JPS63165747A - Amorphous semiconductor ion sensor - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は非晶質半導体イオンセンサに関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to an amorphous semiconductor ion sensor.
さらに詳しくは、能動領域として非晶質半導体を使用し
た電解液中のイオンに対する応答性の良い電界効果形ト
ランジスタからなるイオンセンサに関する。More specifically, the present invention relates to an ion sensor comprising a field effect transistor that uses an amorphous semiconductor as an active region and has good responsiveness to ions in an electrolytic solution.
［従来の技術および発明が解決しようとする問題点］
従来、電界中のイオン濃度を検知するセンサとしては、
電解液効果形トランジスタとイオン感応膜を組合わせた
いわゆる半導体電解効果形イオンセンサなるもの（ｌ５
ＰＥＴとも呼ばれている）がある。これの構造は絶縁ゲ
ート形電解効果トランジスタとほぼ同様であるが、該ト
ランジスタのゲートには、金属のかわりに電気絶縁膜お
よびこの上に形成されたイオン感応膜ををする。かかる
ｌ５ＦＥＴにおいては、ゲート上の電気絶縁膜と電解液
との間に電解液中のイオン濃度や活量によって決まる電
位が生じ、これによってゲート絶縁膜下の半導体表面の
導電率が変わり、さらにこれによってソース電極とドレ
イン電極との間の電流値が変わることにより電解液中の
イオン濃度が検知される。[Prior art and problems to be solved by the invention] Conventionally, as a sensor for detecting ion concentration in an electric field,
The so-called semiconductor electrolytic effect ion sensor (l5) is a combination of an electrolyte effect transistor and an ion-sensitive membrane.
(also called PET). The structure of this transistor is almost the same as that of an insulated gate field effect transistor, but the gate of the transistor has an electrically insulating film and an ion-sensitive film formed thereon instead of metal. In such a 15FET, a potential determined by the ion concentration and activity in the electrolyte is generated between the electrical insulating film on the gate and the electrolyte, which changes the conductivity of the semiconductor surface under the gate insulating film. The ion concentration in the electrolyte is detected by changing the current value between the source electrode and the drain electrode.
このようなｌ５ＰＥＴとしては、従来、例えば半導体層
としてバルク状シリコンウェーハを使用し、これを酸化
タンクルなどのイオン感応膜で被覆した構造の結晶シリ
コン半導体イオンセンサがある。しかしかかるイオンセ
ンサを製造するばあいにおいては、イオン感応膜で被覆
されていないイオンセンサの部分を被測定溶液である電
解液から絶縁するために、この部分が電気絶縁膜で被覆
される必要がある。しかしながら、このような被覆をと
もなう結晶シリコン半導体イオンセンサの製造は、その
工程が複雑になるという問題がある。As such 15PET, there has conventionally been a crystalline silicon semiconductor ion sensor having a structure in which, for example, a bulk silicon wafer is used as a semiconductor layer and this is covered with an ion-sensitive film such as an oxide tank. However, when manufacturing such an ion sensor, in order to insulate the part of the ion sensor that is not covered with the ion-sensitive membrane from the electrolyte that is the solution to be measured, it is necessary to cover this part with an electrically insulating film. be. However, manufacturing a crystalline silicon semiconductor ion sensor with such a coating has a problem in that the process is complicated.
そしてこのような欠点を取り除くために、木材、栗山、
州名二電子材料、Ｖｏ１２３ 、Ｎｏ、１２．１９８４
、に記載されているようにサファイア基板上に島状のシ
リコン層を形成する方法が考案されている。かかる方法
によって製造されたｌ５ＦＥＴにおいては、サファイア
が良好な絶縁体であるため基板領域の絶縁が容品に達成
されるという利点があるが、サファイアが高価であるた
め、このようなｌ５ＰＥＴの製造コストが高くなるとい
う欠点がある。And in order to eliminate such drawbacks, wood, Kuriyama,
Shuumei 2 Electronic Materials, Vo123, No. 12.1984
, a method of forming an island-shaped silicon layer on a sapphire substrate has been devised. The 15FET manufactured by this method has the advantage that the insulation of the substrate region can be successfully achieved because sapphire is a good insulator, but since sapphire is expensive, the manufacturing cost of such 15PET is low. The disadvantage is that it is expensive.
