JPS63187354A - Memory controller - Google Patents

Memory controller

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Publication number
JPS63187354A
JPS63187354A JP62018373A JP1837387A JPS63187354A JP S63187354 A JPS63187354 A JP S63187354A JP 62018373 A JP62018373 A JP 62018373A JP 1837387 A JP1837387 A JP 1837387A JP S63187354 A JPS63187354 A JP S63187354A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
main memory
intermediate buffer
stored
ecc
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62018373A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Kumagai
熊谷 多加史
Makoto Kishi
誠 岸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP62018373A priority Critical patent/JPS63187354A/en
Publication of JPS63187354A publication Critical patent/JPS63187354A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To easily perform error correction, by using the same error check and correct (ECC) code for the fetch data of an intermediate buffer (WS) and that of a main memory (MS). CONSTITUTION:When a data is transferred from the MS3 to the WS2, an MFD data line 21 is selected by a selector 30, and the data is stored in a WFDR latch 11, and passes an ECC circuit 4, and if a one bit error exists in the fetch data from the MS3, the error correction is performed, and a corrected data is stored in a WSDR latch 13, and it is stored in the WS2 by passing through a WMSD data line 20. Also, when the data is swapped out from the WS2 to the MS3, a WFD data line 22 is selected by the selector 30, and the data passes through the ECC circuit 4, and when the one bit error exists in the fetch data of the WS2, the error correction is performed, and the data is stored in the WSDR latch 13, and it is stored in the MS3 by passing through the WMSD data line 20.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は記憶制御装置に係り、特に記憶層ノー乞形成す
る、上位、中位、下位メモリで、中位、下位メモリのエ
ラーチェックアンドコレクトを共用化し、信頼性を高め
た、記憶制御装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a storage control device, and particularly to an error check and correction method for upper, middle, and lower memories in which the storage layer is not formed. This invention relates to a storage control device that can be shared and has improved reliability.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の装置は、主記憶、中間バッファ、バッファストレ
ージの、下位、中立、上位メモリによって、記憶階層乞
形成する記憶制御装置において、パンファストレージと
中1司バッファ間のデータストアバ、パンファストレー
ジにストアすると同時に中間バッファにもストアする、
ストアスル一方式を採用している。また中間バッファと
主記憶装置間のデータストアは、中間バッファのみにス
トアし主記憶ヘスドアするのは、その対照ブロックが、
主記憶へはき出される時のみとするスクツブ方式として
いる。この種の装置としては例えば、特開昭52−55
555号及び日経エレクトロニクス、汎用大型コンピー
タ、(1982年5月31日)における、平栗俊男、上
野成二部及び、槌本隆光による「3階層メモリ方式や高
密度化技術により性能向上を図った大型コンピュータM
−58013824(P581〜399)と題する文献
において論じられている。
A conventional device is a storage control device that forms a storage hierarchy by main memory, intermediate buffer, and lower, neutral, and upper memory of buffer storage. and store it in the intermediate buffer at the same time,
A one-way store-through system is adopted. Also, when storing data between the intermediate buffer and the main memory, the reason why the data is stored only in the intermediate buffer and stored in the main memory is that the corresponding block is
It uses the scrubbing method, which is used only when it is written out to main memory. As this type of device, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 52-55
555 and Nikkei Electronics, General Purpose Large Computers, (May 31, 1982), by Toshio Hiraguri, Seijibu Ueno, and Takamitsu Tsuchimoto, "Large-sized computer with improved performance using three-layer memory system and high-density technology. computer M
-58013824 (P581-399).

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

このような記憶制御装置においては中間バッファに最新
データが、保持されており、中間バッファの信頼性を向
上する必要のため、ハミングコードのエラーチェックア
ンドコレクト(ECC)の機能をもうけている。
In such a storage control device, the latest data is held in the intermediate buffer, and in order to improve the reliability of the intermediate buffer, a Hamming code error check and correct (ECC) function is provided.

従来の記憶制御装置では、中間バッファと主記憶では別
々のECC回路を持つかあるいは中間バッファから7エ
ツチしてバクファストレージへデータを転送する時のみ
、ECCによりエラー訂正を行っており、主記憶から中
間バッファへデータを書込む時また中間バッファから主
記憶へデータを書込む時は、エラー訂正は行っていなか
った。
Conventional storage control devices either have separate ECC circuits for the intermediate buffer and main memory, or perform error correction using ECC only when data is transferred from the intermediate buffer to the backup storage. No error correction was performed when writing data from the intermediate buffer to the main memory or from the intermediate buffer to the main memory.

