JPS63159853A - Reticle - Google Patents

Reticle

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Publication number
JPS63159853A
JPS63159853A JP61306470A JP30647086A JPS63159853A JP S63159853 A JPS63159853 A JP S63159853A JP 61306470 A JP61306470 A JP 61306470A JP 30647086 A JP30647086 A JP 30647086A JP S63159853 A JPS63159853 A JP S63159853A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reticle
mask
transmission control
light transmission
segment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61306470A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomoyuki Tsukada
塚田 知之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP61306470A priority Critical patent/JPS63159853A/en
Publication of JPS63159853A publication Critical patent/JPS63159853A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70283Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof

Abstract

PURPOSE:To improve the throughput of a semiconductor device, and to reduce manufacturing cost by providing a light transmission control part using a liquid crystal, on an area to be transferred of a reticle, and dividing the light transmission control part into plural segments so that they can be driven selectively. CONSTITUTION:A light transmission control part 20 using a liquid crystal is provided on the center (area to be transferred) of a reticle 4. The light transmission control part 20 consists of segments 20a provided in a matrix shape, and each segment 20a is placed in accordance with each memory of a ROM to be formed. By driving a common driver 22 and a segment driver 23 by a multiplexing driving system, the selected segment 20a becomes opaque, and a desired pattern is obtained. Subsequently, by driving the drivers 22, 23 which function as a P/G 3 by a ROM data 1, a pattern 4a is formed on the reticle 4. In such a way, a working mask 6 is prepared by a step and repeater 5.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、縮小投影露光に用いられるレティクルに適用
して特に有効な技術に関するもので、例えば、マスクR
OM (リード・オンリ・メモリ)のセル情報書込み用
のマスクパターンの形成に使用されるレティクルに利用
して有効な技術に関するものである。
Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a technique that is particularly effective when applied to a reticle used for reduction projection exposure.
The present invention relates to a technique effective for use in a reticle used for forming a mask pattern for writing cell information in an OM (read-only memory).

[従来の技術] 従来、マスクROMには、ゲート酸化膜の厚みを変えた
り、チャンネル領域へのイオン打ち込みにより不純物濃
度を変えたりすることでMOSFETのしきい値電圧を
異ならしめることによってセル情報の書込みを行なう方
式やソースもしくはドレイン領域へのデータ線コンタク
ト穴を形成するか否かによりセル情報の書込みを行なう
方式等がある。いずれにしてもマスクROMの書込みは
、ウェハプロセス中に行なうものであり、選択酸化用マ
スクあるいはイオン打込み用マスクやコンタクト穴形成
用マスクを、ROMの書込みデータに応じて形成し、こ
のマスクを使ってセル情報の書込みを行なうことになる
[Prior Art] Conventionally, in a mask ROM, cell information is stored by varying the threshold voltage of the MOSFET by changing the thickness of the gate oxide film or changing the impurity concentration by ion implantation into the channel region. There are methods for writing cell information, and methods for writing cell information depending on whether or not a data line contact hole is formed to the source or drain region. In any case, writing to the mask ROM is performed during the wafer process, and a mask for selective oxidation, a mask for ion implantation, or a mask for forming contact holes is formed according to the data written in the ROM, and this mask is used. Then, the cell information will be written.

その概要を第3図に基づいて説明すれば以下のとおりで
ある。
The outline will be explained based on FIG. 3 as follows.

即ち、顧客からROMデータ1を入手し、アートワーク
処理装置によってROMデータを編集し。
That is, ROM data 1 is obtained from the customer, and the ROM data is edited by the artwork processing device.

パターンジェネレータ3を駆動するデータに変換してパ
ターンジェネレータ・マシンテープ(PG/MT)2に
格納する。次いで、パターンジェネレータ3によってレ
ティクル4を作成する。この場合のレティクル4の作成
は、第4図に示すような工程を経てなされる。即ち、先
ず、ガラス基板11の表面に形成されたクロム薄膜12
の上にホトレジスト13を塗布する(第4図(a))。
The data is converted into data for driving the pattern generator 3 and stored in the pattern generator machine tape (PG/MT) 2. Next, a reticle 4 is created by the pattern generator 3. The reticle 4 in this case is created through the steps shown in FIG. That is, first, the chromium thin film 12 formed on the surface of the glass substrate 11 is
A photoresist 13 is applied thereon (FIG. 4(a)).

