JPH0543174B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体基板等（以下、「ウエハ」
という）の被熱処理体を、その表裏両面から光照
射して熱処理を行なうようにする熱処理方法に関
し、特に複数枚のウエハを１枚ずつ加熱炉内へ搬
入し、所要の熱処理を施すに当つて、各ウエハに
ついての熱処理を均一にするための方法に関す
る。

〔従来の技術〕

一般にウエハの熱処理プロセスは、イオン注入
の後処理としてイオン注入層を活性化し均一な組
成とするための熱処理を始め、シリコン膜を安定
化させるための熱処理、オーミツクコンタクトを
とるための熱処理等、非常に広範囲にわたつて利
用されている。これらの熱処理のいずれにおいて
も、ウエハの表裏面を含む全面に対して均一な加
熱を施す必要があるが、熱処理の迅速化のため、
加熱手段としてハロゲンランプ等の加熱用光源か
らの光照射によつた場合には、ウエハに対する加
熱光源からの光照射の均一化を正確に行なわなけ
ればならない。

ウエハ全面に対する照度分布の均一化を図るた
めの方法として、例えば特開昭57−147237号公報
に開示されているように、加熱炉内に収容された
ウエハを光源に対して水平方向に移動させ、ある
いはウエハを所定の振幅をもつて水平方向に揺動
させるようにしたものが知られている。しかし、
このような方法でウエハに対する光照射の均一化
を図るにしても、加熱炉内の雰囲気が均一に加熱
されていない熱処理運転開始直後においては、所
要枚数のウエハのうち、最初の１枚目と数枚目と
における熱処理結果（アニーリング効果）が同一
にならないといつた、製品品質上の問題点があつ
た。

加熱炉内雰囲気を所望の温度に制御する従来の
技術としては、例えば特開昭53−120075号公報や
特開昭58−70536号公報に開示されているものが
あるが、これらの方法にあつては、長時間にわた
つて熱処理を停止し、その後再び熱処理を開始す
るような場合、再開後におけるウエハの熱処理結
果と前回のそれとの間で品質上の差異を生じてい
た。

〔発明が解決しようとする問題点〕

この発明は、所要枚数のウエハを熱処理する場
合に、順次熱処理された各ウエハ間で熱処理結果
に品質むらを生じていたという問題点を解決し、
また熱処理を一旦停止し、長時間経過後熱処理を
再開した場合、再開後における熱処理結果との間
で品質むらを生じていたという問題点を解決しよ
うとしてなされたものであつて、ウエハの熱処理
を各ウエハ間で均一に行なうことができるような
方法を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点を解決するため、ウエハ等の被熱処
理体を加熱炉内に搬入した後、加熱炉を封止し、
被熱処理体の表裏各面にそれぞれ対向して配設さ
れた光源からの光照射によつて被熱処理体を加熱
し、被熱処理体を所定温度まで昇温させ、次いで
その所定温度に所定時間維持した後に降温させる
共通の温度変化曲線に従い、複数の被熱処理体を
１枚ずつ順次熱処理する熱処理方法において、次
の各工程を経るようにする。すなわち、ダミー用
被熱処理体を加熱炉内に搬入し、そのダミー用被
熱処理体が所望の温度変化を示すように温度制御
器で光源への入力を制御し、そのときの温度制御
器からの出力の変化を出力プログラムとして記憶
装置に記憶する出力プログラム記憶工程と、被熱
処理体を加熱炉内に搬入する前に、記憶装置に記
憶された前記出力プログラムに基づいて光源への
入力を制御し、その出力プログラムを複数回繰り
返して行なうことにより加熱炉内を予備加熱する
予備加熱工程と、この予備加熱工程により予備加
熱された加熱炉内に複数の被熱処理体を１枚ずつ
順次搬入し、搬入された一枚ずつの被熱処理体ご
とに毎回、記憶装置に記憶された前記出力プログ
ラムに基づいて光源への入力を制御することによ
り各被熱処理体をそれぞれ熱処理する自動熱処理
工程とを経ることを特徴とするものである。

