JPS63184707A - Manufacture of planar light waveguide - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 47
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000005495 cold plasma Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 208000030194 mouth disease Diseases 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/132—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by deposition of thin films
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
り皇ユ」口ｌ乱！
本発明は平面状光導波路の製造方法に関し、さらに詳し
くは制御されたスケジュールで基板上に薄いガラス状層
を気相から沈澱させることにより、所定の屈折率曲線を
有する光伝導コア領域と該コア領域に隣接する保護クラ
ッド層を形成する平面状光導波路の製造方法に関する。[Detailed Description of the Invention] Ri-Kuyu's mouth disorder! The present invention relates to a method for manufacturing planar optical waveguides, and more particularly to forming a photoconductive core region with a predetermined refractive index curve by depositing a thin glassy layer from the gas phase on a substrate on a controlled schedule. The present invention relates to a method of manufacturing a planar optical waveguide that forms a protective cladding layer adjacent to a region.
従来の技術
平面状光導波路は、光通信システムにおいて、結合素子
として使用される。配置方法により、このような結合素
子は信号を分岐するかあるいは信号を合成する目的で使
用される。BACKGROUND OF THE INVENTION Planar optical waveguides are used as coupling elements in optical communication systems. Depending on the arrangement, such coupling elements are used for signal splitting or signal combining purposes.
このような光導波路を形成する公知の方法としてＣＶＤ
プロセスがある。ＣＶＤプロセスにおいては、高純度の
ＳｉＣノ。が数％のＴＩＣノ４と混合され、開放火炎中
で酸素と反応させられる。CVD is a known method for forming such optical waveguides.
There is a process. In the CVD process, high purity SiC is used. is mixed with a few percent of TIC-4 and reacted with oxygen in an open flame.
火炎加水分解法によりｔＪ造されたガラス粉体が基板上
に堆積させられる。この堆積プロセスの間、幾つかの層
が形成されるようにバーナが常にあちらこちらに移動さ
れる。屈折率はＴｉＣノ４の重量により制御される。そ
の模似々の層が形成されるように、気泡ガラス層を有す
る基板が加熱される（にａｗａｃｈｉほか、Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ ｔｅｔｔｅｒｓ １９８３゜Ｖｏｌ、１
９． Ｎｏ、１５． ｐ、５８３）。A tJ-formed glass powder is deposited on a substrate by a flame hydrolysis method. During this deposition process, the burner is constantly moved to and fro so that several layers are formed. The refractive index is controlled by the weight of the TiC. A substrate with a cellular glass layer is heated so that a similar layer is formed (Niawachi et al., Elect
ronics tetters 1983゜Vol, 1
9. No, 15. p. 583).
この積層システムは次いでシリコンマスクによりカバー
され、エツチングにより光伝導ストリップ及び波動伝導
体を収容するガイド溝が形成される（ Ｖａｌａｄａほ
か、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ＬｅｔｔｅｒＳ １９８
３゜Ｖｏｌ、２０． Ｎｏ、８．ｐ、３１３ ）。This layered system is then covered with a silicon mask and etched to form guide grooves for accommodating the photoconductive strip and the wave conductor (Valada et al., Electronics Letter S 198
3゜Vol, 20. No, 8. p. 313).
しかしこのような従来の光導波路は、形成された層の屈
折率分布が一つの方向のみ、すなわち基板に、！ｆ！直
方内方向み予め決定されるという欠点を有している。エ
ツチングプロセスの後には、光伝導ストリップは実質上
長方形断面を有しており、光伝導コアのブ０フィールは
横方向に適合されていないために顕著な吸収損失あるい
は減衰損失が起こる。この方法による他の欠点は、比較
的厚い層しか形成できないということであり、そのため
正確に等級ずけられた屈折率分布を得るのが不可能であ
る。However, in such conventional optical waveguides, the refractive index distribution of the formed layer is only in one direction, that is, toward the substrate! f! It has the disadvantage that only the rectangular inward direction is predetermined. After the etching process, the photoconducting strip has a substantially rectangular cross-section and the field of the photoconducting core is not laterally adapted, resulting in significant absorption or attenuation losses. Another drawback with this method is that only relatively thick layers can be formed, so that it is not possible to obtain a precisely graded refractive index profile.
