JPH02139911A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
従来の技術 （第３〜６図）発明が解決
しようとする課題
課題を解決するための手段
作用
実施例
本発明の第１実施例 （第１図）
本発明の第２実施例 （第２図）
発明の効果
〔概要〕
半導体装置の製造方法に関し、
露光用データ作成の手番および露光用データの容量を減
少させることができ、近年のチップの大型化に対応する
ことができる半導体装置の製造方法を提供することを目
的とし、
内部が複数の領域に分割されたチップの設計データを露
光用データに変換し、変換後の露光用データに基づいて
露光を行うことによりレチクルを作成する半導体装置の
製造方法において、前記設計データを前記領域に応じて
分割し、分割した設計データを露光用データに変換し、
各領域に応じて分割して作成された露光用データに基づ
いて露光を行うように構成する。Detailed Description of the Invention Industrial Field of Application Prior Art (Figs. 3 to 6) Problems to be Solved by the Invention Examples of Means and Actions for Solving the Problems First Embodiment of the Invention (Fig. 1) ) Second embodiment of the present invention (Fig. 2) Effects of the invention [Summary] Regarding the manufacturing method of a semiconductor device, the number of steps for creating exposure data and the capacity of exposure data can be reduced, and The aim is to provide a method for manufacturing semiconductor devices that can handle larger sizes.The design data of a chip whose interior is divided into multiple regions is converted into exposure data, and based on the converted exposure data, In a method of manufacturing a semiconductor device in which a reticle is created by performing exposure using a method, the design data is divided according to the area, and the divided design data is converted into exposure data,
The configuration is such that exposure is performed based on exposure data that is divided and created according to each area.
でも数チップ分のパターンを載せることが多い。However, patterns for several chips are often included.
このレチクルは磁気テープ（ＭＴ）に蓄えられたマスク
パターンの座標情報に基づいて各層のレチクルが作成さ
れる。This reticle is created for each layer based on coordinate information of a mask pattern stored on a magnetic tape (MT).
近年のレチクル作成方法には大容量の対応と処理の簡略
化が要求されており、１枚のレチクルの作成に複数の露
光用データを組み合わせてレチクルを作成する必要があ
る。Recent reticle manufacturing methods are required to handle large volumes and simplify processing, and it is necessary to create a single reticle by combining a plurality of exposure data.
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、詳しくは半導
体製造プロセスで使用するレチクルの作成方法の改良に
関する。The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to an improvement in a method for manufacturing a reticle used in a semiconductor manufacturing process.
縮小投影露光では、目的とするパターンより大きい寸法
（各層のパターンが原寸の５倍〜１０倍程度）の１チッ
プ分のマスクを使用し、縮小光学系を用いてウェーハ上
にチップ数だけ繰り返しパターンを縮小転写する。この
拡大寸法マスクをレチクルマスクあるいは単にレチクル
という。露光工程のスルーブツトを上げるため、最近は
レチクル〔従来の技術〕
従来のこの種のレチクルの作成方法としては、例えば第
３〜６図は示すものがある。第３図はｌチップ内に同一
領域のある場合のチップパターンを示す図であり、第４
図は第３図に示すチップパターンの設計データからレチ
クルを作成するまでの手順を説明するための図である。In reduction projection exposure, a mask for one chip with dimensions larger than the target pattern (patterns in each layer are approximately 5 to 10 times the original size) is used, and a reduction optical system is used to repeat the pattern as many times as the number of chips on the wafer. Transfer the reduced size. This enlarged size mask is called a reticle mask or simply a reticle. In order to increase the throughput of the exposure process, a reticle (prior art) has recently been developed.As a conventional method for making this type of reticle, for example, there is a method shown in FIGS. 3 to 6. FIG. 3 is a diagram showing the chip pattern when there is the same area in the l chip, and
This figure is a diagram for explaining the procedure for creating a reticle from the chip pattern design data shown in FIG. 3.
