JPS63159340A - ペルフルオロアシルフルオリドの製造方法 - Google Patents

ペルフルオロアシルフルオリドの製造方法

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JPS63159340A
JPS63159340A JP62232720A JP23272087A JPS63159340A JP S63159340 A JPS63159340 A JP S63159340A JP 62232720 A JP62232720 A JP 62232720A JP 23272087 A JP23272087 A JP 23272087A JP S63159340 A JPS63159340 A JP S63159340A
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reaction
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パオロ・クツツアト
アルセニオ・カステルラン
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    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C51/00Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides
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  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はアシルラジカルがプロピオニル或はブチリル基
であるペルフルオロアシルフルオリドの製造方法に関す
る。
従来の技術及びその問題点 ペルフルオロアシルフルオリドは商業上の見地からかな
り興味のある中間生成物であり、例えば、祇及び布上に
撥水性及び撥油性生成物を得る目的で、界面活性剤、例
えは防炎加工剤を製造するために、フッ素化オレフィン
の重合用乳化剤を製造するために用いることができる。
ペルフルオロアシルフルオリドは、種々の方法、とりわ
けカルボン酸或はそれらの鋳導体(クロリド、エステル
)の電気化学的フッ素により及びヨードペルフルオロア
ルカンから出発することによって得ることができる。
アール・イー・バンクス(R,E、Banks )によ
る論文「オルガノフルオリン化合物の調製、性質及び産
業上の応用」1章、エリスホーウツドリミテッド、チチ
ェスターに報告されている通りに、これらのプロセスは
通常高価になり、電気化学的フッ素化の場合のように、
高収率及び高純度を達成することができず、或はヨード
ペルフルオロアンカンから出発する場合のように、多く
の工程を必要とししかも高価な出発原料から出発するこ
とを要する。
ペルフルオロアシルフルオリドにおいて純度は必須要件
であり、純度に欠くことはこれらの中間生成物を後の転
化反応において使用することを妨げ得る。例えば、ペル
フルオロアルキル−フルオロオキシ化合物への転化では
、微量の不純物によって錦導されて爆発的分解を起すこ
とが知られており、高純度な必要とする。
7−/L/ ・x ヌ−ヘイ、()vシフ (RlN、
Hazeldine )及びニー・イー−f”)ピング
(A、 E、 Tipping )(J、 Chem、
 Soc、(C)、  549−405頁、196B)
は、白金反応装置内で、595℃においてトリフルオロ
メチルトリフルオロビニルエーテルを熱分解転位する反
応を報告し【いる。この反応はいくつかの生成物、とり
わけベルフルオロプロピオニルフルオリドの生成を引き
起こし、この後者の生成物は収率53Nで得られる。
本発明の目的は、アシルラジカルがプロピオニル或はブ
チリル基であるペルフルオロアシルフルオリドを高い収
率及び高い選択率で製造する方法を提供することである
別の目的は、精製の操作を無用にさせ、或は極めて最小
にさせる非常に純粋な生成物を提供し、これより該生成
物の不安定性、例えば加水分解に関係する危険を避ける
ことである。
問題点を解決するための手段 これらやなおそれ以上の目的は、アシルラジカルがプロ
ピオニル或はブチリル基であるペルフルオロアシルフル
オリドを製造する本発明の方法ニよって達成される。こ
の方法は、アルキルラジカルがメチル或はエチル基であ
