JPS63177526A - 常圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
常圧ｃｖｄ装置Info
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- JPS63177526A JPS63177526A JP824987A JP824987A JPS63177526A JP S63177526 A JPS63177526 A JP S63177526A JP 824987 A JP824987 A JP 824987A JP 824987 A JP824987 A JP 824987A JP S63177526 A JPS63177526 A JP S63177526A
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、常圧（至）装置の改良に関する。
（従来の技術）
従来の常圧Ｇつ装置について第４図を用いて説明する。
ヒーター４１でその上のサセプタ４２を加熱し、それに
よシそのサセプタ４２に載置されたウェハ４３がＣＶＤ
膜形成に必要な所定の温度（通常３５０℃乃至５００℃
）となる。そのウェハ４３上方には、例えば５ｉＨ４ｙ
０２の反応ガスやＮ２などのキャリアガスよシ成る原料
ガスを供給するガスノズ、７＋／４４があり、このガス
ノズル４４は通常１００℃以下となるように水冷されて
いる。そしてこのガスノズル４４から原料ガスをウェハ
４３に供給し５１０２膜を形成させる。そして未反応ガ
ス等をガスノズル４４とガスノズルカバー４６の間を通
し、ガス排気口４８よシ排気していた。
よシそのサセプタ４２に載置されたウェハ４３がＣＶＤ
膜形成に必要な所定の温度（通常３５０℃乃至５００℃
）となる。そのウェハ４３上方には、例えば５ｉＨ４ｙ
０２の反応ガスやＮ２などのキャリアガスよシ成る原料
ガスを供給するガスノズ、７＋／４４があり、このガス
ノズル４４は通常１００℃以下となるように水冷されて
いる。そしてこのガスノズル４４から原料ガスをウェハ
４３に供給し５１０２膜を形成させる。そして未反応ガ
ス等をガスノズル４４とガスノズルカバー４６の間を通
し、ガス排気口４８よシ排気していた。
（発明が解決しようとする問題点）
このようにしてＧ■膜をウェハ４３に形成させる場合、
ガスノズル４４のガス供給口４４ａ及びガスノズルカバ
ー４６の輻射加熱部４６ａには付着力の弱い反応生成物
が形成され、さらにそれよ〕も比較的温度の低いガスノ
ズル側面４４ｂやガスノズルカバー内壁４６ｂ１ガス排
気口４８の比較的低温度の部分には、よシ付着力の弱い
多孔質で密度の低い粒子状の反応生成物が発生する。こ
の場合。
ガスノズル４４のガス供給口４４ａ及びガスノズルカバ
ー４６の輻射加熱部４６ａには付着力の弱い反応生成物
が形成され、さらにそれよ〕も比較的温度の低いガスノ
ズル側面４４ｂやガスノズルカバー内壁４６ｂ１ガス排
気口４８の比較的低温度の部分には、よシ付着力の弱い
多孔質で密度の低い粒子状の反応生成物が発生する。こ
の場合。
複数枚のウェハにＯ■膜を形成していくうちに。
ガスノズル４４やガスノズルカバー４６には反応生成物
が累積していく。そしてガスノズル４４及びガスノズル
カバー４６に累積した反応生成物はその膜厚が３μｍ乃
至５ ｔｍ ＦＣ達すると落下し始め、ウェハ４３を汚
染する原因となっていた。
が累積していく。そしてガスノズル４４及びガスノズル
カバー４６に累積した反応生成物はその膜厚が３μｍ乃
至５ ｔｍ ＦＣ達すると落下し始め、ウェハ４３を汚
染する原因となっていた。
本発明は上記問題点を解決するために、ガス供給部に反
応生成物やＧの膜を形成させないようにした常圧（至）
装置を提供することを目的とする。
応生成物やＧの膜を形成させないようにした常圧（至）
装置を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するために本発明においては、ウェハを
載置するサセプタと、とのサセプタを加熱する第１の加
熱機構と、前記ウェハへ原料ガスを供給するガス供給部
と、このガス供給部を反応生成物及び（至）膜を付着さ
せない温度にする第２の加熱機構とを備えたことを特徴
とする常圧Ｇっ装置を提供する。
