JPS6315744A - 電子部品用基板 - Google Patents
電子部品用基板Info
- Publication number
- JPS6315744A JPS6315744A JP61160643A JP16064386A JPS6315744A JP S6315744 A JPS6315744 A JP S6315744A JP 61160643 A JP61160643 A JP 61160643A JP 16064386 A JP16064386 A JP 16064386A JP S6315744 A JPS6315744 A JP S6315744A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid ester
- substrate
- dianhydride
- aromatic
- aromatic tetracarboxylic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分！Ｉ’／）
本発明は表面をｉｌＺ川化用た電子部品用基板に関する
。
。
（従来の技術）
従来電子部品用基板として４Ｊステンレススチール、ア
ルミ、セラミック等の１４質からなる種々の基板が用い
られている。ごれらの基板のうら太陽電池基板、ハイブ
リッドＩｃ用基板、併置ディスク基板、光デイスク基板
、薄膜磁気・・・ソド基板等に用いられる基板は、種々
の研磨法や表面処理法により基板表面を高度に３１１川
化する必要がある。
ルミ、セラミック等の１４質からなる種々の基板が用い
られている。ごれらの基板のうら太陽電池基板、ハイブ
リッドＩｃ用基板、併置ディスク基板、光デイスク基板
、薄膜磁気・・・ソド基板等に用いられる基板は、種々
の研磨法や表面処理法により基板表面を高度に３１１川
化する必要がある。
しかしながら、これらの研磨法や表面処理法は、例えば
基板の祠質としてアルミを用いる場合には軟らかすぎ、
またセラミックを用いる場合には硬すぎるため、かなり
困ゲＵな丁稈となる。そごでこれらの−［程を行なわず
に基板トに樹脂層を形成し、流動性のある４ＡＩ脂によ
る穴うめにより表面を平１４４化する方法が注目されて
いる。 ・力、これらの基板を電子部品用Ｍ板として用
いる場合には、基板。
基板の祠質としてアルミを用いる場合には軟らかすぎ、
またセラミックを用いる場合には硬すぎるため、かなり
困ゲＵな丁稈となる。そごでこれらの−［程を行なわず
に基板トに樹脂層を形成し、流動性のある４ＡＩ脂によ
る穴うめにより表面を平１４４化する方法が注目されて
いる。 ・力、これらの基板を電子部品用Ｍ板として用
いる場合には、基板。
」二に機能性）４月や機能１７１膜を形成したり、ｌ
Ｃや）ＬＳＩのチップを実装する等の後処理「、程・が
あり、これらの−［稈はシ９Ｌとんどタハ処理を仕っ−
（いる。したがってこれらの基板の一１１１川化に用い
られる樹脂は耐熱Ｐ目Ｈ詣であごとが・ソ・１ｙｊとさ
れ、ごの条イ〆１を満足する樹脂の１９とし゛Ｃポリイ
ミド樹脂が知られている。しかしながら、基板１に樹脂
層を形成して平坦にするにム、１、樹脂分ｌＪ度が高く
、かつ粘度が比較的低いことが必要とされるが、従来の
ポリイミド樹脂では高樹脂分、かつ低粘度という２条件
を同時に満足することは非常に困難であり、従来のポリ
イミド樹脂で良好な平坦性を得ることは極めて困難であ
った。
Ｃや）ＬＳＩのチップを実装する等の後処理「、程・が
あり、これらの−［稈はシ９Ｌとんどタハ処理を仕っ−
（いる。したがってこれらの基板の一１１１川化に用い
られる樹脂は耐熱Ｐ目Ｈ詣であごとが・ソ・１ｙｊとさ
れ、ごの条イ〆１を満足する樹脂の１９とし゛Ｃポリイ
ミド樹脂が知られている。しかしながら、基板１に樹脂
層を形成して平坦にするにム、１、樹脂分ｌＪ度が高く
、かつ粘度が比較的低いことが必要とされるが、従来の
ポリイミド樹脂では高樹脂分、かつ低粘度という２条件
を同時に満足することは非常に困難であり、従来のポリ
イミド樹脂で良好な平坦性を得ることは極めて困難であ
った。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を除去し、高樹脂
分、かつ低粘度の溶液を与える化合物を用いて基板上に
平坦な表面を形成させた電子部品用基板を提供すること
にある。
分、かつ低粘度の溶液を与える化合物を用いて基板上に
