JPH01291480A - 外部共振器付半導体レーザ - Google Patents
外部共振器付半導体レーザInfo
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- JPH01291480A JPH01291480A JP12063888A JP12063888A JPH01291480A JP H01291480 A JPH01291480 A JP H01291480A JP 12063888 A JP12063888 A JP 12063888A JP 12063888 A JP12063888 A JP 12063888A JP H01291480 A JPH01291480 A JP H01291480A
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- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 62
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 29
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ヰ既 要
発振スペクトル線幅を狭窄化するために外部共振器構造
を具備した外部共振器付半導体レーザに関し、 スペクトル線幅の狭窄化を安定に行うことを目的とし、 半導体レーザから放射された光を光ファイバに導入して
この光ファイバの途中又は端面にて反射した光を上記半
導体レーザに帰還させるようにした外部共振器付半導体
レーザにおいて、上記光ファイバを単一偏波ファイバと
し、上記半一導体レーザから放射された光の偏波面を上
記単一偏波ファイバの固有偏波面に一致させて構成する
。
を具備した外部共振器付半導体レーザに関し、 スペクトル線幅の狭窄化を安定に行うことを目的とし、 半導体レーザから放射された光を光ファイバに導入して
この光ファイバの途中又は端面にて反射した光を上記半
導体レーザに帰還させるようにした外部共振器付半導体
レーザにおいて、上記光ファイバを単一偏波ファイバと
し、上記半一導体レーザから放射された光の偏波面を上
記単一偏波ファイバの固有偏波面に一致させて構成する
。
産業上の利用分野
本発明は、発振スペクトル線幅を狭窄化するために外部
共振器構造を具備した外部共振器付半導体レーザに関す
る。
共振器構造を具備した外部共振器付半導体レーザに関す
る。
近年、光通信又は光伝送の分野にふいては、光の周波数
使用効率の向上、伝送距離の長大化等の要請から、スペ
クトル純度の高いレーザ光源を送信用及び局発用の光源
とし、受信光と局発光とを混合してホモダイン又はへテ
ロダイン検波を行うようにしたコヒーレント光通信方式
の研究が活発化している。例えばヘテロゲイン検波に際
しては、受信光の信号成分は、受光素子の非線形特性に
より、受信光の周波数と局発光の周波数との差の周波数
(例えば数GHz)の中間周波信号として取り出される
。一方、計測の分野においては、光の可干渉性を積極的
に利用して、極めて高精度な測距及び微小変位の測定等
が実現している(コヒーレント光計測)。これらの用途
の光源としては、一般に、小型化等に適した半導体レー
ザが用いられ、この半導体レーザには、単一軸モード発
振でありそのスペクトル線幅の広がりが小さいことが要
求される。
使用効率の向上、伝送距離の長大化等の要請から、スペ
クトル純度の高いレーザ光源を送信用及び局発用の光源
とし、受信光と局発光とを混合してホモダイン又はへテ
ロダイン検波を行うようにしたコヒーレント光通信方式
の研究が活発化している。例えばヘテロゲイン検波に際
しては、受信光の信号成分は、受光素子の非線形特性に
より、受信光の周波数と局発光の周波数との差の周波数
(例えば数GHz)の中間周波信号として取り出される
。一方、計測の分野においては、光の可干渉性を積極的
に利用して、極めて高精度な測距及び微小変位の測定等
が実現している(コヒーレント光計測)。これらの用途
の光源としては、一般に、小型化等に適した半導体レー
ザが用いられ、この半導体レーザには、単一軸モード発
振でありそのスペクトル線幅の広がりが小さいことが要
求される。
従来の技術
従来から光通信方式における光源として多用されている
半導体レーザ(以下LDと称することがある。)は、ス
ペクトル純度が高いとされる分布帰還型半導体レーザ(
DFB−LD)にあってもそのスペクトル線幅が数十か
ら数百MHz程度であり、コヒーレント光通信又は計測
の光源とじては、スペクトル純度が不十分であることが
ある。
半導体レーザ(以下LDと称することがある。)は、ス
ペクトル純度が高いとされる分布帰還型半導体レーザ(
DFB−LD)にあってもそのスペクトル線幅が数十か
ら数百MHz程度であり、コヒーレント光通信又は計測
の光源とじては、スペクトル純度が不十分であることが
ある。
具体的には、PSK等の狭帯域デジタル変調方式に適用
する場合に不十分なものである。このような場合に従来
は、LDの一方の端面を無反射化しその端面側に外部共
振器を形成することで、レーザ共振器のQ値を高め、ス
ペクトル線幅を狭窄化するようにしていた。
する場合に不十分なものである。このような場合に従来
は、LDの一方の端面を無反射化しその端面側に外部共
