JPS6315488A - 複合外部共振器を有する半導体レ−ザ - Google Patents
複合外部共振器を有する半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS6315488A JPS6315488A JP15917686A JP15917686A JPS6315488A JP S6315488 A JPS6315488 A JP S6315488A JP 15917686 A JP15917686 A JP 15917686A JP 15917686 A JP15917686 A JP 15917686A JP S6315488 A JPS6315488 A JP S6315488A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- optical fibers
- resonator
- optical fiber
- coated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 10
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 15
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は狭スペクトラム特性かつ単−樅モード選択特性
を示す複合外部共振器を有する半導体レーザに関する。
を示す複合外部共振器を有する半導体レーザに関する。
従来の技術
一般に、光通信においては、光通信の本来の特性である
広帯域性を有効に活用するために、光源からの発光スペ
クトルの広がり（即ち、光波長の巾の広がり）をできる
だけ小さくすることが必要である。
広帯域性を有効に活用するために、光源からの発光スペ
クトルの広がり（即ち、光波長の巾の広がり）をできる
だけ小さくすることが必要である。
ここで、光源として半導体レーザを使用する場合、半導
体の長さが極めて小であるため、共振器長さも短く（せ
いぜい数百μｍ）なり、従って発光スペクトル巾が広く
なってしまうという間魂点があった。
体の長さが極めて小であるため、共振器長さも短く（せ
いぜい数百μｍ）なり、従って発光スペクトル巾が広く
なってしまうという間魂点があった。
従来、この第１の問題点を解決するため、第６図に示す
如く、半導体レーザ１（活性領域２を有する）の両端へ
き開面６のうち一方のへさ開面６に無反射コート４を設
け、この面にロッドレンズ５及び反射鏡６を順次取けけ
て所謂外部説を形成する。そして、この外部鏡と他方の
へき開面６との間に長寸法の共振器を購成し、これによ
り発光スペクトル巾を狭くすることが試みられており。
如く、半導体レーザ１（活性領域２を有する）の両端へ
き開面６のうち一方のへさ開面６に無反射コート４を設
け、この面にロッドレンズ５及び反射鏡６を順次取けけ
て所謂外部説を形成する。そして、この外部鏡と他方の
へき開面６との間に長寸法の共振器を購成し、これによ
り発光スペクトル巾を狭くすることが試みられており。
これは、外部共振器法と呼ばれる。
しかるに、上記第１の従来列の如く、単に共振器長さを
大にするのみでは、各々のモードのスペクトル巾を狭く
することはできるものの１発振可能な樅モードの数が増
えてしまうという問題点がある。
大にするのみでは、各々のモードのスペクトル巾を狭く
することはできるものの１発振可能な樅モードの数が増
えてしまうという問題点がある。
従来、この第２の問題点を解決するため、所謂複合共振
器型単一縦モードレーザと呼ばれるものが仰られている
。この−列としては、第４図に示す如く共振器長さの異
なる列えば２つの夫々共振器としての半導体レーザ１−
１．１−２をギヤ。
器型単一縦モードレーザと呼ばれるものが仰られている
。この−列としては、第４図に示す如く共振器長さの異
なる列えば２つの夫々共振器としての半導体レーザ１−
１．１−２をギヤ。
プ７を介して結合して、所謂「ｃ３レーザ（Ｃ１ｅａｖ
ｅｄ−Ｃｏｕｐｌｅｄ−Ｃａｖｉｔｙ） Ｊを構成した
ものがあり。
ｅｄ−Ｃｏｕｐｌｅｄ−Ｃａｖｉｔｙ） Ｊを構成した
ものがあり。
これにより発振ｏＴ能な縦モードをひとつに絞るように
している。
している。
］υｕ−９Ｌ町り代
しかるに、上記第２の従来列においても、複数の共振器
１口りち半導体レーザ１−１．１−２を結合する際に精
密な位置合せを必要とする。従って。
１口りち半導体レーザ１−１．１−２を結合する際に精
密な位置合せを必要とする。従って。
位置合せ作業が困難であると共に１位置合せ精度が低い
と１発振した縦モードの波長がこれに依存して狂いを生
じ易い。又雰囲気温度が変化すると共振器が熱膨張して
共振器の位置ずれ若しくはギャップ７長さの変化を生じ
、結局発振縦モードが跳躍したシ発振出力がゆらいだシ
