JPS6317321B2 - - Google Patents
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- JPS6317321B2 JPS6317321B2 JP2550682A JP2550682A JPS6317321B2 JP S6317321 B2 JPS6317321 B2 JP S6317321B2 JP 2550682 A JP2550682 A JP 2550682A JP 2550682 A JP2550682 A JP 2550682A JP S6317321 B2 JPS6317321 B2 JP S6317321B2
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は過負荷溶断形抵抗器に関するもので、
テレビジヨン受像機、ビデオテープレコーダ、音
響機器等のセツトにおいて、抵抗器に異常電流が
流れて過負荷になつたとき電流を自動的に遮断で
きるようにすることを目的とするものである。
テレビジヨン受像機、ビデオテープレコーダ、音
響機器等のセツトにおいて、抵抗器に異常電流が
流れて過負荷になつたとき電流を自動的に遮断で
きるようにすることを目的とするものである。
最近はセツトの小形化、低電力化の傾向にあ
り、それに伴なつて異常時における印加電力が定
格電力に対して低倍率でも電流遮断することが要
求されてきている。又低抵抗領域で、電流ヒユー
ズの代用としての要求も増えつつある。本発明は
低電力培率で正確に電流を遮断し、セツトの安全
性部品として実用価値の高い過負荷溶断形抵抗器
を提供しようとするものである。
り、それに伴なつて異常時における印加電力が定
格電力に対して低倍率でも電流遮断することが要
求されてきている。又低抵抗領域で、電流ヒユー
ズの代用としての要求も増えつつある。本発明は
低電力培率で正確に電流を遮断し、セツトの安全
性部品として実用価値の高い過負荷溶断形抵抗器
を提供しようとするものである。
過負荷溶断形抵抗器の従来例としては、溶断
形抵抗皮膜を使用するもの、金属皮膜、金属酸
化物皮膜或いはカーボン皮膜等の一般抵抗皮膜上
に低融点ガラスペーストを塗布したもの、抵抗
皮膜とそれを支持或いは保護している材料との熱
膨張係数の差を利用したもの、部分的に電流通
路を狭くして熱集中化を起こし溶断させるもの等
があるが、何れも定格電力に対する倍率が低倍率
(4〜5倍)で溶断させることは難しい一面を持
つている。これらの欠点を除去し、低電力倍率で
安定且つ正確に電流を遮断し、しかも定格動作時
には一般の抵抗器と同等の性能、信頼性を持つも
のを廉価に提供するために本発明では、抵抗器絶
縁基体の表面に低融点の導電性金属皮膜又は合金
皮膜を形成し、この皮膜に抵抗値修正用の溝を形
成し、この溝形成部中央において少なくとも1タ
ーン幅の皮膜と交差するように熱軟化性の樹脂層
を形成し、絶縁用の熱収縮チユーブに熱をかけて
全体を覆い、キヤツプ端子部において熱圧着を施
して成るもので、密封性を向上し、且つ過負荷印
加時の溶断特性を確保せんとするものである。又
製造上の問題として、一般の塗装形では塗装後に
熱軟化性樹脂層形成部において、ピンホール或い
はクラツクが表面に出る可能性があるが、本発明
においてはこれらの問題についても解決すること
ができる。
形抵抗皮膜を使用するもの、金属皮膜、金属酸
化物皮膜或いはカーボン皮膜等の一般抵抗皮膜上
に低融点ガラスペーストを塗布したもの、抵抗
皮膜とそれを支持或いは保護している材料との熱
膨張係数の差を利用したもの、部分的に電流通
路を狭くして熱集中化を起こし溶断させるもの等
があるが、何れも定格電力に対する倍率が低倍率
(4〜5倍)で溶断させることは難しい一面を持
つている。これらの欠点を除去し、低電力倍率で
安定且つ正確に電流を遮断し、しかも定格動作時
には一般の抵抗器と同等の性能、信頼性を持つも
のを廉価に提供するために本発明では、抵抗器絶
縁基体の表面に低融点の導電性金属皮膜又は合金
皮膜を形成し、この皮膜に抵抗値修正用の溝を形
成し、この溝形成部中央において少なくとも1タ
ーン幅の皮膜と交差するように熱軟化性の樹脂層
を形成し、絶縁用の熱収縮チユーブに熱をかけて
全体を覆い、キヤツプ端子部において熱圧着を施
して成るもので、密封性を向上し、且つ過負荷印
加時の溶断特性を確保せんとするものである。又
製造上の問題として、一般の塗装形では塗装後に
熱軟化性樹脂層形成部において、ピンホール或い
はクラツクが表面に出る可能性があるが、本発明
においてはこれらの問題についても解決すること
ができる。
