JPS63157863A - Ｅｃｒスパツタリング法 - Google Patents
Ｅｃｒスパツタリング法Info
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- JPS63157863A JPS63157863A JP30165186A JP30165186A JPS63157863A JP S63157863 A JPS63157863 A JP S63157863A JP 30165186 A JP30165186 A JP 30165186A JP 30165186 A JP30165186 A JP 30165186A JP S63157863 A JPS63157863 A JP S63157863A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明はＴｉ及びＴｉ系化合物等、ガスを吸着しやすい
物質をスパッタするのにＥＣＲ放電プラズマを用いて行
なう。
物質をスパッタするのにＥＣＲ放電プラズマを用いて行
なう。
本発明はＥＣＲＣ式スパッタ法り、特にＴｉ及びＴｉ系
化合物等、ガスを吸着しやすい物質を、ＥＣＲ放電を用
いてスパッタする方法に関する。
化合物等、ガスを吸着しやすい物質を、ＥＣＲ放電を用
いてスパッタする方法に関する。
半導体基板上に金属を形成する方法として真空蒸着、ス
パッタリング、化学メッキ、ＣＶＤ成長等が知られてい
る。
パッタリング、化学メッキ、ＣＶＤ成長等が知られてい
る。
一般に例えばＷ、Ｐｔ、Ｔｉ等の高融点金属は抵抗加熱
法で融点まで温度を上昇させることが、困難なためスパ
ッタリング法による形成方法が用いられる。
法で融点まで温度を上昇させることが、困難なためスパ
ッタリング法による形成方法が用いられる。
第２図は従来法であるプレーナーマグネトロンスパッタ
リング法を示す模式図である。
リング法を示す模式図である。
第２図において、例えばシリコン基板１上にＴｉを形成
したい場合、該基板１に対向して配置されたＴｉターゲ
ット２から磁石３によって形成されたプラズマ４例えば
Ａｒ＋イオンのプラズマ４でＴｉ ５を叩き出して該Ｔ
ｉを基板１表面に形成する。６は磁石３により形成され
た磁界であり、７は鉄心である。
したい場合、該基板１に対向して配置されたＴｉターゲ
ット２から磁石３によって形成されたプラズマ４例えば
Ａｒ＋イオンのプラズマ４でＴｉ ５を叩き出して該Ｔ
ｉを基板１表面に形成する。６は磁石３により形成され
た磁界であり、７は鉄心である。
従来上記プレーナーマグネトロン方式ではスパッタリン
グ圧力が１０−３〜１Ｏ−２ｔｏｒｒでプラズマが維持
されておりこの圧力ではＴｉ及びＴｉ系化合物等ガスを
吸着しやすい金属は基板上に形成した金属膜中に多くの
ガス、第２図の場合のＡｒ、を吸着し膜質を劣化する問
題がある。
グ圧力が１０−３〜１Ｏ−２ｔｏｒｒでプラズマが維持
されておりこの圧力ではＴｉ及びＴｉ系化合物等ガスを
吸着しやすい金属は基板上に形成した金属膜中に多くの
ガス、第２図の場合のＡｒ、を吸着し膜質を劣化する問
題がある。
また上記従来のマグネトロンスパッタ法ではプラズマ領
域がドーナツ状のためターゲットの利用率も約３０％以
下と低く大口径化なし得なかった。
域がドーナツ状のためターゲットの利用率も約３０％以
下と低く大口径化なし得なかった。
そこで本発明はプラズマを低圧で維持し、Ａｒ等のガス
を成膜中に吸着しないＥ ＣＲ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙ
ｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅ５ｏｒａｎｃｅ）スパッタリング
法を提供することを目的とする。
を成膜中に吸着しないＥ ＣＲ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙ
ｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅ５ｏｒａｎｃｅ）スパッタリング
法を提供することを目的とする。
更に本発明はターゲットの形状を大口径化することが可
能なＥＣＲスパッタリング法を提供することを目的とす
る。
能なＥＣＲスパッタリング法を提供することを目的とす
る。
上記問題点は本発明によれば減圧したガス雰囲気中でガ
スプラズマ作り、イオン化したガスを対向電極にあるタ
ーゲットに当ててターゲット材料から原子を叩き出し、
該原子を基板に堆積するスパッタリング法において、前
記プラズマを電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）放電に
よって形成することを特徴とするＥＣＲスパッタリング
法によって解決される。
スプラズマ作り、イオン化したガスを対向電極にあるタ
ーゲットに当ててターゲット材料から原子を叩き出し、
該原子を基板に堆積するスパッタリング法において、前
記プラズマを電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）放電に
よって形成することを特徴とするＥＣＲスパッタリング
法によって解決される。
本発明によればプラズマをＥＣＲ放電によって形成する
のでより低圧、例えば１０−４〜１Ｏ−６ｔｏｒｒでス
パッタリングを可能とししかも、ターゲットから叩き出
される原子が一様に消耗される。
のでより低圧、例えば１０−４〜１Ｏ−６ｔｏｒｒでス
パッタリングを可能とししかも、ターゲットから叩き出
される原子が一様に消耗される。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係るＥＣＲ放電によりプラズマを形成
してスパッタリングするＥＣＲスパッタリング法を説明
するための模式図である。
してスパッタリングするＥＣＲスパッタリング法を説明
するための模式図である。
第１図において真空チャンバー１０内は１Ｏ−５ｔｏｒ
ｒに減圧され、対向配置された基板１とＴｉのターゲラ
）２ （Ｌ２ ＝２５ｃｍφ）間に垂直に配置された２
つのＥＣＲ用静磁場発生コイル３０により磁界６が形成
されている。２つの磁石３間に高周波電場を供給するよ
うに設けたＥＣＲ用リジす−ノコイル７内で囲まれた領
域内にプラズマ領域８が形成されている。
ｒに減圧され、対向配置された基板１とＴｉのターゲラ
）２ （Ｌ２ ＝２５ｃｍφ）間に垂直に配置された２
つのＥＣＲ用静磁場発生コイル３０により磁界６が形成
されている。２つの磁石３間に高周波電場を供給するよ
うに設けたＥＣＲ用リジす−ノコイル７内で囲まれた領
域内にプラズマ領域８が形成されている。
このようにして得られたプラズマはＥＣＲ放電により得