する等の新たな問題を生じていた。
と１発振した縦モードの波長がこれに依存して狂いを生
じ易い。又雰囲気温度が変化すると共振器が熱膨張して
共振器の位置ずれ若しくはギャップ７長さの変化を生じ
、結局発振縦モードが跳躍したシ発振出力がゆらいだシ
する等の新たな問題を生じていた。
Ｆｊｉ ｔｐ 、４■リセ記シえ
本発明は、上記問題点を解決したものであり。
その一端側のへき開面上に無反射コートを施された半導
体レーザと、複数本の単一モード光ファイバを溶融結合
して作られ、該複数本の光ファイバの各一端が夫々全反
射コートを施された光フアイバカプラとよシなり、少な
くとも任意の一本の前記光ファイバの他端に無反射コー
トを施すと共に。
体レーザと、複数本の単一モード光ファイバを溶融結合
して作られ、該複数本の光ファイバの各一端が夫々全反
射コートを施された光フアイバカプラとよシなり、少な
くとも任意の一本の前記光ファイバの他端に無反射コー
トを施すと共に。
該他端の無反射コートを前記半導体レーザのへき開面の
無反射コートに突合せ接合したことを特徴とするもので
ある。
無反射コートに突合せ接合したことを特徴とするもので
ある。
実施列
次に、その実施列を図面と共に説明する。
第１図は本発明に係る複合外部共振器を有する半導体レ
ーザの一実施例の慨略構成図、第２図（−）〜ｆｃ）は
夫々上記半導体レーザの第１共振器及び第２共振器から
の各全県特性、及びそれらの結合発振特性を示す図であ
り、第１図中、第６図及び第４図と同一部分には同一符
号を付す。
ーザの一実施例の慨略構成図、第２図（−）〜ｆｃ）は
夫々上記半導体レーザの第１共振器及び第２共振器から
の各全県特性、及びそれらの結合発振特性を示す図であ
り、第１図中、第６図及び第４図と同一部分には同一符
号を付す。
第１図中、半導体レーザ１（活性領域２を有する）の両
端へき開面６のうち一端へき開面３には例えばＳｉ３Ｎ
、の無反射コート４が残されている。
端へき開面６のうち一端へき開面３には例えばＳｉ３Ｎ
、の無反射コート４が残されている。
８は５ボート型光フアイバカプラで、２本の単一モード
光ファイバ９．１０を撚り合せて、溶融結合部１１の部
分で互いに溶融結合したものであり、これにより各光フ
ァイバ９．１０内部の電磁界が互いに結合できるように
なっている。
光ファイバ９．１０を撚り合せて、溶融結合部１１の部
分で互いに溶融結合したものであり、これにより各光フ
ァイバ９．１０内部の電磁界が互いに結合できるように
なっている。
又各党ファイバ９，１０の第１図中右端には夫々列えは
クロムメッキによる全反射コート１２の処理を施され、
かつ各左端には夫々向えばエポキシ樹脂材料の無反射コ
ート４−２の処理を施されている。ここで１列えは任意
の−の光ファイバ９の無反射コート４−２が半導体レー
ザ１の無反射コート４−１に対し突合せ固着される。尚
池の光ファイバ１０の無反射コート４−２は半導体レー
ザ１の無反射コート４−１には非接続の状態としておく
。従って、この部分から若干光が、−Ｊ＠れて光ビーム
の出力効率が若干低下することになる。
クロムメッキによる全反射コート１２の処理を施され、
かつ各左端には夫々向えばエポキシ樹脂材料の無反射コ
ート４−２の処理を施されている。ここで１列えは任意
の−の光ファイバ９の無反射コート４−２が半導体レー
ザ１の無反射コート４−１に対し突合せ固着される。尚
池の光ファイバ１０の無反射コート４−２は半導体レー
ザ１の無反射コート４−１には非接続の状態としておく
。従って、この部分から若干光が、−Ｊ＠れて光ビーム
の出力効率が若干低下することになる。
このようにした理由は、この部分も接続してし１つと、
光路が２本できることになり所望の共振を行なえなくな
るからであシ、又この部分を全反射コートとすると、こ
の部分でもレーザ光が反射して共振器の構成が複雑にな
り所望の共振器構成を得られなくなるからである。
光路が２本できることになり所望の共振を行なえなくな
るからであシ、又この部分を全反射コートとすると、こ
の部分でもレーザ光が反射して共振器の構成が複雑にな
り所望の共振器構成を得られなくなるからである。
上記構成により、２本の光ファイバ９．１０は夫々片端
面が全反射コート１２により処理さ几ているので、各党
ファイバ９．１０の第１図中右端の各全反射コート１２
と半導体レーザ１の同図中左端のへき開面６との間に互
いに長さの異なる２種の共振器長さが設定さｎ、所ｍｌ
複合外部共振器が構成される。ここで谷共振器長さは、
各ファイバ９．１０長さ自体を変えることにより、自由
にかつ互いに独立に変化させることができる。
面が全反射コート１２により処理さ几ているので、各党
ファイバ９．１０の第１図中右端の各全反射コート１２
と半導体レーザ１の同図中左端のへき開面６との間に互
いに長さの異なる２種の共振器長さが設定さｎ、所ｍｌ