このような従来装置を第2図に示す。1はバッファスト
レージ(以下BSと略)、2は中間バッファ(以下WS
と略)、3は主記憶(以下MSと略)、4はエラーチェ
ックアンドコレクト回路(以下ECC回路と略)、10
は、ECC回路4を通った後BSIヘデータを送るため
のwoDaラッチ、11は、WS2からフェッチしたデ
ータを格納するWF’J) Rラッチ、このWFD几ラ
ッうHのデータは、BS4に送る時は、ECC回路4に
送出され、MS3に送る時はそのまま送られる。
Such a conventional device is shown in FIG. 1 is a buffer storage (hereinafter abbreviated as BS), 2 is an intermediate buffer (hereinafter referred to as WS)
), 3 is a main memory (hereinafter abbreviated as MS), 4 is an error check and collect circuit (hereinafter abbreviated as ECC circuit), 10
is the woDa latch for sending data to the BSI after passing through the ECC circuit 4, and 11 is the WF'J) R latch for storing data fetched from WS2. is sent to the ECC circuit 4, and when sent to the MS3, it is sent as is.

12は、MS3からフェッチしたデータを格納する、M
SDRラッチである。23は、WF’f)R,ラッチ1
1のデータY M 8.5へ送るMSDデータ線である
。従来の記憶制御装置では、WS2からBS1ヘデータ
が送られる時は、ECC回路4を通して、データ中に1
ビツトエラーがあった場合、訂正して、BSlへ送って
いたが、MS3からWS2ヘデータを送る場合はECC
回路4に相等する回路はもうけないで、そのまま、WS
2へデータを書き込んでいた。また、MS5からWS2
へデータ2転送するため、WS2内に、その空き領Jj
l!乞確保するため、丁でに、WS内にあるデータtあ
る一定のアルゴリズムで選び出し、そのデータが、過去
に蓄き変えられた来歴があれば、MS6へ、スクツプア
ウトするがその時も、ECC回路4を通さず、rA85
へ、そのまま、MS6へ。
12 stores data fetched from MS3, M
It is an SDR latch. 23 is WF'f)R, latch 1
This is an MSD data line that sends data of 1 Y M 8.5. In the conventional storage control device, when data is sent from WS2 to BS1, it passes through the ECC circuit 4 and contains 1 in the data.
If there was a bit error, it was corrected and sent to BSl, but when sending data from MS3 to WS2, ECC is used.
Without creating a circuit equivalent to circuit 4, use WS as is.
I was writing data to 2. Also, from MS5 to WS2
In order to transfer data 2 to WS2, the free space Jj
l! In order to ensure security, the data in the WS is selected using a certain algorithm, and if there is a history that the data has been stored and changed in the past, it is dumped out to the MS6, but at that time, the ECC circuit 4 Does not pass rA85
Go straight to MS6.

4き込んでいる。このように従来の記憶制御装置では、
MS3あるいはWS2にエラーがあっても、そのままW
S2あるいは1Vis5へ、書き込んでいるため、WS
で1ビツトエラーが生じる率にガロえ、MSで1ビツト
エラーが生じる、率もガロわるため、その分、1ぎ頑性
が、低下する。また、WS2で缶じたエラ・−か、MS
3で生じたエラーかの切り分けができないので、どちら
のB、A MY交換したらよいのかわかりない。
4 I'm deeply involved. In this way, conventional storage control devices
Even if there is an error in MS3 or WS2, continue with W.
Because it is written to S2 or 1Vis5, WS
Since the rate at which a 1-bit error occurs in the MS increases greatly, and the rate at which a 1-bit error occurs at the MS also increases, the 1-bit robustness decreases accordingly. Also, the error that occurred in WS2, or MS
Since it is not possible to determine whether the error occurred in step 3, I do not know which B or A MY should be replaced.

父、中間バッファと主記憶で、夫々側々のECC回路を
待つ例も見られる。
There are also examples where the ECC circuits on each side are waited for by the intermediate buffer and the main memory.

この従来装置を第3図に示す。This conventional device is shown in FIG.