第５図は複数レチクルに同一領域がある場合のチップパ
ターンを示す図であり、第６図は第５図に示すチップパ
ターンの設計データからレチクルを作成するまでの手順
を説明するための図である。Fig. 5 is a diagram showing a chip pattern when multiple reticles have the same area, and Fig. 6 is a diagram for explaining the procedure for creating a reticle from the chip pattern design data shown in Fig. 5. be.
ｌチ プ に − の る ム
第３図において、ｌはチップのパターンであり、パター
ン１は図中Ａで示されるセル部Ａと、例えばセル部Ａを
鏡面対象にしてレイアウトしたセル部Ｂと、セル部Ａ、
Ｂの周辺部Ｃと、からなる。In Figure 3, l is the pattern of the chip, and pattern 1 consists of a cell part A, indicated by A in the figure, and a cell part B, which is laid out with cell part A as a mirror surface, for example. , cell part A,
It consists of a peripheral part C of B.
第３図に示すチップパターンｌからレチクルを作成する
工程は第４図で示され、大別してマスクパターン設計工
程、露光用データ作成工程、露光工程に分けられる。ま
ず、ＣＡＤツール（ディジタイザ）を用いて人手により
描かれたレイアウト原図の各層パターンの座標情報をデ
ィジタル・データに変換し、ディジタル・データに変換
された各層パターンの座標情報をマスクデータとして磁
気テープまたはディスクに格納する６次いで、露光用デ
ータ作成工程に入り、ＭＴに記憶されたマスクデータに
基づいて計算機により露光用データを一括変換処理によ
り作成し、この露光用データをＭＴに出力する。次いで
、露光工程ではＭＴに記憶された露光用データに基づい
て電子ビーム描画装置等のパターン発生装置により配置
処理し、レジスト塗布したマスクブランクを露光してレ
チクルを作成する。The process of creating a reticle from the chip pattern l shown in FIG. 3 is shown in FIG. 4 and can be roughly divided into a mask pattern design process, an exposure data creation process, and an exposure process. First, the coordinate information of each layer pattern of the layout original drawn manually using a CAD tool (digitizer) is converted into digital data, and the coordinate information of each layer pattern converted to digital data is used as mask data to be printed on magnetic tape or 6. Storing on disk Next, an exposure data creation step is started, where a computer creates exposure data by batch conversion processing based on the mask data stored in the MT, and outputs this exposure data to the MT. Next, in the exposure step, a pattern generating device such as an electron beam lithography device performs placement processing based on the exposure data stored in the MT, and the resist-coated mask blank is exposed to form a reticle.
レチクルに − の る 入
第５図■■■において、２〜４はチップのパターンであ
り、各チップパターン２〜４には同一領域があるものと
する。すなわち、パターン２はセル部ＡＳＢＳＣからな
り、パターン３は該セル部Ａ、Ｂ、Ｃに対応する形でセ
ル部Ａ′、ＢＳＣを、また、パターン４は該セル部Ａ′
、Ｂ、Ｃに対応する形ｔセル部Ａ’、Ｂ’、Ｃを持ち、
例えば■に示すパターン３のセル部Ａ′は■に示すパタ
ーン２のセル部Ａの修正部を表し、■に示すパターン４
のセル部Ｂ′は更に■に示すパターン３のセル部Ｂの修
正部を表している。In Figure 5 ■■■, numerals 2 to 4 are chip patterns, and each chip pattern 2 to 4 has the same area. That is, pattern 2 consists of cell portions ASBSC, pattern 3 consists of cell portions A' and BSC corresponding to cell portions A, B, and C, and pattern 4 consists of cell portions A'.
, B, C, and has t-shaped cell parts A', B', and C,
For example, cell part A' of pattern 3 shown in ■ represents a modified part of cell part A of pattern 2 shown in ■, and pattern 4 shown in ■
The cell portion B' further represents a modified portion of the cell portion B of pattern 3 shown in (3).
第５図■■■に示すチップパターン２．３．４からそれ
ぞれのレチクル■、■、■を作成する工程は第６図で示
される。The process of creating the respective reticles 2, 2, and 3 from the chip patterns 2.3.4 shown in FIG. 5 is shown in FIG.
