JPS63162879A - 化学銅めつき液 - Google Patents

化学銅めつき液

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JPS63162879A
JPS63162879A JP30878086A JP30878086A JPS63162879A JP S63162879 A JPS63162879 A JP S63162879A JP 30878086 A JP30878086 A JP 30878086A JP 30878086 A JP30878086 A JP 30878086A JP S63162879 A JPS63162879 A JP S63162879A
Authority
JP
Japan
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ion
copper plating
chemical
copper
chemical copper
Prior art date
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Pending
Application number
JP30878086A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Kondo
宏司 近藤
Kaoru Nomoto
薫 野本
Katsuhiko Murakawa
邑川 克彦
Nobumasa Ishida
石田 信正
Junji Ishikawa
石川 純次
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
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Publication date
Application filed by NipponDenso Co Ltd filed Critical NipponDenso Co Ltd
Priority to JP30878086A priority Critical patent/JPS63162879A/ja
Publication of JPS63162879A publication Critical patent/JPS63162879A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/38Coating with copper
    • C23C18/40Coating with copper using reducing agents

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は化学銅めっき液に係り、より詳しくは、プリン
ト板の回路嬢成やセラミック厚膜基板の導体などの銅め
っき皮膜の物性を向上させる化学銅めっき液に関する。
〔従来の技術〕
従来から、銅塩として、硫酸w4(CuSO4)、錯化
剤として、エチレンジアミン4酢酸(EDTA)、還元
剤として、ホルムアルデヒド(HCHO)、などを用い
た化学銅めっき浴が知られている。その他にも、銅塩と
して、塩化銅(CuC1,) 、あるいは、錯化剤とし
て、ロッシェル塩、Quadrol  (N 、 N 
、 N ’ 。
N′−テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレン
ジアミンの商品名〕、などを用いためっき浴が、よく知
られている。
−a的に、化学銅めっきは、電気銅めっきに較べて物性
が悪く、処理速度も遅い為、極めて限定された領域での
み使用されているに過ぎない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
近年プリント配線板の導体パターンや、IC、セラミッ
ク多層板等の導体に、化学銅めっきを使用するというニ
ーズは高まっている。特に、プリント配線板の回路をす
べて化学銅めっきで形成するアディティブ製造法が希求
されている。しかしながら、前記の如く、析出速度が大
変に遅いことと皮膜の物性が不十分なために、いまだに
その普及はほとんどなされていない。これらの問題のう
ち、析出速度の高速化については、我々は、先に解決方
法を開示したく特願昭61−247461号明細書、同
61−262619号明細書、同61−269806号
明細書)。
本発明は、もう1つの問題点である皮膜の物性の改善を
目的としている。
従来より、皮膜の物性は、ビピリジル、フェナントロリ
ン等のCu’イオン話化剤の添加、あるいはシアン、フ
ェロシアンイオン等の添加また、界面活性剤や、金属イ
オンの添加等によって向上されるという報告があるが、
未だ十分ではないのが現状である。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために本発明によって提供される
手段は、銅塩イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤、pH
調整剤を含有する化学銅めっき液に、塩素イオン供給源
と非イオン性界面活性剤とを添加してなる化学銅めっき
液にある。
本発明の化学銅めっき液の特徴は、非イオン性界面活性
剤と塩素イオンとを併用することによっ、て、皮膜の物
性、特に機械的伸び率の優れた銅めっき皮膜を形成する
ことにある。
用いる銅塩としては、銅イオンを供給するものなら特に
限定されない。例えば硫酸銅(CuSO,)、塩化1i
1(CuC1z) 、硝酸銅(Cu(No*)z)、水
酸化銅(Cu (OH) !、酸化銅(Cub) 、塩
化第1銅(CuC1)等がある。
錯化剤としては銅イオンを錯化するものなら特に限定さ
れない。例えば、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)