平坦な表面を形成させた電子部品用基板を提供すること
にある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は芳香族テトラカルボン酸二無水物とアルコール
および／またはアルコール誘導体とを反応させて得られ
る芳香族テトラカルボン酸エステルに、または該芳香族
テトラカルボン酸エステルと芳香族テトラカルボン酸二
無水物に、芳香族ジアミンおよび／またはジアミノシロ
キサンを反応さ・ｌて得られるポリアミック酸エステル
オリゴマーを、基板上に塗布、硬化してなる電子部品用
基板に関する。
および／またはアルコール誘導体とを反応させて得られ
る芳香族テトラカルボン酸エステルに、または該芳香族
テトラカルボン酸エステルと芳香族テトラカルボン酸二
無水物に、芳香族ジアミンおよび／またはジアミノシロ
キサンを反応さ・ｌて得られるポリアミック酸エステル
オリゴマーを、基板上に塗布、硬化してなる電子部品用
基板に関する。
本発明に用いられるポリアミック酸エステルオリゴマー
は、必要に応して、溶媒の存在下に、芳香族テトラカル
ボン酸二、無水物とアル′：１−ルおよび／またはアル
コール誘導体とを反応さ−ｌて１りられる芳香族テ１−
ラカルポン酸エステルに、または該芳香族テｌ〜ラカル
ボン酸エステルと芳香族テＩ・ラカルボン酸二無水物に
、芳香族ジアミンおよび／またはジアミノシロキサンを
反応さ−ｌて得られる。この際の溶媒とし”ζは、例え
ばブチルセロソルブ等のエーテルグリニｌ−ル糸ｒ容媒
、Ｎ−メチル−２−ピロリ１゛ン、Ｎ、 Ｎ ジエ
チルポルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルポルムアミド、Ｎ
、Ｎ−’；メチルアセトアミＩ、ジメチルスルホキサイ
ｌ゛、トルエン、キシレン等の１種または２種以上が用
いられる。
は、必要に応して、溶媒の存在下に、芳香族テトラカル
ボン酸二、無水物とアル′：１−ルおよび／またはアル
コール誘導体とを反応さ−ｌて１りられる芳香族テ１−
ラカルポン酸エステルに、または該芳香族テｌ〜ラカル
ボン酸エステルと芳香族テＩ・ラカルボン酸二無水物に
、芳香族ジアミンおよび／またはジアミノシロキサンを
反応さ−ｌて得られる。この際の溶媒とし”ζは、例え
ばブチルセロソルブ等のエーテルグリニｌ−ル糸ｒ容媒
、Ｎ−メチル−２−ピロリ１゛ン、Ｎ、 Ｎ ジエ
チルポルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルポルムアミド、Ｎ
、Ｎ−’；メチルアセトアミＩ、ジメチルスルホキサイ
ｌ゛、トルエン、キシレン等の１種または２種以上が用
いられる。
芳香族テトラカルボン酸二無水物は、一般式〇〇
（式中Ｒ１は４価の芳香族炭化水素基を意味する）で表
わされ、例えば３． ３’、 ４． ４’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無
水物、３． ３’、 ４． ４’−ジフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸
二無水物、１，２．’５．６−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、２． ３，６． ７−ナフタレンテトラ
カルボン酸二無水物、２，３゜５．６−ピリシンテ１−
ラカルボン酸二無水物、１゜４．５．８−ナフタレンテ
トラカルボン酸二無水物、３，４，９．１０−ペリレン
テトラカルボン酸二無水物、４．４’−スルホニルシフ
タル酸二無水物等の１種または２種以上が用いられる。
わされ、例えば３． ３’、 ４． ４’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無
水物、３． ３’、 ４． ４’−ジフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸
二無水物、１，２．’５．６−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、２． ３，６． ７−ナフタレンテトラ
カルボン酸二無水物、２，３゜５．６−ピリシンテ１−
ラカルボン酸二無水物、１゜４．５．８−ナフタレンテ
トラカルボン酸二無水物、３，４，９．１０−ペリレン
テトラカルボン酸二無水物、４．４’−スルホニルシフ