ヨーロッパ特許第５２９０１号は、断面円形の光伝導ス
トリップを有する結合素子が製造できる方法を開示して
いる。この方法によると、エツチングあるいは機械的プ
ロセスにより予め定められたパターンに従ってガラスプ
レートの基板上に半円形の断面形状を有する溝が形成さ
れる。次のステップにおいて、ガラスプレート上及び溝
中にＣＶＤプロセスにより気相からガラス状層が沈澱さ
れる。層が厚くなるにつれて、石英ガラスと共に沈澱す
るドーピング物質の量が増加する。これらの層により溝
が完全に充満されるまでこのプロセスは続けられる。対
称的に反対な溝パターンの形成された基板にも同様なプ
ロセスが適用される。European Patent No. 52901 discloses a method by which a coupling element having a circular cross-section photoconductive strip can be manufactured. According to this method, grooves having a semicircular cross-section are formed on the substrate of the glass plate according to a predetermined pattern by etching or a mechanical process. In the next step, a glassy layer is precipitated from the gas phase by a CVD process onto the glass plate and into the grooves. As the layer becomes thicker, the amount of doping material that precipitates with the quartz glass increases. This process continues until the trenches are completely filled with these layers. A similar process is applied to substrates with symmetrically opposed groove patterns.
次いで両方のガラスプレート基板は研磨され磨かれ、さ
らにガラス状層に形成された溝が互いに一致するように
合せられる。この伝導体ストリップは半径方向外側に屈
折率が減少する円形断面形状を有しているが、製造方法
は必ずしも容易ではない。Both glass plate substrates are then polished and polished, and the grooves formed in the glassy layers are then matched to each other. Although this conductor strip has a circular cross-sectional shape with a refractive index decreasing radially outward, the manufacturing method is not always easy.
製造プロセス、特に磨き段階が非常に高価である。金満
は正確に一致しなければならず、さらに光伝導層領域の
基板プレート間の接合面には不純物及び空気層ギャップ
が存在してはならない。The manufacturing process, especially the polishing stage, is very expensive. The metal thickness must match exactly, and there must be no impurities or air space gaps at the interface between the substrate plates in the photoconductive layer region.
発明の目的
本発明の目的は上述した従来技術の欠点を克服した平面
状光導波路の製造方法を提供することである。本発明方
法は実質上非常に簡単であり、同時に本発明方法により
製造された平面状光導波路は損失が少ないという点にお
いて他の平面状光導波路と区別される。OBJECTS OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a planar optical waveguide that overcomes the drawbacks of the prior art described above. The method of the invention is very simple in nature, and at the same time the planar optical waveguides produced by the method of the invention are distinguished from other planar optical waveguides in that they have low losses.
ｌＪＪソ１處
上述した目的は、制御されたスケジュールで基板上に薄
いガラス状層を気相から沈澱させることにより、所定の
屈折率曲線を有する光伝導コア領域と該コア領域に隣接
する保護クラッド層を形成する平面状光導波路の製造方
法であって、非均質反応（ＣＶＤプロセス）によって前
記ガラス状層の気相からの沈澱を得、まず最初に前記基
板上に屈折率を減少させるドーピング物質を有する層を
形成し、次いでマスキング技術により望ましいストリッ
プパターン状に形成された前記ドーピング物質の拡散障
壁として作用する被覆層を、前記層の上に形成し、次い
でこれらの層の形成された基板を加熱してマスクされて
いない領域から前記ドーピング物質のほとんどを拡散さ
せ光伝導領域のコア領域あるいはコア領域の一部を形成
し、最後に光導波路を完成するように制御された屈折率
を有する層をその上に形成することを特徴とする平面状
光導波路の製造方法により達成される。The above-mentioned purpose is to form a photoconductive core region with a predetermined refractive index curve and a protective cladding adjacent to the core region by precipitating a thin glassy layer from the gas phase onto a substrate on a controlled schedule. A method for manufacturing a planar optical waveguide forming a layer, the precipitation of said glassy layer from the gas phase by means of a non-homogeneous reaction (CVD process) and firstly applying a refractive index-reducing doping substance on said substrate. a coating layer acting as a diffusion barrier for said doping substance formed in the desired strip pattern by masking techniques is then formed on said layer, and then the substrate on which these layers have been formed is formed. a layer with a controlled refractive index that is heated to diffuse most of the doping material from the unmasked areas to form the core region or part of the core region of the photoconductive region and finally complete the optical waveguide; This is achieved by a method for manufacturing a planar optical waveguide, which is characterized by forming a planar optical waveguide on the optical waveguide.
