JPS63168006A - マンガン亜鉛フエライト及び複合磁気ヘツド - Google Patents
マンガン亜鉛フエライト及び複合磁気ヘツドInfo
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- JPS63168006A JPS63168006A JP61315057A JP31505786A JPS63168006A JP S63168006 A JPS63168006 A JP S63168006A JP 61315057 A JP61315057 A JP 61315057A JP 31505786 A JP31505786 A JP 31505786A JP S63168006 A JPS63168006 A JP S63168006A
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Landscapes
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- Soft Magnetic Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、特に強磁性金属材料に近い熱膨張係数を示す
マンガン亜鉛フェライトに関するものであり、さらには
磁気コアがこのマンガン亜鉛フェライトと強磁性金属薄
膜との複合体で構成されてなる複合磁気ヘッドに関する
ものである。
マンガン亜鉛フェライトに関するものであり、さらには
磁気コアがこのマンガン亜鉛フェライトと強磁性金属薄
膜との複合体で構成されてなる複合磁気ヘッドに関する
ものである。
本発明は、Fat’s 、 ZnO、MnOを主体とす
るフェライトの組成を、通常のフェライトヘッドにおい
て広く用いられている組成範囲よりもMnOの含有量が
多く ZnOの含有量が少ない所定の範囲に設定するこ
とにより1 、 平均線熱膨張係数が13X10−’ deg−’
以上と強磁性金属材料に近く、かつ高i3m率を有する
マンガン亜鉛フェライトを提供するものであり、さらに
本発明は、酸化物磁性材料と強磁性金属薄膜との複合体
で磁気コアが構成されてなる複合磁気ヘッドの前記酸化
物磁性コアとして、このマンガン亜鉛フェライトを使用
することにより、上記強磁性金属薄膜との熱膨張係数の
整合性を向上し、ヒビや欠けが無(高性能で生産性に優
れた複合磁気ヘッドを提供しようとするものである。
るフェライトの組成を、通常のフェライトヘッドにおい
て広く用いられている組成範囲よりもMnOの含有量が
多く ZnOの含有量が少ない所定の範囲に設定するこ
とにより1 、 平均線熱膨張係数が13X10−’ deg−’
以上と強磁性金属材料に近く、かつ高i3m率を有する
マンガン亜鉛フェライトを提供するものであり、さらに
本発明は、酸化物磁性材料と強磁性金属薄膜との複合体
で磁気コアが構成されてなる複合磁気ヘッドの前記酸化
物磁性コアとして、このマンガン亜鉛フェライトを使用
することにより、上記強磁性金属薄膜との熱膨張係数の
整合性を向上し、ヒビや欠けが無(高性能で生産性に優
れた複合磁気ヘッドを提供しようとするものである。
近年、磁気記録の分野においては、例えばビデオテープ
レコーダ等の機器の小型化や長時間記録の要請等から、
高密度記録、短波長記録が進められ、これに対応して所
謂メタルテープや蒸着テープ等の高抗磁力を有する磁気
記録媒体が使用されるようになっている。これに伴い、
磁気ヘッドに対しても当然のようにその性能向上が要求
されている。
レコーダ等の機器の小型化や長時間記録の要請等から、
高密度記録、短波長記録が進められ、これに対応して所
謂メタルテープや蒸着テープ等の高抗磁力を有する磁気
記録媒体が使用されるようになっている。これに伴い、
磁気ヘッドに対しても当然のようにその性能向上が要求
されている。
かかる状況より、磁気コア材料として、酸化物磁性材料
(例えばフェライト等)と強磁性金属薄膜(例えばFe
−Af−3i系合金やアモルファス合金等)とからなる
複合体を用い、上記強磁性金属薄膜同士の突き合わせ部
