JPS63181390A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS63181390A JPS63181390A JP1276487A JP1276487A JPS63181390A JP S63181390 A JPS63181390 A JP S63181390A JP 1276487 A JP1276487 A JP 1276487A JP 1276487 A JP1276487 A JP 1276487A JP S63181390 A JPS63181390 A JP S63181390A
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- Japan
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザの発振しきい値の低減化を可
能にした半導体レーザに関するものである。
能にした半導体レーザに関するものである。
第２図は従来の電流狭窄形の半導体レーザの構造を示す
断面図である。
断面図である。
この図において、１は第１導電形の半導体基板、２は第
１導電形の第１クラッド層、３は第１または第２導電形
または真性の活性層、４は第２導電形の第２クラッド層
、５は第１導電形の電流狭窄層、６は第２導電形の第３
クラッド層、７は第２導電形のコンタク１−ＩＪ、８ａ
および８ｂは電極である。
１導電形の第１クラッド層、３は第１または第２導電形
または真性の活性層、４は第２導電形の第２クラッド層
、５は第１導電形の電流狭窄層、６は第２導電形の第３
クラッド層、７は第２導電形のコンタク１−ＩＪ、８ａ
および８ｂは電極である。
次にその動作について説明する。
電極８ａから注入された電子または正孔は、コンタクト
層７を通過して第３クラッド層６へ入る。この後、第３
クラッド層６内の電子または正孔は第２クラッド層４へ
注入される際に、電流狭窄層５により阻止され、Ｔｉ電
流狭窄層の開口された領域のみを通過する。そして、活
性層３の電流狭窄層５の開口された領域の直下付近のみ
に電子または正孔が注入される。また、これとは逆に電
極８ｂから注入された正孔または電子も活性Ｗ３まで到
達し、活性層３内でこれら電子および正孔の再結合が起
こり、発光を生じる。
層７を通過して第３クラッド層６へ入る。この後、第３
クラッド層６内の電子または正孔は第２クラッド層４へ
注入される際に、電流狭窄層５により阻止され、Ｔｉ電
流狭窄層の開口された領域のみを通過する。そして、活
性層３の電流狭窄層５の開口された領域の直下付近のみ
に電子または正孔が注入される。また、これとは逆に電
極８ｂから注入された正孔または電子も活性Ｗ３まで到
達し、活性層３内でこれら電子および正孔の再結合が起
こり、発光を生じる。
また、電流狭窄層５にはファーフィールドパターンの形
状をきれいにするために、活性層３からの光を吸収する
バンドギャップを有する材料を用いるのが一般的である
。
状をきれいにするために、活性層３からの光を吸収する
バンドギャップを有する材料を用いるのが一般的である
。
上記のような従来の半導体レーザは、電流の流れる領域
と光の存在する領域を電流狭窄層５のみで決定してしま
うので、第２クラッド層４を薄くして電流狭窄層５を活
性層３に近づけると、光の損失が増して発振しきい値が
上昇し、また、逆に第２クラッド層４を厚（しても電流
狭窄が効果よく行われず、無効電流が増して発振しきい
値が上昇するため、第２クラッド層４の厚さの設定が困
難であるという問題点があった。
と光の存在する領域を電流狭窄層５のみで決定してしま
うので、第２クラッド層４を薄くして電流狭窄層５を活
性層３に近づけると、光の損失が増して発振しきい値が
上昇し、また、逆に第２クラッド層４を厚（しても電流
狭窄が効果よく行われず、無効電流が増して発振しきい
値が上昇するため、第２クラッド層４の厚さの設定が困
難であるという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、光の損失を招くことなく、電流狭窄を効率よく行
って発振しきい値を低くできる半導体レーザを得ること
を目的とする。
ので、光の損失を招くことなく、電流狭窄を効率よく行
って発振しきい値を低くできる半導体レーザを得ること
を目的とする。
活性層からの光を吸収しないバンドギャップを有する第
１電流狭窄層と、この第１電流狭窄層の活性層と反対側
に形成され、活性層からの光を吸収するバンドギャップ
を有する第２電流狭窄層とから構成した電流狭窄層を活
性層近傍に配置したものである。
１電流狭窄層と、この第１電流狭窄層の活性層と反対側
に形成され、活性層からの光を吸収するバンドギャップ
を有する第２電流狭窄層とから構成した電流狭窄層を活
性層近傍に配置したものである。
この発明においては、第１電流狭窄層によって？Ｈ流が
狭窄されて活性層に注入され、この注入により活性層で
発光して第２電流狭窄層へと浸透した光は、第２電流狭
窄層で吸収される。
狭窄されて活性層に注入され、この注入により活性層で
発光して第２電流狭窄層へと浸透した光は、第２電流狭
窄層で吸収される。
第１図はこの発明の半導体レーザの一実施例の構造を示
す断面図である。
す断面図である。
この図において、第２図と同一符号は同一部分を示し、
９はこの発明における第１導電形の第１電流狭窄層で、
活性Ｍ３からの光を吸収しなシ）！＜ンドギャップを有
している。１ｏはこの発明における第１導電形の第２電
流狭窄層で、活性層３からの光を吸収するバンドギャッ
プを有し、その開口は第１電流狭窄Ｂ９の開口より大き
く形成されている。
９はこの発明における第１導電形の第１電流狭窄層で、
活性Ｍ３からの光を吸収しなシ）！＜ンドギャップを有
している。１ｏはこの発明における第１導電形の第２電
流狭窄層で、活性層３からの光を吸収するバンドギャッ
プを有し、その開口は第１電流狭窄Ｂ９の開口より大き
く形成されている。
次にその動作について説明する。
電極８ａから注入された電子または正孔は、コンタクト
層７を通過して第３クラッド層６へ入る。
層７を通過して第３クラッド層６へ入る。
この後、第３クラッド層６内の電子または正孔は第２ク