屈折率を低下させるドーピング物質を含んでいる前記層
もまた所定の屈折率曲線を有している。Said layer containing a doping substance that lowers the refractive index also has a predetermined refractive index curve.
望ましくはフッ素が使用されるドーピング物質の拡散に
より、前記第１の層のマスクされていない領域に円筒の
軸方向に向って増加する屈折率を有する半円筒状の領域
が形成される。フッ素の外に屈折率を下げ、拡散可能な
物質であればどのような他のドーピング物質でも使用可
能である。この半円筒状のコア領域は、低い吸収損失を
有する光伝導領域を形成するようにフッ素のドープされ
た他の層によりカバーされる。By diffusion of a doping material, preferably fluorine, a semi-cylindrical region is formed in the unmasked region of said first layer with a refractive index increasing in the direction of the axis of the cylinder. Besides fluorine, any other doping material that lowers the refractive index and is diffusible can be used. This semi-cylindrical core region is covered by another layer doped with fluorine to form a photoconductive region with low absorption losses.
ガラス状層の沈澱は非等温プラズマＣＶＤプロセスによ
るのが望ましい。Preferably, precipitation of the glassy layer is by a non-isothermal plasma CVD process.
前記プロセスは、例えばヨーロッパ特許第１７２９６号
に記載されているような公知のプロセスであり、電子の
みが高い運動エネルギーを有する冷間プラズマとして知
られているプラズマにより作動されるプロセスである。Said process is a known process, for example as described in EP 17296, and is a process in which only the electrons are operated by a plasma, known as a cold plasma, having a high kinetic energy.
このようなプラズマによると、熱的に反応しないガス混
合物でも反応を起こさせることが可能となる。この非等
温性ＣＶＤプロセスにより、比較的低温により気相から
直接重畳されたガラス状層を沈澱させることができ、ガ
ラス化のために引続いて加熱することがもはや必要でな
くなる。本発明の他の利益は、例えば室温と３００℃の
間という低温で沈澱を行なうため、ガラスプレート物質
と沈澱した層との間での、熱膨張係数の差によって望ま
しくない副作用を生じることがないことである。Such a plasma makes it possible to cause a reaction even in a thermally unreactive gas mixture. This non-isothermal CVD process allows the deposited glassy layer to be precipitated directly from the gas phase at relatively low temperatures, so that subsequent heating for vitrification is no longer necessary. Another advantage of the present invention is that because the precipitation is carried out at low temperatures, for example between room temperature and 300° C., differences in coefficients of thermal expansion between the glass plate material and the precipitated layer do not cause undesirable side effects. That's true.
例えばＢ２Ｏ３でドープされたマスク層は、その下の層
中に含まれているドーピング物質の拡散障壁として作用
する。このことにより、第１層のマスクされていない領
域でのみドーピング物質が拡散することにより、屈折率
の勾配が形成されるのが保証される。A masking layer doped, for example with B2O3, acts as a diffusion barrier for doping substances contained in the layers below it. This ensures that the doping material diffuses only in the unmasked regions of the first layer, thereby creating a refractive index gradient.