載置するサセプタと、とのサセプタを加熱する第１の加
熱機構と、前記ウェハへ原料ガスを供給するガス供給部
と、このガス供給部を反応生成物及び（至）膜を付着さ
せない温度にする第２の加熱機構とを備えたことを特徴
とする常圧Ｇっ装置を提供する。
（作 用）
ガス供給部に加熱機構を設けることによシ。
ガス供給部の温度を反応生成物の付着やＧの膜の形成を
起こさない温度にすることができる。
起こさない温度にすることができる。
（実施例）
以下本発明の一実施例を図面を用いて説明する。第１図
は、特に図示はしていないがガス供給部は固定されその
下をウェハを載置したサセプタがベルト搬送等によシ移
動する場合と、ウェノ・を載置したサセプタは動かずガ
ス供給部がその上を移動する場合を含む常圧連続穴口装
置である。
は、特に図示はしていないがガス供給部は固定されその
下をウェハを載置したサセプタがベルト搬送等によシ移
動する場合と、ウェノ・を載置したサセプタは動かずガ
ス供給部がその上を移動する場合を含む常圧連続穴口装
置である。
ヒーターｌ上のサセプタ２にウェハ３が載置されている
。そしてヒーター１１Ｃよシウェハ３は口の膜形成に必
要な所定の温度（通常３５０℃乃至５００℃）となる、
そのウェハ３上方には原料ガスをスリツ）４Ｊｌから供
給するガスノズル４があシ、これにガスノズル加熱部５
が取り付けられている。
。そしてヒーター１１Ｃよシウェハ３は口の膜形成に必
要な所定の温度（通常３５０℃乃至５００℃）となる、
そのウェハ３上方には原料ガスをスリツ）４Ｊｌから供
給するガスノズル４があシ、これにガスノズル加熱部５
が取り付けられている。
また、ガスノズルカバー６の内側にはガスノズルカバー
加熱部７が取シ付けられている。そしてこれらの加熱部
５，７の間に未反応ガス等を排気するガス排気口８があ
る。
加熱部７が取シ付けられている。そしてこれらの加熱部
５，７の間に未反応ガス等を排気するガス排気口８があ
る。
このような（至）装置によるウェハ３上への５ｉＯｚ膜
の形成はウェハ３の温度を４５０υに保ちＳ １Ｈ４ｓ
Ｓ ｉ ２に６等のシラン系ガスと０２をガスノズル４
よシ供給することにより行なわれる。ＰＳＧ膜の場合に
はシラン系ガス、０２に加え少量のＰＨａを、 ＢＳＧ
膜の場合にはシラン系ガス、０２に加え少量のＢ２Ｈ６
を、 ＢＰＳＧ膜の場合にはシラン系ガスＳＯＺに加え
少量のＰＨａ ＊ Ｂ ２Ｈ６を加えることによシ各々
の膜をウェハ３上に形成させることができる。
の形成はウェハ３の温度を４５０υに保ちＳ １Ｈ４ｓ
Ｓ ｉ ２に６等のシラン系ガスと０２をガスノズル４
よシ供給することにより行なわれる。ＰＳＧ膜の場合に
はシラン系ガス、０２に加え少量のＰＨａを、 ＢＳＧ
膜の場合にはシラン系ガス、０２に加え少量のＢ２Ｈ６
を、 ＢＰＳＧ膜の場合にはシラン系ガスＳＯＺに加え
少量のＰＨａ ＊ Ｂ ２Ｈ６を加えることによシ各々
の膜をウェハ３上に形成させることができる。
第２図はガスノズル４及びガスノズルカバー６の温度を
変化させてこれらに形成させるＧの膜の成長膜厚につい
て調べたものであるが、ここでＧつ膜とは５ｉＯｚ 、
ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ膜を総称したものである。こ
の図で１反応生成物の発生する温度範囲と（財）膜が形
成される温度範囲とは重ならず、両者の間に反応生成物
も、Ｇつ膜も形成されない温度範囲があることがわかる
。このことは従来知られておらず、本願発明者によって
初めて明らかとなりた事実である。その温度範囲につい
て説明すると、ガスノズル４及びガスノズルカバー６の
温度が１５０℃以下の時反応生成物が発生し、３３０℃
以上でＧつ膜の形成が行なわれる。そして１５０℃乃至
３３０℃の温度範囲では反応生成物も（至）膜も形成さ
れないことが明らかとなった。そこで本実施例において
はガスノズル４及びガスノズルカバー６の温度を１５０
℃乃至３３０℃に設定する。
変化させてこれらに形成させるＧの膜の成長膜厚につい
て調べたものであるが、ここでＧつ膜とは５ｉＯｚ 、
ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ膜を総称したものである。こ
の図で１反応生成物の発生する温度範囲と（財）膜が形