第６図に示すように、複数レチクルに同一領域がある場
合であっても同一領域の有無とは無関係に前述した第４
図に示す工程と全く同様の工程で各チップパターン２〜
４毎に処理が進められて各 導体装置の製造方法を提
供することを目的としてレチクル■、■、■が作成され
る。 いる。As shown in FIG. 6, even if multiple reticles have the same area, the above-mentioned fourth
Each chip pattern 2~
The process proceeds every four times, and reticles ①, ②, and ② are created for the purpose of providing a manufacturing method for each conductor device. There is.
しかしながら、このような従来のレチクルの作成方法に
あっては、露光用データ作成工程で１チツプ内に同一領
域を有する場合又は複数レチクルに同一領域がある場合
に同一のセル部を重複して処理する構成となっていたた
め、近年のように１チツプのデータが大容量となったり
、ｌチップ内に数々の機能が付与されるようになってく
ると露光用データ作成工程の手番が大きくなり、かつ露
光用データの容量も膨大なものとなってしまうという問
題点があった。特に、チップの大型化に伴って露光装置
側の容量等の制限により、場合によってはレチクル露光
自体を行うことができないこともある。However, in such conventional reticle creation methods, in the exposure data creation process, if one chip has the same area or multiple reticles have the same area, the same cell part must be processed redundantly. Because of this, as in recent years, as the data capacity of a single chip has increased and a number of functions have been added to a single chip, the number of steps required in the exposure data creation process has increased. , and the amount of exposure data becomes enormous. In particular, as chips become larger, reticle exposure itself may not be possible in some cases due to limitations in the capacity of the exposure apparatus.
そこで本発明は、露光用データ作成の手番および露光用
データの容量を減少させることができ、近年のチップの
大型化に対応することができる半〔課題を解決するため
の手段〕
本発明による半導体装置の製造方法は上記目的達成のた
め、内部が複数の領域に分割されたチップの設計データ
を露光用データに変換し、変換後の露光用データに基づ
いて露光を行うことによりレチクルを作成する半導体装
置の製造方法において、前記設計データを前記領域に応
じて分割し、分割した設計データを露光用データに変換
し、各領域に応じて分割作成された露光用データに基づ
いて露光を行うようにしたことを特徴とする半導体装置
の製造方法を備えている。Therefore, the present invention can reduce the number of steps for creating exposure data and the capacity of exposure data, and can cope with the recent increase in the size of chips. In order to achieve the above objectives, the semiconductor device manufacturing method converts the design data of a chip whose interior is divided into multiple regions into exposure data, and creates a reticle by performing exposure based on the converted exposure data. In the method of manufacturing a semiconductor device, the design data is divided according to the regions, the divided design data is converted to exposure data, and exposure is performed based on the exposure data divided and created according to each region. A method for manufacturing a semiconductor device is provided.
本発明では、チップの設計データがチップ内部の領域に
応じて分割され、分割された設計データが露光用データ
に変換される。そして、各領域に応じて分割され作成さ
れた露光用データに基づいて露光が行われる。In the present invention, chip design data is divided according to the area inside the chip, and the divided design data is converted into exposure data. Then, exposure is performed based on the exposure data divided and created according to each area.
したがって、露光用データ作成工程での重複処理を回避
することができ、工程の手番短縮および露光データの容
量の減少が図られる。Therefore, duplication of processing in the exposure data creation process can be avoided, and the number of steps in the process can be shortened and the capacity of exposure data can be reduced.
第１図は本発明に係る半導体装置の製造方法の第１実施
例を示す図であり、１チツプ内に同一領域のある場合の
チップパターンに本発明を適用した例である。第１図は
第３図に示すチップパターンの設計データからレチクル
を作成するまでの手順を説明するための図であり、第４
図に示す従来例と同一構成部分には同一符号を付して再
度の説明を省略する。本実施例では、第１図に示すよう
に第３図に示すパターン１の座標情報をセル部Ａ、セル
部Ｂおよびセル部Ｃの各部分に分割して計算機に入力し
、計算機では各セル部の露光用データを一括変換処理し
て各セル部の露光用データを作成する。次いで、露光工
程では各露光用データに基づいて配置処理するとともに
露光して全体のレチクルを完成する。FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, and is an example in which the present invention is applied to a chip pattern in which the same area exists within one chip. FIG. 1 is a diagram for explaining the procedure for creating a reticle from the chip pattern design data shown in FIG.