コア領域の屈折率曲線及び寸法は、非マスク領域の幅、
拡散プロセスの温度及び時間により調整されて、シング
ルモード光導波路あるいはマルチモード光導波路が製造
される。The refractive index curve and dimensions of the core region are determined by the width of the unmasked region,
By adjusting the temperature and time of the diffusion process, a single mode optical waveguide or a multimode optical waveguide is manufactured.
残りの層の屈折率及び開口数も使用目的に応じて調整さ
れる。The refractive index and numerical aperture of the remaining layers are also adjusted depending on the intended use.
屈折率低下ドーピング物質の拡散工程中にマスク層ある
いは被覆層のドーピング物質もその表面近傍から拡散す
るので、漏洩波伝導体が製造され大ぎな損失を起こすよ
うになる。このため望ましくは拡散プロセスの後に、非
マスク領域及びマスり層上の薄い表面層がエツチングに
より除去される。During the process of diffusing the refractive index lowering doping material, the doping material of the mask layer or coating layer also diffuses from near the surface thereof, resulting in the production of a leaky wave conductor and a large loss. For this purpose, preferably after the diffusion process, the thin surface layer on the unmasked areas and on the masking layer is etched away.
波エネルギーの基板からの完全な隔離を保証するために
、ドーピング物質を含有した基板上に形成される前記層
の厚さが、非マスク領域から前記ドーピング物質が拡散
した後に形成されたコア領域と前記基板との間に比較的
大きなドーピング領域が保存されるような厚さに制御さ
れる。これにより、基板は完全に光波の伝導には関与し
ないことになり、このため基板を高純度物質から形成す
る必要がなくなりコストを抑えることができる。In order to ensure complete isolation of the wave energy from the substrate, the thickness of the layer formed on the substrate containing the doping material is equal to that of the core region formed after the diffusion of the doping material from the unmasked regions. The thickness is controlled such that a relatively large doped region is maintained between the doped layer and the substrate. As a result, the substrate does not take part in the conduction of light waves, and therefore there is no need to form the substrate from a high-purity material, thereby reducing costs.
光ファイバと作動的に結合するために、基板中の光伝導
ストリップの前方にガイド溝が形成され、このガイド溝
中に結合されるべき波動伝導体あるいは導波路が挿入さ
れる。For operative coupling with the optical fiber, a guide groove is formed in front of the light-conducting strip in the substrate, into which the wave conductor or waveguide to be coupled is inserted.
本発明により製造された平面状光導波路によると、吸収
損失は０．２ｄＢ／ＣＭよりも非常に低・くなる。According to the planar optical waveguide manufactured according to the present invention, the absorption loss is much lower than 0.2 dB/CM.
さらに本発明によれば、特定の偏光方向を有する光を伝
達することのできるシングルモード平面状光導波路の製
造が可能である。Furthermore, according to the present invention, it is possible to manufacture a single-mode planar optical waveguide that can transmit light having a specific polarization direction.
この製造方法においては、被覆層が５ｈ０２と８２０３
とから成り、ドーピング物質の拡散後に被覆層はマスク
されていない領域に直接隣接する２個の細いウェブに至
るまでエツチングにより除去され、次に気相からＳｉＯ
２の層が沈澱され、次の工程としてコア領域及び細いウ
ェブ上からこの５ｉ０２がエツチングにより除去され、
そして最後の工程としてフッ素をドープしたＳｉＯ２か
ら成る別の層が形成され、コア領域が完成しかつクラッ
ド領域が形成されるよう屈折率曲線が選定される。In this manufacturing method, the coating layers are 5h02 and 8203.
After diffusion of the doping material, the covering layer is etched away down to two thin webs directly adjacent to the unmasked areas, and then SiO is etched from the gas phase.
A layer of 2 is deposited and the next step is to remove this 5i02 from the core area and the thin web by etching,
As a final step, another layer of fluorine-doped SiO2 is formed, and the refractive index curve is selected to complete the core region and form the cladding region.