るペルフルオロアルキルビニルエーテルを下記から成る
群より選ぶ触媒の存在にお〜・て熱処理することを特徴
とする:A)  Li + Na t K + Cs又
はRbのフッ化物、或は反応条件下で容易にフッ素化し
得るLI I Na +K 、 Cs又はRhの化合物
; Is)  Be e Mg e Ca e Sr又はB
aのフッ化物、或は反応条件下で容易にフッ素化し得る
Be e Mg tCa 、 Sr又は13aの化合物
; C)アルカリ金属或は周期表の第■A族に属する金属の
フルオロアルミネート、フルオロシリケート、フルオロ
チタネート又はフルオロメタレート、或は反応条件下で
容易にフッ素化して上記のフルオロアルミネート、フル
オロシリケート、フルオロチタネート或はフルオロメタ
ネートの内の1つを生じ得る化合物; D)第1遷移系列の金属(すなわち、原子番号21から
30までの金属)のフッ化物、或は対応する金属或は該
金属の化合物であって反応条件下で容易にフッ素化し得
るもの; E)ランタニドのフッ化物、或は対応する金属或は該金
属の化合物であって反応条件下で容易にフッ素化し得る
もの; F)  Sr + AI + Ti T Ge + S
n又はPbのオキシフルオリド、或は反応条件下で容易
にフッ素化して該フッ化物の内の1つを生じ得るSiH
Al +’ri r Ge 、 Sn又はPbの化合物
反応は下記の通りである: (式中、RFはCF、であるか或はC2F5  である
)。
触媒として用いる金属及びその他の容易にフッ素化し得
る化合物は、反応φ件下、ペルフルオロアルキルビニル
エーテルの作用下でフッ素化種を現場生成する。これら
は、反応を行なう前に、これらをフッ素化することがで
きる別の反応体、例えばフッ素或はフッ化水素酸によっ
てもフッ素化することができる。
反応条件下で容易にフッ素化し得るLl * Na+K
 、 Cs 、 Rbの化合物の中で、オキシド、ヒド
ロキシド及びオキシハライド、例えはL+20 + N
a2O+に20   、   Cs 20   、  
 LiOH、Na1l(、KOH、Cs0II   。
Li0CI 、 Na0CI 、 KOCI及びCsO
c I  を挙げることができる。
反応条件下で容易にフッ素化し得るBe 、 Mg 。
Ca 、 Sr 、 Ba  の化合物の中で、オキシ
ド、ヒドロキシド及びオキシハライド、例えばl3aO
、MgO。
CaO、SrO、Ba(OH)2. Mg(OII)2
. Ca(011)2゜Sr(OH)2 、l3a(O
CI )2 、八4g(OCI)2.Ca(OCI)2
及びS r (QCl ) 2  を挙げることができ
る。
アルカリ金属或は周期表の第ff A族に属する金属の
フルオロアルミネート、フルオロシリケート、フルオロ
チタネート及びフルオロメタレートの中で、例えばに、
AlF6+ Cs、AII”6# I(2Sil’6+
 Cs2SiF6+C5CuF、 、 KCuF、 、
 CsN1F、を挙げることができる。
この範砺の好ましい化合物はに、AlF6. Cs3A
IF6゜K2SiF6  及びC52SiF6である。
反応条件下でフッ素化して上述したフルオロアルミネー
ト、フルオロシリケート、フルオロチタネート或はフル
オロメタネートを生ずることができる化合物の中で、例
えば、アルカリ金属及び第IIA族に属する金属のアル
ミネート、シリケート及びチタネート、例えば、Na2
At204+ Na25in。
k、、AI 2041 MgAl 204及びNa2T
ie5を挙げることができる。アルカリ金属或は第■A
族の金属と他の金属、例えばCu 、 Zn 、 Mg
  との混合オキシド、例えばMgO,CuOr N1
g00ZnO* K2O,CuO及びCS 20 lM
gOを挙げることもできる。
第1遷移系列の金属のフッ化物の中で、例えは下記を挙
げることができる: CuF21、 NiF2+ZnF
2* CoF2. CoF3+ CrF、 、 MnF
2* FeF2及びFeF3.対応する金属の中で、例
えばCu l Nt 。
Zn 、 Cr 、 hin 、 Fe及びCoを挙げ
ることができ、これらの中でCu * Ni+ Zn及
びFeか好ましい。
最も好fしいのはCuである。反応条件下で容易にフッ
素化し得るかかる金属の化合物の中で、例えば、オキシ
ド、例えばFe203r CuO+ NiO+Cr2O
5+ CO2O3r Cu2Cr2O4*  ヒドロキ
シド、例えばFed(OH) 、 Cu(OH)2. 