分を作動ギヤノブとした。いわゆる複合磁気ヘッドが提
案され実用化されている。
(例えばフェライト等)と強磁性金属薄膜(例えばFe
−Af−3i系合金やアモルファス合金等)とからなる
複合体を用い、上記強磁性金属薄膜同士の突き合わせ部
分を作動ギヤノブとした。いわゆる複合磁気ヘッドが提
案され実用化されている。
すなわち、上記複合磁気ヘッドは、その作動ギャップ近
傍が高飽和磁束密度を有する強磁性金属薄膜で構成され
るとともに、磁気コアの大部分が高透磁率材料であるフ
ェライト材で構成されることから、記録時には作動ギャ
ップ近傍での磁気飽和が起こり難く、再生時には磁気ヘ
ッド全体としてのi3[率が大きいことから特に高い周
波数での使用時にも良好な電磁変換特性を示す構造とな
っている。さらには、耐摩耗性の点でも磁気記録媒体対
接面の大部分がフェライト材で構成されることは有利で
ある。
傍が高飽和磁束密度を有する強磁性金属薄膜で構成され
るとともに、磁気コアの大部分が高透磁率材料であるフ
ェライト材で構成されることから、記録時には作動ギャ
ップ近傍での磁気飽和が起こり難く、再生時には磁気ヘ
ッド全体としてのi3[率が大きいことから特に高い周
波数での使用時にも良好な電磁変換特性を示す構造とな
っている。さらには、耐摩耗性の点でも磁気記録媒体対
接面の大部分がフェライト材で構成されることは有利で
ある。
ところで、この種の複合磁気ヘッドにおいては、酸化物
磁性材料と強磁性金属薄膜との物理的特性の差異に起因
して様々な問題が発生している。特に、酸化物磁性材料
と強磁性金属TR膜との熱膨張係数の差は、加工歩留や
性能劣化の原因となり、その解消が大きな課題となって
いる。
磁性材料と強磁性金属薄膜との物理的特性の差異に起因
して様々な問題が発生している。特に、酸化物磁性材料
と強磁性金属TR膜との熱膨張係数の差は、加工歩留や
性能劣化の原因となり、その解消が大きな課題となって
いる。
例えば、高磁束密度を有する強磁性金属′gI膜は一般
に13 X 10” ”deg −’以上(以下の記載
でも同様であるが、数値は100℃〜350℃での平均
線熱膨張係数を表す。)と熱膨張係数が大きく、これに
対してフェライト単体ヘッドにおいて用いられているフ
ェライト材の熱膨張係数はおよそ11 X 10−’d
eg−’とかなり小さいことから、これらの適合性が悪
く、したがってヘッド作成時にヒビや欠けが現れ、歩留
や性能の低下の要因となっている。
に13 X 10” ”deg −’以上(以下の記載
でも同様であるが、数値は100℃〜350℃での平均
線熱膨張係数を表す。)と熱膨張係数が大きく、これに
対してフェライト単体ヘッドにおいて用いられているフ
ェライト材の熱膨張係数はおよそ11 X 10−’d
eg−’とかなり小さいことから、これらの適合性が悪
く、したがってヘッド作成時にヒビや欠けが現れ、歩留
や性能の低下の要因となっている。
そこで本発明は、このような従来の実情に迄みて提案さ
れたものであって、高飽和磁束密度を有する強磁性金属
薄膜に近い熱膨張係数を示し、かつ高い透磁率を有する
マンガン亜鉛フェライトを提供することを目的とする。
れたものであって、高飽和磁束密度を有する強磁性金属
薄膜に近い熱膨張係数を示し、かつ高い透磁率を有する
マンガン亜鉛フェライトを提供することを目的とする。
さらに本発明は、酸化物磁性材料と強磁性金属薄膜との
熱膨張係数の整合性を図り、ヒビや欠は等の発生がなく
、加工歩留やへ、ド性能に優れた複合磁気ヘッドを提供
することを目的とする。
熱膨張係数の整合性を図り、ヒビや欠は等の発生がなく
、加工歩留やへ、ド性能に優れた複合磁気ヘッドを提供
することを目的とする。
本発明者等は、上述の目的を達成せんものと種々の検討
を加えた結果、酸化物磁性材料の平均線熱膨張率が12
.5X10−6deg−’以上であれば、強磁性金属薄
膜との組み合わせによって仕じた歪を原因とするヒビ、
欠けの発生を抑制する効果が大であることを見出した。
を加えた結果、酸化物磁性材料の平均線熱膨張率が12
.5X10−6deg−’以上であれば、強磁性金属薄