その偏光面が基板に平行である光はＳ ｉ Ｏ２及びＢ
２Ｏ３から成る細いウェブの［トンネルＪを通ってコア
領域から射出することができる。それゆえこの偏光面が
減結合され、偏光平面先導波路が得られる。この光導波
路から射出する光は基板に垂直な平面に偏光されている
。Light whose polarization plane is parallel to the substrate is S i O2 and B
A thin web of 2O3 can be injected from the core region through tunnel J. This plane of polarization is therefore decoupled, resulting in a plane-of-polarization waveguide. The light emitted from this optical waveguide is polarized in a plane perpendicular to the substrate.
この偏光は、Ｂ２Ｏ３をドープしたＳｉＯ２から成る２
つの細いウェブにより引き起こされるひずみ複屈折によ
り維持される。This polarized light consists of 2
maintained by strain birefringence caused by two thin webs.
友−亙−１
以下本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明す
る。Friend - 1 The present invention will be described in detail below based on embodiments shown in the drawings.
第１図は基板２と光伝導領域１を有している本発明の第
１実施例による平面状光導波路の断面図を示している。FIG. 1 shows a cross-sectional view of a planar optical waveguide according to a first embodiment of the invention, having a substrate 2 and a photoconducting region 1. FIG.
ドーピング物質の含有された層３が基板２上に形成され
、次いでマスク層４により選択的にカバーされる。この
マスク層４は、１１３中に含有されているドーピング物
質の拡散障壁として作用する。加熱することにより、非
マスク領域からドーピング物質が拡散され、屈折率が半
円筒状領域の軸方向に向って連続的に増大するような破
１ｉ１６で示された領域が形成される。基板からの波エ
ネルギーを完全に隔離し基板が光伝導に関与しないよう
に、破線６と基板２との間にド−ピング物質の含有され
た層３の十分大きな領域が保存されるように、Ｊ１３の
厚さが制御される。その後に、コア領域を完成し、クラ
ッド領域を形成するような屈折率曲線を有する層システ
ム５が形成される。A layer 3 containing doping material is formed on the substrate 2 and then selectively covered by a masking layer 4 . This mask layer 4 acts as a diffusion barrier for the doping substance contained in 113. By heating, the doping material is diffused from the unmasked regions, forming regions indicated by fractures 1i16 in which the refractive index increases continuously in the axial direction of the semi-cylindrical region. A sufficiently large area of the layer 3 containing the doping material is preserved between the dashed line 6 and the substrate 2, so that the wave energy from the substrate is completely isolated and the substrate does not participate in the light transmission. The thickness of J13 is controlled. Thereafter, a layer system 5 with a refractive index curve is formed which completes the core region and forms the cladding region.
第１図において１１３及び５を横ぎる■−■線に沿うＸ
方向の屈折率曲線が第２図に示されている。X along the ■-■ line that crosses 113 and 5 in Figure 1
The directional refractive index curve is shown in FIG.
シングルモードファイバを形成するためには、約２〜８
μｍのコア領域が製造される。層３中に含有されている
フッ素は温度２０００〜２２００℃で約１〜５分の問拡
散され、その後に層５が公知の方法により形成される。To form a single mode fiber, approximately 2 to 8
A core region of .mu.m is produced. The fluorine contained in layer 3 is diffused for about 1 to 5 minutes at a temperature of 2000 DEG to 2200 DEG C., after which layer 5 is formed by known methods.
第３図は本発明の第２実施例により製造された平面状先
導波路の断面図を示している。この実施例においては、
コア領域６からフッ素を拡散させたのち残りの、Ｂ２Ｏ
３をドープしたＳｉＯ２はコア領域６に直接−接した２
つの細いウェブ７゜７′に至るまでエツチングにより除
去される。次に気相から被覆層の代わりとなる５１０２
の薄いＷ２Ｂが沈澱される。次の工程としてコア領域６
及び細いウェブ７．７′上から５ｉ０２がエツチングに
より除去され、最後に更に別の８９が形成され、屈折率
曲線はコア領域６が完成しかつクラッド領域が形成され
るよう選定される。FIG. 3 shows a cross-sectional view of a planar waveguide made according to a second embodiment of the invention. In this example,
After diffusing fluorine from the core region 6, the remaining B2O
The SiO2 doped with 3 is directly in contact with the core region 6.