タル酸二無水物等の１種または２種以上が用いられる。
芳香族テトラカルボン酸二無水物をエステル化するアル
コールおよび／またはアルコール誘導体としては、例え
ばメタノール、エタノール、プロパツール、イソプロピ
ルアルコール、ブタノール等の１価アルコール、エチレ
ングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、ト
リメチロールプロパン等の多価アルコール、セロソルブ
類、カルピトール類等の゛ｒルニｌ−ル誘導体などの１
種または２種以」二が用いられる。アルニ１−ルとアル
コール誘導体とを（）１川してもよい。芳香族テトラカ
ルボン酸エステル番Ｊ、それのみであるいは芳香族テト
ラカルボン酸二無水物と共に、芳香族ジアミンおよび／
またはジアミノシロキサンと反応される。
コールおよび／またはアルコール誘導体としては、例え
ばメタノール、エタノール、プロパツール、イソプロピ
ルアルコール、ブタノール等の１価アルコール、エチレ
ングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、ト
リメチロールプロパン等の多価アルコール、セロソルブ
類、カルピトール類等の゛ｒルニｌ−ル誘導体などの１
種または２種以」二が用いられる。アルニ１−ルとアル
コール誘導体とを（）１川してもよい。芳香族テトラカ
ルボン酸エステル番Ｊ、それのみであるいは芳香族テト
ラカルボン酸二無水物と共に、芳香族ジアミンおよび／
またはジアミノシロキサンと反応される。
本発明に用いられる芳香族ジアミンは一般式％式％
（式中Ｒ２は２価の芳香族炭化水素基を意味する）で表
わされ、例えば４，４′−ジアミノジフェニルエーテル
、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４１−ジ
アミノジフェニルスルボン、４゜４′−ジアミノジフェ
ニルザルファイｌ、ベンジジン、メタフェニレンジアミ
ン、パラフェニレンジアミン、１，５ ナフタレンジア
ミン、２．６−ナツタレンジ）′ミン等の１種または２
種以七が用いられる。
わされ、例えば４，４′−ジアミノジフェニルエーテル
、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４１−ジ
アミノジフェニルスルボン、４゜４′−ジアミノジフェ
ニルザルファイｌ、ベンジジン、メタフェニレンジアミ
ン、パラフェニレンジアミン、１，５ ナフタレンジア
ミン、２．６−ナツタレンジ）′ミン等の１種または２
種以七が用いられる。
本発明に用いられるジアミノシロキサンは一般式
１ン＋１Ｒ７
（式中ｎし、Ｈ〜１０の整数、９３番、Ｌ炭素数１〜１
０の２偵１の炭化水素基、Ｒ４、Ｒｇ 、Ｒ＋＜または
Ｒ７は炭素数１〜１０のｌ１ｉｔｌｉの炭化水素基を意
味し７、これらは同一でもＷなっていてもよい）で表わ
され、例えば Ｃ１１３ＣＨ３ ８２Ｎ （ＣＨ２） ３−３１−０−８ ｉ −（Ｃ
Ｉ（２） ３ Ｎ）＋２Ｃ１１３Ｃ１１３ Ｃ１１３ＣＨ１ Ｈ２Ｎ （〔：１（２） ４−３ ｉ −Ｃ１−３１
−（ＣＨ２） ４ ＮＨ２ＣＩｔ３ ＣＩ！。
０の２偵１の炭化水素基、Ｒ４、Ｒｇ 、Ｒ＋＜または
Ｒ７は炭素数１〜１０のｌ１ｉｔｌｉの炭化水素基を意
味し７、これらは同一でもＷなっていてもよい）で表わ
され、例えば Ｃ１１３ＣＨ３ ８２Ｎ （ＣＨ２） ３−３１−０−８ ｉ −（Ｃ
Ｉ（２） ３ Ｎ）＋２Ｃ１１３Ｃ１１３ Ｃ１１３ＣＨ１ Ｈ２Ｎ （〔：１（２） ４−３ ｉ −Ｃ１−３１
−（ＣＨ２） ４ ＮＨ２ＣＩｔ３ ＣＩ！。
Ｃ：ｔ、 ＋１５０ｘ ｔｌ。
にＩＩ 、 Ｃ１１３
ＣＨ３Ｃ１１３ＣＨ３
等の１種または２種以上が用いられる。
芳香族ジアミンとジアミノシロキサンとは併用してもよ
い。
い。
本発明に才ｉノる芳香族う−ｌｌシラルボン酸二無水物
のエステル化は、芳香族テ１ラカルボン酸二無水物１モ
ルに対し、アルコールおよび／またはアルコール誘導体
を４モル以下の利金で用いてｊテなうことが好ましい。
のエステル化は、芳香族テ１ラカルボン酸二無水物１モ
ルに対し、アルコールおよび／またはアルコール誘導体
を４モル以下の利金で用いてｊテなうことが好ましい。
反応温度は使用する溶媒、アルコール、７月メｌ−ル誘
導体等に３１、り異なり、特に制限はないが、例えば３
．３’、４．４’ ”＼ンヅフエノンテ１−ンカルボ