Ni(OH)2. Cry(OH) 。
Coo(OH) ニオキシハライド、例えばFe0C1
N1(OH)CI 、 Cr0C1、Cu(OR)CI
 、 Co(OH)CI  を挙げることができる。
フッ化うンタニドの中で、例えばLaF、 、 CeF
4を挙げることができる。対応する金属の中で、ランタ
ンを挙げることができる。反応条件下で容易にフッ素化
し得るランタニド化合物の中で、例えはオキシド、例え
はLa2O5* CeO2:  オキシド−ヒドロキシ
ド、例えばLad(OH) 、Ce0(OH) 2 :
  ヒドロキシド、例えばLa (OH) 、 、 C
e (01() 4ニオキシハライド、例えばLa0C
1、Ce0CI2  を挙げることができる。
Si + Al * Tt + Ge 、 Sn及びP
bのオキシ7A/オリドの中で、5iOxFy  (2
x + y= 4 )が好ましい。容易にフッ素化して
かかるオキシフルオリドを生じ得る化合物の中で、オキ
シド、V]えは5io21 Al2O5* ’1’i0
2 ニオキシド−ヒドロキシド、例えばS+0x(OI
−Dy (2x + y−4)、ノ\10x(OH)y
(2x+y=3)を挙げることができる。
第1遷移系列の金属、或はランタニドの代りに、それら
の合金、例えば、スチール、黄銅、前例を用いることが
できる。
予備成形したフッ素化触媒の中で最も好ましいのはMg
F2 である。
予備成形したフルオリドを出発原料として用いる場合、
該フルオリドを反応体それ自体、すなわチ、ペルフルオ
ロアルキルビニルエーテルの存在にお〜・て現場で活性
化するのが便宜であることがしばしばある。金属或はフ
ッ素化されていない化合物を出発原料として用いる場合
、反応体それ自体で処理することが必要であり、フッ素
化棟の生成及び出発原料の少なくとも一部の活性化の両
方に至り得る。反応体それ自体の代りに、別のフッ素化
剤、例えばF2或はHFを用いてフッ化物の生成及び使
用する出発原料の少なくとも一部の活性化に至り得る。
金属或はフッ素化されていない化合物にフッ素化及び活
性化の処理を行なう前に、熱処理を行なうのが好ましい
。この熱処理は、金属の場合、温度範囲300°〜65
0℃内において及びその他のフッ素化し得る化合物の場
合、それらの化学的及び物理的安定性により温度旬、囲
250°〜500℃内において行なうのが普通である。
かかる熱処理の期間は1〜3時間の範囲内であるのが普
通である。
すでにフッ素化した触媒を熱により活性化することもで
きる。この活性化は、反応が起きる同じ温度或は一層高
い温度において行なうのが普通である。
反応を行なうことができる温度範囲は触媒に応じて変わ
ることができ及び触媒の化学的性質、物理的形状及び活
性化度に依存することができる。
通常、転化は温度を上昇するにつれて増大する傾向にあ
り、他方、選択率は所定値の温度まで増大し、次いで温
度が一層高くなれは減小する。よって各触媒について、
良好な結果が得られる温度範囲が存在し及びペルフルオ
ロアシルフルオリドを高収率で得るために、転化率と選
択率との最良の組合せが達成される一層狭い温度範囲が
存在する。
第1遷移系列の金属の場合、良好な結果は、通常300
°〜500℃の範囲内で得られ、Cu 。
Ni 、 Zn及びFeの場合、最良の結果は、通常、
温度350°〜450℃において得られる。
3i + Al e Tie Ge + Sn及びsb
のオキシフルオリド及び反応条件下で容易にフッ素化し
て核オキシフルオリドを生じ侍るSi 、 Al t 
’l’i e Ge #Sn及びPbの化合物の場合、
良好な結果は、通常、温度250°〜400℃において
得られ、フッ素化したシリカの場合、最良の結果が温度
300°〜400℃において得られる。
Be + Mg 、 Ca 、 Sr及びBa  のフ
ルオリド及び反応条件下で容易にフッ素化し得る化合物
の場合、良好な結果は、通常、温度300°〜450℃
において得られ、MgF2  の場合、最良の結果が3
50°〜450℃において得られる。
Li t Na + K * Cs及びRbのフルオリ
ド及び反応条件下で容易にフッ素化し得るLs HNa
 * K +Cs及びnbの化合物の場合、良好な結果
は通常温度範囲300° 〜450℃内で得られ、KF
の場合、好ましい操作範囲は520°〜360℃である
活性化温度及び時間は触媒から触媒に変わる。
活性化は温度を上昇するにつれて早くなるのが普通であ
る。予備成形した触媒の場合、活性化は、反応を行なう
