JPS63177506A - 磁石の受動的なシム作用を行なう方法と装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

発明の背景 この発明は磁石の中孔の中の作像品質の均質性を達成す
る為の磁気共鳴磁石の受動的なシム作用に関する。 電磁石又は永久磁石の配列を用いて一様性の高い磁界を
作る為には、磁石を注意深く特定された形に組立てると
共に、製造の変動による特定された形からの偏差を最小
限に抑える努力を払うことが必要である。然し、この結
果得られた磁石は、設計からの磁石の偏差の為、又は磁
石の近辺に強磁性材料が存在する為に、非均質性の所望
のレベルを達成する為には、磁界の補正を必要とするの
が典型的である。 磁界の一様性を改善する為、補正コイルを使うのが典型
的である。こういうコイルは、非均質性を持つ主磁界に
重畳して、全体的な磁界の一様性を高める様な形で、主
磁界を調整することの出来る相異なる磁界の形を発生す
ることが出来る。都合の悪いことに、典型的にはこうい
うコイルは何紙も必要である。従来の磁気共鳴（ＭＲ）
作像用磁石は独立の１０組乃至２０組の補正コイルを持
っており、各々の組が正しい電流を流す為のそれ自身の
電源を備えている。当然、こういうコイルは磁石のコス
ト及び復雑さを著しく高める。 補正コイルの必要をなくす１つの方法は、最初は非均質
であった磁界を作像用の均質性の仕様の範囲内に持って
来る為に、鉄片だけを用いて、受動的に磁石のシム作用
を行なうことである。鉄片を磁石の中孔の内側に配置す
ると、寸法及びｍｍの増加は僅かしか必要としない。受
動的なシム作用をした磁石は、現在側われている典型的
な補正コイルの組よりも、一層低廉で、一層信頼性があ
る。 この様なシム方式を実施する時の主な困難は、磁界のシ
ム作用の為に必要とされる鉄片の場所及び＝Ｊ°法を予
測する点である。一般的に、電磁コイルは、球面調和関
数展開のある項を発生する様に設計されている。こうい
う設計基準は、受動形シムを用いては実現するのが困難
である。それは、鉄の透磁率を反転することは出来ない
が、コイルを通る電流を反転して、補正コイルの磁界を
反転することが出来るからである。更に、１個の調和関
数を発生するのに必要なシム片の群の寸法と複雑さの為
に、この方式は実現性がない。シムの間の磁気結合も複
雑化を招く因子であるから、シム作用を行なう為に大き
な片を用いると、こういう片が物理的に互いに接近する
のは避けられないから、磁石の正しいシム作用を行なう
のが困難になる。 現在、利用し得る補正コイルだけでは補正することの出
来ない磁界の大きな偏差を補正する為に、受動形シム作
用が用いられている。受動形シム作用は、磁石の外側の
適当な場所に鉄片を配置することによって行なわれる。 その時、磁界の一様性の所望のレベルを補正コイルによ
って達成することが出来る。 この発明の目的は、磁気共鳴用磁石に対し、補正コイル
を使わずに、磁気共鳴作像用に要求されるレベルの磁界
の非均質性を達成し得る様な受動的なシム作用を行なう
方法を提供することである。 この発明の別の目的は、強磁性材料の片だけを用いて、
磁界の均質性を磁気共鳴作像に合うレベルに持って来る
様な、シムの最適の軸方向及び円周方向の場所を決定す
る方法を提供することである。 この発明の別の目的は、選ばれた調和関数ではなく、磁
界の非均質性全体を最小にする方法を提供することであ
る。 発明の要約 この発明の一面では、中心中孔を持つ磁石の中孔に配置
したシムを用いて、この磁石の受動的なシム作用を行な
う方法を提供する。この方法は、磁石の中孔に於ける初