られたものである。真空チャンバー１０内に供給された
ＡｒガスはＥＣＲプラズマ中でＡｒ”イオンとなりイオ
ン加速用負バイアス９のつくる電場によりＡｒ＋を加速
されターゲット２に当たり、ターゲット２からＴｉ原子
を叩き出し基板１表面にスパッタリング堆積される。
られたものである。真空チャンバー１０内に供給された
ＡｒガスはＥＣＲプラズマ中でＡｒ”イオンとなりイオ
ン加速用負バイアス９のつくる電場によりＡｒ＋を加速
されターゲット２に当たり、ターゲット２からＴｉ原子
を叩き出し基板１表面にスパッタリング堆積される。
（１１は堆積したＴｉ原子の一部）。
以上説明したように本発明ではＥＣＲ放電によるプラズ
マを用いているので約１０−’ｔｏｒｒの低圧でプラズ
マが維持されるためターゲットから叩き出される原子と
ガスとの衝突回数が減少し基板上に堆積される金属膜中
にはガスの吸着量が減少し、また内部応力特性が良好な
膜を得る。またＥＣＲ放電のプラズマはターゲットが入
口径（２０〜３０ｃｍφ）でも均質性であり、ターゲッ
ト利用効率を２０〜４０％向上させることができる。
マを用いているので約１０−’ｔｏｒｒの低圧でプラズ
マが維持されるためターゲットから叩き出される原子と
ガスとの衝突回数が減少し基板上に堆積される金属膜中
にはガスの吸着量が減少し、また内部応力特性が良好な
膜を得る。またＥＣＲ放電のプラズマはターゲットが入
口径（２０〜３０ｃｍφ）でも均質性であり、ターゲッ
ト利用効率を２０〜４０％向上させることができる。
第１図は本発明に係るＥＣＲ放電によりプラズマを形成
してスパッタリングするＥＣＲスパッタリング法を説明
するための模式図であり、第２図は従来法であるプーナ
ーマグネトロンスパッタリング法を示す模式図である。 １・・・基板、 ２・・・ターゲット、３
・・・磁石、 ４・・・Ａｒ”プラズマ、
５・・・Ｔｉ原子、 ６・・・磁界、７・・・レ
ジタ−ノコイル、８・・・プラズマ領域、９・・・イオ
ン加速用負バイアス、 １０・・・真空チャンバー、 １１・・・堆積したＴｉ原子の一部、 ３０・・・ＥＣＲ用静磁場発生用コイル。
してスパッタリングするＥＣＲスパッタリング法を説明
するための模式図であり、第２図は従来法であるプーナ
ーマグネトロンスパッタリング法を示す模式図である。 １・・・基板、 ２・・・ターゲット、３
・・・磁石、 ４・・・Ａｒ”プラズマ、
５・・・Ｔｉ原子、 ６・・・磁界、７・・・レ
ジタ−ノコイル、８・・・プラズマ領域、９・・・イオ
ン加速用負バイアス、 １０・・・真空チャンバー、 １１・・・堆積したＴｉ原子の一部、 ３０・・・ＥＣＲ用静磁場発生用コイル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、減圧したガス雰囲気中でガスプラズマを作り、イオ
ン化したガスを対向電極にあるターゲットに当ててター
ゲット材料から原子を叩き出し、該原子を基板に堆積す
るスパッタリング法において、前記プラズマを電子サイ
クロトロン共鳴（ＥＣＲ）放電によって形成することを
特徴とするＥＣＲスパッタリング法。 ２、前記ＥＣＲプラズマをＥＣＲ用静磁場発生用コイル
とＥＣＲ用リジターノコイルを用いて形成する特許請求
の範囲第１項記載のＥＣＲスパッタリング法。 ３、１０＾−＾４〜１０＾−＾６ｔｏｒｒで行なう特許
請求の範囲第１項記載のＥＣＲスパッタリング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30165186A JPS63157863A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | Ｅｃｒスパツタリング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30165186A JPS63157863A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | Ｅｃｒスパツタリング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63157863A true JPS63157863A (ja) | 1988-06-30 |
Family
ID=17899501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30165186A Pending JPS63157863A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | Ｅｃｒスパツタリング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63157863A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050167A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマ付着装置 |
| JPS61194174A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-28 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS61272372A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-02 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置 |
-
1986
- 1986-12-19 JP JP30165186A patent/JPS63157863A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050167A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマ付着装置 |
| JPS61194174A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-28 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS61272372A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-02 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置 |
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