ンｊ’ｌＵ ’、ｊ！ｔｔ水物をＮ−メチル−２−ヒｌ
：Ｉす１′ン中でエタノールを用いてエステル化する場
合８０〜Ｉ ５０ ℃の反応温度が好ましい。またエス
テル化の（多、濃度をｄ周整する）こめ過剰のアルコー
ルまたはアル−１−ル銹導体を除去することもできるが
、その１易ｒ１、その７ル」−ルまたはアル：１−ルｉ
Ｌ ７７７体の沸点以上のｔ品用とすることが好ましい
。
導体等に３１、り異なり、特に制限はないが、例えば３
．３’、４．４’ ”＼ンヅフエノンテ１−ンカルボ
ンｊ’ｌＵ ’、ｊ！ｔｔ水物をＮ−メチル−２−ヒｌ
：Ｉす１′ン中でエタノールを用いてエステル化する場
合８０〜Ｉ ５０ ℃の反応温度が好ましい。またエス
テル化の（多、濃度をｄ周整する）こめ過剰のアルコー
ルまたはアル−１−ル銹導体を除去することもできるが
、その１易ｒ１、その７ル」−ルまたはアル：１−ルｉ
Ｌ ７７７体の沸点以上のｔ品用とすることが好ましい
。
このようにして得られる芳香族テトラカルボン酸エステ
ル（または該芳香族テトラカルボン酸エステルと芳香族
テトラカルボン酸二無水物、以下間し７）と芳香族ジア
ミンおよび／またはジアミノシロキサンとの反応は、生
成するポリアミック酸エステルオリゴマ〜を硬化して得
られるポリイミド化合物の耐熱性を最良とするため芳香
族テ１−ラカルボン酸エステルと芳香族ジアミンおよび
／またはジアミノシロキサンとをほぼ等モルとして行な
うことが好ましい。またこの芳香族テトラカルボン酸エ
ステルと芳香族ジアミンおよび／またはジアミノシロキ
サンとの反応は、反応温度が高すぎると生成するポリア
ミック酸エステルオリゴマーがイミド化し、溶解性が落
ちて析出してしまうため、高くとも９０℃までの反応温
度で行なうことが好ましい。
ル（または該芳香族テトラカルボン酸エステルと芳香族
テトラカルボン酸二無水物、以下間し７）と芳香族ジア
ミンおよび／またはジアミノシロキサンとの反応は、生
成するポリアミック酸エステルオリゴマ〜を硬化して得
られるポリイミド化合物の耐熱性を最良とするため芳香
族テ１−ラカルボン酸エステルと芳香族ジアミンおよび
／またはジアミノシロキサンとをほぼ等モルとして行な
うことが好ましい。またこの芳香族テトラカルボン酸エ
ステルと芳香族ジアミンおよび／またはジアミノシロキ
サンとの反応は、反応温度が高すぎると生成するポリア
ミック酸エステルオリゴマーがイミド化し、溶解性が落
ちて析出してしまうため、高くとも９０℃までの反応温
度で行なうことが好ましい。
このようにして生成したポリアミック酸エステルオリゴ
マーについて２００〜４００℃、好ましくは２５０〜３
５０°Ｃの熱処理を行なえば、耐熱性に優れたボリイミ
１Ｍ脂が生成する。
マーについて２００〜４００℃、好ましくは２５０〜３
５０°Ｃの熱処理を行なえば、耐熱性に優れたボリイミ
１Ｍ脂が生成する。
本発明を実施するに際し′ζＧ１１、前記ポリアミック
酸エステルオリ ｒマーを溶液として電−ｒ部品周基Ｆ
ｊ、−１−、に塗布、硬化さ・υるが、この際粘４０１
＞ｔ′には樹脂分調整のため他の種類のポリアミック
酸エステルオリゴマー、１既に知られでいるポリアミッ
ク酸および／または既に知られ°Ｃいろポリイミド′を
混合しても、ｊ、い。この際用い（′ンれる溶媒として
は、ポリアミック酸コーノ、チル」す゛ｒママ−製造に
用いた溶媒を用いてもよく、また、ぞれ以夕（の溶媒を
用いてもよい。
酸エステルオリ ｒマーを溶液として電−ｒ部品周基Ｆ
ｊ、−１−、に塗布、硬化さ・υるが、この際粘４０１
＞ｔ′には樹脂分調整のため他の種類のポリアミック
酸エステルオリゴマー、１既に知られでいるポリアミッ
ク酸および／または既に知られ°Ｃいろポリイミド′を
混合しても、ｊ、い。この際用い（′ンれる溶媒として
は、ポリアミック酸コーノ、チル」す゛ｒママ−製造に
用いた溶媒を用いてもよく、また、ぞれ以夕（の溶媒を
用いてもよい。
本発明において？Ｉｉｒ部品用Ｊ１１．扱の＋Ａ質とし
て番：１、例えばステンレススー］’−−ル、−ノ′ル
ミニウム、セラミック等が用いられる。
て番：１、例えばステンレススー］’−−ル、−ノ′ル
ミニウム、セラミック等が用いられる。
本発明に用いられるポリアミック酸エステルオリゴマー
は従来のボリイミｌ’樹脂に化べ゛ζ低分子量のオリゴ
マーであり、溶解度がＡ ＜ 、Ａ４Ａｌ脂分、かつ低
粘度の溶液をＩｊ−えることができ、電子部品用基板上