以下、本発明を実施の一例を示す図面に基づい
て説明する。1は抵抗器絶縁基体の表面に設けた
溶融温度350℃以下の低融点の導電性金属皮膜或
いは合金皮膜で、この皮膜1に抵抗値修正用の溝
2を螺旋状に形成してある。この溝2の形成時に
皮膜1の内側の基体にも同時に溝が形成されても
支障はない。3は前記溝2形成部中央において少
なくとも1ターン幅の抵抗皮膜1を覆うように形
成された熱軟化性樹脂層である。4はこれら全体
を覆う絶縁用の熱収縮チユーブで、このチユーブ
4の熱収縮により全体を被覆した後、キヤツプ端
子部5において更に熱圧着を施している。6は熱
圧着部、7はリード線である。
て説明する。1は抵抗器絶縁基体の表面に設けた
溶融温度350℃以下の低融点の導電性金属皮膜或
いは合金皮膜で、この皮膜1に抵抗値修正用の溝
2を螺旋状に形成してある。この溝2の形成時に
皮膜1の内側の基体にも同時に溝が形成されても
支障はない。3は前記溝2形成部中央において少
なくとも1ターン幅の抵抗皮膜1を覆うように形
成された熱軟化性樹脂層である。4はこれら全体
を覆う絶縁用の熱収縮チユーブで、このチユーブ
4の熱収縮により全体を被覆した後、キヤツプ端
子部5において更に熱圧着を施している。6は熱
圧着部、7はリード線である。
この過負荷溶断形抵抗器の溶断機構について説
明する。低融点の導電性金属皮膜又は低融点導電
性合金皮膜1の温度が過負荷時の発熱でその融点
に達すると、皮膜1は溶融し、又同時に皮膜1表
面の熱軟化性樹脂層3の熱軟化による粘度の低
下、及びフラツクス作用が相俟つて、溶融した皮
膜1は表面張力により球状化して溶断が達成され
る。本発明によると、外装として溶剤を使用せ
ず、熱収縮チユーブ4で覆つているため、いかな
る熱軟化性樹脂層3でもそのまま保持され、過負
荷印加時の溶断特性が確実に保証できる。又、キ
ヤツプ端子部5において熱圧着を行なつているた
め、密封性が向上でき、抵抗器としての耐湿特性
が充分保証できる。尚本発明で用いられる低融点
の皮膜1としては、溶融温度が350℃以下の範囲
に属するもので、例えば錫、鉛、ビスマス、カド
ミウム、インジユームの内の一種或いは錫、鉛、
ビスマス、カドミウム、インジユーム、銀、銅、
亜鉛、アルミニウム等の中の二種以上の合金が用
いられ、抵抗器基体であるセラミツク碍子、プラ
スチツク等の表面に無電解メツキ、電解メツキ、
真空蒸着、スパツタリング等の方法で形成され
る。又この皮膜1の形成は各種組成の同時析出に
よる方法でも、二種以上の金属の多層形成を行な
つた後その金属の融点以下の温度で熱処理を行な
い合金化して目的の合金皮膜を得るという方法で
も行なえる。又本発明における熱軟化性樹脂と
は、例えばロジン、変性ロジン、オレフイン系、
スチレン系、ナイロン系、フエノール系、キシレ
ン系樹脂、及びこれらの変性品である。熱軟化性
樹脂は前記溝2形成部において、少なくとも1タ
ーン幅の抵抗皮膜上に筆状のもので塗布するか、
或いは印刷方式にて形成する。熱収縮チユーブ4
としては、例えばポリ塩化ビニル、ポリエステ
ル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、シリコ
ーン系のものを用いる。
明する。低融点の導電性金属皮膜又は低融点導電
性合金皮膜1の温度が過負荷時の発熱でその融点
に達すると、皮膜1は溶融し、又同時に皮膜1表
面の熱軟化性樹脂層3の熱軟化による粘度の低
下、及びフラツクス作用が相俟つて、溶融した皮
膜1は表面張力により球状化して溶断が達成され
る。本発明によると、外装として溶剤を使用せ
ず、熱収縮チユーブ4で覆つているため、いかな
る熱軟化性樹脂層3でもそのまま保持され、過負
荷印加時の溶断特性が確実に保証できる。又、キ
ヤツプ端子部5において熱圧着を行なつているた
め、密封性が向上でき、抵抗器としての耐湿特性
が充分保証できる。尚本発明で用いられる低融点
の皮膜1としては、溶融温度が350℃以下の範囲
に属するもので、例えば錫、鉛、ビスマス、カド
ミウム、インジユームの内の一種或いは錫、鉛、
ビスマス、カドミウム、インジユーム、銀、銅、
亜鉛、アルミニウム等の中の二種以上の合金が用
いられ、抵抗器基体であるセラミツク碍子、プラ
スチツク等の表面に無電解メツキ、電解メツキ、
真空蒸着、スパツタリング等の方法で形成され
る。又この皮膜1の形成は各種組成の同時析出に
よる方法でも、二種以上の金属の多層形成を行な
つた後その金属の融点以下の温度で熱処理を行な
い合金化して目的の合金皮膜を得るという方法で
も行なえる。又本発明における熱軟化性樹脂と
は、例えばロジン、変性ロジン、オレフイン系、