図中第2図と同符号のものは第2図と同一であ・ 4 
・ 漬。5はMS5のECC回路であり、16は、WS2.
MS6ヘデータを送るための、WSDRランチであり、
WS2からMS3ヘデータ転送時も、MS3からWS2
へデータ転送時もエラー訂正を行うためには、ECC回
路5の/%−ドウエアの増加を必要としている。
Items with the same numbers as in Figure 2 are the same as in Figure 2.4
・ Pickles. 5 is the ECC circuit of MS5, and 16 is the WS2.
It is a WSDR launch for sending data to MS6,
Even when transferring data from WS2 to MS3, from MS3 to WS2
In order to perform error correction during data transfer to the ECC circuit 5, it is necessary to increase the /%-dore of the ECC circuit 5.

本発明の目的は、主記憶から7エツチしたデータを中間
バッファに書込む時も、また中間バッファから主記憶に
書込む時もECCにより、エラーを訂正することを容易
に行うことにある。
An object of the present invention is to easily correct errors using ECC when writing data that has been etched from main memory to an intermediate buffer and when writing data from the intermediate buffer to main memory.

〔問題点を解決するだめの手段〕[Failure to solve the problem]

上記目的は、中間バッファと主記憶で使用するECCコ
ードを共通化し、同じECC回路を使用することにより
、達成される。
The above object is achieved by sharing the ECC code used in the intermediate buffer and the main memory and by using the same ECC circuit.

〔作用〕[Effect]

本発明では、中間バッファで使用していたECC1路を
そのまま主記憶からのフェッチデータにも適用して、主
記憶から中間バッファへ書込む時も中間バッファから主
記憶へ書込む時も、エラー訂正を行うことにより、ノ1
−ドウエアの大きな増加をすることな(容易に、信頼性
の高い記憶制御装置を与えることができる。
In the present invention, the ECC1 path used in the intermediate buffer is directly applied to fetch data from the main memory, and error correction is performed both when writing from the main memory to the intermediate buffer and when writing from the intermediate buffer to the main memory. By doing this, No.1
- A highly reliable storage control device can be easily provided without a large increase in hardware.

〔実施例〕〔Example〕

以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.

第1図で、BSl、WS2.MS3.ECC回路4.W
ODRラッチ10.WFDELラッチ11は、第2図の
と同じである。13は、ECC回路4を通った後のデー
タをWS2あるいは、MS3へ送るための、WSDRラ
ンチ、20は、WSDRラッチ13からのデータをWS
2.MS3へ送るための、WMSDデータ線、21は、
MS3からのフェッチデータを送るM F I)データ
線、22は、WS2からの7エンチデータを送るWIl
i’Dデータ線、30はセレクタである。
In FIG. 1, BS1, WS2. MS3. ECC circuit 4. W
ODR latch10. WFDEL latch 11 is the same as in FIG. 13 is a WSDR launch for sending data after passing through the ECC circuit 4 to WS2 or MS3; 20 is a WSDR launch for sending data from the WSDR latch 13 to WS2 or MS3;
2. The WMSD data line 21 for sending to MS3 is
MF I) Data line, 22, sends the fetch data from MS3, WIl sends the 7 ENT data from WS2.
The i'D data line 30 is a selector.