次いで、電子ビーム等によってホトレジスト13を選択
的に露光して現像し、レジストパターンを形成する(第
4図(b))。次いで、残ったホトレジスト13をマス
クとしてクロム薄膜12を選択的にエツチングする(第
4図(C))。その後、ホトレジスト3を除去してマス
クパターンを形成する(第4図(d))。
Next, the photoresist 13 is selectively exposed to an electron beam or the like and developed to form a resist pattern (FIG. 4(b)). Next, the chromium thin film 12 is selectively etched using the remaining photoresist 13 as a mask (FIG. 4(C)). Thereafter, the photoresist 3 is removed to form a mask pattern (FIG. 4(d)).

そして、このようにしてレティクル4が作成されたなら
ば、今度はこのレティクル4を用いてステップアンドリ
ピータ5によって縮小露光用のレティクル(ワーキング
マスク)6を作成する。即ち、第5図に示すように、水
銀ランプ14からの光をコンデンサレンズ15を通して
レティクル4に投射し、このレティクル4上に形成され
たマスクパターン4aを縮小レンズ16を介してワーキ
ングマスク6となるガラス基板上に塗布されたホトレジ
ストに転写する。そうして、上記と略同様な工程を経て
ワーキングマスク6を作成し、このワーキングマスク6
を用いてマスクROMへの書込みを行う。
Once the reticle 4 has been created in this manner, a reticle (working mask) 6 for reduction exposure is created using the step-and-repeater 5. That is, as shown in FIG. 5, light from a mercury lamp 14 is projected onto a reticle 4 through a condenser lens 15, and a mask pattern 4a formed on this reticle 4 is passed through a reduction lens 16 to become a working mask 6. Transfer to photoresist coated on a glass substrate. Then, a working mask 6 is created through substantially the same process as above, and this working mask 6 is
Writing to the mask ROM is performed using the .

なお、縮小投影露光に用いられるレティクルの作成技術
については1例えば、工業調査会から発行された電子材
料別冊「超LSI製造・試験装置」1984年版第15
8頁〜第164頁に記載されている。
For information on the reticle creation technology used for reduction projection exposure, see 1. For example, please refer to the 1984 edition 15th edition of the Electronic Materials Special Edition "Ultra LSI Manufacturing and Testing Equipment" published by the Kogyo Kenkyukai.
It is described on pages 8 to 164.

【発明が解決しようとする問題点] ところが、近年の高集積化・微細化さらに多品種化に伴
ってROMデータの量は膨大となっており、その結果、
ROMデータの編集時間、およびパターンジェネレータ
5によってマスクパターン4aを形成する時間が長くか
かり、このことは半導体装置の製造ラインにおけるスル
ープットを向上させるための隘路となっていた。また、
レティクル4上のマスクパターン4aはクロム薄層で形
成されているため、パターン変更は困難であり。
[Problems to be solved by the invention] However, in recent years, the amount of ROM data has become enormous due to high integration, miniaturization, and diversification.
It takes a long time to edit the ROM data and to form the mask pattern 4a by the pattern generator 5, which has been a bottleneck in improving the throughput in the semiconductor device manufacturing line. Also,
Since the mask pattern 4a on the reticle 4 is formed of a thin chrome layer, it is difficult to change the pattern.

ROMデータの内容が異なる毎にレティクルを作成する
必要があり、その結果、製造コストが嵩むという問題が
あった。
It is necessary to create a reticle each time the content of the ROM data differs, resulting in a problem of increased manufacturing costs.

本発明は、かかる問題点に鑑みなされたものであり、半
導体装置のスループットの向上と、製造原価の低減とを
図ることが可能なレティクルを提供することを目的とし
ている。
The present invention has been made in view of these problems, and it is an object of the present invention to provide a reticle that can improve the throughput of semiconductor devices and reduce manufacturing costs.

この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴に
ついては、本明細書の記述および添附図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

[問題点を解決するための手段] 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、下記のとおりである。
[Means for Solving the Problems] Representative inventions disclosed in this application will be summarized as follows.

即ち、レティクルの被転写領域を、マトリックス状にセ
グメントを配設してなる透過型のLCD(液晶デバイス
)で構成し、各セグメントを液晶表示装置におけるドツ
トマトリックス駆動方式と同じ方式で独立して駆動させ
、電圧の印加されたセグメントのみ露光用の光を透過(
もしくは遮断)できるようにしてものである。
That is, the transfer area of the reticle is composed of a transmissive LCD (liquid crystal device) in which segments are arranged in a matrix, and each segment is driven independently using the same dot matrix driving method as in a liquid crystal display device. so that only the segment to which voltage is applied transmits the exposure light (
or shut off).