Components that are the same as those of the conventional example shown in the figures are given the same reference numerals and repeated explanations will be omitted. In this embodiment, as shown in FIG. 1, the coordinate information of pattern 1 shown in FIG. The exposure data for each cell section is collectively converted to create exposure data for each cell section. Next, in the exposure process, placement processing is performed based on each exposure data and exposure is performed to complete the entire reticle.
したがって、本実施例ではマスク設計パターンをセル部
の区分別に分割して処理を行うようにしているので、露
光用データ作成工程中に重複して処理していた部分を少
な（することができ、この工程の手番を短縮し、かつ、
露光データの容量の減少を図ることができる。また、従
来例はチップ全体をいわば順次処理により変換処理した
ものということができるのに対し、本実施例はセル部毎
に分割して処理した場合に相当し、該変換処理時に計算
機で並列処理を行うようにすれば工程の手番を格段に短
縮することが可能になる。Therefore, in this embodiment, since the mask design pattern is divided and processed according to the cell section, it is possible to reduce the number of parts that were redundantly processed during the exposure data creation process. Shorten the turn of this process, and
It is possible to reduce the amount of exposure data. In addition, in contrast to the conventional example, where the entire chip is converted by sequential processing, this example corresponds to the case where processing is performed by dividing each cell part, and the computer performs parallel processing during the conversion process. By doing this, it becomes possible to significantly shorten the number of turns in the process.
以下、本実施例と従来例との手番およびデータ量の比較
を表１に示す。但し、第３図に示すパターン１のセル部
ＡＳＢ、Ｃのパターン数比はＡ：Ｂ ： Ｃ＝２ ：
２ ： １とする。Table 1 below shows a comparison of moves and data amounts between this embodiment and the conventional example. However, the pattern number ratio of cell parts ASB and C of pattern 1 shown in FIG. 3 is A:B:C=2:
2:1.
表 １
以上のように、手番の短縮および取扱いデータ量の減少
が見込まれる。Table 1 As shown above, it is expected that the number of turns will be shortened and the amount of data handled will be reduced.
第２図は本発明に係る半導体装置の製造方法の第２実施
例を示す図であり、複数レチクルに同一領域のある場合
のチップパターンに本発明を適用した例である。第２図
は第５図に示すチップパターンの設計データからレチク
ルを作成するまでの手順を説明するための図であり、第
６図に示す従来例と同一構成部分には同一符号を付して
再度の説明を省略する。本実施例は、第５図■に示され
るチップパターン領域を変えることなく、その−部のみ
を修正・改良する場合であり、このようなケースは実際
上比較的多い。従来例ではこのような場合でも第６図に
示すようにチップパターン２〜４毎に処理が進められて
おり、重複処理による手番、データ量の増大を招いてい
たが、本実施例によれば設計データから必要とされるセ
ル部のみのデータを抽出し、該当箇所のみ変換処理を行
うことで重複部分の処理を回避することができ、過去の
資産を有効に活用することが可能になる。FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, and is an example in which the present invention is applied to a chip pattern in which a plurality of reticles have the same area. FIG. 2 is a diagram for explaining the procedure for creating a reticle from the chip pattern design data shown in FIG. 5, and the same components as those in the conventional example shown in FIG. Repeated explanation will be omitted. This embodiment deals with the case where only the negative part of the chip pattern area shown in FIG. In the conventional example, even in such a case, as shown in FIG. 6, processing was carried out for each chip pattern 2 to 4, resulting in an increase in the number of turns and data amount due to duplicate processing, but this embodiment For example, by extracting only the data of the required cell part from the design data and converting only the relevant parts, it is possible to avoid processing duplicate parts, and it is possible to effectively utilize past assets. .