複合外部共振器が構成される。ここで谷共振器長さは、
各ファイバ９．１０長さ自体を変えることにより、自由
にかつ互いに独立に変化させることができる。
上記２本の光ファイバ９．１０を溶融結合させる方法と
しては、具体的には１列えは光ファイバ９．１０を撚り
合せた部分を加熱して同時に張力をかけて引張ることに
より両者を結合一体化させればよい。この場合、加熱時
間、張力、引張時聞咎を個々に変化させることにより、
光ファイバ９゜１０どうしの分岐比、即ち結合係数を連
続的に変化させることができる。又実際には、結合部１
１で損失、即ち過剰損失を生ずるが、設計を適切に行な
うことにより１列えは分岐比が１：１．過剰損失が０．
１ｄＢ以下の結合を実現できる。
しては、具体的には１列えは光ファイバ９．１０を撚り
合せた部分を加熱して同時に張力をかけて引張ることに
より両者を結合一体化させればよい。この場合、加熱時
間、張力、引張時聞咎を個々に変化させることにより、
光ファイバ９゜１０どうしの分岐比、即ち結合係数を連
続的に変化させることができる。又実際には、結合部１
１で損失、即ち過剰損失を生ずるが、設計を適切に行な
うことにより１列えは分岐比が１：１．過剰損失が０．
１ｄＢ以下の結合を実現できる。
次に、上記複合外部共振器を有する半導体レーザの作用
につき、第２図（ａ）〜（ｃ）を使用して説明する。
につき、第２図（ａ）〜（ｃ）を使用して説明する。
まず、第１図中、半導体レーザ１に所定電圧を印加する
と、活性頭載２が励起されてレーザ光を生ずる。このレ
ーザ光は光フアイバ９の無反射コ−ト４−２を介して該
光フアイバ９内に進行し。
と、活性頭載２が励起されてレーザ光を生ずる。このレ
ーザ光は光フアイバ９の無反射コ−ト４−２を介して該
光フアイバ９内に進行し。
光ファイバ９の全反射コート１２及び半導体レーザ１の
左側へき開面６間、即ち第１の共振器内で反射を繰返し
て共振する。同時に、レーザ光は結合部１１を介して光
フアイバ１０内にも進行し。
左側へき開面６間、即ち第１の共振器内で反射を繰返し
て共振する。同時に、レーザ光は結合部１１を介して光
フアイバ１０内にも進行し。
元ファイバ１０の全反射コート１２及び半導体レーザ１
の左側へき開面３間、リロち第２の共振器内で反射を繰
返して共振する。
の左側へき開面３間、リロち第２の共振器内で反射を繰
返して共振する。
ここで、一方の共振器（例えば光ファイバ９）による縦
モード発振特性は、第２図（ａＪの如くなり。
モード発振特性は、第２図（ａＪの如くなり。
かつ他方の共振器（例えば光ファイバー０）による同様
の縦モード発振特性は同図（ｂ）の鉗くなる。
の縦モード発振特性は同図（ｂ）の鉗くなる。
つ
即ち、谷共振器長さが太りえ１発光スペクトル巾を狭く
できるが１発振縦モードの数が増大している。
できるが１発振縦モードの数が増大している。
しかるに、実際には、上記複合共振器の左方の光路は１
本であり、半導体レーザーの左方へき開面６よシ出力す
る光ビームは、これらが結合したものである。従って、
第２図（−３、（ｂ）の両特性は互いに結合して、同図
ｆｃ）の如く両方の発振波長が一致した単一のモードの
みが選択され、これが第１図中活性領域２を介して光出
力ビーム１６として出力される。
本であり、半導体レーザーの左方へき開面６よシ出力す
る光ビームは、これらが結合したものである。従って、
第２図（−３、（ｂ）の両特性は互いに結合して、同図
ｆｃ）の如く両方の発振波長が一致した単一のモードの
みが選択され、これが第１図中活性領域２を介して光出
力ビーム１６として出力される。
尚９発振縦モードのスペクトル巾の広がりについては、
光ファイバ９．１０の長さを変更することにより適宜調
節できる。
光ファイバ９．１０の長さを変更することにより適宜調
節できる。
父上記の場合、２本の光ファイバ９．１０を互いに平行
のままで巻き取っておくことによシ、＠度変化又は応力
変化により光ファイバ９，１００光路長変化が生じたと
しても、それは光ファイバ９．１０どうしで同時にかつ
同程度に生ずるため。
のままで巻き取っておくことによシ、＠度変化又は応力
変化により光ファイバ９，１００光路長変化が生じたと
しても、それは光ファイバ９．１０どうしで同時にかつ
同程度に生ずるため。
安定な狭スペクトラム脣性を維持できる。
父上記実施列によれば呵複合共振器として、光ファイバ
９．１０ｔｌ−溶融結合したものを用いているため、そ
の結合係数を任意に設定できて便利である上に、従来の
第４図の「ｃ３レーザ」の場合の如く、２つの半導体レ
ーザの位置ずれによる発振縦モードの跳躍及び発振出力
のゆらぎ等を生じない。
９．１０ｔｌ−溶融結合したものを用いているため、そ
の結合係数を任意に設定できて便利である上に、従来の
第４図の「ｃ３レーザ」の場合の如く、２つの半導体レ