そしてさらに、このような欠点を取り除くために、既に
本出願人によってシランガスなどを例えば１３．５８Ｍ
Ｈｚの高周波でグロー放本分解し、ガラスやプラスチッ
クなどの廉価な基板上に低温下で非晶質半導体層を形成
してｌ５ＦＥＴを製造する方法が提案されている。しか
しながらかかる方法によって製造されたｌ５ＰＥＴにお
いては、一般に非晶質半導体の易動度の値が結晶半導体
のそれと比較して小さいことから、被測定液のイオン濃
度に対するｌ５ＦＥＴの応答性が劣るという問題がある
。Furthermore, in order to eliminate such drawbacks, the present applicant has already used silane gas, etc., for example, at 13.58M.
A method has been proposed in which an 15FET is manufactured by performing glow-release decomposition using a high frequency of Hz and forming an amorphous semiconductor layer at a low temperature on an inexpensive substrate such as glass or plastic. However, in the 15PET manufactured by such a method, since the mobility value of an amorphous semiconductor is generally smaller than that of a crystalline semiconductor, there is a problem that the response of the 15FET to the ion concentration of the liquid to be measured is poor. be.
本発明は以上のような問題点を解決するためになされた
もので、ｌ５ＦＥＴの製造工程が複雑でない廉価なしか
も被測定液のイオン濃度に対する応答の早い非晶質半導
体イオンセンサを提供することを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and aims to provide an inexpensive amorphous semiconductor ion sensor that does not require a complicated manufacturing process of the 15FET and has a quick response to the ion concentration of the liquid to be measured. purpose.
Ｅ問題点を解決するための手段］
本発明による非晶質半導体イオンセンサは、絶縁性基板
上に、金属からなるソース電極とドレイン電極を有し、
該両電極で上下に挟まれた非晶質半導体層からなる能動
領域を有し、該能動領域である非晶質半導体層の側面が
電気絶縁膜および／またはイオン感応膜で覆われている
ものからなる。Means for Solving Problem E] The amorphous semiconductor ion sensor according to the present invention has a source electrode and a drain electrode made of metal on an insulating substrate,
It has an active region made of an amorphous semiconductor layer sandwiched above and below by the two electrodes, and the side surface of the amorphous semiconductor layer that is the active region is covered with an electrically insulating film and/or an ion-sensitive film. Consisting of
本発明は電解効果形非晶質半導体イオンセンサにおいて
、イオン濃度に対する応答速度を早くすることを目的と
しているが、一般に電解効果形トランジスタの前記応答
速度を早くする一つの方法としては、前記電解効果形ト
ランジスタのゲート長を短かくする方法がある。しかし
ながら能動領域である半導体層の表面方向にゲート長を
とりこの面内でこのゲート長を短くすることには、フォ
トリソグラフィーなどによる加工上の限界がある。そこ
で本発明の非晶質半導体イオンセンサにおいては前記ゲ
ート長の方向が半導体層の厚さ方向となっており、これ
によりゲート長を短くすることができる。そしてこのば
あいにはゲート長の値を１００人程度にすることも可能
である。このようにして、非晶質半導体を使用したｌ５
ＦＥＴにおいても、非晶質半導体の易動度の値が結晶性
半導体に比べて小さいことにより、イオンセンサとして
の応答速度が遅くなることを補填でき、前記応答速度の
早い非晶質半導体イオンセンサをうることができる。The present invention aims to increase the response speed to ion concentration in a field effect type amorphous semiconductor ion sensor. Generally speaking, one method for increasing the response speed of a field effect transistor is to There is a way to shorten the gate length of a type transistor. However, there are limits to processing by photolithography or the like in increasing the gate length in the direction of the surface of the semiconductor layer, which is the active region, and shortening the gate length within this plane. Therefore, in the amorphous semiconductor ion sensor of the present invention, the direction of the gate length is the thickness direction of the semiconductor layer, so that the gate length can be shortened. In this case, it is also possible to set the gate length to about 100 people. In this way, l5 using an amorphous semiconductor
Even in FETs, since the mobility value of amorphous semiconductors is smaller than that of crystalline semiconductors, it is possible to compensate for the slow response speed as an ion sensor, and the above-mentioned amorphous semiconductor ion sensor with a fast response speed can be used. can be obtained.