期磁界の均質性を測定する工程を含む。磁石の中孔内の
許容し得る予定のシム位置の各々に於けるシムの磁界効
果を互いに独立に検査して、磁石の中孔に於ける磁界の
非均質性を改善するのに必要なシム強度を決定する。正
のシム強度が有利であると判った場所を選択し、それを
使って、選択された全ての場所を同時に考慮して、選択
された各々の場所に於けるシム強度を決定する。負のシ
ム強度を必要とすることが判った場所をなくシ、新しい
選択された場所を用いて、残っている選択された全ての
場所が正のシム強度を必要とするまで、シム強度を再び
決定する。 予測された正の強度を持つシムを磁石の中孔の中の選択
された場所に配置する。 この発明の要旨は特許請求の範囲に具体的に且つ明確に
記載しであるが、この発明の目的及び利点は、以下図面
について好ましい実施例を説明する所から、更によく理
解されよう。

【図面の簡単な説明】

次に図面について説明する。第１図に、は、非磁性の肉
厚の薄い管１１で構成された受動形シム集成体が示され
ている。この管は１／８インチの肉厚の管に硝子繊維で
作られる。縦方向に伸びる複数個の非磁性の溝形部材１
３が、管１１の内側に沿って円周方向に等間隔にある。 溝形部材が管の長さにわたって伸び、硝子繊維の管とね
じ係合するねじによって固定される。溝形部材は何れも
溝の両側を伸びる２つの突出縁１３ａを持っている。 これらの縁が管と平行で、それから隔たっている。 これらの縁が管の縦方向の長さにわたって伸びる。 溝形部材は、アルミニウムを所望の形に押出成形するこ
とによって製造することが出来、或いは渦電流が問題で
ある場合、溝形部材は複合材料から引出成形することが
出来る。引出成形は、オリフィスを介して連続的なフィ
ラメントを引出す方法であり、これによって熱可塑性物
質の様なカプセル封じ樹脂が除かれる。 硝子繊維の様な非磁性材料の弓形支持片１５が隣合う２
つの溝形の間に摺動自在に取付けられ、隣合う２つの溝
形の突出縁１３ａが支持片１５の半径方向の移動を防止
する。シム作用を行なう強磁性ストリップ１７を支持片
の上に所望の高さまで積重ねる。ストリップは弓形支持
片の長さよりもその長さが短い。強磁性ストリップは、
厚さ０゜０１０吋の低炭素鋼で構成され、中孔１メータ
の磁石では、軸方向の幅を２備に切取り、その平均半径
に於ける円周方向の拡がりは３０６である。 ストリップはねじ結合部材１９等により、弓形支持片に
固定される。 支持片がクランプ２１によってその縦方向の位置に係止
される。このクランプはアルミニウムで作ることが出来
る。クランプは第２図に更に詳しく示されているが、ボ
ルト２３によって弓形支持片に対して締付けられた時、
溝形１３の縁１３Ｈの一部分をクランプと弓形支持片の
間に捕捉し、強磁性ストリップの縦方向の位置を固定す
る。 集成体全体の半径方向の厚さは、勾配コイル及びＲＦコ
イル及び患者テーブル（これらは示してない）が占める
中孔の貴重な空間を邪魔しない様に、最小限に抑える。 強磁性ストリップの軸方向の位置は無限に調節可能であ
り、ストリップの積重ねの高さを変えることにより、シ
ム強度の非常に細かい調節が出来る。強度の更に細かい
調節が出来る様にする為に、一層薄手の鋼ストリップを
使うことが出来る。溝形は中孔の内周に沿って４５＠毎
に配置し、強磁性ストリップに８個の別々の円周方向の
場所がとれる様にする。この実施例では、円周方向の場
所の選択は、ｍｍ２の度数を持つ球面調和関数に対する
シム作用を行なう様に選ぶ。ｍ−２の磁界は、φを円周
方向の角度として、２φで正弦状に変化する。従って、