[作用] 上記した手段によれば、例えばROMデータに従ってマ
トリックス型液晶レティクルの各セグメントを独立して
駆動しながら縮小露光を行なうことにより、所望の位置
に酸化膜の形成用開口部を有するマスクパターン等の作
成がなされるので、アートワーク処理装置によるROM
データの編集工程が不要となり、さらにマスクパターン
の変更が液晶レティクル上の電圧を印加するセグメント
を変えるだけで可能であるので、ROMデータが異なる
毎に別々のレティクルを作成する必要がなくなる。換言
すれば、レティクルのROM目パターンを液晶化するこ
とにより、液晶を用いた1枚のレティクルから多数の種
々のパターンのROM用マスクを作成できる。その結果
、半導体装置のスループットの向上と製造原価の低減を
図るという上記目的が達成されることになる。
[Operation] According to the above-described means, for example, by performing reduction exposure while independently driving each segment of the matrix liquid crystal reticle according to ROM data, a mask pattern having an opening for forming an oxide film at a desired position is formed. etc. are created, so the ROM is created by the artwork processing device.
There is no need for a data editing process, and since the mask pattern can be changed simply by changing the segment to which voltage is applied on the liquid crystal reticle, there is no need to create a separate reticle for each different ROM data. In other words, by converting the ROM pattern of the reticle into liquid crystal, a large number of ROM masks with various patterns can be created from one reticle using liquid crystal. As a result, the above objectives of improving the throughput and reducing manufacturing costs of semiconductor devices are achieved.

[実施例] 一般に、液晶はその電界制御複屈折効果を利用して、液
晶に電圧を印加したり、電圧を印加しなかったりするこ
とによって、光遮断作用および光透過作用を行なわせる
ことができる1本発明は、このような作用を持つ液晶を
レティクルに適用したものである。以下1本発明の実施
例を図面に基づいて説明する。
[Example] In general, a liquid crystal can perform a light blocking effect and a light transmitting effect by applying a voltage or not applying a voltage to the liquid crystal by utilizing its electric field controlled birefringence effect. 1 The present invention applies a liquid crystal having such an effect to a reticle. An embodiment of the present invention will be described below based on the drawings.

第1図は本発明に係るレティクルの実施例を示している
。この第1図において、符号4は、レティクルを表して
おり、このレティクル4の中央(被転写領域)には、液
晶を用いた透光制御部20が設けられている。そして、
この透光制御部20は互いに適当な間隔をおいてマトリ
ックス状に配設された複数個のセグメント20aにより
構成され、各セグメント20aは例えば上部電極が横方
向に配設されたコモン電極線21aに、また下部電極が
縦方向のセグメント電極A?!21bに各々接続されて
おり、公知のドツトマトリックス型液晶表示装置と同じ
駆動方式により駆動できるようになっている。さらに、
具体的には、このレティクル4はマスクROMのデータ
書込み用のマスクを形成するためのレティクルであって
、透光制御部20の各セグメント20aは、種々のマス
クROMの各メモリセルにそれぞれ対応するように。
FIG. 1 shows an embodiment of a reticle according to the invention. In FIG. 1, reference numeral 4 represents a reticle, and in the center (transfer area) of this reticle 4, a light transmission control section 20 using liquid crystal is provided. and,
The light transmission control unit 20 is composed of a plurality of segments 20a arranged in a matrix at appropriate intervals, and each segment 20a has an upper electrode connected to a common electrode line 21a arranged laterally. , and segment electrode A where the lower electrode is vertical? ! 21b, and can be driven using the same driving method as a known dot matrix type liquid crystal display device. moreover,
Specifically, this reticle 4 is a reticle for forming a mask for writing data into a mask ROM, and each segment 20a of the light transmission control section 20 corresponds to each memory cell of various mask ROMs. like.

