JPS63181325A - ブラズマ反応器 - Google Patents
ブラズマ反応器Info
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- JPS63181325A JPS63181325A JP63000049A JP4988A JPS63181325A JP S63181325 A JPS63181325 A JP S63181325A JP 63000049 A JP63000049 A JP 63000049A JP 4988 A JP4988 A JP 4988A JP S63181325 A JPS63181325 A JP S63181325A
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 17
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 17
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はプラズマ反応器に係り、更に詳細には、無線周
波数(RF)エネルギを反応器の空間に結合することに
関する。
波数(RF)エネルギを反応器の空間に結合することに
関する。
[従来の技術]
従来の技術において、プラズマ反応器は、半導体ウェー
ハを含む、多様な製品のドライケミカル処理に使用され
てきた。これらすべてのプロセスにおいて、エツチング
用であれ、あるいは被着(depos i t i n
J )用であれ、RF電力はプラズマ放電を作り出す反
応器と結合させなければならない。
ハを含む、多様な製品のドライケミカル処理に使用され
てきた。これらすべてのプロセスにおいて、エツチング
用であれ、あるいは被着(depos i t i n
J )用であれ、RF電力はプラズマ放電を作り出す反
応器と結合させなければならない。
プラズマ放電はウェーハの処理に使用される反応種を作
り出す。RF電力は誘導的あるいは容量的に反応器と結
合することができる。事実上現在の反応器はすべてRF
エネルギについて容量結合を使用している。
り出す。RF電力は誘導的あるいは容量的に反応器と結
合することができる。事実上現在の反応器はすべてRF
エネルギについて容量結合を使用している。
RFエネルギを取扱う他のすべてのシステムの場合と同
様に、結合の効率は構成要素のインピーダンス整合によ
って決まる。麹型的なプラズマ反応器においては、RF
エネルギは下部電極と結合されている。
様に、結合の効率は構成要素のインピーダンス整合によ
って決まる。麹型的なプラズマ反応器においては、RF
エネルギは下部電極と結合されている。
[発明が解決しようとする問題点]
下部電極は可動で、ウェーハを着脱しやすくなっている
。したがって、RF電力は必然的に同軸ケーブルによっ
て電極と結合されるが、同軸ケーブルはRF増幅器と反
応器室との実際の距離よりはるかに長く、反応器が動作
するにつれて頻繁に曲げを受けやすい。更に、反応器が
動作する結果、エツチングプロセスの場合でさえ、電極
に付着物が形成され、可動電極を励起する確実な手段と
しての単純な機械的接触が妨げられる。同軸ケーブルの
長さと曲げとのため、RFが極めて洩れやすく、したが
ってこれを反応器の囲いで囲まなければならない。これ
らの問題は、プラズマ反応器のインピーダンスが高いら
しくこのため可撓ケーブル内に高いVSWRを生じ、電
力喪失、ケーブルの加熱、およびスプリアス放射を伴う
という事実により一層困難になる。
。したがって、RF電力は必然的に同軸ケーブルによっ
て電極と結合されるが、同軸ケーブルはRF増幅器と反
応器室との実際の距離よりはるかに長く、反応器が動作
するにつれて頻繁に曲げを受けやすい。更に、反応器が
動作する結果、エツチングプロセスの場合でさえ、電極
に付着物が形成され、可動電極を励起する確実な手段と
しての単純な機械的接触が妨げられる。同軸ケーブルの
長さと曲げとのため、RFが極めて洩れやすく、したが
ってこれを反応器の囲いで囲まなければならない。これ
らの問題は、プラズマ反応器のインピーダンスが高いら
しくこのため可撓ケーブル内に高いVSWRを生じ、電
力喪失、ケーブルの加熱、およびスプリアス放射を伴う
という事実により一層困難になる。
本発明は上述にかんがみてなされたものであって、その
目的とするところは反応室への改良されたRF結合を提
供することにおる。
目的とするところは反応室への改良されたRF結合を提
供することにおる。
本発明の他の目的は、RFエネルギをプラズマ反応器に
容量的に結合する機構を提供することである。
容量的に結合する機構を提供することである。
本発明の更に他の目的は、RFエネルギを可動電極に容
量的に結合させることで必る。
量的に結合させることで必る。
本発明の他の目的は可動電極への同軸ケーブル接続を排
除することである。
除することである。
本発明の更に他の目的は反応器室を開いた時にプラズマ
反応器を自動的に無能にする(disable)ことで
ある。
反応器を自動的に無能にする(disable)ことで
ある。
[問題点を解決するための手段および作用]前述の目的
はプラズマ反応器室が導電性堅壁面から電気的に絶縁さ
れた結合リングを備えている本発明により達成される。
はプラズマ反応器室が導電性堅壁面から電気的に絶縁さ
れた結合リングを備えている本発明により達成される。
導電性下部電極は、室を閉じる位置に動くと、リングと
隣接し、絶縁体によりこれと隔てられる。電極とリング
とには重なる円環状領域があり、コンデンサの2つの極
板を形成してRFエネルギを至に加える結合コンデンサ
を形成する。至を開くとコンデンサはもはや存在せず、
RF電力が下部電極と結合しない。
隣接し、絶縁体によりこれと隔てられる。電極とリング
とには重なる円環状領域があり、コンデンサの2つの極