［実施例］
以下、本発明による非晶質半導体イオンセンサをその実
施例を示す図によって説明する。第１〜５図は本発明に
よる非晶質半導体イオンセンサの一実施例を示す図であ
る。[Example] Hereinafter, an amorphous semiconductor ion sensor according to the present invention will be explained with reference to figures showing examples thereof. 1 to 5 are diagrams showing an embodiment of an amorphous semiconductor ion sensor according to the present invention.
第１図は本発明の一実施例である非晶質半導体イオンセ
ンサの平面図であり、第２図は第１図におけるＡ−Ａ線
断面図であり、第３図は第１図におけるＢ−Ｂ線断面図
であり、第４図は第１図におけるＣ−Ｃ線断面図であり
、第５図は第１図におけるＤ−Ｃ線断面図である。図に
おいて（１）は縦断面および横断面が長方形であるガラ
スからなる絶縁基板である。絶縁基板（１）の表面上で
あって第１図で示す左端部（以下、上、下、左、右は第
１〜５図の各図におけるものを示す。また第２〜５図に
おける上、下、左、右を示すばあいには、例えば第２図
左のように記す。）および上端部にはこれらの端部に沿
って略り字形のクロムからなるドレイン電極（２）が真
空蒸着法により固着して形成されている。そしてドレイ
ン電極（２の左下端は、絶縁基板（１）の幅方向の上端
からその横幅のほぼ２／３の距離の位置まで伸びて形成
されている。FIG. 1 is a plan view of an amorphous semiconductor ion sensor according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A in FIG. 1, and FIG. 4 is a sectional view taken along line C-C in FIG. 1, and FIG. 5 is a sectional view taken along line D-C in FIG. 1. In the figure, (1) is an insulating substrate made of glass and having a rectangular longitudinal section and a rectangular cross section. On the surface of the insulating substrate (1), the left end shown in FIG. , bottom, left, and right, for example, as shown on the left in Figure 2), and a drain electrode (2) made of abbreviated chromium is placed along the top edge of the vacuum. It is fixedly formed using a vapor deposition method. The lower left end of the drain electrode (2) is formed to extend from the upper end in the width direction of the insulating substrate (1) to a position approximately two-thirds of the width thereof.
また絶縁基板（１）の表面上の左端部および下端部には
これらの端部に沿って逆り字形のクロムからなるソース
電極（３）がドレイン電極（２）と同様にして形成され
ているが、ソース電極（３）の左端部は第３図で示すよ
うにソース電極（３）の左下端部より２段上りの階段状
に形成されており、ソース電極（３）の左上端は、絶縁
基板（１）の幅方向の下端からその横幅のほぼ２／３の
距離の位置まで伸びて形成されている。そしてドレイン
電極（２）の左下端部とソース電極（３）の左上端部と
は段違になっていて、これらの間には、１０００人の一
定間隔の隙間が形成されている。そしてこの隙間を充填
する形で、一段上りの階段状の非晶質シリコンからなる
非晶質半導体層（４）が形成されている。そして非晶質
半導体層（４）の１段目の部分は絶縁基板（１）の第３
図上面に形成され、非晶質半導体層（４）の２段目の部
分はドレイン電極（２１の第３図上面に形成されており
、かかる形成は、シランガスとホスフィンガスを水素ガ
スで希釈した混合ガスを、１３．５６Ｍ！Ｉｚの高周波
でグロー放電分解することによって行なわれる。そして
ドレイン電極（′２Ｊとソース電極（３）のそれぞれの
右端部はそれらの他の部分より少し幅広に形成されてお
り、この右端部を除く該他の部分および非晶質半導体層
（４）を完全に覆う形でかつ絶縁基板（１）の前記右端
に対応する部分を除くほぼ全面を覆う形で酸化シリコン
からなる電気絶縁膜（５）が形成されている。この電気
絶縁膜（９はシランガスと笑気ガス（Ｎ２０ガス）との
混合ガスを１３．５６ＭＨ２の高周波でグロー放電分解
することにより形成されている。そして第２図および第
３図で示すように、電気絶縁膜（５）の上面であって、
ドレイン電極（２）の左下端部とソース電極０）の左」
下端部とこれらに介装された非晶質半導体層（４）の部
分を覆う電気絶縁層（５）の凸状部（５ａ）の第２図左
側および第２図右側には、それぞれ前記凸状部（５ａ）
の側壁上端から絶縁基板（１）の平坦部上面に沿って横
断面が略し字状となっているイオン感応膜（６）、（６
）が形成されている。イオン感応膜（６）、＋６）は窒
化シリコンからなり、シランガスとアンモニアガスの混
合ガスを１３．５ｆ３ＭＨｚの高周波でグロー放電分解
することによって形成されている。Further, an inverted-shaped source electrode (3) made of chromium is formed along the left end and bottom end of the surface of the insulating substrate (1) in the same manner as the drain electrode (2). However, as shown in FIG. 3, the left end of the source electrode (3) is shaped like a step two steps higher than the lower left end of the source electrode (3), and the upper left end of the source electrode (3) is It is formed extending from the lower end of the insulating substrate (1) in the width direction to a position approximately two-thirds of the width thereof. The lower left end of the drain electrode (2) and the upper left end of the source electrode (3) are at different levels, and a gap of 1000 people is formed between them. A step-like amorphous semiconductor layer (4) made of amorphous silicon is formed to fill this gap. The first stage part of the amorphous semiconductor layer (4) is the third stage part of the insulating substrate (1).
