JPS63162879A - 化学銅めつき液 - Google Patents
化学銅めつき液Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は化学銅めっき液に係り、より詳しくは、プリン
ト板の回路嬢成やセラミック厚膜基板の導体などの銅め
っき皮膜の物性を向上させる化学銅めっき液に関する。
ト板の回路嬢成やセラミック厚膜基板の導体などの銅め
っき皮膜の物性を向上させる化学銅めっき液に関する。
従来から、銅塩として、硫酸w4(CuSO4)、錯化
剤として、エチレンジアミン4酢酸(EDTA)、還元
剤として、ホルムアルデヒド(HCHO)、などを用い
た化学銅めっき浴が知られている。その他にも、銅塩と
して、塩化銅(CuC1,) 、あるいは、錯化剤とし
て、ロッシェル塩、Quadrol (N 、 N
、 N ’ 。
剤として、エチレンジアミン4酢酸(EDTA)、還元
剤として、ホルムアルデヒド(HCHO)、などを用い
た化学銅めっき浴が知られている。その他にも、銅塩と
して、塩化銅(CuC1,) 、あるいは、錯化剤とし
て、ロッシェル塩、Quadrol (N 、 N
、 N ’ 。
N′−テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレン
ジアミンの商品名〕、などを用いためっき浴が、よく知
られている。
ジアミンの商品名〕、などを用いためっき浴が、よく知
られている。
−a的に、化学銅めっきは、電気銅めっきに較べて物性
が悪く、処理速度も遅い為、極めて限定された領域での
み使用されているに過ぎない。
が悪く、処理速度も遅い為、極めて限定された領域での
み使用されているに過ぎない。
近年プリント配線板の導体パターンや、IC、セラミッ
ク多層板等の導体に、化学銅めっきを使用するというニ
ーズは高まっている。特に、プリント配線板の回路をす
べて化学銅めっきで形成するアディティブ製造法が希求
されている。しかしながら、前記の如く、析出速度が大
変に遅いことと皮膜の物性が不十分なために、いまだに
その普及はほとんどなされていない。これらの問題のう
ち、析出速度の高速化については、我々は、先に解決方
法を開示したく特願昭61−247461号明細書、同
61−262619号明細書、同61−269806号
明細書)。
ク多層板等の導体に、化学銅めっきを使用するというニ
ーズは高まっている。特に、プリント配線板の回路をす
べて化学銅めっきで形成するアディティブ製造法が希求
されている。しかしながら、前記の如く、析出速度が大
変に遅いことと皮膜の物性が不十分なために、いまだに
その普及はほとんどなされていない。これらの問題のう
ち、析出速度の高速化については、我々は、先に解決方
法を開示したく特願昭61−247461号明細書、同
61−262619号明細書、同61−269806号
明細書)。
本発明は、もう1つの問題点である皮膜の物性の改善を
目的としている。
目的としている。
従来より、皮膜の物性は、ビピリジル、フェナントロリ
ン等のCu’イオン話化剤の添加、あるいはシアン、フ
ェロシアンイオン等の添加また、界面活性剤や、金属イ
オンの添加等によって向上されるという報告があるが、
未だ十分ではないのが現状である。
ン等のCu’イオン話化剤の添加、あるいはシアン、フ
ェロシアンイオン等の添加また、界面活性剤や、金属イ
オンの添加等によって向上されるという報告があるが、
未だ十分ではないのが現状である。
上記問題点を解決するために本発明によって提供される
手段は、銅塩イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤、pH
調整剤を含有する化学銅めっき液に、塩素イオン供給源
と非イオン性界面活性剤とを添加してなる化学銅めっき
液にある。
手段は、銅塩イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤、pH
調整剤を含有する化学銅めっき液に、塩素イオン供給源
と非イオン性界面活性剤とを添加してなる化学銅めっき
液にある。
本発明の化学銅めっき液の特徴は、非イオン性界面活性
剤と塩素イオンとを併用することによっ、て、皮膜の物
性、特に機械的伸び率の優れた銅めっき皮膜を形成する
ことにある。
剤と塩素イオンとを併用することによっ、て、皮膜の物
性、特に機械的伸び率の優れた銅めっき皮膜を形成する
ことにある。
用いる銅塩としては、銅イオンを供給するものなら特に
限定されない。例えば硫酸銅(CuSO,)、塩化1i
1(CuC1z) 、硝酸銅(Cu(No*)z)、水
酸化銅(Cu (OH) !、酸化銅(Cub) 、塩
化第1銅(CuC1)等がある。
限定されない。例えば硫酸銅(CuSO,)、塩化1i
1(CuC1z) 、硝酸銅(Cu(No*)z)、水
酸化銅(Cu (OH) !、酸化銅(Cub) 、塩
化第1銅(CuC1)等がある。
錯化剤としては銅イオンを錯化するものなら特に限定さ
れない。例えば、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)
、 Quadrol(N 、 N 、 N ’ 、
N ’−テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレ
ンジアミン)、ロッシェル塩、トリエタノールアミン等
である。
れない。例えば、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)