板を形成してRFエネルギを至に加える結合コンデンサ
を形成する。至を開くとコンデンサはもはや存在せず、
RF電力が下部電極と結合しない。
[実施例]
本発明は付図に関連して行う次の詳細な説明を検討する
ことにより一層完全に理解することができる。
ことにより一層完全に理解することができる。
第1図はプラズマ反応器の下部電極が結合コンデンサの
1つの電極として働く本発明の好ましい実施例を示す。
1つの電極として働く本発明の好ましい実施例を示す。
特に、至10は上部電極11と誘電体リング12により
分離されている下部電極13とを備えている。下部電極
13は処理のため室10の中にウェーハ14を保持する
台(stage)として役立つ。
分離されている下部電極13とを備えている。下部電極
13は処理のため室10の中にウェーハ14を保持する
台(stage)として役立つ。
RF電力は整合用回路網20により室10に供給される
。整合用回路網20は適切なりアクティブ要素により相
互に接続された入力21と出力22とを備え、電力増幅
器く図示せず)と室10とを整合させる。整合用回路網
20は接地されており接地導線は導線23により上部電
極11に接続されている。RF低信号導線24により導
電リング17に結合されており、導電リング17は絶縁
スリーブ25に囲まれている。導電リング17に隣接し
て接地リング26があり、下部電極13の周辺のまわり
で電磁シールド27と接触する。
。整合用回路網20は適切なりアクティブ要素により相
互に接続された入力21と出力22とを備え、電力増幅
器く図示せず)と室10とを整合させる。整合用回路網
20は接地されており接地導線は導線23により上部電
極11に接続されている。RF低信号導線24により導
電リング17に結合されており、導電リング17は絶縁
スリーブ25に囲まれている。導電リング17に隣接し
て接地リング26があり、下部電極13の周辺のまわり
で電磁シールド27と接触する。
シールド27は絶縁体28のような適切な絶縁体により
下部電極から分離されている。シールド27はその周辺
に接地リング26と係合する弾力部分を備えていること
が望ましい。
下部電極から分離されている。シールド27はその周辺
に接地リング26と係合する弾力部分を備えていること
が望ましい。
動作時、ウェーハは下部電極13に載置され、下部電極
13は至10を閉じる位置に引揚げられる。電極13は
Oリング18のような適切な手段により封止されている
。この閉じた位置で、シールド27が接地リング26と
係合し、電極13が導電リング17と直接隣接する位置
に来る。導電リング17には導電リング17を、これも
導電性の下部電極13から電気的に分離する薄い絶縁被
膜がある。
13は至10を閉じる位置に引揚げられる。電極13は
Oリング18のような適切な手段により封止されている
。この閉じた位置で、シールド27が接地リング26と
係合し、電極13が導電リング17と直接隣接する位置
に来る。導電リング17には導電リング17を、これも
導電性の下部電極13から電気的に分離する薄い絶縁被
膜がある。
第2図に更に完全に示したとおり、導電リング17は陽
極酸化した(anod i zed )硬いアルミニウ
ムから構成することが望ましい。すなわちリング17は
その上面に黙止アルミニウム層31が形成されており、
下面に酸化アルミニウム層32が形成されている。層3
1は希望により省略することができる。誘電体層32は
導電リング17を下部電極13から分離しており、その
厚さは0.05から0.07mであることが望ましい。
極酸化した(anod i zed )硬いアルミニウ
ムから構成することが望ましい。すなわちリング17は
その上面に黙止アルミニウム層31が形成されており、
下面に酸化アルミニウム層32が形成されている。層3
1は希望により省略することができる。誘電体層32は
導電リング17を下部電極13から分離しており、その
厚さは0.05から0.07mであることが望ましい。
したがって、これら2つの導電性部材はコンデンサ35
として図的に表わしたように、誘電体で分離されたコン
デンサの極板を形成している。
として図的に表わしたように、誘電体で分離されたコン
デンサの極板を形成している。
第1図の入力21に加えられるRF電力は導線24によ
り導電リング17に結合される。導電リング17から、
RF電力は結合コンデンサ35により電極13とウェー
ハ14とを介して至10と結合される。プロセスザイク
ルの終りに、電極13が下降し、ウェーハ14にアクセ
スできるようになるばかりでなくRF電源との接続が遮
断される。その他、電磁シールドが開放される。したが
って、RF電力が偶然遮断されないようなことがあって
も、電極13は完全に付勢されない状態になる。
り導電リング17に結合される。導電リング17から、
RF電力は結合コンデンサ35により電極13とウェー
ハ14とを介して至10と結合される。プロセスザイク
ルの終りに、電極13が下降し、ウェーハ14にアクセ
スできるようになるばかりでなくRF電源との接続が遮
断される。その他、電磁シールドが開放される。したが
って、RF電力が偶然遮断されないようなことがあって
も、電極13は完全に付勢されない状態になる。
本発明について前記のとあり説明してきたが当業者には
本発明の精神および範囲の中で各種の変更を行うことが
可能でおることが明らかであろう。
本発明の精神および範囲の中で各種の変更を行うことが
可能でおることが明らかであろう。
たとえば、ダイオードプラズマ反応器に関連して説明し
たが、本発明はトライオード反応器にも同様に適用でき
ることがわかる。同様に誘電体層32は便宜上酸化アル
ミニウムから構成されているが、接続のインピーダンス
を調節するのに他の誘電体や誘電体の厚さを使用するこ
とができる。
たが、本発明はトライオード反応器にも同様に適用でき
ることがわかる。同様に誘電体層32は便宜上酸化アル