即ちメモリアレイと同じピッチのマトリックス形に配設
され、このマトリックス状に配設されたセグメント20
aのうち、コモンドライバ22およびセグメントドライ
バ23がマルチプレクシング駆動方式で駆動されるにこ
とよって選択されたコモン電極線とセグメント電極線の
交点に位置するセグメント(図中、斜線で示す)に電圧
が印加される。すると、そのセグメントは光を透過させ
なくなり、他は光を透過させる状態となる。これによっ
てROMデータに従って各ドライバ22,23を駆動し
てやれば、所望のマスクパターンが得られる。この第1
図に示される各液晶の配列はワーキングマスク6を作成
する際に用いられるホトレジストがネガ型かポジ型かに
よっても変わり、このうち第1図にはネガ型である場合
が示しである。
That is, the segments 20 are arranged in a matrix with the same pitch as the memory array, and the segments 20 arranged in this matrix are
In a, when the common driver 22 and the segment driver 23 are driven by the multiplexing drive method, a voltage is applied to the segment (indicated by diagonal lines in the figure) located at the intersection of the selected common electrode line and the segment electrode line. applied. Then, that segment will no longer transmit light, and the others will be in a state of transmitting light. By driving each driver 22, 23 according to the ROM data, a desired mask pattern can be obtained. This first
The arrangement of each liquid crystal shown in the figure varies depending on whether the photoresist used to create the working mask 6 is a negative type or a positive type, and FIG. 1 shows the case where the photoresist is a negative type.

次に、このような液晶を用いたレティクル4を用いてワ
ーキングマスク6を作成するプロセスを第2図に示すフ
ローチャートを用いて説明する。
Next, the process of creating the working mask 6 using the reticle 4 using such a liquid crystal will be explained using the flowchart shown in FIG.

顧客から入手したROMデータ1によってパターンジェ
ネレータ3として機能するコモンドライバ22およびセ
グメントドライバ23を駆動させて、透光制御部20の
各セグメントを選択駆動して、書込みを行ないたいメモ
リセルに対応した位置に開口部を有するマスクパターン
をレティクル4上に形成する。そして、このレティクル
4を用いてステップアンドリピータ5でワーキングマス
ク6を作成する。また、マスクパターンの変更はROM
データを取替えるだけで簡単に行なうことができる。
The common driver 22 and segment driver 23 functioning as the pattern generator 3 are driven by the ROM data 1 obtained from the customer, and each segment of the translucent control section 20 is selectively driven to the position corresponding to the memory cell to be written. A mask pattern having openings is formed on the reticle 4. Then, using this reticle 4, a working mask 6 is created with a step-and-repeater 5. In addition, the mask pattern can be changed using the ROM.
This can be done simply by changing the data.

このように構成された実施例のレティクルによれば、下
記のような効果を得ることができる。
According to the reticle of the embodiment configured in this way, the following effects can be obtained.

即ち、被転写領域を液晶を用いた透光制御部20として
いるので、ROMデータがら簡単にマスクパターン4a
が形成され、従来のようにパターンジェネレータ駆動の
ためアートワーク処理装置によってROMデータを編集
することが不要となると共に、電子ビーム等によって種
々のROMデータ毎にレティクルを作成する必要がなく
なる。
That is, since the area to be transferred is the light transmitting control section 20 using liquid crystal, the mask pattern 4a can be easily created from the ROM data.
This eliminates the need to edit ROM data using an artwork processing device to drive a pattern generator as in the conventional art, and also eliminates the need to create reticles for each type of ROM data using an electron beam or the like.

そのため液晶を用いたレティクル1枚から種々のROM
目をもつROMマスク(ワーキングマスク)を多数作成
できる。それに伴い、半導体装置のスルーブツトの向上
が図れるという効果を得ることができる。
Therefore, from one reticle using liquid crystal to various ROM
You can create many ROM masks (working masks) with eyes. Accordingly, it is possible to obtain the effect that the throughput of the semiconductor device can be improved.

また、同じく被転写領域を液晶を用いた透光制御部20
としていることがら、ROMデータの変更によってマス
クパターンの変更が容易にでき、ROMデータが異なる
毎に別個のレティクル4を作成する必要がなくなるとい
う作用によって、ROM用マスクの製作費および工数が
大幅に低減できる。その結果、半導体装置の原価の低減
が図れるという効果を得ることができる 以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。例えば、上記実施例の各
セグメントは矩形状だけでなく任意の形状にしておくこ
とができる。
Similarly, a light transmitting control section 20 using a liquid crystal for the transfer area is also provided.
Therefore, the mask pattern can be easily changed by changing the ROM data, and there is no need to create a separate reticle 4 for each different ROM data, which greatly reduces the manufacturing cost and man-hours of the ROM mask. Can be reduced. As a result, it is possible to obtain the effect of reducing the cost of the semiconductor device.The invention made by the present inventor has been specifically explained based on examples, but the present invention is not limited to the above-mentioned examples. It goes without saying that various changes can be made without departing from the spirit of the invention. For example, each segment in the above embodiments can have any shape other than a rectangular shape.