膜との組み合わせによって仕じた歪を原因とするヒビ、
欠けの発生を抑制する効果が大であることを見出した。
ただし、この場合磁気コア材として高透磁率であること
が必要である。
が必要である。
このような観点から、マンガン亜鉛フェライトの組成に
ついてさらに研究を重ねた結果、第112]中斜線で囲
まれた領域の組成であれば、これらの要求を満たすこと
ができるとの知見を得るに至った。
ついてさらに研究を重ねた結果、第112]中斜線で囲
まれた領域の組成であれば、これらの要求を満たすこと
ができるとの知見を得るに至った。
本発明はかかる知見に裁づいて完成されたものであって
、Fe2O3aモル%、 ZnObモル%、 MnoC
モル%とからなり、その組成を(a、b、c)で表した
ときに、組成範囲が3元組成図で、A (54.0、0
、46,0) B (52,0,12,0,36,0)C(55,0,
15,0,30,0) D C5B2O.0.42.0) なるA点、B点2O点、D点で囲まれた範囲内にあるこ
とを特徴とするものである。
、Fe2O3aモル%、 ZnObモル%、 MnoC
モル%とからなり、その組成を(a、b、c)で表した
ときに、組成範囲が3元組成図で、A (54.0、0
、46,0) B (52,0,12,0,36,0)C(55,0,
15,0,30,0) D C5B2O.0.42.0) なるA点、B点2O点、D点で囲まれた範囲内にあるこ
とを特徴とするものである。
さらに本発明は、酸化物磁性材料よりなる磁気コアの少
なくとも磁気ギャップ部に強磁性金属薄膜が設けられて
なる複合磁気ヘッドにおいて、上記酸化物磁性材料は、
Fe2O3 aモル%、 ZnObモル%、 MnOc
モル%とからなり、その組成を(a。
なくとも磁気ギャップ部に強磁性金属薄膜が設けられて
なる複合磁気ヘッドにおいて、上記酸化物磁性材料は、
Fe2O3 aモル%、 ZnObモル%、 MnOc
モル%とからなり、その組成を(a。
b、 c)で表したときに、組成範囲が3元組成図で
、 A (54.0、0、46,0) B (52,0,12,0,36,0)C(55,0,
15,0,30,0) D (5B2O. 0. 42.0)なるA点、B点
2O点、D点で囲まれた範囲内にあるマンガン亜鉛フェ
ライトよりなることを特徴とするものである。
、 A (54.0、0、46,0) B (52,0,12,0,36,0)C(55,0,
15,0,30,0) D (5B2O. 0. 42.0)なるA点、B点
2O点、D点で囲まれた範囲内にあるマンガン亜鉛フェ
ライトよりなることを特徴とするものである。
FezO3,ZnO、MnOとからなるマンガン亜鉛フ
ェライトの組成範囲を、第1図中斜線で囲まれる領域と
することにより、平均線熱膨張係数12.5X10−6
deg−’以上が達成される。また、この’813’5
では、結晶磁気異方性に、=O近傍の領域であることか
ら、透磁率も確保される。
ェライトの組成範囲を、第1図中斜線で囲まれる領域と
することにより、平均線熱膨張係数12.5X10−6
deg−’以上が達成される。また、この’813’5
では、結晶磁気異方性に、=O近傍の領域であることか
ら、透磁率も確保される。
また、上述の組成範囲にあるマンガン亜鉛フェライトを
複合磁気ヘッドの酸化物磁性材料とすることにより、強
磁性金属薄膜止の熱膨張係数の整合性が図られ、磁気ヘ
ッド作成時のヒビや欠けの発生が抑制される。
複合磁気ヘッドの酸化物磁性材料とすることにより、強
磁性金属薄膜止の熱膨張係数の整合性が図られ、磁気ヘ
ッド作成時のヒビや欠けの発生が抑制される。
以下、本発明を具体的な実施例により説明する。
勿論、本発明がこれら実施例に限定されるものでないこ
とは言うまでもない。
とは言うまでもない。
先ず、Fezes 、 ZnO、MnOを所定量秤量し
、これら原料をステンレス!Il製ボールミルで混合し
乾燥した0次いでこれを粉砕し、再び成型したものを1
%の酸素を含む窒素雰囲気中において1100〜125
0℃で焼成し、多結晶マンガン亜鉛フェライト2式料と
した。