ラッド層４へ注入される際に、第２電流狭窄層１０では
十分に狭窄されず、活性層３近傍の第１電流狭窄層９に
より狭窄されて第２クラッド層４を通過して活性Ｈ３に
注入される。
ラッド層４へ注入される際に、第２電流狭窄層１０では
十分に狭窄されず、活性層３近傍の第１電流狭窄層９に
より狭窄されて第２クラッド層４を通過して活性Ｈ３に
注入される。
また、これとは逆に電極８ｂから注入された正孔または
電子も活性層３まで到達し、活性層３内ではこれらの電
子および正孔の再結合が起こり、発光を生じる。
電子も活性層３まで到達し、活性層３内ではこれらの電
子および正孔の再結合が起こり、発光を生じる。
この時、光の存在領域は、活性層３で発生した波長の光
を吸収しない第１電流狭窄層９ではなく、光を吸収する
第２電流狭窄層１０で制限される。
を吸収しない第１電流狭窄層９ではなく、光を吸収する
第２電流狭窄層１０で制限される。
電子と正孔の再結合は、はとんど活性層３の内部で起こ
っているのに対し、光の分布はそれよりも上下０．５ｕ
ｒＨ位ずつ広がっているので、このように電流を狭窄す
るための第１電流狭窄層９と、光を制限するための第２
電流狭窄層１０を別々に形成することにより光の損失や
無効電流の増加を招くことな（、活性層３の内部におけ
る光の分布と電流の分布とをほとんど一致させてファー
フィールドパターンの形状をきれいにすることができる
。
っているのに対し、光の分布はそれよりも上下０．５ｕ
ｒＨ位ずつ広がっているので、このように電流を狭窄す
るための第１電流狭窄層９と、光を制限するための第２
電流狭窄層１０を別々に形成することにより光の損失や
無効電流の増加を招くことな（、活性層３の内部におけ
る光の分布と電流の分布とをほとんど一致させてファー
フィールドパターンの形状をきれいにすることができる
。
この発明は以上説明したとおり、活性層からの光を吸収
しないバンドギャップを有する第１電流狭窄層と、この
第１電流狭窄層の活性層と反対側に形成され、活性層か
らの光を吸収するバンドギャップを有する第２電流狭窄
層とから構成したので、光の損失を招かず、また、電流
を増すこともなくなり、容易に発振しきい値を下げるこ
とができるという効果がある。
しないバンドギャップを有する第１電流狭窄層と、この
第１電流狭窄層の活性層と反対側に形成され、活性層か
らの光を吸収するバンドギャップを有する第２電流狭窄
層とから構成したので、光の損失を招かず、また、電流
を増すこともなくなり、容易に発振しきい値を下げるこ
とができるという効果がある。
第１図はこの発明の半導体レーザの一実施例の構造を示
す断面図、第２図は従来の半導体レーザの構造を示す断
面図である。 図において、１は半導体基板、２は第１クラッド層、３
は活性層、４は第２クラッド層、６は第３クラッド層、
７はコンタクト層、８ａ、 ８ｂは電極、９は第１電流
狭窄層、１０は第２電流狭窄層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 Ｑ、。 第２因 島
す断面図、第２図は従来の半導体レーザの構造を示す断
面図である。 図において、１は半導体基板、２は第１クラッド層、３
は活性層、４は第２クラッド層、６は第３クラッド層、
７はコンタクト層、８ａ、 ８ｂは電極、９は第１電流
狭窄層、１０は第２電流狭窄層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 Ｑ、。 第２因 島
Claims (1)
- 第１導電形の半導体基板と、この半導体基板上に形成さ
れる第１導電形の第１クラッド層、活性層、第２導電形
の第２クラッド層、ストライプ溝を備えた第１導電形の
電流狭窄層および第２導電形の第３クラッド層とから構
成される半導体レーザにおいて、前記電流狭窄層を、前
記活性層からの光を吸収しないバンドギャップを有する
第１電流狭窄層と、この第１電流狭窄層の前記活性層と
反対側に形成され、前記活性層からの光を吸収するバン
ドギャップを有する第２電流狭窄層とから構成したこと
を特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1276487A JPS63181390A (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1276487A JPS63181390A (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63181390A true JPS63181390A (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=11814467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1276487A Pending JPS63181390A (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63181390A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5065404A (en) * | 1989-07-12 | 1991-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Transverse-mode oscillation semiconductor laser device |
-
1987
- 1987-01-22 JP JP1276487A patent/JPS63181390A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5065404A (en) * | 1989-07-12 | 1991-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Transverse-mode oscillation semiconductor laser device |
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