WS2からBS+ヘデーデーる場合は、第2図で説明し
たのと同じであるが、MS3からWS2ヘデータを転送
する場合、セレクタ30で、MFDデータ線21を選択
し、WF’D几ラッチ11にデータを格納し、ECC回
路4を通して、もしMS5からのフェッチデータに1ピ
ツトエラーが存在する場合は、エラー訂正を行い、訂正
した、データをWSDRラッチ16に格納し、WMSD
データ線20線通0て、WS2へ格納する。またvVs
2からM83ヘデータをスワップアウトする時も、セレ
クタ30で、WF’Dデータデー22を選択し、ECC
回路4を通して、WS2のフェッチデータに1ビツトエ
ラーが存在する場合は、エラー訂正を行い、WSDR,
ラッチ13にデータを格納し、WMSDデータ線20線
通0て、MS3へ格納する。
When transferring data from WS2 to BS+, it is the same as explained in FIG. If there is a 1-pit error in the data fetched from MS5, the error is corrected, the corrected data is stored in the WSDR latch 16, and the WMSD
Data line 20 is passed through and stored in WS2. Also vVs
When swapping out data from 2 to M83, select WF'D data data 22 with selector 30, and
If there is a 1-bit error in the fetch data of WS2 through the circuit 4, the error is corrected and the WSDR,
Data is stored in the latch 13, passed through the WMSD data line 20, and stored in the MS3.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように1本発明によれば、WSのフェッチ
データ、MSのフェッチデータに対して同じECCコー
ドを使用することにより、800回路を共用化し、MS
からWSへ、データ転送する時もまた、WSからMSへ
データをスワップアウトする時も、ECCによりエラー
訂正を少ない・・−ドウエア量の増力口で行うことがで
き、記憶制御装置の信頼性を高め、また、WS、MSど
ちらで、障害が起きたかの切分けを容易とすることが・
 7 ・ できる効果がある。
As explained above, according to the present invention, by using the same ECC code for WS fetch data and MS fetch data, 800 circuits can be shared, and MS
When transferring data from the WS to the MS, and when swapping out data from the WS to the MS, error correction using ECC can be performed with a small amount of hardware, increasing the reliability of the storage control device. In addition, it is possible to easily identify whether a failure occurred in the WS or MS.
7. There is an effect that can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の一実施例を示す、記憶制御装置のブ
ロック図。第2図は従来の記憶制御装置のブロック図。 第3図はもうひとつの従来の記憶制御装置のブロック図
。 1・・・バッファストレージ(BS )、 2 、+4
+間バフ7ア(WS )、6・・・主記憶(MS)、4
・・・エラーチェックアンドコレクト(ECC)回路、
10− W OD Rラy チ、11−WPDRうyf
、12・M F D Rラy +、13−WSDRうy
f、2゜・・・WMSDデータ線、21・・・MFDデ
ータ線、22・・・WFDデータ線、60・・・セレク
タ。
FIG. 1 is a block diagram of a storage control device showing one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a block diagram of a conventional storage control device. FIG. 3 is a block diagram of another conventional storage control device. 1... Buffer storage (BS), 2, +4
+ Buff 7a (WS), 6... Main memory (MS), 4
...Error check and collect (ECC) circuit,
10-WODRraychi, 11-WPDRuyf
, 12-M F D R y +, 13-WSDR y
f, 2°...WMSD data line, 21...MFD data line, 22...WFD data line, 60...Selector.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、主記憶と中間バッファとバッファストレージによっ
て記憶階層を構成している記憶制御装置において、 (1)中間バッファからのフェッチデータと、主記憶か
らのフェッチデータのいずれかを選択する選択回路と、 (2)該選択されたデータを、中間バッファからフェッ
チされたデータか、主記憶からフェッチされたかを区別
することなく、任意のハミングコードに従って、誤り訂
正と指摘を行うECC回路と、 (3)該誤り訂正されたデータを、該バッファストレー
ジへ送る第1のバスと、該中間バッファへ送る第2のバ
スとを備え、 (4)該主記憶から該中間バッファへデータを転送する
時は該第3のバスを選択し、該中間バッファから、該主
記憶へデータを転送する時は該第2のバスを選択するこ
とを特徴とした記憶制御装置。
[Scope of Claims] 1. In a storage control device in which a storage hierarchy is configured by a main memory, an intermediate buffer, and a buffer storage, (1) either fetch data from the intermediate buffer or fetch data from the main memory is (2) an ECC that performs error correction and indication according to an arbitrary Hamming code without distinguishing whether the selected data is fetched from an intermediate buffer or from main memory; (3) a first bus for transmitting the error-corrected data to the buffer storage and a second bus for transmitting the error-corrected data to the intermediate buffer; (4) transmitting data from the main memory to the intermediate buffer. A storage control device characterized in that the third bus is selected when data is transferred from the intermediate buffer to the main memory, and the second bus is selected when data is transferred from the intermediate buffer to the main memory.
JP62018373A 1987-01-30 1987-01-30 Memory controller Pending JPS63187354A (en)

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JP62018373A JPS63187354A (en) 1987-01-30 1987-01-30 Memory controller

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JP62018373A JPS63187354A (en) 1987-01-30 1987-01-30 Memory controller

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JPS63187354A true JPS63187354A (en) 1988-08-02

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5361342A (en) * 1990-07-27 1994-11-01 Fujitsu Limited Tag control system in a hierarchical memory control system

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57189398A (en) * 1981-05-14 1982-11-20 Fujitsu Ltd Control system for memory system

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