〔作用〕

上記したこの発明に係る熱処理方法では、被熱
処理体を加熱炉内に搬入する前に加熱炉内が予備
加熱されるが、この予備加熱は、ダミー用被熱処
理体を使用してそのダミー用被熱処理体が所望の
温度変化を示すように光源への入力を制御したと
きに得られた出力プログラムに基づいて行なわれ
る。そして、その出力プログラムは、予備加熱専
用のプログラムではなく、実際に被熱処理体を１
枚ずつ熱処理するときに光源への入力を制御する
ための出力プログラムと同じものであり、しか
も、その出力プログラムを複数回繰り返すことに
よつて加熱炉内の予備加熱が行なわれる。従つ
て、実際の被熱処理体を熱処理するに当たり、予
備加熱が終了した加熱炉内に最初の１枚目の被熱
処理体を搬入する時点において、既に加熱炉内
は、複数枚の被熱処理体を熱処理し終わつた時点
とほぼ同一の炉内雰囲気になつている。

〔実施例〕

以下、図面を参照しながらこの発明の実施例に
ついて詳細に説明する。

第１図は、この発明に関係して使用される熱処
理装置の１例を示す要部断面図である。図におい
て、被熱処理体であるウエハ１１は、ウエハ支持
器１３に載置され、加熱炉１４の側壁１８と一緒
に図面上左方向から移動され、加熱炉１４内に搬
入される。一方、加熱炉１４内には、ウエハ１１
と同一平面内にモニター用ウエハ１２が設置され
ている。このモニター用ウエハ１２としては、第
２図に断面図でその１例を示すように、ウエハ１
１と同一材質の一対の小片１２″，１２′を熱伝導
の良い接着剤２０を介在させて重ね合わせ、それ
らの間に熱電対１９を挿入して接合したような構
造のものとしてもよい。

加熱炉１４の上下両方向には、ウエハ１１の表
裏各面にそれぞれ対向してハロゲンランプ等の光
源１５が所定ピツチで配置されており、各光源１
５の背面側には各々反射板１６が配設されてい
る。またウエハ支持器１３を一端に連設固定した
アーム１７は、側壁１８に穿設された貫通孔内を
往復摺動し、これらによつてウエハ支持器１３は
水平方向に揺動される。

第３図は、上記熱処理装置の概略構成を示すブ
ロツク図である。温度制御器２１は、加熱炉１４
内のウエハ（ダミー用ウエハ）１１′に付設した
熱電対１９′によつて検知されるウエハ１１′の表
面温度の変化と、あらかじめ設定した所望の温度
昇降変化との、各時点におえる差により光源１５
への入力（電力）を、例えばPID（Proportioral
−Integral−Derivative）制御等するための装置
である。記憶装置２２はメモリRAM（バルブメ
モリ、フロツピーデイスク等の場合もある）を内
蔵しており、温度制御器２１からの出力と時間と
の関係を記憶しておく装置である。すなわち、ウ
エハ１１に熱処理を施す際、光源１５への入力を
制御するための出力プログラムをこの記憶装置２
２にあらかじめ記憶させておくものである。この
記憶工程は、被熱処理体であるウエハ１１の代わ
りに、ダミー用ウエハ１１′を加熱炉１４内のウ
エハ支持器１３上に載置し、そのダミー用ウエハ
１１′の表面温度があらかじめ設定した所望の温
度昇降変化になるように温度制御器２１によつて
光源１５への入力を制御して、その際における温
度制御器２１からの出力の経時変化を記憶装置２
２に記憶するようにして行なう。その詳細につい
ては後述する。

比較器２３は、モニター用ウエハ１２の表面温
度と、所定の温度設定値（アニーリング開始温度
もしくはそれよりも若干低い温度）とを比較し、
モニター用ウエハ１２の表面温度が設定値を越え
た時点で、記憶装置２２に記憶させておいた出力
プログラム基づく熱処理を開始することを指示す
る信号を出す装置であり、その信号が出力される
と以後は、記憶装置２２に記憶された出力プログ
ラムによつて光源１５への入力が制御されること
となる。

定電力ユニツト２５は、温度制御器２１からの
出力あるいは記憶装置２２に記憶された出力プロ
グラムに基づく所定の出力に応じた電力を加熱炉
１４の光源１５に与えるものであり、外部電源の
電圧の変動があつた場合でも正確に温度制御でき
るようにする。また出力ユニツト２６は、サイリ
スタSCRを内蔵しており、光源１５への入力を
温度制御器２１及び定電力ユニツト２５からの出
力に応じて制御するものである。そして以上の各
構成機器は、熱処理装置制御器２４によつて全体
的に制御される。

次に第４図ないし第７図は、この発明に係る熱
処理方法の実施例を説明するためのフロチヤート
である。各フローチヤートに基づき、(イ)予備加熱
工程、(ロ)温度維持工程、(ハ)自動熱処理工程、及び
(ニ)記憶工程の各場合に分けて説明する。