、これら原料をステンレス!Il製ボールミルで混合し
乾燥した0次いでこれを粉砕し、再び成型したものを1
%の酸素を含む窒素雰囲気中において1100〜125
0℃で焼成し、多結晶マンガン亜鉛フェライト2式料と
した。
上述の方法に従い、Fezes + ZnO、MnOの
組成比を変え、各種サンプルを作成してその平均線熱膨
張係数を調べた。なお、ここで平均線熱膨張係数は、1
00℃〜350℃での値とした。結果を第2図に示す。
組成比を変え、各種サンプルを作成してその平均線熱膨
張係数を調べた。なお、ここで平均線熱膨張係数は、1
00℃〜350℃での値とした。結果を第2図に示す。
なお、以下の図面でも同様であるが、図中の一点鎖線は
本発明のマンガン亜鉛フェライトの組成範囲を示す。ま
た、第2図中の数値は各組成点での熱膨張係数の値(X
10−’ deg−’)を示すもので、熱膨張係数がお
よそIIXIO−bdeg−’。
本発明のマンガン亜鉛フェライトの組成範囲を示す。ま
た、第2図中の数値は各組成点での熱膨張係数の値(X
10−’ deg−’)を示すもので、熱膨張係数がお
よそIIXIO−bdeg−’。
12X10−6deg−’、 13X10−’deg−
’、 14X10−’deg−’。
’、 14X10−’deg−’。
t5xio−’ deg−’となる領域を実線で示した
。
。
この第2図より、ZnOの割合が減少するにつれ熱膨張
係数が大きくなる傾向にあり、特にB点(52゜0.1
2.0.36.0)と0点(55,0,15,0,30
,0)とを結んだ線よりも図中下側に位置する領域では
、平均線熱膨張係数αが12.5 X 10− bde
g −’以上となることがわかる。
係数が大きくなる傾向にあり、特にB点(52゜0.1
2.0.36.0)と0点(55,0,15,0,30
,0)とを結んだ線よりも図中下側に位置する領域では
、平均線熱膨張係数αが12.5 X 10− bde
g −’以上となることがわかる。
また、これらサンプルの1kHz及びIMHzにおける
実効i3磁率を測定したところ、第3図及び第4図に示
すような結果が得られた。
実効i3磁率を測定したところ、第3図及び第4図に示
すような結果が得られた。
第3図は1kHzにおける実効透磁率を示すもので、図
中の数値は各組成点における実効透磁率の値を示す、第
41Mも同様で、図中の数値は各組成点でのIMIIz
における実効i3磁率の値を示す。
中の数値は各組成点における実効透磁率の値を示す、第
41Mも同様で、図中の数値は各組成点でのIMIIz
における実効i3磁率の値を示す。
一般に、マンガン亜鉛フェライトの透磁率は、作成条件
、原料選定及び測定条件等によって異なるが、結晶磁気
異方性に、−〇の線に近いほど高透磁率となる。第3図
及び第4図からも同様の傾向が認められ、したがって実
用的にはA点(54,0゜0、46.0)とB点(52
,0,12,0,36,0)を結ぶ線、及び0点(55
,0,15,0,30,0)とD点(58,0,0゜4
2.0)を結ぶ線より内側の領域であれば良い。
、原料選定及び測定条件等によって異なるが、結晶磁気
異方性に、−〇の線に近いほど高透磁率となる。第3図
及び第4図からも同様の傾向が認められ、したがって実
用的にはA点(54,0゜0、46.0)とB点(52
,0,12,0,36,0)を結ぶ線、及び0点(55
,0,15,0,30,0)とD点(58,0,0゜4
2.0)を結ぶ線より内側の領域であれば良い。
すなわち、A点(54.0、0、46,0)、B点(5
2,0゜12.0.36.0) 2O点(55,0,1
5,0,30,0)及びD点(5B2O.0.42.0
)で囲まれる領域では、熱膨張係数と透るn率の両者が
充分に実用範囲となる。
2,0゜12.0.36.0) 2O点(55,0,1
5,0,30,0)及びD点(5B2O.0.42.0
)で囲まれる領域では、熱膨張係数と透るn率の両者が
充分に実用範囲となる。
そこで、次に上記の方法で作成した多結晶体を白金るつ
ぼに入れ、酸素雰囲気中で1650℃程度の温度によっ
て溶融させ、底部より徐冷することにより単結晶化させ