、 Quadrol(N 、 N 、 N ’ 、
N ’−テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレ
ンジアミン)、ロッシェル塩、トリエタノールアミン等
である。
還元剤としては銅イオンを金属銅に還元できるものなら
ば特に限定されない。例えばホルマリン(HCHO)、
パラホルムアルデヒド、次亜リン酸ソーダ、ヒドラジン
、水素化ホウ素ナトリウム等がある。
ば特に限定されない。例えばホルマリン(HCHO)、
パラホルムアルデヒド、次亜リン酸ソーダ、ヒドラジン
、水素化ホウ素ナトリウム等がある。
p)I調整剤は、pHを変化させうるちのなら特に限定
されない。例えば、NaOH,KOH、II(J! 、
H2SO4,HF、等がある。
されない。例えば、NaOH,KOH、II(J! 、
H2SO4,HF、等がある。
本発明において塩素イオンと併用する非イオン性界面活
性剤は、特に限定されず、一般的に水溶性の非イオン性
界面活性剤であれば何でもよく、分子量も特に限定され
ない。例えば、一般的に式R+−0CHfCHz ’j
= OR’ (式中、R,R’は水素、アルキル基、
エステル基、水酸基などの有機基を示す。〕で表わされ
るポリエチレングリコール系界面活性剤(例えば、ポリ
エチレングリコールアルキルエーテル、ポリエチレング
リコール脂肪酸エステル)、脂肪酸モノグリセリドなど
がある。
性剤は、特に限定されず、一般的に水溶性の非イオン性
界面活性剤であれば何でもよく、分子量も特に限定され
ない。例えば、一般的に式R+−0CHfCHz ’j
= OR’ (式中、R,R’は水素、アルキル基、
エステル基、水酸基などの有機基を示す。〕で表わされ
るポリエチレングリコール系界面活性剤(例えば、ポリ
エチレングリコールアルキルエーテル、ポリエチレング
リコール脂肪酸エステル)、脂肪酸モノグリセリドなど
がある。
添加量は、浴条件によって異なるが、1 ppm〜20
g/l程度である。添加量が少ないと物性向上効果が不
十分であり、また多すぎても効果が飽和するだけである
。しかし、過剰に添加しても害はない。
g/l程度である。添加量が少ないと物性向上効果が不
十分であり、また多すぎても効果が飽和するだけである
。しかし、過剰に添加しても害はない。
塩素イオンは、酸(HCj! ) 、アルカリ金属塩C
NaC1、KCl、RbC4、CsC1) 、アルカリ
土類金属塩(CaCl 2+ BaCl t>などの形
で供給し、供給源は特に限定されないが、銅塩(CuC
l 、)の陰イオンとしての塩素イオンでは効果がない
。必ず、銅塩以外から供給しなけばならない。添加量は
塩素イオン基準で1 ppm〜40g/l程度である。
NaC1、KCl、RbC4、CsC1) 、アルカリ
土類金属塩(CaCl 2+ BaCl t>などの形
で供給し、供給源は特に限定されないが、銅塩(CuC
l 、)の陰イオンとしての塩素イオンでは効果がない
。必ず、銅塩以外から供給しなけばならない。添加量は
塩素イオン基準で1 ppm〜40g/l程度である。
塩素イオンの添加量も少ないと物性向上の効果が不足し
、多すぎても効果が飽和するだけで経済的でない。
、多すぎても効果が飽和するだけで経済的でない。
しかし、過剰に加えても害はない。非イオン性界面活性
剤と塩素イオンとの添加量の比率は界面活性剤(g)
/ (CI−) (moj! )でo、oi〜1ooo
程度が好ましい。その理由は、ある一定の比率士界面活
性剤と塩素イオンが結びついて、それが物性向上を実現
すると考えられるからである。
剤と塩素イオンとの添加量の比率は界面活性剤(g)
/ (CI−) (moj! )でo、oi〜1ooo
程度が好ましい。その理由は、ある一定の比率士界面活
性剤と塩素イオンが結びついて、それが物性向上を実現
すると考えられるからである。
本発明の化学銅めっき液には、上記の成分のほか、浴を
安定化する為の安定剤、析出速度を向上させるための加
速剤、活性剤等の各種添加剤を添加してもよく、これら
も特に限定されない。
安定化する為の安定剤、析出速度を向上させるための加
速剤、活性剤等の各種添加剤を添加してもよく、これら
も特に限定されない。
下記のめっき液を用いて、めっき液に触媒処理したステ
ンレス板を浸漬し、化学銅めっきさせ、はくすし、その
析出速度および皮膜の伸び率を測定した。
ンレス板を浸漬し、化学銅めっきさせ、はくすし、その
析出速度および皮膜の伸び率を測定した。
組成:
銅塩Cu5O* 0.06 mol/ 1錯化
剤 トリエタノール 0.36 mol/ 1アミ
ン 還元剤 ホルマリン 0.20 mol/ 1
添加剤 浴 温:60℃ pH(25℃) 12.5添加剤とし
ては、従来技術の物性向上剤である2、2′−ビピリジ
ルとフェロシアン化カリウム(浴Nctl) 、本発明
に従う塩化ナトリウムと分子1000のポリエチレング
リコール(浴11h21L6)塩化ナトリウムと分子量
20.000のポリエチレングリコール(浴N113)
、他の比較例としての硝酸ナトリウムとポリエチレング
リコール(浴N14)、硫酸ナトリウムとポリエチレン
グリコール(浴隘5)をそれぞれ用いた。銅めっき皮膜
の伸び率は剥離した銅皮膜の引張り試験により求めた。
剤 トリエタノール 0.36 mol/ 1アミ
ン 還元剤 ホルマリン 0.20 mol/ 1
添加剤 浴 温:60℃ pH(25℃) 12.5添加剤とし
ては、従来技術の物性向上剤である2、2′−ビピリジ