(イ) 予備加熱工程 第４図は、ウエハ１１を加熱炉１４内に搬入
する前に実施する予備加熱工程を説明するため
のフローチヤートである。

この予備加熱は、光照射によつてウエハの熱
処理を行なう場合、最初の１枚目から５枚目ぐ
らいまでは、炉内雰囲気の条件が一定しないた
め、熱処理結果（アニーリング効果）に各ウエ
ハ間で差を生じ、それ以降の炉内雰囲気の条件
が安定した後のウエハについては連続して均一
な熱処理を施すことができること、他方、連続
熱処理運転を開始する前に，すなわち１枚目の
ウエハを加熱炉内へ搬入する直前に所定の光照
射を５回程行なえば、１枚目のウエハから連続
して均一な熱処理を施すことができるという実
験結果に基づいて実施するものである。

この工程において、加熱炉１４内にはモニタ
用ウエハ１２のみが収容されており、炉１４は
封止されている。この状態で、第３図に示す熱
処理装置制御器２４に配設されている図示しな
い準備スイツチをオンにすると（4A）、第３図
に示す切換スイツチ２７が記憶装置２２側の端
子２７′に自動的に切り換わる（4B）。そして
記憶装置２２のチヤンネルが「準備動作」に自
動選定され（4C）、同時に加熱炉１４の光源１
５には定電力Ｋが供給され（4D）、記憶装置２
２のメモリからの出力が可能の状態となる
（4E）。

次いで加熱炉１４内のモニター用ウエハ１２
の表面温度Ｖが上昇し、t₁時間後に所定の設定
値V₃を越えることによつて比較器２３からそ
の信号が出力されると（4F）、記憶装置２２の
「準備動作」チヤンネルに記憶された、例えば
第９図に示すような出力プログラム信号が出さ
れ（4G）、この出力によつて制御された、例え
ば第１０図に示すような電力がそれまでの定電
力に代わつて光源１５に供給される。

ここで、モニター用ウエハ１２の表面温度Ｖ
がV₃まで昇温する間、光源１５に一定に設定
電力が与えられるのは、初期温度等の雰囲気条
件がそれぞれの開始時において異なる場合があ
るためであり、そこで上記したように、モニタ
ー用ウエハ１２の表面温度が所定の温度にV₃
以上になつた時点で始めて、記憶装置２２から
出力プログラム信号の出力を開始するようにし
ているのである。そして第８図の曲線に示す
ように、t₂時間後、例えばt₂＝10秒後に加熱炉
１４内のモニター用ウエハ１２の表面温度Ｖを
V₄まで、例えばV₄＝1000℃まで上昇させ、時
間T₁の間その温度V₄を維持するように、第１
０図に示すような加熱炉１４の光源１５への入
力（電力）変化（曲線）に対応した、第９図
に示すような出力プログラム信号（曲線）を
出す。

次いでt₃時間後に光源１５への電力供給が中
止され、モニター用ウエハ１２の表面温度Ｖが
降下し、t₄時間後に設定値V₃以下になることに
よつて比較器２３からの出力がなくなると
（4H）、定電力ユニツト２５がオフとなり
（4I）、同時に記憶装置２２のメモリがリセツト
され（4J）、準備完了ランプが点灯する（4K）。

尚、この予備加熱工程においては、第９図に
示すような出力変化（曲線）を所要回数、例
えば５回繰り返す。また出力プログラムとして
は、(ニ)で後述するように、ダミー用ウエハを使
用して記憶装置に記憶させた出力プログラムと
同一のものが使用される。

(ロ) 温度維持工程 第５図は、上記(イ)で予備加熱工程（準備動
作）が終了した加熱炉１４内へウエハ１１を搬
入するまでの間、炉１４内を所定温度範囲内に
維持して、ウエハ１１を加熱炉１４内へ搬入す
る時の温度条件をほぼ一定にする温度維持工程
を説明するためのフローチヤートである。この
温度維持工程について第１１図を参照しながら
説明する。