成される温度範囲とは重ならず、両者の間に反応生成物
も、Ｇつ膜も形成されない温度範囲があることがわかる
。このことは従来知られておらず、本願発明者によって
初めて明らかとなりた事実である。その温度範囲につい
て説明すると、ガスノズル４及びガスノズルカバー６の
温度が１５０℃以下の時反応生成物が発生し、３３０℃
以上でＧつ膜の形成が行なわれる。そして１５０℃乃至
３３０℃の温度範囲では反応生成物も（至）膜も形成さ
れないことが明らかとなった。そこで本実施例において
はガスノズル４及びガスノズルカバー６の温度を１５０
℃乃至３３０℃に設定する。
次に本実施例の効果をまず第３図を用いて説明する。こ
れは従来例と実施例におけるウェハ上へ付着した粒子（
０，５μ以上）の数をウェハ以外の部分に累積した膜厚
に対して調べたものである。ガスノズルが水冷されてい
た従来例では累積膜厚が３丸程度から付着粒子数が増加
し、４丸では既にウェハ３汚染の許容レベルを越してい
る。これに対して本実施例においては、累積膜厚が３０
踊を超えるまで許容レベルの範囲内にあることがわかる
。そしてそれよシも厚くなるとウェハ３の粒子汚染は許
容レベルを超える結果となっているが、これはウェハ３
が載置されていない部分のナセプタ２に形成された。ウ
ェハ３上と同じＣＶＤ膜が膨張係数の違いによシ割れた
シしたときの粒子がウェハ３を汚染したことによるもの
である。よって本実施例によシ、従来定期的に行なって
いたこれらのクリーニングの回数が少なくなシ、稼動率
及び生産性が向上する。さらに半導体装置の歩留シ及び
信頼性が向上する。
れは従来例と実施例におけるウェハ上へ付着した粒子（
０，５μ以上）の数をウェハ以外の部分に累積した膜厚
に対して調べたものである。ガスノズルが水冷されてい
た従来例では累積膜厚が３丸程度から付着粒子数が増加
し、４丸では既にウェハ３汚染の許容レベルを越してい
る。これに対して本実施例においては、累積膜厚が３０
踊を超えるまで許容レベルの範囲内にあることがわかる
。そしてそれよシも厚くなるとウェハ３の粒子汚染は許
容レベルを超える結果となっているが、これはウェハ３
が載置されていない部分のナセプタ２に形成された。ウ
ェハ３上と同じＣＶＤ膜が膨張係数の違いによシ割れた
シしたときの粒子がウェハ３を汚染したことによるもの
である。よって本実施例によシ、従来定期的に行なって
いたこれらのクリーニングの回数が少なくなシ、稼動率
及び生産性が向上する。さらに半導体装置の歩留シ及び
信頼性が向上する。
なお本実施例においてはガスノズル４及びガスノズルカ
バー６とそれらの加熱部５，７はそれぞれ別のものとし
たが、ガスノズル４及びガスノズルカバ−６自体に加熱
機構が備わっていてもよい。
バー６とそれらの加熱部５，７はそれぞれ別のものとし
たが、ガスノズル４及びガスノズルカバ−６自体に加熱
機構が備わっていてもよい。
そしてガスノズル４にのみ加熱機構が備わっていてもよ
い。
い。
またそれらの加熱方法も抵抗加熱、ランプ加熱、電磁加
熱等どのような方法でもよい。
熱等どのような方法でもよい。
また原料ガスはガスノズル４から供給するが、乙
原料ガスを構成するガス毎に異なるスリット４ｊｔ！か
も供給しても、予め原料ガスを混合してから供給しても
よい。
も供給しても、予め原料ガスを混合してから供給しても
よい。
さらに本実施例では常圧連続口装置としたがこれが常圧
縦型バッチ式（至）装置であってもよｈ〔発明の効果〕 本発明によれば、ガス供給部を加熱機構で所定の温度に
することによシ、そのガス供給部に反応生成物及び（至
）膜が形成されるのを防止するこ ゛とができる。
縦型バッチ式（至）装置であってもよｈ〔発明の効果〕 本発明によれば、ガス供給部を加熱機構で所定の温度に
することによシ、そのガス供給部に反応生成物及び（至
）膜が形成されるのを防止するこ ゛とができる。
１１１図は本発明の一実施例の（至）装置、第２図４図
は従来のＣＶＤ装置。 １．４１・・・ヒーター ２．４２・・・サセプタ ３．４３・・・ウェハ ４．４４・・・ガスノズル ５・・・ガスノズル加熱部 ６・・・ガスノズルカバー ７・・・ガスノズルカバー加熱部 ８．４８・・・ガス排気口 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同！ 大胡典夫 １ ヒーター ２．１でアター 第１１！１ ｆｒｕス）ＬＪＬ１ｐ’Ｂ”７．／スフルカｔ（−’Ｉ