のと同じ温度において行なうのが普通である。また、金
属或は別のフッ素化し得る化合物のフッ素化及び活性化
も反応を行なうのと同じ温度において行なわれるのが普
通である。
触媒の粒度及び物理的形状は臨界的でない。粒度250
50ミフロン〜の範囲内の触媒を用いるのが普通である
。触媒が金属である場合、触媒は寸法敢闘のフィラメン
ト、チップ、ニードル等の形状にすることができる。金
属六面は円滑になることかでき、或は比表面積が例えば
0.05〜0.1m2/ jqの範囲内の所定の多孔度
を示すことができる。
フッ素化した触媒を金属と混合して同様に用いることか
できる。かかる金属はフッ素化により本発明に従がう触
媒を生ずる金属、例えばCu 、 Ni及び他の金属、
例えばAI  の両方の金属にすることができる。金属
の存在は反応媒質から熱を取り去るのを助ける。
別法として、フッ素化した触媒を金属材料に担持させる
ことができる。鋼に担持させたフッ素化触媒の製造法は
、25050ミフロン〜翼の範囲内の直径を有するフィ
ラメント或はニードル或はグラニユール状の酸化″@ 
(CuO或はCuzO或はこれらの混合物)に窒素で希
釈した水素により温度250°〜350℃において還元
を行ない、こうして比表面が、例えばQ、05〜0.1
m2/gの多孔質状の金属銅によって構成される担体な
得ることにある。この担体に、次いで、フルオリド、例
えばNaFの溶液(例えば、水性或はアルコール性溶液
)を含浸させる。最後に、使用した浴媒を真空下で蒸発
させる。
本発明の方法において、単一の触媒か或は触媒の混合物
のいずれかを用いることができる。方法は回分式で或は
好ましくは連続で行なうことができる。方法を回分式で
行なう場合、反応はオートクレーブ中、系によって発達
された内生(endo−genous )  圧下で操
作して行なうことができる。
方法は、ペルフルオロアルキルビニルエーテルの流れを
ガス相で触媒床の上に流して、況続に行なうのが好まし
い。
ペルフルオロアルキルビニルエーテルは単独テ、或は反
応条件下で不活件なガス状希釈剤、例えはN2+ He
或はCF4との混合物として用いることができる。希釈
剤を用いる場合、ペルフルオロアルキルビニルエーテル
/希釈剤容積比は、例えは100:1〜1:1の範囲内
で構成する。ペルフルオロアルキルビニルエーテルのガ
ス状流を触媒床の上に流れさせる場合は、そり流値は触
媒1グラム当りα025〜αI N# 7時間の帥、曲
内で構成する。
反応体と触媒との接触時間は、用いる方法(回分式であ
るか或は連続式であるか)、触媒の性質、触媒の物理的
形状、反応体の可能な布釈反、反応温度に応じて広い範
囲内で変わることができる。
方法をすでに活性化した触媒上定常条件下で、反応体流
量をα025〜αI Nl 7時間/触媒グラムの範囲
内にして連続に行なう場合、接触時間は、例えは1°〜
90秒の範囲になることができる。
不発明の触媒は長い活性寿命が付与される。本発明の方
法によって、およそ99%までの転化率及びおよそ90
%までの選択率を得ることができる。
?&終生成物中に存在する不純物は、はとんど、未反応
ノベルフルオロアルキルビニルエーテル及びフッ素化オ
レフィンで構成される。これらの不純物は、慣用の技術
を用いて除くことかできる。
フッ素化オレフィンは、例えばガス状反応混合物を液体
臭素中にバブリングさせて分離することができ、不飽和
の生成物は液体臭素化化合物になり、該化合物は例えば
蒸留によって分離することができる。
本発明の主硬な利点を下記の通りにまとめることができ
るニ ー反応を触媒が存在しない場合よりも低い温度で行なう
ことができる; 一反応は極めて遮板的であり及びペルフルオロアシルフ
ルオリドの収率か高い; −多くの副生物、時にペルフルオロイソブチンの生成は
、一層低い温度において操作することによって、非常に
低い量に制御及び制限することカテキる。ペルフルオロ
イソブチンは極めて毒性であり、触媒の存在しない熱分
解プロセスでは、その生成を避けることはできない;−
最終生成物を簡単及び有効な方法で精Vj L、て一層
たくさんの不純物、すなわち不飽和不純物を除くことが
できる; 一触媒に長い活性寿命を付与する。
例1 全ての例において、長さ250朋及び内直径10.9m
mの管形反応装置を用いる。各試択において、新しい反
応装置を使用した。
例1では、スチールAl51316の非充填反応装竹を
使用する。反応装6tをN2の岑囲気下で300℃にお
いて2時間予備加熱し、次いで制御温度380℃に14