第１１図は、加熱炉１４内に配置されたモニ
ター用ウエハ１２に付設した熱電対１９（第１
図〜第３図参照）によつて検出されるモニター
用ウエハ１２の表面温度の時間的変化を示す線
図である。図において曲線′上の点ｌ，ｍ，
ｎ及びｏは、上記(イ)の準備動作を表わしてい
る。そしてモニター用ウエハ１２の表面温度Ｖ
が所定の温度V₁、例えばV₁＝270℃を下回ると
（5A）、定電力ユニツト２５がオンとなり
（5B）、第１０図において破線′で示すよう
に、加熱炉１４の光源１５に一定電力が供給さ
れる。その結果、モニター用ウエハ１２の表面
温度Ｖが上昇し、所定の上限値V₂、例えばV₂
＝300℃を越えると（5C）、光源１５への入力
がオフとなる（5D）。このような温調動作を繰
り返すことによつて、曲線′上の点ｏ，ｐ，
ｑ，ｒ及びｓで示すように温度Ｖが変化し、モ
ニター用ウエハ１２の表面温度Ｖは、常時V₁
≦Ｖ≦V₂の範囲内に維持されることとなる。
そしてこの温度維持は、ウエハ１１が加熱炉１
４内へ搬入されるまで（後述する第６図に示す
フローチヤートではウエハ有となる（6D）ま
で）行なわれ、第５図に示すフローチヤート
中、ステツプ（5E）は曲線′上、点ｏ，ｑ又
はｓから下降する側に常にあることとなり、こ
れによつてウエハ１１を加熱炉１４内へ搬入す
る際の温度条件をほぼ一定にしている。

(ハ) 自動熱処理工程 第６図は、上記(ロ)で温度維持工程（温調動
作）が繰り返されている加熱炉１４内へウエハ
１１を搬入し、熱処理を行なう自動熱処理工程
を説明するためのフローチヤートである。第３
図に示す熱処理装置制御器２４に配置されてい
る図示しない自動運転のスタートスイツチをあ
らかじめオンにしておくと（6A）、第３図に示
す切換スイツチ２７が端子２７′に自動的に切
り換わつて記憶装置２２と接続され（6B）、次
いで記憶装置２２のチヤンネルが「自動運転」
に自動的に指定される（6C）。続いて、熱処理
装置のウエハ供給装置又はウエハ搬入経路（い
ずれも図示せず）上に熱処理する予定のウエハ
１１が有るかどうかを検知し（6D）、ウエハ１
１が無い場合には第５図に示すフローチヤート
の動作を繰り返し、ウエハ１１が有る場合は、
第１図に示すようにウエハ１１がウエハ支持器
１３上に載置されて加熱炉１４内に搬入され
（6E）、炉１４の側壁（扉）１８が封止される
（6F）。そして光源１５に一定電力が入力され
（6G）、曲線″（第１１図参照）に示すように
点ｔから温度が上昇していく。

尚、前述の準備動作終了直後においてウエハ
１１が有る場合は、曲線′上の点ｏで定電力
ユニツト２５がオンとなり、その点から昇温段
階に入る。

モニター用ウエハ１２の表面温度Ｖが上昇し
てゆき、温度ＶがV₃を越えることによつて比
較器２３からそれを知らせる信号が出力される
と（6H）、それまでの定電力に代わつて、記憶
装置２２のメモリの「自動運転」チヤンネルに
記憶させていた、例えば第９図に示すような出
力プログラム信号の出力曲線に応じて、第１
０図に示すような電力（曲線）が光源１５に
入力される（6I）。この出力プログラムに基づ
く温度制御開始すなわちモニター用ウエハ１２
の表面温度ＶがV₃を越えるまでにおける光源
１５への入力は、必ずしも定電力でなければな
らないという訳ではない。またここでの実施例
では、温度Ｖはモニター用ウエハ１２の表面温
度として説明しているが、ウエハ１１そのもの
の表面温度を非接触式温度検知器で検出するよ
うにしてもよく、また加熱炉１４内部に付設し
た測温体によつて炉１４内の雰囲気温度を検出
するようにしてもよい。

そしてウエハ１１に所定の熱処理を施し、曲
線′上の点ｗで温度ＶはV₃より低くなり
（6J）、定電圧ユニツト２５はオフとなり
（6K）、記憶装置２２の出力プログラムはリセ
ツトされ（6L）、それと同時にあらかじめ時間
設定しておいた搬出タイマーT₃が作動し始め
（6M）、設定時間T₃経過後に（6N）、加熱炉１
４の扉１８を開放し（6O）、熱処理を終えたウ
エハ１１が搬出される（6P）。そこで加熱炉１
４のウエハ供給側に熱処理予定のウエハ１１が
有るかどうかを検知し（6Q）、ウエハ１１が有
る場合は、続いて各ステツプを経てステツプ
（6D）へ移り、曲線′上の点ｘのように温度
ＶがV₂以下となり、V₁≦Ｖ≦V₂の温度範囲で
次のウエハ１１を加熱炉１４内へ搬入し
（6E）、同様の動作を繰り返す（6F〜6P）。そ
して所要枚数のウエハ１１の熱処理が完了し、
ウエハ供給側にウエハ１１が無くなれば、その
時点で連続熱処理運転は終了となる。