The second stage part of the amorphous semiconductor layer (4) is formed on the top surface of the drain electrode (21) in FIG. This is done by glow discharge decomposition of a mixed gas at a high frequency of 13.56M! Silicon oxide is applied to the insulating substrate (1) in such a way as to completely cover the other parts except for this right end and the amorphous semiconductor layer (4), and to cover almost the entire surface of the insulating substrate (1) except for the part corresponding to the right end. An electrical insulating film (5) is formed.This electrical insulating film (9) is formed by glow discharge decomposition of a mixed gas of silane gas and laughing gas (N20 gas) using a high frequency of 13.56 MH2. As shown in FIGS. 2 and 3, the upper surface of the electrical insulating film (5)
The lower left end of the drain electrode (2) and the left of the source electrode (0)
The convex portion (5a) of the electrical insulating layer (5) covering the lower end portion and the portion of the amorphous semiconductor layer (4) interposed therebetween has the convex portions on the left side and right side of FIG. 2, respectively. shaped part (5a)
The ion-sensitive membranes (6), (6
) is formed. The ion sensitive membranes (6), +6) are made of silicon nitride and are formed by glow discharge decomposition of a mixed gas of silane gas and ammonia gas at a high frequency of 13.5 f3 MHz.
つぎに以上のような構成からなる本実施例の非晶質半導
体イオンセンサの動作について第６図により説明する。Next, the operation of the amorphous semiconductor ion sensor of this embodiment having the above configuration will be explained with reference to FIG.
第６図はソースフォロワ法によるイオン濃度測定回路を
示している。この回路ではＶｄｓ （ドメインソース
電圧）が一定に保たれ、Ｉｄ （ドレイン電流）が一定
となるように定電流回路が用いられている。ここでＶｄ
ｓは数Ｖ程度にしている。FIG. 6 shows an ion concentration measuring circuit using the source follower method. In this circuit, a constant current circuit is used so that Vds (domain source voltage) is kept constant and Id (drain current) is kept constant. Here Vd
s is set to about several volts.
被測定液（電解質）のイオンｌ慶度や活量によってゲー
ト絶縁膜下の半導体表面の導電率が変化するが、Ｉｄが
一定となるようにしているのでゲート絶縁膜と被測定液
との界面電位の変化はソース電位（Ｖｏｕｔ）の変化と
して検出される。このようにして本実施例の非晶質半導
体イオンセンサがイオンセンサとして機能するが、非晶
質半導体層（４）はその厚さが１０００人程度０非常に
薄いものとなっているため、ゲート長を非常に短かくで
き、イオン濃度や活量に対する本実施例の非晶質半導体
イオンセンサの応答速度を早くすることができる。The conductivity of the semiconductor surface under the gate insulating film changes depending on the ion purity and activity of the liquid to be measured (electrolyte), but since Id is kept constant, the interface between the gate insulating film and the liquid to be measured changes. A change in potential is detected as a change in source potential (Vout). In this way, the amorphous semiconductor ion sensor of this embodiment functions as an ion sensor, but since the amorphous semiconductor layer (4) has a very thin thickness of approximately 1000 mm, the gate The length can be made very short, and the response speed of the amorphous semiconductor ion sensor of this embodiment to ion concentration and activity can be increased.