節する。ペルフルオロメチルビニルエーテルを反応装置
に流*a、6Nl/時間で供給する。出るカスを1.I
t、分光光度計及びガスマススペクトメトリーによって
検出する。ガスをガスクロマトグラフィーにより気相で
オンライン分析する。供給開始から5分した後に、転化
率499X及びベルフルオロプロピオニルフルオリドへ
の選択率0をW!il側する。更に50分した後、転化
率は695%で、選択率は494%である。
試触は、反応体の存在における、熱プロセスの非選択性
及び活性触媒棹の経時現場生成を立証する。
方法を、Al51316スチールの反応装置内で、例1
の通りにして行なう。衣に示す条件を用いる。表は得ら
れた結果も報告する。
全時間、分   311  60  90 12015
0温度、℃395 400 400 400 400転
化率、%   74.8 85  89.6 914 
96.5選択率、X    />7 68A  825
 82.7 8t1試験は触媒種の生成及び触媒種の進
行的活性、結果として選択率及び収基の増大を立証する
例3 反応を、1〜10藺の範凹の長さを有する銅ニードルを
充填した銅の反応装置の内で行なう。充填した反応装置
を窒素雰囲気下で300℃に8いて3時間熱前処理する
。次いで、反応装置を制御i度390℃に調節し、ペル
フルオロメチルビニルエーテルを反応装置に流go、6
Nl/時間で供給する。時間の関数として得た結果を下
記の表に報告する。
六− 全時間、分      5  50  80 120転
化率、X      55  85.7 87  92
.3選択率、X       O79,681,788
,2例4 ペルフルオロメチルビニルエーテル流の供給を開始する
前に、300℃において熱前処理を行ない及び反応装置
を制御温度395℃に調節して、反応を例3の通りにし
て行なう。約120分後に、転化率98.6%及び選択
率849%を得る。8時間2′小転した後に、触媒は効
率減小を示さない。
例5 反応装置の熱前処理を300℃で行なうことのみ変えて
、反応を例4の通りにして行なう。同じ結果を得る。不
純物は CF −CF= CF2 及び無視できる量の他のフルオロカーボンで構成される
例6 非充填の石英反応装置を使用する。反応装置をN2雰囲
気下400℃において30分間及び350℃において1
時間予備加熱し、及び初めに制御温度330℃に′A節
する。ペルフルオロメチルビニルエーテルの流れを流z
asNlj/時間で供給する。時間及び温度の関数とし
て得た結果を下記の表に報告する。
色 全時間、分  50  60  90 120 150
 180 210飄度、T、   31 330 35
0 370 570 580 380転化率、%  2
7.6 49.4 6t5 694 82.0 95.
393.1選択率9、X   85.1 9tO89,
5B7.5 85,2 87.2 87.68時間運転
した後に、触媒は何ら効率減小を示さない。不純物は、 CF、 −CF = CF2 及び無視できる世の他のフルオロカーボンで構成される
例7 例3の通りにして銅ニードルを光填した銅の反応装置を
使用する。充填した反応装置を窒素雰囲気下で300℃
において3時間熱予備加熱し、久いで制御温度120℃
に調節する。窒素2Nlj/時間とフッ累I Nl 7
時間との混合流を反応装置に通して供給する。次いで、
反応装置温度を390℃に調節し、次いで、ベルフルオ
ロメナルビニルエーテル流0.6Nl/時間を反応装置
に通して流れさせ、下記の表に報告する結果を得る。
春2 全時間、分      535 転化率、X97.5  96.0 選択率、%     55.0  710本例は、例5
に立証する通りの反応体の存在においてのみならず、別
法としてフッ素元素等の異なるフッ素化剤の存在におい
ても、活性及び選択性棹を生成することを立証する。
例日 反応を、アルミン酸ナトリウム粉末を充填しだ力2ス反
応装置の内で、それにペルフルオロメチルビニルエーテ
ル流を流−mα6Nll/時間で供給して通して行なう
。下記の表に示す条件を用いる。
また下記の赤に結果も報告する。
全時間、分  90 150 240 270 280
 10 525温度、’C2503003003003
30340350転化率、%  7  13.6 2B
、5 31  53.5 75  75.8選択率、%
  0   0.4 49.6 51  57  59
  61例9 長さ250m及び内直径10.911を有するAl81