尚、例えば半導体ウエハに光照射アニーリン
グを施す場合にあつては、ウエハの表面温度を
約400℃以上にするアニーリングが開始される
ので、上記した設定温度V₁、V₂及びV₃は400
℃以下とされる。またタイマーで設定する時間
T₃は、加熱炉１４内の不活性ガスの充填状況、
その他の条件が変化することによつて曲線′
の降温側の傾きが変化するので、熱処理の１工
程当たりの時間Tc（第１１図参照）を調整する
ため、必要により適宜設定するものである。

なお、連続運転中に万一、次の熱処理予定の
ウエハが加熱炉１４内へ搬入されないといつた
事態が起こつた場合は、曲線′上の点ｗ、ｘ
が点ｙ、ｚへとは移らずに、点ｏ，ｐ，ｑの状
態へと移ることとなる。そして点ｑにおいても
次のウエハがないときは、点ｒ，ｓへと温調動
作を繰り返すことになる。

(ニ) 記憶工程 第７図は、上記(ハ)で使用する出力プログラム
を記憶装置２２に記憶させておく記憶工程を説
明するためのフローチヤートである。

加熱炉１４内は、上記(ロ)に準じた温調動作に
よつて所定の温度条件に維持させておく。この
状態でまず、第３図に示す熱処理装置制御器２
４に配設されている図示しないアニールスイツ
チをオンにすると（7A）、第３図に示す切換ス
イツチ２７が温度制御器２１側の端子２７″に
接続され（7B）、次いで記憶装置２２の指定チ
ヤンネルが設定される（7C）。そして加熱炉１
４のウエハ支持器１３にあらかじめダミー用ウ
エハ１１′を載置しておけば（7D）、ダミー用
ウエハ１１′は加熱炉１４内に自動搬入される
（7E）。続いて加熱炉１４の扉１８が閉じると
（7F）、光源１５に定電力Ｋが入力される
（7G）。そして加熱炉１４内のモニター用ウエ
ハ１２の表面温度Ｖが上昇し、所定の設定温度
V₃を越えることによつて比較器２３から信号
が出力される（7H）。この信号によつて温度制
御器２１が作動し始め、ダミー用ウエハ１１′
の表面温度Ｖが曲線（第８図参照）のよう
な、あらかじめ設定された所望の温度変化に昇
降するように、光源１５への入力をPID制御し
（7I）、曲線（第１０図参照）のような制御さ
れた電力が光源１５に供給される。その際の温
度制御器２１からの出力は、例えば曲線（第
９図参照）のように変化しており、その出力変
化を同時に記憶装置２２に記憶させる。（7J）。

その後、ダミー用ウエハ１１′の表面温度V₄
であらかじめ設定された時間T₁の間、ダミー
用ウエハ１１′を加熱してから表面温度Ｖを下
降させ、t₄時間後にＶ＜V₃になることによつて
比較器２３からの出力がなくなり（7K）、その
結果、定電力ユニツト２５がオフとなり
（7L）、同時に記憶調整タイマーT₂がセツトさ
れる（7M）。このタイマーT₂は、モニター用
ウエハ１２の表面温度Ｖにおける降温側の変化
が、実際にウエハ１１を熱処理した場合に、例
えば破線″（第８図参照）のようになること
もあるので、t₄時間から適宜な時間が経過する
まで第９図に示すように、温度制御器２１から
の出力を記憶装置２２に記憶させておこうとす
るために設けるものである。

そしてタイマーT₂の設定時間が経過すると
（7N）、温度制御器２１からの出力の記憶動作
を停止させ（7O）、加熱炉１４の扉１８を開い
て（7P）、ダミー用ウエハ１１′を炉１４から
搬出する（7Q）。

この記憶工程においては、被熱処理ウエハ１
１の種類が異なるときはそれぞれのダミー用ウ
エハ１１′に熱電対１９′を直接付設しておき、
ダミー用ウエハ１１′における実際の温度制御
に基づく出力変化を記憶装置２２の所定のチヤ
ンネルに記憶させておくようにすればよい。