る方法(ブリッジマン法)で単結晶サンプルを作成した
。
ぼに入れ、酸素雰囲気中で1650℃程度の温度によっ
て溶融させ、底部より徐冷することにより単結晶化させ
る方法(ブリッジマン法)で単結晶サンプルを作成した
。
そしてこれら単結晶サンプルについて多結晶サンプルと
同様に熱膨張係数や実効透磁率を測定したところ、同様
の傾向が確認された。例えば、熱膨張係数に関して言え
ば、多結晶サンプルにおける異常熱膨張の原因である自
発体積磁歪は等方的であるので、単結晶サンプルでも同
等の値を示したものと考えられる。
同様に熱膨張係数や実効透磁率を測定したところ、同様
の傾向が確認された。例えば、熱膨張係数に関して言え
ば、多結晶サンプルにおける異常熱膨張の原因である自
発体積磁歪は等方的であるので、単結晶サンプルでも同
等の値を示したものと考えられる。
そこで、上述の組成を有するマンガン亜鉛フェライトを
酸化物磁性材料として用い、複合磁気ヘッドを作成した
。
酸化物磁性材料として用い、複合磁気ヘッドを作成した
。
第5図は複合磁気ヘッドの一実施例を示す斜視図である
。
。
この複合磁気ヘッドは、上述のマンガン亜鉛フェライト
よりなる酸化物磁性材料(多結晶、単結晶のいずれでも
良い。)で構成される磁気コア部(1) 、 (2)の
突き当て面(la) 、 (2a)の両端部を円弧状に
切り欠き、これをトラック幅規制溝(lb) 、 (l
c) 。
よりなる酸化物磁性材料(多結晶、単結晶のいずれでも
良い。)で構成される磁気コア部(1) 、 (2)の
突き当て面(la) 、 (2a)の両端部を円弧状に
切り欠き、これをトラック幅規制溝(lb) 、 (l
c) 。
(2b) 、 (2c) とするとともに、これらトラ
ック幅規制4(1bL (lc)、 (2b)、 (2
c)内を含む前記突き当て面(la) 、 (2a)上
に強磁性金属薄膜(3) 、 (4)を被着形成し、こ
れら強磁性金属薄膜(3) 、 (、りの平行部分(3
a) 、 (4a)同士を突き合わせ、強((1性金属
薄膜(3) 、 (4)間に作動ギャップgを形成した
ものである。なお、上記トラック幅規制溝(lb) 、
(lc) 、 (2b) 。
ック幅規制4(1bL (lc)、 (2b)、 (2
c)内を含む前記突き当て面(la) 、 (2a)上
に強磁性金属薄膜(3) 、 (4)を被着形成し、こ
れら強磁性金属薄膜(3) 、 (、りの平行部分(3
a) 、 (4a)同士を突き合わせ、強((1性金属
薄膜(3) 、 (4)間に作動ギャップgを形成した
ものである。なお、上記トラック幅規制溝(lb) 、
(lc) 、 (2b) 。
(2c)内には、ガラス等の非磁性材(6) 、 (7
)が充填され、磁気記録媒体に対する当たりを確保する
ようになっている。かかる構成の磁気ヘッドは、トラン
ク幅Twを強磁性金属薄膜(3)、(4)の膜厚とは無
関係に設定することができるので、特にある程度広いト
ランク幅を必要とする場合に好適である。
)が充填され、磁気記録媒体に対する当たりを確保する
ようになっている。かかる構成の磁気ヘッドは、トラン
ク幅Twを強磁性金属薄膜(3)、(4)の膜厚とは無
関係に設定することができるので、特にある程度広いト
ランク幅を必要とする場合に好適である。
ここで、一方の磁気コア部(2)の突き当て面(2a)
のバックギャップ側の中途部には、所定の形状の巻線窓
(5)が穿設され、図示は省略するが、この巻線窓(5
)を介してコイル導体を巻回し、このコイル導体に電流
を供給することにより記録ヘッドとして動作し、また逆
に磁気コア部(2)に発生する磁束を電気信号として取
り出すことにより再生ヘッドとして動作するようになっ
ている。
のバックギャップ側の中途部には、所定の形状の巻線窓
(5)が穿設され、図示は省略するが、この巻線窓(5
)を介してコイル導体を巻回し、このコイル導体に電流
を供給することにより記録ヘッドとして動作し、また逆
に磁気コア部(2)に発生する磁束を電気信号として取
り出すことにより再生ヘッドとして動作するようになっ
ている。
上記磁気ヘッドにおいて、強磁性金属薄膜(3)。