The two thin webs 7° 7' are removed by etching. Next, 5102 replaces the coating layer from the gas phase.
A thin layer of W2B is precipitated. Core area 6 as the next step
and from above the thin web 7.7' 5i02 is etched away, and finally another 89 is formed, the refractive index curve being chosen such that the core region 6 is completed and the cladding region is formed.
発明の効果
本発明の平面状光導波路の製造方法は以上詳述したよう
に構成したので、非常に簡単な方法で且つ安価に損失の
小さい平面状光導波路を製造できるという効果を秦する
。Effects of the Invention Since the method for manufacturing a planar optical waveguide of the present invention is configured as detailed above, it has the effect that a planar optical waveguide with low loss can be manufactured by a very simple method and at low cost.
第１図は本発明方法の第１実施例により製造された平面
状光導波路の断面図、
第２図は第１図の■−■線に沿う層３及び５の屈折率曲
線を示すグラフ、
第３図は本発明方法の第２実施例により製造された平面
状光導波路の断面図を示している。
１・・・光伝導領域、 ２・・・基板、３・
・・ドーピング物質含有層、４・・・マスク層′、５・
・・クラッド領域形成層。FIG. 1 is a cross-sectional view of a planar optical waveguide manufactured by the first embodiment of the method of the present invention; FIG. 2 is a graph showing the refractive index curves of layers 3 and 5 along the line ■-■ in FIG. 1; FIG. 3 shows a cross-sectional view of a planar optical waveguide manufactured by a second embodiment of the method of the invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Photoconductive region, 2... Substrate, 3...
... Doping substance containing layer, 4... Mask layer', 5.
...Clad region forming layer.
Claims (9)
層を気相から沈澱させることにより、所定の屈折率曲線
を有する光伝導コア領域と該コア領域に隣接する保護ク
ラッド層を形成する平面状光導波路の製造方法であって
、 非均質反応（ＣＶＤプロセス）によって前記ガラス状層
の気相からの沈澱を得、 まず最初に前記基板上に屈折率を減少させるドーピング
物質を有する層を形成し、 次いでマスキング技術により望ましいストリップパター
ン状に形成された、前記ドーピング物質の拡散障壁とし
て作用する被覆層を、前記層の上に形成し、 次いでこれらの層の形成された基板を加熱してマスクさ
れていない領域から前記ドーピング物質のほとんどを拡
散させ光伝導領域のコア領域あるいはコア領域の一部を
形成し、 最後に光導波路を完成するように制御された屈折率を有
する層をその上に形成することを特徴とする平面状光導
波路の製造方法。(1) A planar structure that forms a photoconductive core region with a predetermined refractive index curve and a protective cladding layer adjacent to the core region by precipitating a thin glassy layer from the vapor phase onto a substrate on a controlled schedule. A method for producing an optical waveguide, comprising: obtaining the precipitation of the glassy layer from the gas phase by a non-homogeneous reaction (CVD process), first forming on the substrate a layer with a doping substance that reduces the refractive index; , then a covering layer is formed on the layer, which acts as a diffusion barrier for the doping substance, formed in the desired strip pattern by a masking technique, and then the substrate on which these layers are formed is heated to remove the masked material. most of the doping material is diffused from the non-conductive region to form the core region or part of the core region of the photoconductive region, and finally a layer with a controlled refractive index is formed thereon to complete the optical waveguide. A method of manufacturing a planar optical waveguide, characterized by:
により達成されることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の方法。(2) The precipitation of the glassy layer is achieved by a non-isothermal plasma CVD method.
The method described in section.
ク領域がエッチングにより除去されることを特徴とする
特許請求の範囲第１項あるいは第２項記載の方法。3. A method according to claim 1 or 2, characterized in that, after the diffusion of the doping substance, the unmasked regions of the covering layer are removed by etching.