ミニウムから構成されているが、接続のインピーダンス
を調節するのに他の誘電体や誘電体の厚さを使用するこ
とができる。
ireシールド27は電極13に接続するのが望ましい
が、シールドには機器の固定部を備えることができる。
が、シールドには機器の固定部を備えることができる。
[発明の効果]
前述のように本発明によりRF電力をプラズマ反応器に
加える改良された結合システムが得られる。下部電極は
至が聞くや否や完全に切離されるので可撓接続は不必要
でおる。更に、RF電力と下部電極との間は直接電気的
に接続されることはない。すなわち非抵抗性結合になっ
ている。接続を室にすぐ隣接したところで行うことがで
きるので、接続の長さや導体の曲がりまたは曲げによる
電力の損失は大幅に減少する。その他に、接続がプラズ
マに露出されないので、RFエネルギと室との結合は苗
の使用とともに劣化することはない。
加える改良された結合システムが得られる。下部電極は
至が聞くや否や完全に切離されるので可撓接続は不必要
でおる。更に、RF電力と下部電極との間は直接電気的
に接続されることはない。すなわち非抵抗性結合になっ
ている。接続を室にすぐ隣接したところで行うことがで
きるので、接続の長さや導体の曲がりまたは曲げによる
電力の損失は大幅に減少する。その他に、接続がプラズ
マに露出されないので、RFエネルギと室との結合は苗
の使用とともに劣化することはない。
第1図は、本発明によるプラズマ反応器を示す断面図、
そして 第2図は、結合リングと下部電極との”細部を示す部分
的断面図である。 10・・・反応室、 11・・・上部電極、12・・・
誘電体リング、 13・・・下部電極、14・・・ウェ
ーハ、 17・・・導電リング、25・・・スリーブ、
26・・・接地リング、27・・・電磁シールド。
そして 第2図は、結合リングと下部電極との”細部を示す部分
的断面図である。 10・・・反応室、 11・・・上部電極、12・・・
誘電体リング、 13・・・下部電極、14・・・ウェ
ーハ、 17・・・導電リング、25・・・スリーブ、
26・・・接地リング、27・・・電磁シールド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、接地電極と絶縁体で分離された可動の付勢電極との
間でプラズマを発生する囲まれた空間を有し、かつRF
電力を該囲まれた空間に容量的に結合する手段を備えて
おり、該結合手段は前記可動電極の一部と重ねるための
導電性リングと、該導電性リングを前記可動電極から分
離し前記可動電極とともにコンデンサを形成する第2の
絶縁体とを具備することを特徴とするプラズマ反応器。 2、前記第2の絶縁体は前記導電性リング上に被膜を備
えている特許請求の範囲第1項に記載の反応器。 3、RF電力を2つの電極間に形成されたプラズマグロ
ー放電と結合する方法であつて、RF電力を、1つの極
板が前記電極である直列コンデンサを通して前記放電に
結合させるステップを具備することを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/001,773 US5006760A (en) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | Capacitive feed for plasma reactor |
US001,773 | 1987-01-09 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63181325A true JPS63181325A (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=21697772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63000049A Pending JPS63181325A (ja) | 1987-01-09 | 1988-01-04 | ブラズマ反応器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5006760A (ja) |
JP (1) | JPS63181325A (ja) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE4022708A1 (de) * | 1990-07-17 | 1992-04-02 | Balzers Hochvakuum | Aetz- oder beschichtungsanlagen |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3489933A (en) * | 1965-11-02 | 1970-01-13 | United Aircraft Corp | Ac magnetohydrodynamic generator utilizing a bistable valve |
US4209357A (en) * | 1979-05-18 | 1980-06-24 | Tegal Corporation | Plasma reactor apparatus |
-
1987
- 1987-01-09 US US07/001,773 patent/US5006760A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-01-04 JP JP63000049A patent/JPS63181325A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5006760A (en) | 1991-04-09 |
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