(4)は、Fe−Al−3i系合金やアモルファス合金
(例えばFe、Ni、Coの一つ以上の元素とP、C,
B、Siの一つ以上の元素とからなる所謂メタル−メタ
ロイド系アモルファス合金や、これらを主成分としてA
I。
(例えばFe、Ni、Coの一つ以上の元素とP、C,
B、Siの一つ以上の元素とからなる所謂メタル−メタ
ロイド系アモルファス合金や、これらを主成分としてA
I。
Gc、Be、Sn、In+Mo、W、Ti、Mn、Cr
、Zn、llf、Nb等を含んだメタル−メタロイド系
アモルファス合金、あるいはCo等の遷移金属とHf、
Zr等の希土類元素を主成分とする所謂メタル−メタル
系アモルファス合金等)、Fe−Al系合金、Fe−3
i系合金、Fe−Co−5i系合金、Fe−Ni系合金
、Fe−Ga−5i系合金等の強磁性金属材料により構
成されるが、上記磁気コア部(1) 、 (2)が熱膨
張係数が12.5X10−6deg −’以上のマンガ
ン亜鉛フェライトにより構成されているので、例えば上
記強磁性金属薄膜(3) 、 (4)の膜付は時やガラ
ス融着時等に、金属薄膜(3)、(4)の剥がれや磁気
コア部(1) 、 (2)のマイクロクランク、チッピ
ング、ヒビ、欠は等の発生が非常に少なくなる。
、Zn、llf、Nb等を含んだメタル−メタロイド系
アモルファス合金、あるいはCo等の遷移金属とHf、
Zr等の希土類元素を主成分とする所謂メタル−メタル
系アモルファス合金等)、Fe−Al系合金、Fe−3
i系合金、Fe−Co−5i系合金、Fe−Ni系合金
、Fe−Ga−5i系合金等の強磁性金属材料により構
成されるが、上記磁気コア部(1) 、 (2)が熱膨
張係数が12.5X10−6deg −’以上のマンガ
ン亜鉛フェライトにより構成されているので、例えば上
記強磁性金属薄膜(3) 、 (4)の膜付は時やガラ
ス融着時等に、金属薄膜(3)、(4)の剥がれや磁気
コア部(1) 、 (2)のマイクロクランク、チッピ
ング、ヒビ、欠は等の発生が非常に少なくなる。
例えば、Fe−Al−3i系合金であるセンダストの平
均線熱膨張係数αは、およそ15.7X10−I′de
g −’であるので、マンガン亜鉛フェライトの組成を
選択することにより、これとほぼ同一の熱膨張係数とす
ることができ、整合性の点で極めて好適であると言える
。
均線熱膨張係数αは、およそ15.7X10−I′de
g −’であるので、マンガン亜鉛フェライトの組成を
選択することにより、これとほぼ同一の熱膨張係数とす
ることができ、整合性の点で極めて好適であると言える
。
本発明は、上記の複合磁気ヘッドばかりでなく、例えば
第6図に示すような構成の複合磁気へノドにも適用可能
である。
第6図に示すような構成の複合磁気へノドにも適用可能
である。
本実施例の複合磁気へノドにおいては、磁気コア半休の
大部分を占める磁気コア部(11) 、 (12)は、
やはり上述の組成を存するマンガン亜鉛フェライトで構
成され、これら磁気コア部(11)、(12)の突き当
て面を磁気記録媒体対接面から見たときに斜めに切り欠
いた傾斜面(lla) 、 (12a)には、フロント
ギャップからバックギャップに至るまで高飽和磁束密度
を有する強磁性金属薄膜(13) 、 (14)が被着
形成されている。突き当て面(lla) 、 (12a
)に対して斜めに配置された強磁性金属薄膜(13)
、 (14)は、磁気記録媒体対接面で略−直線状に連
なる如く突き合わされ、作動ギャップGが形成されてい
る。
大部分を占める磁気コア部(11) 、 (12)は、
やはり上述の組成を存するマンガン亜鉛フェライトで構
成され、これら磁気コア部(11)、(12)の突き当
て面を磁気記録媒体対接面から見たときに斜めに切り欠
いた傾斜面(lla) 、 (12a)には、フロント
ギャップからバックギャップに至るまで高飽和磁束密度
を有する強磁性金属薄膜(13) 、 (14)が被着
形成されている。突き当て面(lla) 、 (12a
)に対して斜めに配置された強磁性金属薄膜(13)
、 (14)は、磁気記録媒体対接面で略−直線状に連
なる如く突き合わされ、作動ギャップGが形成されてい
