JPS63186425A - 加熱処理方法 - Google Patents
加熱処理方法Info
- Publication number
- JPS63186425A JPS63186425A JP1933387A JP1933387A JPS63186425A JP S63186425 A JPS63186425 A JP S63186425A JP 1933387 A JP1933387 A JP 1933387A JP 1933387 A JP1933387 A JP 1933387A JP S63186425 A JPS63186425 A JP S63186425A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- temperature
- metal
- quartz tube
- heat treatment
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は半導体基板と、この半導体基板上の金属とのオ
ーミックをとる念めの加熱処理方法に関する。
ーミックをとる念めの加熱処理方法に関する。
（ロ）従来の技術
従来、例えばＭＥＳＦＥＴ （ショットキ障壁電界効
果トランジスタ）のソース・ドレイン形成時の加熱処理
には第３図に示す如く加熱炉が用いられてい念。
果トランジスタ）のソース・ドレイン形成時の加熱処理
には第３図に示す如く加熱炉が用いられてい念。
図においてＣｌ０Ｉは石英管、（Ｉｌｌは試料ホルダ、
（ｌＩ２１はヒータ、（１３１は吸入口、（１４１は潴
・電対である。
（ｌＩ２１はヒータ、（１３１は吸入口、（１４１は潴
・電対である。
この加熱炉を用いて半導体基板と、この半導体基板上の
金属のオーミックをとるための加熱処理は石英管（１０
１の周囲からヒータｕｚにより熱を加えて石英管００１
内に一定の温度分布を与えていた。そして、金属（図示
省略）′（ｉ−形成した半導体基板（ｉ５１を載置した
試料ホルダｔ１１１を移動することでこの加熱処理に合
った温度になるよう制御していた。
金属のオーミックをとるための加熱処理は石英管（１０
１の周囲からヒータｕｚにより熱を加えて石英管００１
内に一定の温度分布を与えていた。そして、金属（図示
省略）′（ｉ−形成した半導体基板（ｉ５１を載置した
試料ホルダｔ１１１を移動することでこの加熱処理に合
った温度になるよう制御していた。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
上述の方法では周囲から熱を加えるので迅速な温度上昇
、減少ができない。従って、半導体基板の出し入れで半
導体基板の温度を制御している。
、減少ができない。従って、半導体基板の出し入れで半
導体基板の温度を制御している。
しかし、半導体基板、試料ホルダの熱伝導は一定ではな
いので正確な温度制御がでさず、また再現性もない。さ
らに、温度分布をつくるには大きな装置が必要であり温
度が安定するのに時間がかかる。
いので正確な温度制御がでさず、また再現性もない。さ
らに、温度分布をつくるには大きな装置が必要であり温
度が安定するのに時間がかかる。
この加熱炉を用いてＭＥＳＦＥＴのソース・ドレインを
形成すると、加熱処理後の表面状態は平滑でなくソース
・ドレイン間のメタルのはみ出しが見られた。これは熱
伝導が一定でないこと、温度上昇が緩やかなことが原因
であると考えられる。
形成すると、加熱処理後の表面状態は平滑でなくソース
・ドレイン間のメタルのはみ出しが見られた。これは熱
伝導が一定でないこと、温度上昇が緩やかなことが原因
であると考えられる。
また、上記ＭＰＳＦＥＴのオーミック電極間の抵抗値は
６〜７Ωである。
６〜７Ωである。
に）問題店を屏決する之めの手段
本発明は赤外線加熱炉を用いて半導体基板と、この半導
体基板上の金属を所定の温度で加熱処理する方法であっ
て前記半導体基板と前記金属を前記所定の温度より低い
温度で保持し加熱する工程と、前記半導体基板と前記金
属全前記所定の温度で保持し加熱する工程と、前記半導
体基板と前記金属を前記所定の温度より低い温度で保持
し加熱する工程と、を順次行うことを％微とする７ＪＯ
熱処理方法である。
体基板上の金属を所定の温度で加熱処理する方法であっ
て前記半導体基板と前記金属を前記所定の温度より低い
温度で保持し加熱する工程と、前記半導体基板と前記金
属全前記所定の温度で保持し加熱する工程と、前記半導
体基板と前記金属を前記所定の温度より低い温度で保持
し加熱する工程と、を順次行うことを％微とする７ＪＯ
熱処理方法である。
（ホ）作 用
半導体基板と、この半導体基板上の金属を所定の温度よ
り低い温度で保持し加熱する工程と、前記半導体基板と
前記金属を前記所定の温度で保持し加熱する工程と、前
記半導体基板と前記金属を前記所定の温度より低い温度
で保持し加熱する工程と、を順次行っているので基板温
度の不均一化を防ぐとともに基板の急激な温度降下を防
いでいる。
り低い温度で保持し加熱する工程と、前記半導体基板と