なお、前記実施例における絶縁基板（１）、ドレイン電
極（２）、ソース電極（３）、非晶質半導体層（４）、
電気絶縁膜（５）およびイオン感応膜（６）、（６）の
材質は前記実施例のものに限定されるものではなく、彼
？１Ｉ１１定液の種類およびイオンセンサの使用条件な
どによって適宜の他の材料も使用できる。またドレイン
電極（２、ソース電極（３）、非晶質半導体層（４）、
電気絶縁膜（５）およびイオン感応膜（６）、（６）の
形成方法も前記実施例のものに限定されるものではなく
他の方法であってもよい。また前記実施例においてはイ
オン感応膜（６）、（６）が電−（絶縁膜（５）の凸状
部（５ａ）の両側に設けられているばあいについて示し
たが、これはいずれ力）−）ｊの側に設けられたもので
あ−コでもよ（１゜また前記実施例においては、ソース
電トμ０）の左１．端部がドレインｒｈ ｈｐ （′２
Ｊの左ド端部よｌ） ＪＬ Ｉ’）に設けられたばあい
について示した力（、これ（よ逆であってもよい。Note that the insulating substrate (1), drain electrode (2), source electrode (3), amorphous semiconductor layer (4),
The materials of the electrical insulating film (5) and the ion-sensitive films (6) are not limited to those in the above embodiments. Other appropriate materials can also be used depending on the type of 1I11 constant solution and the usage conditions of the ion sensor. In addition, the drain electrode (2), the source electrode (3), the amorphous semiconductor layer (4),
The methods of forming the electrical insulating film (5) and the ion-sensitive films (6), (6) are not limited to those of the above embodiments, and other methods may be used. Furthermore, in the above embodiment, the ion-sensitive films (6), (6) are provided on both sides of the convex portion (5a) of the insulating film (5); )-)j (1°, and in the above embodiment, the left side of the source voltage μ0). The end is the drain rh hp ('2
The force shown for the case where the force is provided at the left end of JL I') may be reversed.
［発明の効果］
本発明の非＾１’Ｉ Ｏ’ｌ’導体イオンセンサ１！１
ス上（りように構成されているので、グローｈ’ｔ、
ｍ Ｚ）解１人により電気絶縁膜を形成するｔｉどして
、千（ｇ（；かつ完全に非晶質半導体層などの本発明の
イオンセンサの所望の部分を被測定溶液から絶縁分離で
き、さらにそれは、長さが長い絶縁基板を使用し、ソー
ス電極およびドレイン電極と、外部回路との配線接続を
完了した後に、前記所望の部分を電気絶縁膜で被覆する
ことにより容易に行なうことができる。[Effect of the invention] Non^1'I O'l' conductor ion sensor 1!1 of the present invention
It's configured like this, so it doesn't glow,
Solution It is possible to insulate and separate a desired part of the ion sensor of the present invention, such as a completely amorphous semiconductor layer, from a solution to be measured by using one person to form an electrically insulating film. Furthermore, this can be easily accomplished by using a long insulating substrate and covering the desired portion with an electrically insulating film after completing wiring connections between the source electrode and the drain electrode and the external circuit. can.