る。
勿論、この磁気ヘッドにおいても、一方の磁気コア部(
12)に巻線窓(15)が穿設され、コイル導体が巻回
されるとともに、作動ギャップG近傍にはガラス等の非
磁性材(16) 、 (17)が充填されることは同様
である。
12)に巻線窓(15)が穿設され、コイル導体が巻回
されるとともに、作動ギャップG近傍にはガラス等の非
磁性材(16) 、 (17)が充填されることは同様
である。
また、本実施例の磁気ヘッドにおいて、強磁性金属gl
膜(t3)、 (14) としては第5図に示すものと
同様の強磁性金属材料が使用されるが、この場合にも磁
気コア部(11) 、 (12)が熱膨張係数が12.
5X10−”deg−’以上のマンガン亜鉛フェライト
により構成されているので、加工歩留やヘッドの性能等
に優れたものとなっている。
膜(t3)、 (14) としては第5図に示すものと
同様の強磁性金属材料が使用されるが、この場合にも磁
気コア部(11) 、 (12)が熱膨張係数が12.
5X10−”deg−’以上のマンガン亜鉛フェライト
により構成されているので、加工歩留やヘッドの性能等
に優れたものとなっている。
以上、本発明の実施例について説明したが、本発明はこ
れら実施例ばかりでなく、酸化物磁性材料と強磁性金属
薄膜との複合体を磁気コアとする磁気ヘッドであれば如
何なる構造、形状を有する重合磁気ヘッドにも適用可能
である。
れら実施例ばかりでなく、酸化物磁性材料と強磁性金属
薄膜との複合体を磁気コアとする磁気ヘッドであれば如
何なる構造、形状を有する重合磁気ヘッドにも適用可能
である。
以上の実施例の説明からも明らかなように、本発明にお
いては、マンガン亜鉛フェライトの組成を所定の組成範
囲(第1図中斜線で示す領域)に設定しているので、熱
膨張係数を強磁性金属材料に近い値に設定することがで
き、これらとの整合性をとるうえで有利であるばかりか
、透磁率の点でも実用範囲にあり、非常に有用である。
いては、マンガン亜鉛フェライトの組成を所定の組成範
囲(第1図中斜線で示す領域)に設定しているので、熱
膨張係数を強磁性金属材料に近い値に設定することがで
き、これらとの整合性をとるうえで有利であるばかりか
、透磁率の点でも実用範囲にあり、非常に有用である。
また、本発明の複合磁気ヘッドにおいては、前記組成範
囲のマンガン亜鉛フェライトを酸化物磁性材料としてい
るので、強磁性金属薄膜との間に発生する残留応力が大
幅に低減され、この残留応力が原因で発生していた様々
な損傷9例えば強磁性金属薄膜の膜剥がれや酸化物磁性
材料よりなる磁気コアのマイクロクランク、加工時のチ
ッピング等が解消される。これらの損傷はヘッド特性に
も悪影響を及ぼすものであるので、加工歩留のみならず
ヘッド性能にも優れた複合磁気ヘッドを提供することが
可能となる。
囲のマンガン亜鉛フェライトを酸化物磁性材料としてい
るので、強磁性金属薄膜との間に発生する残留応力が大
幅に低減され、この残留応力が原因で発生していた様々
な損傷9例えば強磁性金属薄膜の膜剥がれや酸化物磁性
材料よりなる磁気コアのマイクロクランク、加工時のチ
ッピング等が解消される。これらの損傷はヘッド特性に
も悪影響を及ぼすものであるので、加工歩留のみならず
ヘッド性能にも優れた複合磁気ヘッドを提供することが
可能となる。
第1図は本発明を適用したマンガン亜鉛フェライトの組
成範囲を示す3元組成図である。 第2図はマンガン亜鉛フェライトの膨張係数の組成依存
性を示す3元組成図、第3図はマンガン亜鉛フェライト
の実効透磁率(1kHz)の組成依存性を示す3元組成
図、第4図はマンガン亜鉛フェライトの実効透磁率(I
MIlz)の組成依存性を示す3元組成図である。 第5図は本発明を適用した複合磁気ヘッドの一例を示す
斜視図であり、第6図は本発明を適用した複合磁気ヘッ
ドの他の例を示す斜視図である。
成範囲を示す3元組成図である。 第2図はマンガン亜鉛フェライトの膨張係数の組成依存
性を示す3元組成図、第3図はマンガン亜鉛フェライト
の実効透磁率(1kHz)の組成依存性を示す3元組成
