JPS63174120A - 静電容量式タツチパネル - Google Patents
静電容量式タツチパネルInfo
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- JPS63174120A JPS63174120A JP62006475A JP647587A JPS63174120A JP S63174120 A JPS63174120 A JP S63174120A JP 62006475 A JP62006475 A JP 62006475A JP 647587 A JP647587 A JP 647587A JP S63174120 A JPS63174120 A JP S63174120A
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
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- 241000448053 Toya Species 0.000 description 1
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- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
高電圧駆動形ディスプレイから誘渾されるノイズを遮蔽
し、タッチパネルの駆動回路への影響を無くするために
、タッチパネルのディスプレイ側の透明絶縁膜上に更に
透明導電膜を設けた静電容量式タッチパネル。
し、タッチパネルの駆動回路への影響を無くするために
、タッチパネルのディスプレイ側の透明絶縁膜上に更に
透明導電膜を設けた静電容量式タッチパネル。
本発明はディスプレイノイズを遮蔽した静電容量式タッ
チパネルに関する。
チパネルに関する。
大量の情報を高速処理する必要性から情報処理装置の進
歩は著しく、大容量化と小形化とが推進されているが、
その中の周辺端末装置の一つに表示装置（以下略してデ
ィスプレイ）がある。
歩は著しく、大容量化と小形化とが推進されているが、
その中の周辺端末装置の一つに表示装置（以下略してデ
ィスプレイ）がある。
すなわち、ディスプレイとしては陰極線管（ＣＲＴ）、
液晶表示パネル（ＬＣＤ） 、プラズマ表示パネル（Ｐ
ＤＰ）などがあり、それぞれ大容量化やカラー化などが
進められているが、ＬＣＤやＰＤＰは薄層化できること
から従来のＣＲＴに代わって表示装置として使用される
ようになってきている。
液晶表示パネル（ＬＣＤ） 、プラズマ表示パネル（Ｐ
ＤＰ）などがあり、それぞれ大容量化やカラー化などが
進められているが、ＬＣＤやＰＤＰは薄層化できること
から従来のＣＲＴに代わって表示装置として使用される
ようになってきている。
ＣＲＴ、ＬＣＤ、ＦＤＰなどのディスプレイはキーボー
ドと組み合わして情報の表示に使用されている。
ドと組み合わして情報の表示に使用されている。
例えば、銀行端末として使用する場合、キーボードを通
じて情報処理装置と連絡し、必要とするキーを指タッチ
することにより預金の残高照会。
じて情報処理装置と連絡し、必要とするキーを指タッチ
することにより預金の残高照会。
振り込み、支払いなどの情報をディスプレイ上に表示で
きるようになっている。
きるようになっている。
ここで、先に記したようにＬＣＤやＰＤＰは薄層化が進
み厚さが１０鶴程度にまて改良されているが、一方キー
ボードは人間工学的制約からキーの大きさには制限があ
り、そのためにディスプレイに較べて不釣り合いに体積
が大きい。
み厚さが１０鶴程度にまて改良されているが、一方キー
ボードは人間工学的制約からキーの大きさには制限があ
り、そのためにディスプレイに較べて不釣り合いに体積
が大きい。
そこで、この問題を解決する方法として、ディスプレイ
の前面に透明なタッチパネルを装着し、ディスプレイに
表示されている項目を指でタッチすることにより情報を
入力する方法が採られている。
の前面に透明なタッチパネルを装着し、ディスプレイに
表示されている項目を指でタッチすることにより情報を
入力する方法が採られている。
すなわち、ディスプレイ面と同じ大きさをもつ二枚の透
明基板上に酸化インジウム（ＩｎｚＯｓ）と酸化錫（Ｓ
ｎｕｇ）との固溶体（通称ＩＴＯ）からなる透明導電膜
（以下略してＩＴＯ膜）を形成し、これに写真蝕刻技術
（フォトリソグラフィ）を用いてＸ方向の配線パターン
を備えた透明基板とＹ方向の配線パターンを備えた透明
基板とを形成し、配線パターン形成部を内側とし、微少
間隔を隔て一両者を対向させることによりマトリックス
状の透明電極パネルを形成し、ディスプレイ面上に装着
している。
明基板上に酸化インジウム（ＩｎｚＯｓ）と酸化錫（Ｓ
ｎｕｇ）との固溶体（通称ＩＴＯ）からなる透明導電膜
（以下略してＩＴＯ膜）を形成し、これに写真蝕刻技術
（フォトリソグラフィ）を用いてＸ方向の配線パターン
を備えた透明基板とＹ方向の配線パターンを備えた透明
基板とを形成し、配線パターン形成部を内側とし、微少
間隔を隔て一両者を対向させることによりマトリックス
状の透明電極パネルを形成し、ディスプレイ面上に装着
している。
そして、ディスプレイに表示される指定項目上の透明電
極パネルを指タッチすることにより、この部分の配線パ
ターンが接触して導通状態となることにより情報処理が
行われている。
極パネルを指タッチすることにより、この部分の配線パ