スチレン系、ナイロン系、フエノール系、キシレ
ン系樹脂、及びこれらの変性品である。熱軟化性
樹脂は前記溝2形成部において、少なくとも1タ
ーン幅の抵抗皮膜上に筆状のもので塗布するか、
或いは印刷方式にて形成する。熱収縮チユーブ4
としては、例えばポリ塩化ビニル、ポリエステ
ル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、シリコ
ーン系のものを用いる。
本発明過負荷溶断形抵抗器は以上述べたように
実施し得るものであり、第2図に示すような優れ
た溶断特性が得られる。即ち電子機器の異常時に
おける応答性が良く、溶断も正確且つ迅速に行な
われ、溶断後の耐電圧も大きい利用価値の大なる
ものが得られる。又定常状態における諸特性にお
いても、規格値を充分満足し得るものとなる。し
かも、従来の固定抵抗器の製造工程が活用でき、
熱軟化性樹脂層形成部にピンホールやクラツクが
表面に生じることのない廉価な過負荷溶断形抵抗
器を提供することができる。
実施し得るものであり、第2図に示すような優れ
た溶断特性が得られる。即ち電子機器の異常時に
おける応答性が良く、溶断も正確且つ迅速に行な
われ、溶断後の耐電圧も大きい利用価値の大なる
ものが得られる。又定常状態における諸特性にお
いても、規格値を充分満足し得るものとなる。し
かも、従来の固定抵抗器の製造工程が活用でき、
熱軟化性樹脂層形成部にピンホールやクラツクが
表面に生じることのない廉価な過負荷溶断形抵抗
器を提供することができる。
図面は本発明の実施の一例を示し、第1図は断
面図、第2図は溶断特性を示すグラフである。 1……皮膜、2……溝、3……熱軟化性樹脂
層、4……熱収縮チユーブ、5……キヤツプ端子
部、6……熱圧着部。
面図、第2図は溶断特性を示すグラフである。 1……皮膜、2……溝、3……熱軟化性樹脂
層、4……熱収縮チユーブ、5……キヤツプ端子
部、6……熱圧着部。
Claims (1)
- 1 抵抗器絶縁基体の表面に溶融温度350℃以下
の低融点の導電性金属皮膜又は合金皮膜を形成
し、この皮膜に抵抗値修正用の溝を形成し、この
溝形成部中央において少なくとも1ターン幅の皮
膜と交差するように熱軟化性の樹脂層を形成し、
絶縁用の熱収縮チユーブに熱をかけて全体を被覆
し、キヤツプ端子部において熱圧着を施した過負
荷溶断形抵抗器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2550682A JPS58142506A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | 過負荷溶断形抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2550682A JPS58142506A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | 過負荷溶断形抵抗器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58142506A JPS58142506A (ja) | 1983-08-24 |
JPS6317321B2 true JPS6317321B2 (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=12167946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2550682A Granted JPS58142506A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | 過負荷溶断形抵抗器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58142506A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2542201B2 (ja) * | 1986-11-17 | 1996-10-09 | 株式会社 サトーセン | 過負荷溶断形抵抗器 |
-
1982
- 1982-02-18 JP JP2550682A patent/JPS58142506A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58142506A (ja) | 1983-08-24 |
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