図、第4図はマンガン亜鉛フェライトの実効透磁率(I
MIlz)の組成依存性を示す3元組成図である。 第5図は本発明を適用した複合磁気ヘッドの一例を示す
斜視図であり、第6図は本発明を適用した複合磁気ヘッ
ドの他の例を示す斜視図である。
Claims (2)
- (1)Fe_2O_3 aモル%、ZnO bモル%、
MnO cモル%とからなり、その組成を(a、b、c
)で表したときに、組成範囲が3元組成図で、 A(54.0、0、46.0) B(52.0、12.0、36.0) C(55.0、15.0、30.0) D(58.0、0、42.0) なるA点、B点、C点、D点で囲まれた範囲内にあるこ
とを特徴とするマンガン亜鉛フェライト。 - (2)酸化物磁性材料よりなる磁気コアの少なくとも磁
気ギャップ部に強磁性金属薄膜が設けられてなる複合磁
気ヘッドにおいて、 上記酸化物磁性材料は、Fe_2O_3 aモル%、Z
nO bモル%、MnO cモル%とからなり、その組
成を(a、b、c)で表したときに、組成範囲が3元組
成図で、 A(54.0、0、46.0) B(52.0、12.0、36.0) C(55.0、15.0、30.0) D(58.0、0、42.0) なるA点、B点、C点、D点で囲まれた範囲内にあるマ
ンガン亜鉛フェライトよりなることを特徴とする複合磁
気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61315057A JPS63168006A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | マンガン亜鉛フエライト及び複合磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61315057A JPS63168006A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | マンガン亜鉛フエライト及び複合磁気ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63168006A true JPS63168006A (ja) | 1988-07-12 |
Family
ID=18060918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61315057A Pending JPS63168006A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | マンガン亜鉛フエライト及び複合磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63168006A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0425002A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Mn―Zn単結晶フェライトおよび磁気ヘッド |
JPH0461102A (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Mn―Znフェライト単結晶および磁気ヘッド |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP61315057A patent/JPS63168006A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0425002A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Mn―Zn単結晶フェライトおよび磁気ヘッド |
JPH0461102A (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Mn―Znフェライト単結晶および磁気ヘッド |
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