前記金属を前記所定の温度で保持し加熱する工程と、前
記半導体基板と前記金属を前記所定の温度より低い温度
で保持し加熱する工程と、を順次行っているので基板温
度の不均一化を防ぐとともに基板の急激な温度降下を防
いでいる。
（へ）実施例
第１図は本発明の加熱処理方法に用いる赤外線加熱炉を
示す。
示す。
図に３いて、ｉｌ＋は石英管、（２）は試料ホルダ、（
３）は赤外線ランプ、（４）はＮ２を石英管（１）内に
流すためのノズル、（５）は熱電対、（６）は半導体基
板である。
３）は赤外線ランプ、（４）はＮ２を石英管（１）内に
流すためのノズル、（５）は熱電対、（６）は半導体基
板である。
熱電対（５）上にＭＥＳＦＥＴのソース・ドレインとな
る金属（図示省略）を形成した半導体基板（６）を載置
する。このとき、熱電対（５）が半導体基板（６）の中
央部になるようセットする。そして、石英管（１（内に
Ｎ２ガスを充填する。熱電対（５１からの情報に従い赤
外線ランプ（３）全制御することで半導体基板（６）の
温度全上昇させることができる。１念、石英管１１１内
にＮ２ガスを流すことで温度一定、急冷を行うことがで
きる。
る金属（図示省略）を形成した半導体基板（６）を載置
する。このとき、熱電対（５）が半導体基板（６）の中
央部になるようセットする。そして、石英管（１（内に
Ｎ２ガスを充填する。熱電対（５１からの情報に従い赤
外線ランプ（３）全制御することで半導体基板（６）の
温度全上昇させることができる。１念、石英管１１１内
にＮ２ガスを流すことで温度一定、急冷を行うことがで
きる。
温度の制御は第２図に示すプログラムに従って行なわれ
る。図中のＡ乃至工のそれぞれの温度制御について説明
する。
る。図中のＡ乃至工のそれぞれの温度制御について説明
する。
Ａ・・・＋５°Ｃ／Ｓ・Ｎ２流す
Ｂ・・・８０°Ｃで５分間保持、Ｎ２流すＣ・・・＋１
°Ｃ／８・Ｎ２流す Ｄ・・・３００°Ｃで１分間保持、Ｎ２流すＥ・・・＋
２５°Ｃ／Ｓ、 Ｎ ２止めるＦ・・・３６５°Ｃで１
０秒間保持、Ｎ２止めるＧ・・・−２５℃７Ｂ、 Ｎ
２流す Ｈ・・・３００°Ｃで１分間保持、Ｎ２流す工・・・自
然冷却、Ｎ２止める 上記りの３００°Ｃの１分間保持により石英管（１）内
の雰囲気を一定にし、所定の温度（３６５°Ｃ）に上昇
し念ときの試料ホルダ（２）等の吸熱、発熱を最小に抑
え半導体基板（６）温度の不均一化を防ぐ。
°Ｃ／８・Ｎ２流す Ｄ・・・３００°Ｃで１分間保持、Ｎ２流すＥ・・・＋
２５°Ｃ／Ｓ、 Ｎ ２止めるＦ・・・３６５°Ｃで１
０秒間保持、Ｎ２止めるＧ・・・−２５℃７Ｂ、 Ｎ
２流す Ｈ・・・３００°Ｃで１分間保持、Ｎ２流す工・・・自
然冷却、Ｎ２止める 上記りの３００°Ｃの１分間保持により石英管（１）内
の雰囲気を一定にし、所定の温度（３６５°Ｃ）に上昇
し念ときの試料ホルダ（２）等の吸熱、発熱を最小に抑
え半導体基板（６）温度の不均一化を防ぐ。
そして、上記Ｆの３６５°Ｃの１０秒間保持による加熱
処理は半導体基板（６）に与えるダメージを少なく、金
属の溶融を均一にしてＭＥＳＦＥＴのソース・ドレイン
となるオーミック電極を形成できる。
処理は半導体基板（６）に与えるダメージを少なく、金
属の溶融を均一にしてＭＥＳＦＥＴのソース・ドレイン
となるオーミック電極を形成できる。
ま之、上記Ｈの３００°Ｃの１分間保持により半導体基
板（６）の急激な温度低下を防ぎ金属平ｔｆｉを平滑に
できる。
板（６）の急激な温度低下を防ぎ金属平ｔｆｉを平滑に
できる。
上述のような加熱処理を施すことにより、従来ＭＥ８Ｆ
ＥＴのオーミック電極間の抵抗値は６〜７Ωであったが
５Ω以下にすることができた。
ＥＴのオーミック電極間の抵抗値は６〜７Ωであったが
５Ω以下にすることができた。
ま念、赤外線加熱炉を用いているので加熱処理が１サイ
クル３０分程度でできる。しかも正確な温度制御を可能
にし再現性（半導体基板を静止させたままでよい）もあ
る。
クル３０分程度でできる。しかも正確な温度制御を可能
にし再現性（半導体基板を静止させたままでよい）もあ
る。
（ト） 発明の効果
本発明方法は以上の説明から明らかなように、表面が平
滑ではみ出しがなく、シかも抵抗値の低いオーミック電
極を形成することができる。
滑ではみ出しがなく、シかも抵抗値の低いオーミック電
極を形成することができる。
第１図は本発明の加熱処理方法に用いられる赤外線加熱
炉の断面図、第２図は本発明方法に係る加熱プログラム
曲線を示し、第３図は従来方法に用いられる加熱炉の断
面図である。 （１）・・・石英管、 （２）・・・試料ホルダ、（３
）・・・赤外線ランプ、（４１０３，ノズル、（５）・
・・熱電対、 （６）・・・半導体基板
炉の断面図、第２図は本発明方法に係る加熱プログラム
曲線を示し、第３図は従来方法に用いられる加熱炉の断
面図である。 （１）・・・石英管、 （２）・・・試料ホルダ、（３
）・・・赤外線ランプ、（４１０３，ノズル、（５）・
・・熱電対、 （６）・・・半導体基板
Claims (1)