こういう磁界は円周方向に４５″毎にピーク又は節を持
っている。４５＠毎にシムを配置することが出来ること
により、ｍ−２の調和関数のシム作用が出来ることは明
らかである。 磁石を付勢した時、厚さ１ｃｍのシムに加わる最大の軸
方向の力は、０．５Ｔの磁石では、約２０ポンドである
。軸方向の位置を調節する間、クランプを緩めた時に、
シム支持片を動かすことが出来る。クランプを緩めて、
シム支持片を容易に制“御出来る様にする把手を作るの
は容易である。 第３図には別の実施例が示されている。受動形シム集成
体が肉厚の薄い非強磁性の管３１を持ち、好ましい実施
例では、これは厚さ１／８吋の硝子繊維材料で作られる
。複数個の溝形部材３３が管の外側に等間隔に設けられ
ている。溝形部材が管の長さにわたって伸び、硝子繊維
の管３１とねじ係合するねじによって固定されている。 溝形の両端にある成るねじ３５は溝形部材の表面より上
方に伸びて、磁石の中孔の中に管を同心に位置ぎめする
。これは第４図を見れば更にはっきりする。 溝形部材が溝形の両側に、溝形から遠ざかる向きに伸び
る突出縁３３ａを持っている。これらの縁は管と平行で
あって、それから隔たっている。これらの縁が管の縦方
向の長さにわたって伸びる。 溝形部材は・アルミニウムを所望の形に押出成形にする
ことによって製造することが出来、或いは渦電流が問題
であれば、溝形は複合材料の引出成形によって作ること
が出来る。円周方向の場所の数を増加することによって
、等軸（軸周期性）調和関数を除く上での融通性が高ま
る。 第５図に示す様に、弓形の引き子３７が隣合った縁３３
ａの間にはめられ、管の長さにわたって伸びる。シム作
用をする強磁性ストリップ４１がこの引き子のトに所望
の高さに積重ねられ、予めあけられている選ばれた孔４
２の所で、引き子に固定される。軸方向に設ける孔が多
ければ多い程、軸方向の磁界の一層細かい調節能力が高
まる。第１図の実施例のシムの摺動による軸方向の調節
能力は、無限の調節が出来るが、これは場合によって望
ましくないことがある。強磁性ストリップの数が強度を
調節する。シムの半径方向の厚さは、伸びたねじ３５の
調節自在の高さによって定められた空間内に、シムが収
まる様に、最小限に抑える。引き子を磁石の中孔の外に
滑らせて、強磁性ストリップの軸方向の位置及び厚さを
調節することが出来る。磁石を付勢し、強磁性ストリッ
プの位置を調節した状態で、引き子を取出すことが出来
る。 磁石の中孔に於ける強磁性ストリップの位置及び高さを
用いて、磁石によって発生された磁界の非均質性を補正
する磁界の形を作る。従って、作像品質の均質性の妨げ
になる様な磁界に対抗するのに必要な全ての磁界の形が
得られる様に、鋼ストリップを位置ぎめする融通性が重
要である。強磁性ストリップの場所の最初の予測が完全
であるかどうか疑わしいから、鋼シムの調節能力が重要
である。特定の場所にある弓形のシムは、特定の調和関
数を除こうとするものではない。そうではなく、全ての
シムを一緒にした組合せが、磁界の均質性を高めようと
するものである。必要となるシムの高さが中孔の利用し
得る空間の妨げになる様な場合には、何れの実施例でも
、一層幅の広いシムを使うことが出来る。 第６図には、シムの正しい位置及び厚さを決定する工程
を示すフローチャートが示されている。 ブロック４５の最初の工程は、シム作用を受ける磁石の
中孔に於ける初期の非均質性を決定することである。磁
石を付勢して、仮想格子４６上で磁界を測定する。中孔
の直径が１メータの０．５テスラの超導電磁石では、第
７図及び第８図に示す様に、１３個の円の円周上、及び
