する潜像電位が
−420Vと改良された。1次帯電の際の、導電性
基体から第1の光導電層への正孔の注入効率が助
長されたためと考えられる。
実験例 5
実験例2において、画像露光工程と書き込み工
程とを同時に行ない、実験例2におけると同様の
結果を得た。
程とを同時に行ない、実験例2におけると同様の
結果を得た。
実験例 6
実験例2において、書き込み工程を先に行なつ
たのち画像露光工程を行なつたが、実験例2にお
けると同様の結果を得た。
たのち画像露光工程を行なつたが、実験例2にお
けると同様の結果を得た。
実験例5、6が示すように、画像露光工程と書
き込み工程とは、同時に行つてもよく、前後して
行なう場合には、どちらを先におこなつても良
い。
き込み工程とは、同時に行つてもよく、前後して
行なう場合には、どちらを先におこなつても良
い。
第1図は、画像合成複写を説明するための図、
第2図乃至第7図は、本発明を説明するための図
である。 1……感光体、10……導電性基体、11……
第1の光導電層、12……第2の光導電層。
第2図乃至第7図は、本発明を説明するための図
である。 1……感光体、10……導電性基体、11……
第1の光導電層、12……第2の光導電層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 独立した2つの画像情報X,Yを、同一の複
写上に合成する複写方法であつて、 導電性基体上に、少なくとも第1および第2の
光導電層を、この順序に積層してなり、A色光を
照射するときは、主として第1の光導電層が導電
体化し、B色光を照射するときは、主として第2
の光導電層が導電体化するように調製された感光
体の、上記第1および第2の光導電層を互いに逆
向きに、かつ第2の光導電層の充電電位の絶対値
が第1の光導電層のそれに比して大きくなるよう
に充電して、感光体表面電位を十分に大きくした
のち、 画像情報XのB色光によるポジの画像を、地肌
部に於ける感光体表面電位が略Oと成るように行
う画像露光工程と、画像情報Yのネガ像のA色光
による上記地肌部への書き込み工程を、同時もし
くは相前後して行い、画像情報X,Yに対応す
る、同極性の合成静電潜像を形成することを特徴
とする、画像合成方法。 2 独立した2つの画像情報X,Yを、同一の複
写上に合成する複写方法であつて、 導電性基体上に、少なくとも第1および第2の
光導電層を、この順序に積層してなり、A色光を
照射するときは、主として第1の光導電層が導電
体化し、B色光を照射するときは、主として第2
の光導電層が導電体化するように調製された感光
体の、上記第1および第2の光導電層を互いに逆
向きに、かつ第1の光導電層の充電電位の絶対値
が第2の光導電層のそれに比して大きくなるよう
に充電して、感光体表面電位を十分に大きくした
のち、 画像情報XのA色光によるポジの画像を、地肌
部に於ける感光体表面電位が略Oと成るように行
う画像露光工程と、画像情報Yのネガ像のB色光
による上記地肌部への書き込み工程を、同時もし
くは相前後して行い、画像情報X,Yに対応す
る、同極性の合成静電潜像を形成することを特徴
とする、画像合成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12911179A JPS5652771A (en) | 1979-10-06 | 1979-10-06 | Image composite copying method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12911179A JPS5652771A (en) | 1979-10-06 | 1979-10-06 | Image composite copying method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5652771A JPS5652771A (en) | 1981-05-12 |
| JPS6318751B2 true JPS6318751B2 (ja) | 1988-04-20 |
Family
ID=15001331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12911179A Granted JPS5652771A (en) | 1979-10-06 | 1979-10-06 | Image composite copying method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5652771A (ja) |
-
1979
- 1979-10-06 JP JP12911179A patent/JPS5652771A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5652771A (en) | 1981-05-12 |
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