316スチールの管形反応装置に、直径0.7〜t5鮨
の範囲内の無水MgF 2の粒子30gを充填する。反
応装faを大気圧下で温度400℃に加熱し及びその温
度に保ち、その中にペルフルオロメチルビニルエーテル
o、6Nl/時間の連続流を通して流す。1時間の後に
、出るガスをガスクロマトグラフィー、1. I(0分
光画元及びマススペクトロメトリーで分析して、ベルフ
ルオロプロビオニルフルオリド(82モルX)、ペルフ
ルオロメチルビニルエーテル(3%)、ヘキサフルオロ
フロヘンC5X)、少量の他のフルオロカーボン(各々
は1%に等しい量又はそれ以下o)4Hで存在する)に
より構成される結果である。転化率は97%であり、選
択率は85Xである。40時間を越えて運転した後に、
触媒は依然全体的に有効な結果であった。
例90反反応前の内で、以下にWK記載する他は例9と
同じ様式に従が゛つて操作することによって、下記の表
に報告する通りの触媒及び操作パラメータを用いてベル
フルオロメチルビニルエーテルノベルフルオログロビオ
ニルフルオリドへの異性化を行なう。
1℃ 10  MgF 2  0.6   390°C958
611MgF20.(S    420°C99751
2KF    0.45  560℃  9456例1
3 触媒として八1gF2 を用いる。例9の反応装置を温
度380℃に保ち、その中にCF5CF”2−0−C)
’=CF2の流れを大気圧下流mO,25NJ/時間で
供給する。1時間運転した後に、反応装置を出るガスを
例1の通りにして分析して、CF3CF2CF′2CO
F90%、微量のCF30F200F=CF2を含有し
、残りが本質的にCF、CF = CF2で構成される
結果である。転化率は99Xである結果であり、選択率
は約90%である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、アシルラジカルがプロピオニル或はブチリル基であ
    るペルフルオロアシルフルオリドの製造方法において、
    アルキルラジカルがメチル或はエチル基であるペルフル
    オロアルキルビニルエーテルを下記から成る群より選ぶ
    触媒の存在において熱処理することを特徴とする方法: A)Li、Na、K、Cs又はRbのフッ化物、或は反
    応条件下で容易にフッ素化し得るLi、Na、K、Cs
    又はRbの化合物; B)Be、Mg、Ca、Sr又はBaのフッ化物、或は
    反応条件下で容易にフッ素化し得るBe、Mg、Ca、
    Sr又はBaの化合物; C)アルカリ金属或は周期表の第IIA族に属する金属の
    フルオロアルミネート、フルオロシリケート、フルオロ
    チタネート又はフルオロメタレート、或は反応条件下で
    容易にフッ素化して上記のフルオロアルミネート、フル
    オロシリケート、フルオロチタネート或はフルオロメタ
    ネートの内の1つを生じ得る化合物; D)第1遷移系列の金属のフッ化物、或は対応する金属
    或は該金属の化合物であつて反応条件下で容易にフッ素
    化し得るもの; E)ランタニドのフッ化物、或は対応する金属或は該金
    属の化合物であつて反応条件下で容易にフッ素化し得る
    もの; F)Si、Al、Ti、Ge、Sn又はPbのオキシフ
    ルオリド、或は反応条件下で容易にフッ素化して該フッ
    化物の内の1つを生じ得るSi、Al、Ti、Ge、S
    n又はPbの化合物。 2、反応条件下で容易にフッ素化し得るLi、Na、K
    、Cs又はRbの化合物がオキシド、ヒドロキシド或は
    オキシハライドである特許請求の範囲第1項記載の方法
    。 3、反応条件下で容易にフッ素化し得るBe、Mg、C
    a、Sr又はBaの化合物がオキシド、ヒドロキシド或
    はオキシハライドである特許請求の範囲第1項記載の方
    法。 4、アルカリ金属或は周期表の第IIA族に属する金属の
    フルオロアルミネート、フルオロシリケート、フルオロ
    チタネート又はフルオロメタレートをK_3AlF_6
    、Cs_3AlF_6、K_2SiF_6、Cs_2S
    iF_6、CsCuF_3、KCuF_3、CsNiF
    _3から成る群より選ぶ特許請求の範囲第1項記載の方
    法。 5、第1遷移系列の金属のフルオリドをCuF_2、N
    iF_2、ZnF_2、CoF_2、CoF_3、Cr
    F_3、MnF_2、FeF_2、FeF_3から成る
