JPS63169733A - 薄膜の密着力評価方法 - Google Patents
薄膜の密着力評価方法Info
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体素子の製造に用いられる蒸着・スパッ
タリング・気相成長等によって形成された薄膜の密着力
を評価する方法に関するものである。
タリング・気相成長等によって形成された薄膜の密着力
を評価する方法に関するものである。
従来、半導体ウェハ上に形成した薄膜の密着力の評価方
法として、半導体ウェハを回転させながら薄膜に向けそ
ビーム状の高圧水を吹き付け、薄膜の剥離状態で密着力
を評価する方法があった（特開昭６０−３０１４８号公
報参照）。
法として、半導体ウェハを回転させながら薄膜に向けそ
ビーム状の高圧水を吹き付け、薄膜の剥離状態で密着力
を評価する方法があった（特開昭６０−３０１４８号公
報参照）。
従来の薄膜の密着力評価方法では、殆ど硬度のない液体
の水を用いるため、剥離の端緒となる局部的に挾られた
箇所のないｉ膜では、ビーム状の高圧水によるＷＩＭｆ
Ａの表面の摩耗に終わってしまい、密着力の評価になり
にくい欠点があった。
の水を用いるため、剥離の端緒となる局部的に挾られた
箇所のないｉ膜では、ビーム状の高圧水によるＷＩＭｆ
Ａの表面の摩耗に終わってしまい、密着力の評価になり
にくい欠点があった。
そして剥離の端緒となる局部的に挾られた箇所を発生さ
せて、そこから薄膜を剥離しようとすると、かなり大き
い圧力のビーム状の流水をウェハに吹き付けなければな
らなかった。その結果、密着力の評価中に、しばしば半
導体ウェハが破損するという欠点が現れていた。
せて、そこから薄膜を剥離しようとすると、かなり大き
い圧力のビーム状の流水をウェハに吹き付けなければな
らなかった。その結果、密着力の評価中に、しばしば半
導体ウェハが破損するという欠点が現れていた。
こうした欠点は、この従来の方法を密着力の大きい薄膜
に通用しにくいなど、この方法により評価できる範囲を
狭める欠点ともなっていた。
に通用しにくいなど、この方法により評価できる範囲を
狭める欠点ともなっていた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、評価し得る密着強度の範囲が広い１ｌｌｌｌ
の密着力評価方法を得ることを目的とする。
たもので、評価し得る密着強度の範囲が広い１ｌｌｌｌ
の密着力評価方法を得ることを目的とする。
本発明に係る薄膜の密着力評価方法は、容易に固化・液
化若しくは固化・気化し半導体装置を汚染しない物質の
固化微小粒子を搬送ガスとともに薄膜へ噴射し挾れ箇所
を形成したのち、薄膜を剥離するようにしたものである
。
化若しくは固化・気化し半導体装置を汚染しない物質の
固化微小粒子を搬送ガスとともに薄膜へ噴射し挾れ箇所
を形成したのち、薄膜を剥離するようにしたものである
。
この発明においては、固化微小粒子を薄膜に噴射し挾れ
箇所を形成したのち、薄膜を剥離するようにしたことに
より、この挾れ箇所が剥離の端緒となり、密着力の大き
い薄膜に対しても従来のような液体流による薄膜の表面
の摩耗に終わってしまうことや、高い圧力の液体流によ
る半導体ウェハの破損を防止できる。
箇所を形成したのち、薄膜を剥離するようにしたことに
より、この挾れ箇所が剥離の端緒となり、密着力の大き
い薄膜に対しても従来のような液体流による薄膜の表面
の摩耗に終わってしまうことや、高い圧力の液体流によ
る半導体ウェハの破損を防止できる。
以下、この発明の実施例を図によって説明する。
第１図は、本発明の一実施例による薄膜の密着力評価方
法を説明するための断面図である。図において、１は薄
膜、２は薄膜１が形成される半導体ウェハ、３は例えば
氷の如き固化微小粒子、４は例えば窒素ガスの如き搬送
ガス、５は固化微小粒子３を搬送ガス４とともに噴出さ
せるためのノズル、７は例えばジェット水流の如き液体
流、８は液体流７を噴出させるためのノズル、１ａは固
化微小粒子３が衝突して薄膜ｌに発生した抉れ箇所、１
ｂは抉れ箇所１ａに液体流７が吹き付けられてできた１
ｌｌｆｌｌｌの剥離箇所である。
法を説明するための断面図である。図において、１は薄
膜、２は薄膜１が形成される半導体ウェハ、３は例えば
氷の如き固化微小粒子、４は例えば窒素ガスの如き搬送
ガス、５は固化微小粒子３を搬送ガス４とともに噴出さ
せるためのノズル、７は例えばジェット水流の如き液体
流、８は液体流７を噴出させるためのノズル、１ａは固
化微小粒子３が衝突して薄膜ｌに発生した抉れ箇所、１
ｂは抉れ箇所１ａに液体流７が吹き付けられてできた１
ｌｌｆｌｌｌの剥離箇所である。
以下、動作について説明する。
第１図（ａ）は半導体ウェハ２の上に形成された、評価
しようとする薄膜１を示している。
しようとする薄膜１を示している。
この薄膜ｌに向けて（ｂ）の如く、ノズル５から例えば
窒素ガスの如き搬送ガス４とともに例えば純水を冷却し
固化した氷の如き固化微小粒子３を薄膜１に向かって噴
出せしめる。なお、純水を固化した氷の如き固化微小粒
子３は次のようにして得ることができる。例えば液体窒
素の液面に向けて純水（圧力１．２ ｋｇ／ｃｍ２ 、
流１ｉ０．１１ ／１ｌＩｉｎ ）を窒素ガス（圧力１
．２ ｋｇ／ｃｍ２ 、流量４．５ ｌ、／ｗｉｎ ）
とともに霧状で噴射・吹き付けすると、純水の霧は瞬時