ターンが接触して導通状態となることにより情報処理が
行われている。
一方、か−る方法に対して発明者等は座標検出機能を備
えた静電容量式のタッチパネルを提案している。
えた静電容量式のタッチパネルを提案している。
第２図はこの断面構造を示すもので、基板ガラス１を挟
んでＩＴＯ膜２．３と透明絶縁膜（以下略して絶縁膜４
．５が両側に形成されており、これがＰＤＩ）、ＬＣＤ
などのディスプレイ上に位置決めして設置されている。
んでＩＴＯ膜２．３と透明絶縁膜（以下略して絶縁膜４
．５が両側に形成されており、これがＰＤＩ）、ＬＣＤ
などのディスプレイ上に位置決めして設置されている。
ここで、ディスプレイに表示された指定項目の上に設け
られているタッチパネルに指タッチする際に、位置が指
定されて情報処理が行われる仕組みは次ぎのようである
。
られているタッチパネルに指タッチする際に、位置が指
定されて情報処理が行われる仕組みは次ぎのようである
。
第２図において、方形をしたＩＴＯ膜２の各端面部はＣ
１２発振器に回路接続されて三角波パルスが印加される
よう形成されている。
１２発振器に回路接続されて三角波パルスが印加される
よう形成されている。
そして、絶縁膜４の任意の位置に指タッチすると、絶縁
膜４を誘電体とし）ＴＯＹＡ２と人体を電極とする静電
容重と人体容量との直列容登が加わるために三角波パル
スの発振周期が伸び、−周期のクロック数が増すことか
ら指タッチが行われたことが検出される。
膜４を誘電体とし）ＴＯＹＡ２と人体を電極とする静電
容重と人体容量との直列容登が加わるために三角波パル
スの発振周期が伸び、−周期のクロック数が増すことか
ら指タッチが行われたことが検出される。
次ぎに、ＩＴＯ膜２．３は厚さが２００〜５００人の薄
膜で形成されているために面接抵抗は約３００Ω／口と
高く、そのために指タツチ位置とＩＴＯ膜２の各端面と
の間の抵抗値はそれぞれ異なり、それにより発振波形が
異なってクロック数が違っている。
膜で形成されているために面接抵抗は約３００Ω／口と
高く、そのために指タツチ位置とＩＴＯ膜２の各端面と
の間の抵抗値はそれぞれ異なり、それにより発振波形が
異なってクロック数が違っている。
そこで、これを利用し抵抗分割比から座標計算を行って
指タツチ位置が検出されている。
指タツチ位置が検出されている。
このような機構では基板ガラス１の片面だけにＩＴＯ膜
２と絶縁膜４が形成されてい・ればよいが、この構成で
はタッチパネルとディスプレイとの間に介在している浮
遊容量が影口し、そのため指タツチ位置が正確に求めら
れない。
２と絶縁膜４が形成されてい・ればよいが、この構成で
はタッチパネルとディスプレイとの間に介在している浮
遊容量が影口し、そのため指タツチ位置が正確に求めら
れない。
そこで、基板ガラス１の裏面にも対称的にＩＴＯ１１２
３と絶縁膜５を設け、ＩＴＯ膜３も同様にＣＲ発振器に
回路接続することによりＩＴＯ膜２と３とを等電位とし
、これにより浮遊容量の影響を無くしている。
３と絶縁膜５を設け、ＩＴＯ膜３も同様にＣＲ発振器に
回路接続することによりＩＴＯ膜２と３とを等電位とし
、これにより浮遊容量の影響を無くしている。
従来の静電容量式タッチパネル（以下略してタッチパネ
ル）はか＼る構成をとって使用されていた。
ル）はか＼る構成をとって使用されていた。
然し、小形化の必要性からＣＲＴに代わってｐｏｐに設
置してみると、このディスプレイは高電圧で駆動されて
いることから誘起されるノイズのレベルが高く、この誘
導ノイズによりＣＲ発振器の駆動波形が乱され正常な動
作が行えないと云う問題が生じていた。
置してみると、このディスプレイは高電圧で駆動されて
いることから誘起されるノイズのレベルが高く、この誘
導ノイズによりＣＲ発振器の駆動波形が乱され正常な動
作が行えないと云う問題が生じていた。
以上記したように発明者等が提案しているタッチパネル
をＰＤＰのような高電圧駆動形ディスプレイに設置する
と誘導ノイズによってタッチパネルの駆動波形が乱され
正常な動作が行われないことが問題である。
をＰＤＰのような高電圧駆動形ディスプレイに設置する
と誘導ノイズによってタッチパネルの駆動波形が乱され
正常な動作が行われないことが問題である。
上記の問題は高電圧駆動形ディスプレイ面上に設置され
、基板ガラスを挟んで該基板の両側に透明導電膜と透明
絶縁膜とを層形成して構成されるタッチパネルにおいて
、該タッチパネルのディスプレイ側の透明絶縁膜に更に
透明導電膜を形成してなる静電容量式タッチパネルによ
り解決することができる。
、基板ガラスを挟んで該基板の両側に透明導電膜と透明
絶縁膜とを層形成して構成されるタッチパネルにおいて
、該タッチパネルのディスプレイ側の透明絶縁膜に更に
透明導電膜を形成してなる静電容量式タッチパネルによ
り解決することができる。
本発明は誘導ノイズを除去する方法として浮遊容口の影
Ｇを遮断するために設けているＩＴＯ膜と絶縁膜の構成
を拡張し、この上に更にＩＴＯ膜を設けてコンデンサ構
造とし、このＩＴＯ膜を接地することによりｇＬ１ノイ
ズをアースに逃がすものである。
Ｇを遮断するために設けているＩＴＯ膜と絶縁膜の構成
を拡張し、この上に更にＩＴＯ膜を設けてコンデンサ構
造とし、このＩＴＯ膜を接地することによりｇＬ１ノイ
ズをアースに逃がすものである。
第１図は本発明に係るタッチパネルの構成を示す断面図
であって絶縁膜５の上に更に厚めにＩＴＯｖ、６を設け
た点が従来構造と異なっている。
であって絶縁膜５の上に更に厚めにＩＴＯｖ、６を設け