    群より選ぶ特許請求の範囲第1項記載の方法。 6、第1遷移系列の金属をCu、Ni、Zn、Cr、M
    n、Fe、Coから成る群より選ぶ特許請求の範囲第1
    項記載の方法。 7、第1遷移系列の金属が銅である特許請求の範囲第1
    項記載の方法。 8、ランタニドのフッ化物をLaF_3、CeF_4か
    ら成る群より選ぶ特許請求の範囲第1項記載の方法。 9、反応条件下で容易にフッ素化してオキシフルオリド
    を生じ得るSi、Al、Ti、Ge、Sn又はPbの化
    合物がオキシド或はオキシド−ヒドロキシドである特許
    請求の範囲第1項記載の方法。 10、反応条件下で容易にフッ素化し得る金属或は化合
    物をペルフルオロアルキルビニルエーテル或は別のフッ
    素化剤の作用化で現場でフッ素化させる特許請求の範囲
    第1、2、3、6、7又は9項記載の方法。 11、他のフッ素化剤がフッ素或はフッ化水素酸である
    特許請求の範囲第10項記載の方法。 12、金属或は容易にフッ素化し得る化合物を現場でフ
    ッ素化することによつて得る触媒をペルフルオロアルキ
    ルビニルエーテルの存在において現場で活性化させる特
    許請求の範囲第10又は11項記載の方法。 13、予備成形した触媒をペルフルオロアルキルビニル
    エーテルの存在において現場で活性化させる特許請求の
    範囲第1、4、5又は8項記載の方法。 14、金属に温度範囲300°〜650℃内で熱処理を
    行なつた後にフッ素化する特許請求の範囲第1、6、7
    、10、11又は12項記載の方法。 15、反応条件下で容易にフッ素化し得る化合物に温度
    範囲250°〜500℃内で熱処理を行なつた後にフッ
    素化する特許請求の範囲第1、2、3、9、10、11
    又は12項記載の方法。 16、第1遷移系列の金属を触媒として用いる場合に、
    反応を温度範囲300°〜500℃内で行なう特許請求
    の範囲第1、6、7、10、11、12又は14項記載
    の方法。 17、Cu、Ni、Zn又はFeを触媒として用いる場
    合に、反応を温度範囲350°〜450℃内で行なう特
    許請求の範囲第16項記載の方法。 18、Si、Al、Ti、Ge、Sn又はPbのオキシ
    フルオリド或は反応条件下で容易にフッ素化して該オキ
    シフルオリドの内の1つにし得るSi、Al、Ti、G
    e、Sn又はPbの化合物を触媒として用いる場合に、
    後者の反応を温度範囲250°〜400℃において行な
    う特許請求の範囲第1、9、10、11、12、13又
    は15項記載の方法。 19、フッ素化したシリカを触媒として用いる場合に、
    反応を温度範囲300°〜400℃内で行なう特許請求
    の範囲第18項記載の方法。 20、Be、Mg、Ca、Sr又はBaのフッ化物、或
    は反応条件下で容易にフッ素化し得るBe、Mg、Ca
    、Sr又はBaの化合物を触媒として用いる場合に、後
    者の反応を温度範囲300°〜450℃内で行なう特許
    請求の範囲第1、3、10、11、12、13又は15
    項記載の方法。 21、フッ化マグネシウムを触媒として用いる場合に、
    反応を温度範囲350°〜450℃内で行なう特許請求
    の範囲第20項記載の方法。 22、Li、Na、K、Cs又はRbのフッ化物、或は
    反応条件下で容易にフッ素化し得るLi、Na、K、C
    s又はRbの化合物を触媒として用いる場合に、後者の
    反応を温度範囲300°〜450℃内で行なう特許請求
    の範囲第1、2、10、11、12、13又は15項記
    載の方法。 23、ペルフルオロアルキルビニルエーテルの流れを触
    媒層上に流して連続に行なう先の特許請求の範囲の一項
    又はそれ以上に記載の方法。 24、ペルフルオロアシルフルオリドをガス状で液体臭
    素の中にバブリングさせてペルフルオロアシルフルオリ
    ドから不飽和不純物を精製して除く先の特許請求の範囲
    の一項又はそれ以上に記載の方法。
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IT21758A/86 1986-12-24
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