に十分平１１！な表面を形成さ−Ｕるごとができる。
は従来のボリイミｌ’樹脂に化べ゛ζ低分子量のオリゴ
マーであり、溶解度がＡ ＜ 、Ａ４Ａｌ脂分、かつ低
粘度の溶液をＩｊ−えることができ、電子部品用基板上
に十分平１１！な表面を形成さ−Ｕるごとができる。
（発明の効果）
本発明によれば、高樹脂分、かつ低粘度の溶液を与える
ポリアミック酸エステルオリゴマーを用いることにより
、電子部品用基板上に極めて平坦な表面を形成させるこ
とができる。
ポリアミック酸エステルオリゴマーを用いることにより
、電子部品用基板上に極めて平坦な表面を形成させるこ
とができる。
本発明における平坦化可能な電子部品用基板としては、
太陽電池用、ハイブリッドＩＣ用、磁気ディスク用、光
デイスク用、薄膜磁気ヘッド用等の基板が挙げられる。
太陽電池用、ハイブリッドＩＣ用、磁気ディスク用、光
デイスク用、薄膜磁気ヘッド用等の基板が挙げられる。
（実施例）
以下、実施例により本発明を詳説する。
実施例１
３．３’、４．４’−ヘンシフエノンテトラカルボン酸
二無水物３２２．１ ｇをＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド５２０ｇに添加し、８０℃まで加熱して熔解させた。
二無水物３２２．１ ｇをＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド５２０ｇに添加し、８０℃まで加熱して熔解させた。
次いでこの溶液にメタノール６４、０８ ｇを添加して
１００℃で３時間反応させた後、８０℃まで冷却し、４
．４１−ジアミノジフェニルメタン１９．８．０ｇを添
加した後８０℃で３時間反応させた。得られたポリアミ
ック酸エステルオリゴマー／８／＆は２５℃で２０ポア
ズの粘度であった・ この７８液を最大表面粗ざ（１？ ＩＴＩａｘ ）が０
．２μｍ、厚さ０．２ ｍｓのスデンレススチール基板
上にスピナーで２５０ Ｏｒ Ｉ） ｒｎ ／ ６０秒
の条件で回転塗布し、３８０°Ｃで硬化させた。硬化後
の基板の最大表面粗さをクリステツブ（ランクテーラー
ボブソン社製表面粗さｒｔｌ）を用い゛（走査距％ｌ！
ｔ ２ ｍ−間で測定すると、０．０２μｍ以下であっ
た。
１００℃で３時間反応させた後、８０℃まで冷却し、４
．４１−ジアミノジフェニルメタン１９．８．０ｇを添
加した後８０℃で３時間反応させた。得られたポリアミ
ック酸エステルオリゴマー／８／＆は２５℃で２０ポア
ズの粘度であった・ この７８液を最大表面粗ざ（１？ ＩＴＩａｘ ）が０
．２μｍ、厚さ０．２ ｍｓのスデンレススチール基板
上にスピナーで２５０ Ｏｒ Ｉ） ｒｎ ／ ６０秒
の条件で回転塗布し、３８０°Ｃで硬化させた。硬化後
の基板の最大表面粗さをクリステツブ（ランクテーラー
ボブソン社製表面粗さｒｔｌ）を用い゛（走査距％ｌ！
ｔ ２ ｍ−間で測定すると、０．０２μｍ以下であっ
た。
実施例２
３．３’、４．４’−−ヘンシフエノンテトラカルボン
酸二無水物６４．４１ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン
９０．６５ ｇに添加し、６０℃まで加熱して溶解させ
た。次いでこの／８／＆にエタノール」３、８０ ｇを
添加して８０℃で２０分間反応させた後、室温まで冷却
し、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル４０． ［
） ４ ｇを添加り、ｉ’ａ解させた後、８０℃まで加
熱し、Ｉｔ Ｏ°ｃで２０分間反応させた。
酸二無水物６４．４１ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン
９０．６５ ｇに添加し、６０℃まで加熱して溶解させ
た。次いでこの／８／＆にエタノール」３、８０ ｇを
添加して８０℃で２０分間反応させた後、室温まで冷却
し、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル４０． ［
） ４ ｇを添加り、ｉ’ａ解させた後、８０℃まで加
熱し、Ｉｔ Ｏ°ｃで２０分間反応させた。
反応終了後室温まで冷ｊＪＩ Ｌ、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドンｌ ６． ｆｉ Ｏｔ＜を添加して希釈した。
ロリドンｌ ６． ｆｉ Ｏｔ＜を添加して希釈した。