た点が従来構造と異なっている。
ここで、ＩＴＯ膜６を厚めに設ける理由は導体抵抗をな
るべく少なくして誘導ノイズを逃し易くするためである
。
るべく少なくして誘導ノイズを逃し易くするためである
。
Ｃ実施例〕
厚さが２１１１１で透明な基板ガラス１の両側にスパッ
ク法を用いてＩＴＯを約３００人の厚さに形成し、約３
００Ω／口の面積抵抗のＩＴＯＷｉ２，３を形成した後
、この上にスピンコード法によりシリコーン系樹脂より
なる絶縁膜４．５をそれぞれ３μｍの厚さに形成した。
ク法を用いてＩＴＯを約３００人の厚さに形成し、約３
００Ω／口の面積抵抗のＩＴＯＷｉ２，３を形成した後
、この上にスピンコード法によりシリコーン系樹脂より
なる絶縁膜４．５をそれぞれ３μｍの厚さに形成した。
次ぎに、下側の絶縁膜５の上にスパッタ法を用いてＩＴ
Ｏ膜６を１μｍの厚さに形成した。
Ｏ膜６を１μｍの厚さに形成した。
この場合面積抵抗は約１０Ω／口となる。
か＼るタッチパネルを従来と同様にＦＤＰディスプレイ
面上に設置した後、１１°ＯｒＩ！Ａ６を接地した。
面上に設置した後、１１°ＯｒＩ！Ａ６を接地した。
その結果、ＰＤＰ ＸＩ動の際に発生していた駆動ノイ
ズは完全に遮蔽することができ、ＦＤＰやしＣＤのよう
な高電圧駆動形ディスプレイについても静電容量式タッ
チパネルによる高精度の位置検出ができるようになった
。
ズは完全に遮蔽することができ、ＦＤＰやしＣＤのよう
な高電圧駆動形ディスプレイについても静電容量式タッ
チパネルによる高精度の位置検出ができるようになった
。
以上記したように本発明の実施により高電圧駆動形ディ
スプレイに対しても高精度の位置検出が可能となった。
スプレイに対しても高精度の位置検出が可能となった。
第１図は本発明に係る静電容量式タッチパネルの構成を
示す断面図、 第２図は従来の静電容量式タッチパネルの構成を示す断
面図、 である。 図において、 １は基板ガラス、 ２，３．６はＩＴＯ膜、４
．５は絶縁膜、 である。
示す断面図、 第２図は従来の静電容量式タッチパネルの構成を示す断
面図、 である。 図において、 １は基板ガラス、 ２，３．６はＩＴＯ膜、４
．５は絶縁膜、 である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 高電圧駆動形ディスプレイ面上に設置され、基板ガラ
スを挟んで該基板の両側に透明導電膜と透明絶縁膜とを
層形成して構成されるタッチパネルにおいて、 該タッチパネルのディスプレイ側の透明絶縁膜の上に更
に透明導電膜を形成してなることを特徴とする静電容量
式タッチパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62006475A JPS63174120A (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | 静電容量式タツチパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62006475A JPS63174120A (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | 静電容量式タツチパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63174120A true JPS63174120A (ja) | 1988-07-18 |
Family
ID=11639490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62006475A Pending JPS63174120A (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | 静電容量式タツチパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63174120A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04128330U (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-24 | ぺんてる株式会社 | 静電容量結合タブレツト |
| EP0803587A1 (de) * | 1997-07-15 | 1997-10-29 | Balzers Hochvakuum AG | Verfahren und Vorrichtung zur Sputterbeschichtung |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5839640B2 (ja) * | 1975-03-27 | 1983-08-31 | 旭ダウ株式会社 | ヒキンゾクザイリヨウノプレスカコウホウホウト ソノソウチ |
| JPS61262834A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-20 | Toshiba Corp | 情報入力装置 |
-
1987
- 1987-01-14 JP JP62006475A patent/JPS63174120A/ja active Pending
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