中孔の中心からＺ軸の両側２０ｃｍの所にある２点にあ
る３１４個の点を持つ格子を使うことが出来る。５つの
円は、中心点がＺ軸上にあって直径が４４ｃｍであり、
６′個の円は中心点がＺ軸上にあって、直径が２０ｃｍ
である。残りの２個の円は直径２８ｃｍである。大きい
方の円は、Ｚ軸に沿って、中孔の中心の両側の７．５ｃ
ｍ及び１０ｃｍの所にある。直径が小さい方の円は中孔
の中心点の両側からＺ軸に沿って１０ｃｍ５１５ｃｍ及
び２０ｃｍの所にある。中間の円は、中孔の中心からＺ
軸に沿ってその両側の１０ｃｍの所で、小さい円及び大
きい円と同心である。各々の円に沿って円周方向に等間
隔の２４個の点で、測定値を求める。これらの円は、磁
界の最大値及び最小値がそこにある筈であるから、関心
が持たれる容積の境界を辿るものである。円の場所は、
理想的な磁石の磁界の極限に接近して選ばれ、実際の非
均質性も、点の標本化によって見られた値に近付けるべ
きである。各々の点で測定された磁界の比較に基づき、
ブロック４７の判定により、各点の間の差が５００　ｐ
ｐｍを越える場合、勾配を相殺する為の大きなシムの位
置をブロック５１で決定し、この大きなシムを所定位置
に置いて、磁界をもう一度δ−１定する。非均質性が５
００　ｐｐｍ未満であれば、ブロック５３でＰＬＡＳ３
Ｄコードを実行する。 ＰＬＡＳ３Ｄコードは、許容し得る各々のシムの場所に
対し、３１４個の磁界測定点の各々に於ける所定の軸ｈ
゛向、半径方向及び円周方向の寸法を持つ弓形鋼シムの
磁界効果を決定する。弓形鋼シムの軸方向及び円周方向
の位置が、シム手順の変数である。例えば、円弧の許容
し得る領域が、Ｚ軸に沿って−９０乃至９０ｃ１１１で
ある場合、Ｚ軸に沿って１００ｎ毎の円弧を用いて磁界
効果を決定することが出来る。密度を更に高くすれば、
アルゴリズムは一層長くかかるが、更に多くの取り得る
シム位置が得られ、従って一般的に一層よい均質性が得
られる。 磁化材料の磁界は、磁石の座標系の原点を中心として展
開した一連の球面調和関数で表わすことが出来る。磁界
を表わす調和関数の式は次の通りである。 Ａ−φａＭ、ｄＶ０（４） ｎ−止 Ａ　−すａ　　Ｍｚ　ｄＶｇ　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　（５）ｎ−ｎ■ Ｈｃ−ｒｎＰ”　（ｅｏｓのｃｏｓ　（ｍφ）（６）Ｉ
Ｔｌ、ｎ Ｈｓ−ｒ”　Ｐ”　（ｃｏｓθ）ｓｉｎ（ｍφ）（７）
ｎｓ　　　　　　　　ｎ こ〜で係数Ａ　（ｎ、　ｍ）はシムの容積積分、ａ（ｎ
、ｍ）はシエンク他によって定義された変換関数、Ｐ　
（ｎ、ｍ）は関連するルジャンドル多項式である。磁界
を正確に表わすのに必要な項の数は、関心のある容積の
大きさに関係するが、今のシム作用では、次数及び度数
８までの展開で十分である。鋼シム内の磁化は計算する
ことが出来るし或いは仮定してもよい。 弓形磁界効果の決定は、選ばれた各々の軸方向の場所で
１個の円周方向の場所に対してだけ行なえばよく、２４
個の円周方向の場所の内の任意の磁界を表わす為に、弓
形磁界は５″増分で割出す。 典型的な円周方向の弓形密度は１つの内当たり８乃至１
２個に過ぎず、従って割出しによって正確な結果が得ら
れる。 予定の弓形シムの全ての場所に対し、３１４個の磁界測
定点の各々に於ける磁界効果を含む所要のデータ・ファ
イルが一旦作られたら、選ばれた格子に対する各々の円
弧の場所の個別の効果を最適の強度について評価する。 この最適の強度は、作伸容積に生ずる非均質性が最小に
なる強度と定義する。この様な最適化は、次の方程式を
