JPS63167174U - - Google Patents

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JPS63167174U
JPS63167174U JP5954487U JP5954487U JPS63167174U JP S63167174 U JPS63167174 U JP S63167174U JP 5954487 U JP5954487 U JP 5954487U JP 5954487 U JP5954487 U JP 5954487U JP S63167174 U JPS63167174 U JP S63167174U
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JP
Japan
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temperature
bath
crystal
single crystal
slow cooling
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Application number
JP5954487U
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  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案に係る徐冷法単結晶作製装置の
概略構成図、第2図は本考案装置を構成する結晶
作製槽の概略構成図、第3図は本考案に係る徐冷
法単結晶作製装置の温度制御方式の概略図、第4
図は従来の徐冷法単結晶作製の概略構成図である
。 3……恒温槽、6……電源、8……温度制御装
置、9……白金抵抗測温体、10……単結晶作製
槽、11……除震台、12……内槽、13……外
槽、14……温度媒体循環パイプ、15……断熱
材、16……蓋部、17……観察窓、18……覆
い蓋、19……シール材、20……サイリスタ、
21……温度調節計、22……プログラマー、2
3……インプツトコンバータ、24……マルチレ
ンジモジユール。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 内部に有機または無機化合物の飽和溶液が
    入れられる結晶作製槽と、この結晶作製槽内の温
    度を制御するための恒温槽と、前記恒温槽中の温
    度媒体を加熱するヒータを前記結晶作製槽及び前
    記恒温槽の両方または一方の測温体電圧に基づい
    て制御する温度調節計とを各々少なくとも1つ以
    上有してなり、 前記有機または無機化合物の飽和溶液を種結晶
    の存在下または非存在下で緩やかに冷却し、その
    化合物の溶解度の減少により析出させて単結晶を
    作製する徐冷法単結晶作製装置であつて、 前記結晶作製槽及び前記恒温槽の両方あるいは
    一方の温度調節を任意の温度範囲を温度調節計の
    入力電圧に割り当てることのできるマルチレンジ
    モジユールを介した前記温度調節計により行なう
    ようにしたことを特徴とする徐冷法単結晶作製装
    置。 (2) 前記恒温槽と結晶作製槽とを分離状態で設
    置し、かつ結晶作製槽を除震台上に設置したこと
    を特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項に記
    載の徐冷法単結晶作製装置。 (3) 結晶作製温度範囲が室温から99.9°C
    、温度精度が±0.05°C以下、最小温度勾配
    が1日あたり0.1°Cであることを特徴とする
    実用新案登録請求の範囲第1項および第2項に記
    載の徐冷法単結晶作製装置。
JP5954487U 1987-04-20 1987-04-20 Pending JPS63167174U (ja)

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JP5954487U JPS63167174U (ja) 1987-04-20 1987-04-20

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JP5954487U JPS63167174U (ja) 1987-04-20 1987-04-20

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JPS63167174U true JPS63167174U (ja) 1988-10-31

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