また、各セグメントは互いに離して形成せずに、互いに
近接させるようにすることも可能である。
Furthermore, the segments may not be formed apart from each other, but may be formed close to each other.

また、以上の説明では主として本発明者によってなされ
た発明をその背景となった利用分野であるマスクROM
形成用のレティクルについて説明したが、それに限定さ
れるものではなく、例えばPLA (プログラマブルロ
ジックアレイ)や冗長回路を有するRAM (ランダム
アマセス・メモリ)等顧客の要望によって配線パターン
等の変更が必要とされる半導体装置製造のためのレティ
クルにも利用できるものである。
In addition, in the above explanation, the invention made by the present inventor will be mainly referred to as the mask ROM, which is the application field that is the background of the invention.
Although we have explained the reticle for forming, it is not limited to this, for example, PLA (programmable logic array), RAM (random access memory) with redundant circuits, etc. may require changes in the wiring pattern etc. depending on the customer's request. It can also be used as a reticle for manufacturing semiconductor devices.

[発明の効果] 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
[Effects of the Invention] The effects obtained by typical inventions disclosed in this application are briefly explained below.

即ち、レティクルの被転写領域を液晶を用いた透光制御
部としているので、マスクパターンの作成・変更が容易
化され、その結果、半導体装置の製造ラインにおけるス
ループットの向上と製造原価の低減とが図れることとな
る。
In other words, since the transfer area of the reticle is a light transmission control section using liquid crystal, it is easy to create and change mask patterns, and as a result, throughput and manufacturing cost reductions are achieved in semiconductor device manufacturing lines. It will be possible to achieve this goal.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に係るレティクルの実施例の平面図、 第2図は第1図のレティクルの作成方法とこのレティク
ルを用いてのワーキングマスクの作成方法を示すフロー
チャート、 第3図は従来のレティクルの作成方法とこのレティクル
を用いてのワーキングマスクの作成方法を説明するため
の工程図。 第5図は第4図のレティクルを用いてのワーキングマス
クの作成する際用いられるステップアンドリピータの正
面図である。 4・・・・レティクル、20・・・・透光制御部、20
a・・・・セグメント。 第1図 第  2  図 第  3  図 第  5  図
FIG. 1 is a plan view of an embodiment of the reticle according to the present invention, FIG. 2 is a flowchart showing a method for creating the reticle shown in FIG. 1 and a method for creating a working mask using this reticle, and FIG. A process diagram for explaining a method for creating a reticle and a method for creating a working mask using this reticle. FIG. 5 is a front view of a step-and-repeater used when creating a working mask using the reticle of FIG. 4. 4... Reticle, 20... Light transmission control section, 20
a...Segment. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 5

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、縮小投影露光によってワーキングマスクを作成する
のに使用されるレティクルにおいて、マスクパターンを
液晶を用いた透光制御部となすと共に、この透光制御部
を複数のセグメント領域に分割し、さらにこのセグメン
トを独立して選択駆動できるようにしたことを特徴とす
るレティクル。 2、上記透光制御部はマトリクス状に配列された複数の
セグメント領域によって構成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のレティクル。 3、レティクルは、ROM用マスクを作成するためのも
のである特許請求の範囲第1項記載のレティクル。
[Claims] 1. In a reticle used to create a working mask by reduction projection exposure, the mask pattern is a light transmission control section using a liquid crystal, and this light transmission control section is formed into a plurality of segment areas. A reticle characterized by being divided into two segments, and each segment can be selectively driven independently. 2. The reticle according to claim 1, wherein the light transmission control section is constituted by a plurality of segment areas arranged in a matrix. 3. The reticle according to claim 1, wherein the reticle is for creating a ROM mask.
JP61306470A 1986-12-24 1986-12-24 Reticle Pending JPS63159853A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02139911A (en) * 1988-11-21 1990-05-29 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
WO1997005526A1 (en) * 1995-07-31 1997-02-13 Lsi Logic Corporation Lithography systems employing programmable reticles

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