ｉｉＩられたポリアミック酸エステルオリゴマー溶液は
２５°Ｃで３０ポアズの粘度であった； この溶液を最大表面粗さくＲｍａｘ）が０．３μｍ１厚
さ０．２鶴のアルミ基板上にスピナーで２５０Ｏｒ’ｐ
ｍ／６０秒の条件で回転塗布し、３８０℃で硬化させた
。実施例１と同様にして硬化後の基板の最大表面粗さを
測定すると、最大表面粗さは、０．０３μｍ以下であっ
た。
２５°Ｃで３０ポアズの粘度であった； この溶液を最大表面粗さくＲｍａｘ）が０．３μｍ１厚
さ０．２鶴のアルミ基板上にスピナーで２５０Ｏｒ’ｐ
ｍ／６０秒の条件で回転塗布し、３８０℃で硬化させた
。実施例１と同様にして硬化後の基板の最大表面粗さを
測定すると、最大表面粗さは、０．０３μｍ以下であっ
た。
これらの結果から本発明によれば、容易に表面の平坦な
電子部品用基板が得られることが示される。
電子部品用基板が得られることが示される。
Claims (1)
- １、芳香族テトラカルボン酸二無水物とアルコールおよ
び／またはアルコール誘導体とを反応させて得られる芳
香族テトラカルボン酸エステルに、または該芳香族テト
ラカルボン酸エステルと芳香族テトラカルボン酸二無水
物に、芳香族ジアミンおよび／またはジアミノシロキサ
ンを反応させて得られるポリアミック酸エステルオリゴ
マーを、基板上に塗布、硬化してなる電子部品用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61160643A JPS6315744A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 電子部品用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61160643A JPS6315744A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 電子部品用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6315744A true JPS6315744A (ja) | 1988-01-22 |
Family
ID=15719368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61160643A Pending JPS6315744A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 電子部品用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6315744A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5310862A (en) * | 1991-08-20 | 1994-05-10 | Toray Industries, Inc. | Photosensitive polyimide precursor compositions and process for preparing same |
| JP2005146085A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Nippon Kayaku Co Ltd | 接着性に優れたポリイミド及び高濃度ポリアミド酸組成物 |
-
1986
- 1986-07-08 JP JP61160643A patent/JPS6315744A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5310862A (en) * | 1991-08-20 | 1994-05-10 | Toray Industries, Inc. | Photosensitive polyimide precursor compositions and process for preparing same |
| JP2005146085A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Nippon Kayaku Co Ltd | 接着性に優れたポリイミド及び高濃度ポリアミド酸組成物 |
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