 、 Quadrol(N 、 N 、 N ’ 、 
N ’−テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレ
ンジアミン)、ロッシェル塩、トリエタノールアミン等
である。
還元剤としては銅イオンを金属銅に還元できるものなら
ば特に限定されない。例えばホルマリン(HCHO)、
パラホルムアルデヒド、次亜リン酸ソーダ、ヒドラジン
、水素化ホウ素ナトリウム等がある。
p)I調整剤は、pHを変化させうるちのなら特に限定
されない。例えば、NaOH,KOH、II(J! 、
H2SO4,HF、等がある。
本発明において塩素イオンと併用する非イオン性界面活
性剤は、特に限定されず、一般的に水溶性の非イオン性
界面活性剤であれば何でもよく、分子量も特に限定され
ない。例えば、一般的に式R+−0CHfCHz ’j
= OR’  (式中、R,R’は水素、アルキル基、
エステル基、水酸基などの有機基を示す。〕で表わされ
るポリエチレングリコール系界面活性剤(例えば、ポリ
エチレングリコールアルキルエーテル、ポリエチレング
リコール脂肪酸エステル)、脂肪酸モノグリセリドなど
がある。
添加量は、浴条件によって異なるが、1 ppm〜20
g/l程度である。添加量が少ないと物性向上効果が不
十分であり、また多すぎても効果が飽和するだけである
。しかし、過剰に添加しても害はない。
塩素イオンは、酸(HCj! ) 、アルカリ金属塩C
NaC1、KCl、RbC4、CsC1) 、アルカリ
土類金属塩(CaCl 2+ BaCl t>などの形
で供給し、供給源は特に限定されないが、銅塩(CuC
l 、)の陰イオンとしての塩素イオンでは効果がない
。必ず、銅塩以外から供給しなけばならない。添加量は
塩素イオン基準で1 ppm〜40g/l程度である。
塩素イオンの添加量も少ないと物性向上の効果が不足し
、多すぎても効果が飽和するだけで経済的でない。
しかし、過剰に加えても害はない。非イオン性界面活性
剤と塩素イオンとの添加量の比率は界面活性剤(g) 
/ (CI−) (moj! )でo、oi〜1ooo
程度が好ましい。その理由は、ある一定の比率士界面活
性剤と塩素イオンが結びついて、それが物性向上を実現
すると考えられるからである。
本発明の化学銅めっき液には、上記の成分のほか、浴を
安定化する為の安定剤、析出速度を向上させるための加
速剤、活性剤等の各種添加剤を添加してもよく、これら
も特に限定されない。
〔実施例〕
下記のめっき液を用いて、めっき液に触媒処理したステ
ンレス板を浸漬し、化学銅めっきさせ、はくすし、その
析出速度および皮膜の伸び率を測定した。
組成: 銅塩Cu5O*     0.06 mol/ 1錯化
剤 トリエタノール   0.36 mol/ 1アミ
ン 還元剤 ホルマリン     0.20 mol/ 1
添加剤 浴 温:60℃ pH(25℃)         12.5添加剤とし
ては、従来技術の物性向上剤である2、2′−ビピリジ
ルとフェロシアン化カリウム(浴Nctl) 、本発明
に従う塩化ナトリウムと分子1000のポリエチレング
リコール(浴11h21L6)塩化ナトリウムと分子量
20.000のポリエチレングリコール(浴N113)
、他の比較例としての硝酸ナトリウムとポリエチレング
リコール(浴N14)、硫酸ナトリウムとポリエチレン
グリコール(浴隘5)をそれぞれ用いた。銅めっき皮膜
の伸び率は剥離した銅皮膜の引張り試験により求めた。
結果を下記表に示す。
一麦 注) P、E、G、はポリエチレングリコールを表わす
*印が本発明の実施例である。
本発明の実施例の銅めっき皮膜(浴1に2 、3 。
6)は従来例の皮膜(浴患1)より伸び率が向上してい
ることが認められる。また、塩素イオン以外の陰イオン
を用いた場合(浴11h4.Na5)には効果が認めら
れない。
なお、この実施例では、我々が先に開示した高速化学め
っき浴を用いたが、従来の化学めっき液でも本発明は効
果がある。
〔発明の効果〕
本発明によれば、化学銅めっき皮膜の物性、特に機械的
伸び率が向上し、化学銅めっきの実用性が高められる。
特に、我々が先に開示した高速化学銅めっき液と組み合
わせるとアディティブ製造法の実用化のために大きく前
進する効果がある。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、銅塩、銅イオンの錯化剤、還元剤、pH調整剤を含
    有する化学銅めっき液に、塩素イオン供給源と非イオン
    性界面活性剤とを添加してなる化学銅めっき液。 2、塩素イオン供給源が酸アルカリ金属塩またはアルカ
    リ土類金属塩である特許請求の範囲第1項記載の化学銅
    めっき液。 3、非イオン性界面活性剤がポリエチレングリコール系
    界面活性剤である特許請求の範囲第1項または第2項に
    記載の化学銅めっき液。
JP30878086A 1986-12-26 1986-12-26 化学銅めつき液 Pending JPS63162879A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010185113A (ja) * 2009-02-12 2010-08-26 Kansai Univ 無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法
CN101896039A (zh) * 2010-07-28 2010-11-24 广东东硕科技有限公司 一种用于印制电路板制造中的碱性高锰酸盐去钻污的后处理中和剂
CN103484846A (zh) * 2013-09-27 2014-01-01 西安石油大学 一种含有Bi2O3的铜基质化学镀液及其制备方法和应用

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