ーザの位置ずれによる発振縦モードの跳躍及び発振出力
のゆらぎ等を生じない。
尚上記実施列では、複合共振器としての光ファイバは２
本であったが、これに限らず、６本以上の単一モード光
ファイバを溶融結合させてもよいことは勿論であり、こ
れによれば１発振可能モードの選択特性がより強くなり
、より強固な単−縦モード発振特性が得られる。
本であったが、これに限らず、６本以上の単一モード光
ファイバを溶融結合させてもよいことは勿論であり、こ
れによれば１発振可能モードの選択特性がより強くなり
、より強固な単−縦モード発振特性が得られる。
発明の詳細
な説明したクロ〈２本発明によれば、複数本の単一モー
ド光ファイバを溶融結合したものを半導体レーザの外部
共振器として使用するようにしているため、共振器であ
る光ファイバは十分大なる長さに設定できるので１発光
スペクトル巾を十分に狭くできると共に、複合共振によ
り安定に単一の縦モードのみを選択でき、従って、高速
・大容量光通信、％にコヒーレント光通信の光源として
用いる場合に有効である等の特長を有する。
ド光ファイバを溶融結合したものを半導体レーザの外部
共振器として使用するようにしているため、共振器であ
る光ファイバは十分大なる長さに設定できるので１発光
スペクトル巾を十分に狭くできると共に、複合共振によ
り安定に単一の縦モードのみを選択でき、従って、高速
・大容量光通信、％にコヒーレント光通信の光源として
用いる場合に有効である等の特長を有する。
第１図は本発明に係る複合外部共振器を有する半導体レ
ーザの一実施列の概略構成図、第２図ｆ＝）〜（ｃ）は
夫々上記半導体レーザの第１共振器及び第２共振器から
の各発振特性、及びそれらの結合発振特性を示す図、第
６図及び第４図は夫々共振器を有する半導体レーザの各
種従来的の斜視図である。 １．１−１．１−２・・・半導体レーザ。 ２・・・活性領域、 ６・・・へき開面。 ４．４−１．４−２・・・無反射コート。 ５・・ロノドレ／ズ、 ６・・・反ｉｍ。 ７・・ギヤノブ、 ８・・・光フアイバカプラ
。 ９．１０・・・単一モード光ファイバ。 １１・・・溶融結合部、 １２・・・全反射コート
。 １６・・・光出力ビーム。 特許量５頑人住友准気工業沫式会社 １、−］ （外５名） 第３図 第４図
ーザの一実施列の概略構成図、第２図ｆ＝）〜（ｃ）は
夫々上記半導体レーザの第１共振器及び第２共振器から
の各発振特性、及びそれらの結合発振特性を示す図、第
６図及び第４図は夫々共振器を有する半導体レーザの各
種従来的の斜視図である。 １．１−１．１−２・・・半導体レーザ。 ２・・・活性領域、 ６・・・へき開面。 ４．４−１．４−２・・・無反射コート。 ５・・ロノドレ／ズ、 ６・・・反ｉｍ。 ７・・ギヤノブ、 ８・・・光フアイバカプラ
。 ９．１０・・・単一モード光ファイバ。 １１・・・溶融結合部、 １２・・・全反射コート
。 １６・・・光出力ビーム。 特許量５頑人住友准気工業沫式会社 １、−］ （外５名） 第３図 第４図
Claims (1)
- その一端側のへき開面上に無反射コートを施された半導
体レーザと、複数本の単一モード光ファイバを溶融結合
して作られ、該複数本の光ファイバの各一端が夫々全反
射コートを施された光ファイバカプラとよりなり、少な
くとも任意の一本の前記光ファイバの他端に無反射コー
トを施すと共に、該他端の無反射コートを前記半導体レ
ーザのへき開面の無反射コートに突合せ接合したことを
特徴としてなる複合外部共振器を有する半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15917686A JPS6315488A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 複合外部共振器を有する半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15917686A JPS6315488A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 複合外部共振器を有する半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6315488A true JPS6315488A (ja) | 1988-01-22 |
Family
ID=15687958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15917686A Pending JPS6315488A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 複合外部共振器を有する半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6315488A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01291480A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-24 | Fujitsu Ltd | 外部共振器付半導体レーザ |