解く最小自乗ルーチンを使って実施することが出来る。 ５ｈ ニーでΣは磁界の均質性の選ばれた目安であり、Ｂｚｌ
、ｌが、点ｍで測定された磁界を表わし、Ｃｌｌ１は、
磁界の点ｍに、問題の場所にあるシムによって作られた
、単位の厚さ当たりの磁界を表わす係数である。格子状
の各々の弓形の場所に対しこの方程式を書き、それを解
いて、各々の位置で、磁界の均質性が最小になる様なシ
ムの厚さを定める。 厚さに対するこの最適化は、弓形の磁界効果がその厚さ
に線形の依存性を持つこと、即ち、弓形の磁化が厚さと
共に変化しないと仮定している。この仮定は、飽和した
円弧に対しては厳密に成立する。シムの厚さが負（物理
的に現実の解ではない）であれば、その場所を考慮外に
する。残っている１組の場所を、初期の推量値として、
プロ・リフ５５でＳＨＩＭＰＳＶコードに供給する。 ＳＨＩＭＰＳＶアルゴリズムが、どこに弓形シムを配置
すべきであるか、並びにその厚さを決定する。ＰＬＡＳ
３Ｄプログラムでは、シムの正の強度を必要とする何ダ
ースもの場所が出て来ることがあるが、シム作用には、
この内の２０乃至２５個しか必要としない。従って、ア
ルゴリズムはどれを除くかを決定しなければならない。 ＳＨＩＭＰＳＶアルゴリズムは、最初に、正の強度のシ
ムを必要とする全ての場所を用いるが、これはＰＬＡＳ
３Ｄアルゴリズムによって最初に検査された場所の大“
体半分である。その後、全ての正のシム強度に対して同
時に線形の最小自乗の最適化が実施される。この初期の
実行の結果が、負の強度のシムを含むが、こういう場所
は考慮外に除く。 負の強度が生ずるのは、個別には正の強度を持つと判っ
た全てのシムの場所の効果が、これらのシムを同時に考
慮した時の効果と同じではないからである。次に正の強
度のシムを必要とする残りの場所を採用し、最小自乗の
最適化を再び実行する。 全て正の強度を持つ解が得られるまで、負の強度の場所
を除く過程を繰返す。この解の予測された非均質性をブ
ロック５７で所望の非均質性と比較する。所定の一層の
正の強度のシムの場所を用いて達成し得る磁界の均質性
は、一般的に作業に用いるシムの場所の数に反比例し、
従って、シムが多ければ多い程、結果がよい。予測され
た非均質性が仕様の範囲内に入る様な、全て正の強度を
持つ解が得られなければ、ブロック６１でパラメータを
変更して、ＰＮＡＳ３Ｄコードで用いる許容し得るシム
の場所に数を増加する。縦方向に中孔の中心に接近して
いるシムを使うのが望ましい。 これは、中心に一層接近した一層小さいシムは、中心か
ら縦方向に離れた位置にあるシムよりも、磁石の中心に
於ける非均質性に対する影響が一層大きいからである。 中心に一層接近した一層の場所を用いて解が得られなけ
れば、許容し得るシムの場所の数を増加し、ＰＬＡＳ３
Ｄコードを再び実行する。全て正のシム強度を持つ解が
物理的に得られる筈であり、ブロック６３で、中孔の中
に最初にシムを配置するのにそれを用いる。負のシム強
度は、負の透磁率持つ材料を必要とする。付勢した磁石
内の所定位置にシムを配置し、ブロック６５で、中孔の
中の磁界を格子上の３１４個の点で再びｌＪ１定する。 非均質性の予測値からの偏差が希望する以上に大きけれ
ば、円弧の場所を固定して、ＳＨＩＭＰＳＶアルゴリズ
ムを再び実行し、シムを所定位置に置いて得られた磁界
の値を求める。次に、最小自乗ルーチンを使って、ブロ
ック６７で円弧の厚さを調節する。こういう厚さの変更
は、最初の厚さの小さな分数になる筈であり、１回実施
すれば、非均質性は所望の範囲内に減少する筈である。 ブロック５５でＳ　ＨＩ　Ｍ、Ｐ　Ｓ　Ｖアルゴリズム
を実施する時、場合によって有利になる様な幾つかの変