- １、赤外線加熱炉を用いて半導体基板と、この半導体基
板上の金属とのオーミックをとるために所定の温度で加
熱処理する方法であって前記半導体基板と前記金属を前
記所定の温度より低い温度で保持し加熱する工程と、前
記半導体基板と前記金属を前記所定の温度で保持し加熱
する工程と、前記半導体基板と前記金属を前記所定の温
度より低い温度で保持し加熱する工程と、を順次行うこ
とを特徴とする加熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1933387A JPS63186425A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | 加熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1933387A JPS63186425A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | 加熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63186425A true JPS63186425A (ja) | 1988-08-02 |
Family
ID=11996481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1933387A Pending JPS63186425A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | 加熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63186425A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0325927A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-04 | Nec Kyushu Ltd | 半導体集積回路の製造装置 |
| US6416502B1 (en) | 1998-04-03 | 2002-07-09 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Absorbent article having channels for receiving the edges of an undergarment |
| US6440115B1 (en) | 1998-04-03 | 2002-08-27 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Absorbent article having channels for receiving the edges of an undergarment |
| JP2008534092A (ja) * | 2005-03-29 | 2008-08-28 | コンセプツ フォー サクセス | 使用時にカップ状窪みが維持される使い捨て吸収性物品 |
-
1987
- 1987-01-29 JP JP1933387A patent/JPS63186425A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0325927A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-04 | Nec Kyushu Ltd | 半導体集積回路の製造装置 |
| US6416502B1 (en) | 1998-04-03 | 2002-07-09 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Absorbent article having channels for receiving the edges of an undergarment |
| US6440115B1 (en) | 1998-04-03 | 2002-08-27 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Absorbent article having channels for receiving the edges of an undergarment |
| JP2008534092A (ja) * | 2005-03-29 | 2008-08-28 | コンセプツ フォー サクセス | 使用時にカップ状窪みが維持される使い捨て吸収性物品 |
| JP4922289B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2012-04-25 | コンセプツ フォー サクセス | 使用時にカップ状窪みが維持される使い捨て吸収性物品 |
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