ｊａｊＬ （’ｃ ）第２図 爪才責１し１ ［μｍコ １１１３ 図
は従来のＣＶＤ装置。 １．４１・・・ヒーター ２．４２・・・サセプタ ３．４３・・・ウェハ ４．４４・・・ガスノズル ５・・・ガスノズル加熱部 ６・・・ガスノズルカバー ７・・・ガスノズルカバー加熱部 ８．４８・・・ガス排気口 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同！ 大胡典夫 １ ヒーター ２．１でアター 第１１！１ ｆｒｕス）ＬＪＬ１ｐ’Ｂ”７．／スフルカｔ（−’Ｉ
ｊａｊＬ （’ｃ ）第２図 爪才責１し１ ［μｍコ １１１３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェハを載置するサセプタと、このサセプタを加熱
する第１の加熱機構と、前記ウェハへ原料ガスを供給す
るガス供給部と、このガス供給部を反応生成物及びＣＶ
Ｄ膜を付着させない温度にする第２の加熱機構とを備え
たことを特徴とする常圧ＣＶＤ装置。 ２、前記原料ガスにより、ＳｉＯ＿２，ＰＳＧ，ＢＳＧ
，ＢＰＳＧ，のいずれか１つの膜を前記ウェハ上に形成
させる場合、前記ガス供給部の温度が１５０℃乃至３３
０℃であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP824987A JPS63177526A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP824987A JPS63177526A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63177526A true JPS63177526A (ja) | 1988-07-21 |
Family
ID=11687864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP824987A Pending JPS63177526A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63177526A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5252366A (en) * | 1990-01-24 | 1993-10-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Chemical vapor deposition method using an actively cooled effuser to coat a substrate having a heated surface layer |
| JP2008300279A (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
-
1987
- 1987-01-19 JP JP824987A patent/JPS63177526A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5252366A (en) * | 1990-01-24 | 1993-10-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Chemical vapor deposition method using an actively cooled effuser to coat a substrate having a heated surface layer |
| JP2008300279A (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
| JP4719184B2 (ja) * | 2007-06-01 | 2011-07-06 | 株式会社サイアン | 大気圧プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
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