更が考えられる。シムの厚さが負になる為に、ＳＨＩＭ
ＰＳＶコードを繰返す何れかの工程で考慮外に除いた場
所を後の繰返しで導入して、実効的により多くの場所を
試すことが出来る。この結果、シムの数が多くなる解が
得られ＼ば、予測される非均質性は一般的に一層小さく
なり、それが望ましい。最小自乗の判定は、シムの厚さ
の変化と磁界に対する効果との間に線形関係を仮定して
いる。磁石の中孔の中のシムの場所を決定する上に述べ
た方法は、超導電磁石及び永久磁石を含む電磁石にも使
うことが出来る。 以上、補正コイルを使わずに、磁気共鳴作像用に要求さ
れる様なレベルの磁界の均質性を達成し得る様な、ＭＲ
磁石集成体を受動的にシム作用する方法を説明した。 この発明を好ましい実施例について説明したが、この発
明の範囲内で種々の変更が可能であることは云うまでも
ない。従って、特許請求の範囲は、この発明の範囲内で
可能なこの様な全ての変更を包括するものであることを
承知されたい。

【図面の簡単な説明】

第１図は受動形シム集成体の斜視図、 第２図は磁気共鳴磁石の中孔の中に配置された第１図の
シム集成体の一部分を断面で示した端面図、 第３図は別の受動形シム集成体の端面図、第４図は磁気
共鳴磁石の中孔の中に配置した第３図のシム集成体の一
部分を断面で示した端面図、第５図は第３図の受動形シ
ム集成体の部分的な斜視図で、着脱自在の１つの引き子
を受動形シム集成体の中の所定位置に摺動させる状態を
示す。 第６図はこの発明に従って磁気共鳴磁石の受動的なシム
作用を示すフローチャート、 第７図は磁気共鳴磁石の中孔の一部分を破断した斜視図
で、磁石の非均質性を検査する場所を示す。 第８図ぼ第７図の寸法を持つ部分的な側面図で、磁石の
非均質性を検査する場所を示す。 主な符号の説明 １１：管、１３：溝形部材、１５：弓形支持片、１７；
強磁性ストリップ、１９：ねじ結合部材、２１：クラン
プ、２３：ボルト、３１：管、３３：溝形部材、３５：
ねじ、３７：弓形の引き子、４．１：強磁性ストリップ
、４２：孔、４６：仮想格子。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）中心中孔を持つ磁石の中孔の中に配置されたシムを
   用いて、該磁石の受動的なシム作用を行なう方法に於て
   、 ａ）磁石の中孔に於ける初期の磁界の非均質性を測定し
   、 ｂ）磁石の中孔内の許容しする予定のシム位置の各々に
   於けるシムの磁界効果を互いに独立に検査して、磁石の
   中孔に於ける磁界の非均質性を改善するのに必要なシム
   強度を決定し、 ｃ）正のシム強度が有利であると判った場所を選択し、 ｄ）選択された全ての場所を同時に考慮して、選択され
   た各々の場所に於ける磁界の非均質性を改善するのに必
   要なシム強度を決定し、 ｅ）負のシム強度を必要とすることが判った場所を除き
   、残っている全ての選択された場所が正のシム強度を必
   要とするまで、工程ｄ）及びｅ）を繰返し、 ｆ）予測された厚さを持つシムを磁石の中孔内の選ばれ
   た場所に配置する工程を含む方法。 ２）特許請求の範囲１）に記載した方法に於て、工程ｄ
   ）の後に続けて、予測された厚さを持つシムを磁石の中
   孔内の選ばれた場所に置いた時の磁界の非均質性を予測
   し、 予測された非均質性を所望の非均質性と比較し、工程ｂ
   ）の許容し得る予定の場所の数を増加して、工程ｂ）、
   ｃ）、ｄ）及びｅ）を繰返す工程を含む方法。 ３）特許請求の範囲１）に記載した方法に於て、更に、 シムを所定位置に置いて、磁界の中孔内の磁界の非均質