に固化し、液体窒素の液面下に氷の固化微小粒子３が溜
る。固化微小粒子３の粒径は、純水・窒素ガスの霧状化
条件によって１〜５０μｍの範囲で容易に変えることが
出来る。このようにして得た氷の固化微小粒子３を、ス
クリューフィーダ、ホフバーを経て、高圧気体エジェク
タ方式ブラストから搬送ガス４としての窒素ガス（圧力
２ｋｇ／ｃｔａ２．流量０．１４＋／ｓｉｎ ）ととも
にノズル５から薄膜１に向けて、挾れ箇所１ａの発生す
る比較的低い搬送ガス４の圧力と短い噴出時間で噴出・
噴射すればよい。
窒素ガスの如き搬送ガス４とともに例えば純水を冷却し
固化した氷の如き固化微小粒子３を薄膜１に向かって噴
出せしめる。なお、純水を固化した氷の如き固化微小粒
子３は次のようにして得ることができる。例えば液体窒
素の液面に向けて純水（圧力１．２ ｋｇ／ｃｍ２ 、
流１ｉ０．１１ ／１ｌＩｉｎ ）を窒素ガス（圧力１
．２ ｋｇ／ｃｍ２ 、流量４．５ ｌ、／ｗｉｎ ）
とともに霧状で噴射・吹き付けすると、純水の霧は瞬時
に固化し、液体窒素の液面下に氷の固化微小粒子３が溜
る。固化微小粒子３の粒径は、純水・窒素ガスの霧状化
条件によって１〜５０μｍの範囲で容易に変えることが
出来る。このようにして得た氷の固化微小粒子３を、ス
クリューフィーダ、ホフバーを経て、高圧気体エジェク
タ方式ブラストから搬送ガス４としての窒素ガス（圧力
２ｋｇ／ｃｔａ２．流量０．１４＋／ｓｉｎ ）ととも
にノズル５から薄膜１に向けて、挾れ箇所１ａの発生す
る比較的低い搬送ガス４の圧力と短い噴出時間で噴出・
噴射すればよい。
（Ｃ１は、固化微小粒子３を噴射せしめたのちの薄膜１
を示している。薄１！！！ １には、比較的硬度の大き
く鋭角部分を有する固化微小粒子３の機械的衝撃によっ
て、薄膜１がめくれやすく剥離しやすい挾れ箇所１ａが
発生している。
を示している。薄１！！！ １には、比較的硬度の大き
く鋭角部分を有する固化微小粒子３の機械的衝撃によっ
て、薄膜１がめくれやすく剥離しやすい挾れ箇所１ａが
発生している。
次に（ｄ）に示す如く、例えば純水を使ったジェット水
流の如き液体流７をノズル８から噴出させる。
流の如き液体流７をノズル８から噴出させる。
この操作Ｇミよって薄膜１の剥離の端緒となる挾れ箇所
１ａへ液体流７が吹き付けられ、密着力が小さいとそこ
から剥がされていく。
１ａへ液体流７が吹き付けられ、密着力が小さいとそこ
から剥がされていく。
従って、液体流７の噴射を停止したのちの、（ｅ）に例
示した剥離箇所１ｂを観測すれば、薄膜１の密着力を評
価できることとなる。
示した剥離箇所１ｂを観測すれば、薄膜１の密着力を評
価できることとなる。
なお、上記実施例では、固化微小粒子３を噴射した後、
（ｄ）において液体流７を噴射したが、本発明は薄Ｈ＊
ｌに粘着性テープを貼付しこれを剥がす、いわゆるテー
ピング法に通用してもよい。
（ｄ）において液体流７を噴射したが、本発明は薄Ｈ＊
ｌに粘着性テープを貼付しこれを剥がす、いわゆるテー
ピング法に通用してもよい。
また、密着力の評価を広い面積領域の薄膜ｌで行なうた
めに、固化微小粒子３を運ぶ搬送ガス４にて噴射を受け
る薄膜１の全体、若しくは前記搬送ガス４を移動若しく
は走査させてもよい。また、液体流７を移動若しくは走
査させてもよい。
めに、固化微小粒子３を運ぶ搬送ガス４にて噴射を受け
る薄膜１の全体、若しくは前記搬送ガス４を移動若しく
は走査させてもよい。また、液体流７を移動若しくは走
査させてもよい。
また、上記実施例では固化微小粒子３の例として純水を
固化した氷で説明したが、この固化微小粒子３は例えば
固化・気化しやすい炭酸ガスの粒子であってもよい。
固化した氷で説明したが、この固化微小粒子３は例えば
固化・気化しやすい炭酸ガスの粒子であってもよい。
更に、液体流７は水流に限定されるものではなく、薄１
１１ｉ １や半導体ウェハ２を汚染しない他の液体を用
いてもよい。
１１ｉ １や半導体ウェハ２を汚染しない他の液体を用
いてもよい。
以上詳しく述べたように本発明によれば、容易に固化・
液化若しくは固化・気化し半導体装置を汚染しない物質
の固化微小粒子を薄膜に噴射し袂れ箇所を形成したのち
、薄膜を剥離するようにしたので、密着力の大きい薄膜
に対しても従来のような高い圧力の液体流による密着力
の評価中の半導体ウェハの破損を防止でき、評価できる
密着強度の範囲が広い薄膜の密着力評価方法を提供でき
る。
液化若しくは固化・気化し半導体装置を汚染しない物質
の固化微小粒子を薄膜に噴射し袂れ箇所を形成したのち
、薄膜を剥離するようにしたので、密着力の大きい薄膜
に対しても従来のような高い圧力の液体流による密着力
の評価中の半導体ウェハの破損を防止でき、評価できる
密着強度の範囲が広い薄膜の密着力評価方法を提供でき
る。
第１図は本発明の一実施例によるＳ膜の密着力評価方法
を説明するための断面図である。 ｌはａ！膜、２は半導体ウェハ、３は固化微小粒子、４
は搬送ガス、５，８はノズル、７は液体流、１ａは扶れ
箇所、１ｂは剥離箇所である。 なお、図中同一符号は、同−又は相当部分を示す。
を説明するための断面図である。 ｌはａ！膜、２は半導体ウェハ、３は固化微小粒子、４
は搬送ガス、５，８はノズル、７は液体流、１ａは扶れ
箇所、１ｂは剥離箇所である。 なお、図中同一符号は、同−又は相当部分を示す。
Claims (7)
- （１）薄膜を剥離して密着力を評価する薄膜の密着力評