| WO1997014983A1 (fr) * | 1995-10-16 | 1997-04-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Reseau de diffraction a fibre optique, procede de fabrication et source lumineuse laser |
-
1986
- 1986-07-07 JP JP15917686A patent/JPS6315488A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01291480A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-24 | Fujitsu Ltd | 外部共振器付半導体レーザ |
| WO1997014983A1 (fr) * | 1995-10-16 | 1997-04-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Reseau de diffraction a fibre optique, procede de fabrication et source lumineuse laser |
| KR100357247B1 (ko) * | 1995-10-16 | 2003-01-24 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 광파이버회절격자및그제조방법및레이저광원 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09283847A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| WO2005091453A1 (en) | A wavelength stabilized diode-laser array | |
| EP0369281A2 (en) | Optically pumped solid laser | |
| JPH05323139A (ja) | 光結合デバイス | |
| JPS62293684A (ja) | レ−ザアレ− | |
| US6668112B1 (en) | Multimode laser diode and side-coupled fiber package | |
| JP3857868B2 (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JP4316840B2 (ja) | ファイバレーザ装置 | |
| CA1243767A (en) | Coupled cavity laser | |
| US6430207B1 (en) | High-power laser with transverse mode filter | |
| JP2670519B2 (ja) | 光増幅器 | |
| US6683892B1 (en) | Laser device, method of producing the same and composite optical medium for use in producing the same | |
| JPS6315488A (ja) | 複合外部共振器を有する半導体レ−ザ | |
| JPH09162490A (ja) | 発光素子モジュール | |
| JP2553127B2 (ja) | 波長可変光ファイバラマンレーザ | |
| JP3257382B2 (ja) | 半導体レ−ザモジュ−ル | |
| JPH01251678A (ja) | レーザ装置 | |
| US6563983B2 (en) | Laser diode module | |
| JP4176860B2 (ja) | 外部共振器型レーザ | |
| JP3412584B2 (ja) | 外部共振器型半導体レーザ | |
| JP3710077B2 (ja) | 外部共振器型半導体レーザ | |
| JP4086260B2 (ja) | 発光素子モジュール | |
| JP3755176B2 (ja) | 発光素子モジュール | |
| JPS5958886A (ja) | 単一モ−ド半導体レ−ザダイオ−ド | |
| JPH09153659A (ja) | 発光素子モジュール |