また本発明においては、絶縁基板上での非晶質半導体層
や電気絶縁膜の形成が、シランガスなどのガスをグロー
放電分解することにより低温下で容易に行なうことがで
きるため、絶縁基板の材料としてサファイアのような高
価なものでなく、ガラスやプラスチックあるいは表面を
酸化処理し樹脂などで被覆して絶縁した金属なども使用
できるので、廉価な非晶質半導体イオンセンサを製造す
ることができる。そしてさらに本発明の非晶質半導体イ
オンセンサにおいては、そのゲート長の方向が非晶質半
導体層の膜厚方向となっているので、非晶質半導体の膜
厚を薄くすることにより被測定液中の特定イオン濃度に
対する本発明のイオンセンサの応答速度を早くできる効
果がある。In addition, in the present invention, the formation of an amorphous semiconductor layer and an electrical insulating film on an insulating substrate can be easily performed at low temperatures by glow discharge decomposition of a gas such as silane gas. Instead of using expensive materials such as sapphire, glass, plastic, or metal whose surface has been oxidized and coated with resin or the like to insulate it can be used, making it possible to manufacture inexpensive amorphous semiconductor ion sensors. Furthermore, in the amorphous semiconductor ion sensor of the present invention, since the direction of the gate length is the film thickness direction of the amorphous semiconductor layer, by reducing the film thickness of the amorphous semiconductor layer, the measured liquid This has the effect of increasing the response speed of the ion sensor of the present invention to the concentration of specific ions in the ion sensor.
第１図は本発明の一実施例である非晶質半導体イオンセ
ンサの平面図、第２図は第１図におけるＡ−Ａ線断面図
、第３図は第１図におけるＢ−Ｄ線断面図、第４図は第
１図におけるＣ−Ｃ線断面図、第５図は第１図における
Ｄ−Ｄ線断面図、第６図はソースフォロワ方式によるイ
オン濃度ＩＪｌ定回路を示している。
（図面の主要符号）
（１）：絶縁基板
（２）： ドレイン電極
（３）：ソース電極−
（４）：非晶質半導体層
（５）：電気絶縁膜
（６）：イオン感応膜
２１図
才３図
７４図FIG. 1 is a plan view of an amorphous semiconductor ion sensor according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line B-D in FIG. 4 shows a sectional view taken along line CC in FIG. 1, FIG. 5 shows a sectional view taken along line DD in FIG. 1, and FIG. 6 shows an ion concentration IJl constant circuit using a source follower method. (Main symbols in the drawing) (1): Insulating substrate (2): Drain electrode (3): Source electrode - (4): Amorphous semiconductor layer (5): Electrical insulating film (6): Ion sensitive film 21 3rd figure 74th figure
Claims (1)
ン電極を有し、該両電極で上下に挟まれた非晶質半導体
層からなる能動領域を有し、該能動領域である非晶質半
導体層の側面が電気絶縁膜および／またはイオン感応膜
で覆われていることを特徴とする非晶質半導体イオンセ
ンサ。 ２、前記非晶質半導体層が周期律表第４族の元素を主成
分としてなる特許請求の範囲第１項記載の非晶質半導体
イオンセンサ。 ３、前記非晶質半導体層がシリコンを主成分としてなる
特許請求の範囲第２項記載の非晶質半導体イオンセンサ
。[Scope of Claims] 1. A source electrode and a drain electrode made of metal are provided on an insulating substrate, and an active region made of an amorphous semiconductor layer is sandwiched vertically between the two electrodes; An amorphous semiconductor ion sensor characterized in that a side surface of an amorphous semiconductor layer, which is a region, is covered with an electrically insulating film and/or an ion-sensitive film. 2. The amorphous semiconductor ion sensor according to claim 1, wherein the amorphous semiconductor layer contains an element of Group 4 of the periodic table as a main component. 3. The amorphous semiconductor ion sensor according to claim 2, wherein the amorphous semiconductor layer has silicon as a main component.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61314243A JPS63165747A (en) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | Amorphous semiconductor ion sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61314243A JPS63165747A (en) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | Amorphous semiconductor ion sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63165747A true JPS63165747A (en) | 1988-07-09 |
| JPH0432344B2 JPH0432344B2 (en) | 1992-05-29 |
Family
ID=18051011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61314243A Granted JPS63165747A (en) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | Amorphous semiconductor ion sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63165747A (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57191539A (en) * | 1981-05-21 | 1982-11-25 | Nec Corp | Semiconductor ion sensor |
| JPS6082846A (en) * | 1983-10-12 | 1985-05-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Electric field effect type semiconductor sensor |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61314243A patent/JPS63165747A/en active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57191539A (en) * | 1981-05-21 | 1982-11-25 | Nec Corp | Semiconductor ion sensor |
| JPS6082846A (en) * | 1983-10-12 | 1985-05-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Electric field effect type semiconductor sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0432344B2 (en) | 1992-05-29 |
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