以下、■■＠レチクルが完成するまでの本実施例と従来
例との手番およびデータ量の比較を表２に示す。但し、
第５図に示すパターン２〜４のセル部ＡＳＢ、Ｃのパタ
ーン数比はＡ：Ｂ：Ｃ＝ｔ：ｉ：ｔとする。Table 2 below shows a comparison of the number of steps and amount of data between this embodiment and the conventional example until the ■■@reticle is completed. however,
The pattern number ratio of cell parts ASB and C in patterns 2 to 4 shown in FIG. 5 is assumed to be A:B:C=t:i:t.
表２
以上のよう゛に、手番の短縮および取扱いデータ量の減
少が見込まれる。Table 2 As shown above, it is expected that the number of turns will be shortened and the amount of data handled will be reduced.
本発明によれば、露光用データ作成の手番および露光用
データの容量を減少させることができ、近年のチップの
大型化に対応することができる。According to the present invention, it is possible to reduce the number of steps for creating exposure data and the capacity of exposure data, and it is possible to cope with the recent increase in the size of chips.
第１図は本発明に係る半導体装置の製造方法の第１実施
例を示すそのチップパターンの設計データからレチクル
を作成するまでの手順を説明するための図、
第２図は本発明に係る半導体装置の製造方法の第２実施
例を示すそのチップパターンの設計データからレチクル
を作成するまでの手順を説明するための図、
第３〜６図は従来の半導体装置の製造方法を示す図であ
り、
第３図はｌチップ内に同一領域のある場合のチップパタ
・−ンを示す図、
第４図は第３図に示すチップパターンの設計データから
レチクルを作成するまでの手順を説明するための図、
第５図は複数レチクルに同一領域がある場合のチップパ
ターンを示す図、
第６図は第５図に示すチップパターンの設計データから
レチクルを作成するまでの手順を説明するための図であ
る。
１〜４・・・・・・チップパターン、
ＡＳＡ’ 、Ｂ、Ｂ’ 、Ｃ，・・・・・・セル部。FIG. 1 is a diagram illustrating a first embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, and is a diagram for explaining the steps from design data of a chip pattern to creating a reticle. FIG. Figures 3 to 6 are diagrams illustrating a conventional method for manufacturing a semiconductor device. , Fig. 3 is a diagram showing the chip pattern when there is the same area within the l chip, and Fig. 4 is a diagram for explaining the procedure for creating a reticle from the chip pattern design data shown in Fig. 3. Figure 5 is a diagram showing a chip pattern when multiple reticles have the same area, and Figure 6 is a diagram explaining the procedure for creating a reticle from the chip pattern design data shown in Figure 5. be. 1 to 4...Chip pattern, ASA', B, B', C,...Cell part.
Claims (1)
光用データに変換し、 変換後の露光用データに基づいて露光を行うことにより
レチクルを作成する半導体装置の製造方法において、 前記設計データを前記領域に応じて分割し、分割した設
計データを露光用データに変換し、各領域に応じて分割
作成された露光用データに基づいて露光を行うようにし
たことを特徴とする半導体装置の製造方法。[Claims] A method for manufacturing a semiconductor device, which converts design data of a chip whose interior is divided into a plurality of regions into exposure data, and creates a reticle by performing exposure based on the converted exposure data. The design data is divided according to the regions, the divided design data is converted into exposure data, and the exposure is performed based on the exposure data divided and created according to each region. A method for manufacturing a semiconductor device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29394188A JPH07109509B2 (en) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | Reticle making method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29394188A JPH07109509B2 (en) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | Reticle making method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02139911A true JPH02139911A (en) | 1990-05-29 |
| JPH07109509B2 JPH07109509B2 (en) | 1995-11-22 |
Family
ID=17801157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29394188A Expired - Lifetime JPH07109509B2 (en) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | Reticle making method |
Country Status (1)
| Country | Link |
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Also Published As
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| JPH07109509B2 (en) | 1995-11-22 |
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