   性を測定し、 所望の非均質性を測定された非均質性と比較し、予測さ
   れた非均質性を測定された非均質性と比較し、 測定された磁界の非均質性が大き過ぎる場合、シムを所
   定位置に置いて測定した磁界を用いて、特定された場所
   に於ける増分的なシムの厚さを決定する工程を含む方法
   。 ４）特許請求の範囲１）に記載した方法に於て、更に続
   いて、 正のシム強度を必要とすることが判った選ばれた場所の
   数を増加する助けとして、工程ｅ）で、前の繰返しで既
   に除かれた場所を取入れる工程を含む方法。 ５）中心中孔を持つ磁石に対する受動形シム集成体に於
   て、 磁石の中孔の中に同軸に配置された非磁性管と、該管に
   着脱自在に固定されていて、該管の円周方向に伸びる強
   磁性材料の予定の長さを持つ複数個の弓形ストリップと
   を有する受動形シム集成体。 ６）特許請求の範囲５）に記載した受動形シム集成体に
   於て、前記ストリップが前記管の外側に固定されている
   受動形シム集成体。 ７）特許請求の範囲５）に記載した受動形シム集成体に
   於て、前記管を前記中孔の中に同軸に配置する手段を有
   する受動形シム集成体。 ８）特許請求の範囲６）に記載した受動形シム集成体に
   於て、全てのストリップが同じ長さを持つ受動形シム集
   成体。 ９）特許請求の範囲８）に記載した受動形シム集成体に
   於て、前記ストリップが、前記管の周りの異なる場所で
   、高さが変化するストリップの積重ねとして固定されて
   いる受動形シム集成体。 １０）特許請求の範囲５）に記載した受動形シム集成体
   に於て、前記ストリップが管の内側に固定されている受
   動形シム集成体。 １１）特許請求の範囲１０）に記載した受動形シム集成
   体に於て、全てのストリップが同じ長さを持つ受動形シ
   ム集成体。 １２）特許請求の範囲１１）に記載した受動形シム集成
   体に於て、前記ストリップが前記管の周りの異なる場所
   で高さが変化するストリップの積重ねとして固定されて
   いる受動形シム集成体。 １３）中心中孔を持つ磁石に対する受動形シム集成体に
   於て、 該中孔の中に同軸に配置された非磁性管と、円周方向に
   等間隔で縦方向に伸びる様に、前記管の内側に固定され
   た複数個の溝形部材と、隣合った溝形部材の間に摺動自
   在に取付けられた複数個の弓形支持片と、 該支持片を前記溝形部材に固定して摺動を防止するクラ
   ンプ手段と、 各々の支持片に着脱自在に固定された磁束を通す材料の
   予定の長さのストリップの積重ねとを有し、該ストリッ
   プが円周方向に伸びている受動形シム集成体。 １４）特許請求の範囲１３）に記載した受動形シム集成
   体に於て、前記支持片、チャンネル部材及びクランプ手
   段が何れも非磁性材料で構成されている受動形シム集成
   体。 １５）中心中孔を持つ磁石に対する受動形シム集成体に
   於て、 該中孔の中に同軸に配置された非磁性管と、円周方向に
   等間隔で縦方向に伸びる様に前記管の内側に固定された
   複数個の溝形部材と、 隣合った溝形部材の間に摺動自在に取付けられた複数個
   の弓形の引き子と、 各々の引き子に着脱自在に固定された磁束を通す材料の
   予定の長さを持つ弓形のストリップの複数個の積重ねと
   を有し、該ストリップが円周方向に伸びている受動形シ
   ム集成体。 １６）特許請求の範囲１５）に記載した受動形シム集成
   体に於て、前記管を磁石の中孔の中で同軸に配置する手
   段を有する受動形シム集成体。