した層として形成されることを特徴とする特許請求の範
囲第１項〜第３項のいずれかに記載の方法。(4) The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the covering layer or mask layer is formed as a layer doped with boron.
特徴とする特許請求の範囲第１項〜第４項のいずれかに
記載の方法。(5) A method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that fluorine is used as a doping substance.
性質を有するシングルモード光導波路に適するように形
成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第５
項のいずれかに記載の方法。(6) Claims 1 to 5, characterized in that the refractive index curve, numerical aperture, and dimensions of the core region are formed to be suitable for a single mode optical waveguide having predetermined properties.
The method described in any of the paragraphs.
性質を有するマルチモード光導波路に適するように形成
されることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第５項
のいずれかに記載の方法。(7) Any one of claims 1 to 5, characterized in that the refractive index curve, numerical aperture, and dimensions of the core region are formed to be suitable for a multimode optical waveguide having predetermined properties. The method described in.
、ドーピング物質拡散後に形成されたコア領域と前記基
板との間に十分大きなドーピング領域が保存され、波エ
ネルギーが基板に対して完全に隔離されるような厚さで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第７項の
いずれかに記載の方法。(8) The layer doped with the refractive index reducing material is such that a sufficiently large doping region is preserved between the core region formed after doping material diffusion and the substrate, and the wave energy is completely transmitted to the substrate. 8. A method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that the thickness is such that it is isolated.
、ドーピング物質の拡散後に被覆層を非マスク領域に直
接隣接した２個の細いウェブに至るまでエッチングによ
り除去し、次に気相からＳｉＯ＿２の薄い層を沈澱させ
、次の工程といてコア領域及び細いウェブ上からこのＳ
ｉＯ＿２をエッチングにより除去し、そして最後の工程
としてフッ素をドープしたＳｉＯ＿２から成る別の層を
形成し、屈折率曲線をコア領域が完成しかつクラッド領
域が形成されるよう選定することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の方法。(9) Forming a layer doped with boron as the covering layer, etching away the covering layer after diffusion of the doping material down to two thin webs directly adjacent to the unmasked areas, and then removing SiO_2 from the gas phase. The next step is to deposit a thin layer of S on the core area and thin web.
The iO_2 is removed by etching and, as a final step, another layer of fluorine-doped SiO_2 is formed, characterized in that the refractive index curve is selected in such a way that the core region is completed and the cladding region is formed. A method according to claim 1.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3536781.4 | 1985-10-16 | ||
| DE3630479.4 | 1986-09-06 | ||
| DE19863630479 DE3630479A1 (en) | 1986-09-06 | 1986-09-06 | Process for the production of a planar, polarising, monomodal optical waveguide |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63184707A true JPS63184707A (en) | 1988-07-30 |
Family
ID=6309112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24434386A Pending JPS63184707A (en) | 1985-10-16 | 1986-10-16 | Manufacture of planar light waveguide |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63184707A (en) |
| DE (1) | DE3630479A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008302558A (en) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | Tire vulcanization forming die |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3941865A1 (en) * | 1989-12-19 | 1991-06-20 | Rheydt Kabelwerk Ag | Effective impurity removal from optical fibre preform - by diffusion into layer removed before tube collapsing |
| DE3941863A1 (en) * | 1989-12-19 | 1991-06-20 | Rheydt Kabelwerk Ag | Light wave conductors mfr. for optical fibres - by coating internal surface of tube with diffusion layer to remove impurities prior to coating when glass core layer and drawing |
| DE3941864A1 (en) * | 1989-12-19 | 1991-06-20 | Rheydt Kabelwerk Ag | Impurity removal in optical fibre preform prodn. - by impurity diffusion into layers removed before collapsing |
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| JPS57211103A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production for optical waveguide |
| JPS59198407A (en) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of optical waveguide film with diffraction grating |
-
1986
- 1986-09-06 DE DE19863630479 patent/DE3630479A1/en active Granted
- 1986-10-16 JP JP24434386A patent/JPS63184707A/en active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3630479C2 (en) | 1991-05-02 |
| DE3630479A1 (en) | 1988-03-17 |
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