ルとフェロシアン化カリウム(浴Nctl) 、本発明
に従う塩化ナトリウムと分子1000のポリエチレング
リコール(浴11h21L6)塩化ナトリウムと分子量
20.000のポリエチレングリコール(浴N113)
、他の比較例としての硝酸ナトリウムとポリエチレング
リコール(浴N14)、硫酸ナトリウムとポリエチレン
グリコール(浴隘5)をそれぞれ用いた。銅めっき皮膜
の伸び率は剥離した銅皮膜の引張り試験により求めた。
結果を下記表に示す。
一麦
注) P、E、G、はポリエチレングリコールを表わす
。
。
*印が本発明の実施例である。
本発明の実施例の銅めっき皮膜(浴1に2 、3 。
6)は従来例の皮膜(浴患1)より伸び率が向上してい
ることが認められる。また、塩素イオン以外の陰イオン
を用いた場合(浴11h4.Na5)には効果が認めら
れない。
ることが認められる。また、塩素イオン以外の陰イオン
を用いた場合(浴11h4.Na5)には効果が認めら
れない。
なお、この実施例では、我々が先に開示した高速化学め
っき浴を用いたが、従来の化学めっき液でも本発明は効
果がある。
っき浴を用いたが、従来の化学めっき液でも本発明は効
果がある。
本発明によれば、化学銅めっき皮膜の物性、特に機械的
伸び率が向上し、化学銅めっきの実用性が高められる。
伸び率が向上し、化学銅めっきの実用性が高められる。
特に、我々が先に開示した高速化学銅めっき液と組み合
わせるとアディティブ製造法の実用化のために大きく前
進する効果がある。
わせるとアディティブ製造法の実用化のために大きく前
進する効果がある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、銅塩、銅イオンの錯化剤、還元剤、pH調整剤を含
有する化学銅めっき液に、塩素イオン供給源と非イオン
性界面活性剤とを添加してなる化学銅めっき液。 2、塩素イオン供給源が酸アルカリ金属塩またはアルカ
リ土類金属塩である特許請求の範囲第1項記載の化学銅
めっき液。 3、非イオン性界面活性剤がポリエチレングリコール系
界面活性剤である特許請求の範囲第1項または第2項に
記載の化学銅めっき液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30878086A JPS63162879A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 化学銅めつき液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30878086A JPS63162879A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 化学銅めつき液 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63162879A true JPS63162879A (ja) | 1988-07-06 |
Family
ID=17985215
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30878086A Pending JPS63162879A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 化学銅めつき液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63162879A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010185113A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Kansai Univ | 無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法 |
CN101896039A (zh) * | 2010-07-28 | 2010-11-24 | 广东东硕科技有限公司 | 一种用于印制电路板制造中的碱性高锰酸盐去钻污的后处理中和剂 |
CN103484846A (zh) * | 2013-09-27 | 2014-01-01 | 西安石油大学 | 一种含有Bi2O3的铜基质化学镀液及其制备方法和应用 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP30878086A patent/JPS63162879A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010185113A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Kansai Univ | 無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法 |
CN101896039A (zh) * | 2010-07-28 | 2010-11-24 | 广东东硕科技有限公司 | 一种用于印制电路板制造中的碱性高锰酸盐去钻污的后处理中和剂 |
CN103484846A (zh) * | 2013-09-27 | 2014-01-01 | 西安石油大学 | 一种含有Bi2O3的铜基质化学镀液及其制备方法和应用 |
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