尚、加熱炉１４に収容された被熱処理ウエハ
１１の表面温度を非接触式で正確に検知するこ
とができる場合においては、曲線（第８図参
照）のような所望の温度変化に対し、光源１５
への入力を出力プログラムに基づかず直接に
PID制御するようにすればよい。この場合で
も、準備動作及び温調動作を行なつた方がより
均一な熱処理を施すことができるのは言うまで
もない。但し現状においては、被熱処理用ウエ
ハ１１の表面温度を非接触式で検知することは
できるが、ウエハの表裏両面に光照射する形式
の加熱炉では、広範囲にわたつての温度検知に
は正確性を欠くことがある。従つて、事前にダ
ミー用ウエハ１１″を炉１４内に搬入し、ダミ
ー用ウエハ１１′に付設した熱電対１９′によつ
て検知されるダミー用ウエハ１１′の表面温度
と所望の温度変化との差に基づいて光源１５へ
の入力をPID制御し、その際の温度制御器２１
からの出力変化を記憶装置２２に記憶させてお
き、実際にウエハ１１を熱処理するに当たつて
は、準備動作及び温度動作によりウエハ１１搬
入前の炉１４の雰囲気条件をほぼ一定にしてお
き、記憶装置２２に記憶させておいた出力プロ
グラムに基づいて光源１５へ電力を入力して熱
処理する方法の方が、現状ではよりアニーリン
グ効果の均一性を確保することができる。

〔効果〕

この発明は、以上述べたように構成されている
ので、本発明に係る熱処理方法によつて被熱処理
体を熱処理するときは、予備加熱が終了した加熱
炉内の最初の１枚目の被熱処理体を搬入する時点
において、既に加熱炉内は、複数枚の被熱処理体
を熱処理し終わつた時点とほぼ同一の炉内雰囲気
になつているため、複数枚の被熱処理体を１枚ず
つ連続して熱処理する場合において、複数枚の被
熱処理体間での熱処理結果（アニーリング効果）
の均一性が極めて高くなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明に関係して使用される熱処
理装置の１例を示す要部断面図、第２図は、同装
置に設置されるモニター用ウエハ１２の１例を示
す断面図、第３図は、同装置の概略構成を示すブ
ロツク図であり、第４図ないし第７図は、この発
明に係る熱処理方法の実施例を説明するためのフ
ローチヤートである。また第８図は、熱処理工程
におけるモニター用ウエハ１２の表面温度の変化
を表わす図表、第９図は、同じく記憶装置２２か
らの出力の変化を表わす図表、第１０図は、同じ
く加熱炉１４の光源１５への入力（電力）の変化
を表わす図表であり、第１１図は、予備加熱工
程、温度維持工程及び熱処理工程におけるモニタ
ー用ウエハ１２の表面温度の一連の変化を表わす
図表である。 １１……被熱処理体（ウエハ）、１２……モニ
ター用ウエハ、１４……加熱炉、１５……光源。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 被熱処理体を加熱炉内に搬入した後、加熱炉
   を封止し、被熱処理体の表裏各面にそれぞれ対向
   して配設された光源からの光照射によつて被熱処
   理体を加熱し、被熱処理体を所定温度まで昇温さ
   せ、次いでその所定温度に所定時間維持した後に
   降温させる共通の温度変化曲線に従い、複数の被
   熱処理体を１枚ずつ順次熱処理する熱処理方法に
   おいて、 ダミー用被熱処理体を加熱炉内に搬入し、その
   ダミー用被熱処理体が所望の温度変化を示すよう
   に温度制御器で光源への入力を制御し、そのとき
   の温度制御器からの出力の変化を出力プログラム
   として記憶装置に記憶する出力プログラム記憶工
   程と、 被熱処理体を加熱炉内に搬入する前に、記憶装
   置に記憶された前記出力プログラムに基づいて光
   源への入力を制御し、その出力プログラムを複数
   回繰り返して行なうことにより加熱炉内を予備加
   熱する予備加熱工程と、 この予備加熱工程により予備加熱された加熱炉
   内に複数の被熱処理体を１枚ずつ順次搬入し、搬
   入された１枚ずつの被熱処理体ごとに毎回、記憶
   装置に記憶された前記出力プログラムに基づいて
   光源への入力を制御することにより各被熱処理体
   をそれぞれ熱処理する自動熱処理工程とを経るこ
   とを特徴とする熱処理方法。