価方法において、 固化・液化若しくは固化・気化の可逆反応が容易であり
半導体装置を汚染しない物質の固化微小粒子を搬送ガス
とともに上記薄膜に噴射し抉れ箇所を形成したのち、該
薄膜を剥離することを特徴とする薄膜の密着力評価方法
。 - （２）上記薄膜の剥離は、液体流を該薄膜に噴射して行
なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜
の密着力評価方法。 - （３）上記薄膜の全体若しくは上記搬送ガス全体を移動
若しくは走査させることを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項記載の薄膜の密着力評価方法。 - （４）上記液体流を移動若しくは走査させることを特徴
とする特許請求の範囲第２項記載の薄膜の密着力評価方
法。 - （５）上記液体流は水流であることを特徴とする特許請
求の範囲第２項または第４項記載の薄膜の密着力評価方
法。 - （６）上記固化微小粒子は氷の粒子であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記
載の薄膜の密着力評価方法。 - （７）上記固化微小粒子は炭酸ガスの粒子であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれ
かに記載の薄膜の密着力評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP132387A JPS63169733A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 薄膜の密着力評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP132387A JPS63169733A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 薄膜の密着力評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63169733A true JPS63169733A (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=11498283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP132387A Pending JPS63169733A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 薄膜の密着力評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63169733A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996018879A1 (en) * | 1994-12-15 | 1996-06-20 | Usbi Co. | Method and apparatus for preparing a workpiece for testing |
| US6033875A (en) * | 1994-09-08 | 2000-03-07 | Chiron Corporation | Method of improved production of insulin-like growth factor |
| JP2009079985A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Toshiba Corp | 膜の付着力検査方法、膜の付着力検査装置、および製品の製造方法 |
| FR2997188A1 (fr) * | 2012-10-22 | 2014-04-25 | Safran | Caracterisation de l'adhesion d'une couche de glace sur une eprouvette |
| CN105765367A (zh) * | 2013-08-22 | 2016-07-13 | 庞巴迪运输有限公司 | 检验弹性粘接剂或弹性密封材料在构件表面上的附着 |
| CN115436414A (zh) * | 2022-11-08 | 2022-12-06 | 常州市华健药用包装材料有限公司 | 一种药用复合膜剥离强度检测装置 |
-
1987
- 1987-01-07 JP JP132387A patent/JPS63169733A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6033875A (en) * | 1994-09-08 | 2000-03-07 | Chiron Corporation | Method of improved production of insulin-like growth factor |
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| CN115436414A (zh) * | 2022-11-08 | 2022-12-06 | 常州市华健药用包装材料有限公司 | 一种药用复合膜剥离强度检测装置 |
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