振器を形成することで、レーザ共振器のQ値を高め、ス
ペクトル線幅を狭窄化するようにしていた。
第6図(a)〜(C)は従来の外部共振器付半導体レー
ザを説明するための図である。
ザを説明するための図である。
(a)LD51と平面鏡52を対向させてこの間にレン
ズ53を介在させたもの。
ズ53を介在させたもの。
(b)LD54と回折格子55を対向させてこの間にレ
ンズ56を介在させたもの。
ンズ56を介在させたもの。
(C) 光ファイバ57の一方の端部にレンズ機能を
有するテーバ先球部57aを形成し他方の端部に反射面
57bを形成し、この光ファイバ57をLD58に対向
配置したもの。
有するテーバ先球部57aを形成し他方の端部に反射面
57bを形成し、この光ファイバ57をLD58に対向
配置したもの。
これらの従来構成においては、レーザ共振器の一部を形
成する空気層又は光ファイバの長さがLDの活性層の長
さに比べて充分に大きいので、全体としての等測的な共
振器長が増大し、スペクトル線幅が狭窄化されるもので
ある。
成する空気層又は光ファイバの長さがLDの活性層の長
さに比べて充分に大きいので、全体としての等測的な共
振器長が増大し、スペクトル線幅が狭窄化されるもので
ある。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来の外部共振器付半導体レーザである
と、レーザ共振器の一部となる空気層又は光ファイバの
温度変化等の擾乱によって、LDから放射された光の偏
波面とLDに反射帰還する光の偏波面とが異なるものと
なり、又、この偏波面の変動が経時的に変化するので、
スペクトル線幅の狭窄化が経時的に安定に行われないと
いう問題があった。
と、レーザ共振器の一部となる空気層又は光ファイバの
温度変化等の擾乱によって、LDから放射された光の偏
波面とLDに反射帰還する光の偏波面とが異なるものと
なり、又、この偏波面の変動が経時的に変化するので、
スペクトル線幅の狭窄化が経時的に安定に行われないと
いう問題があった。
本発明はこのような技術的課題に鑑みて創作されたもの
で、LDの発振スペクトル線幅の狭窄化を安定に行うこ
とを目的としている。
で、LDの発振スペクトル線幅の狭窄化を安定に行うこ
とを目的としている。
課題を解決するための手段
第1図は本発明の原理図である。
この外部共振器付半導体レーザは、半導体レーザ1から
放射された光を単一偏波ファイバ2に導入してこの単一
偏波ファイバ2の途中又は端面にて反射した光を半導体
レーザ1に帰還させるようにしたものである。
放射された光を単一偏波ファイバ2に導入してこの単一
偏波ファイバ2の途中又は端面にて反射した光を半導体
レーザ1に帰還させるようにしたものである。
そして、半導体レーザ1から放射された光の偏波面が単
一偏波ファイバ2の固有偏波面に一致するようにされて
いる。
一偏波ファイバ2の固有偏波面に一致するようにされて
いる。
ここで、単一偏波ファイバ2の途中又は端面(図では端
面)にて反射した光を半導体レーザ1に帰還させる、と
しているのは、ファイバ端面に反射面を形成するだけで
なく、ファイバの途中に回折格子を形成すること等を署
定しているからである。
面)にて反射した光を半導体レーザ1に帰還させる、と
しているのは、ファイバ端面に反射面を形成するだけで
なく、ファイバの途中に回折格子を形成すること等を署
定しているからである。
作 用
第2図は本発明の原理説明補助図である。半導体レーザ
1から放射された光3の偏波面は、一般にはこの半導体
レーザ1の接合面と平行である(X方向)。外部共振器
からの反射帰還光4の偏波面が放射光3の偏波面と一致
しているときには、最大の干渉効率で干渉する。ところ
が、反射帰還光の偏波面が放射光3の偏波面と垂直(X
方向)である場合には、全く干渉しない。本発明の構成
においては、半導体レーザから放射された光の偏波面を
単一偏波ファイバの固有偏波面に一致させているので、
放射光の偏波面と反射帰還光の偏波面とが常に一致し、
経時的に安定して最大の干渉効率で干渉する。その結果
、スペクトル線幅の狭窄化を安定に行うことが可能にな
る。
1から放射された光3の偏波面は、一般にはこの半導体
レーザ1の接合面と平行である(X方向)。外部共振器
からの反射帰還光4の偏波面が放射光3の偏波面と一致
しているときには、最大の干渉効率で干渉する。ところ
が、反射帰還光の偏波面が放射光3の偏波面と垂直(X
方向)である場合には、全く干渉しない。本発明の構成
においては、半導体レーザから放射された光の偏波面を
単一偏波ファイバの固有偏波面に一致させているので、
放射光の偏波面と反射帰還光の偏波面とが常に一致し、
経時的に安定して最大の干渉効率で干渉する。その結果
、スペクトル線幅の狭窄化を安定に行うことが可能にな
る。
実 施 例
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第3図は本発明の実施に使用することのできる単一偏波
ファイバの断面図である。同図(a)は、断面内で直交
するx、X方向における屈折率に異方性(複屈折性)を
付与することによって両開波モードの伝播定数差をでき
るだけ大きくした単一偏波ファイバを示している。なお
、ここでいう偏波モードは、単一モード光ファイバにお
いて伝播可能な互いに直交する2つの独立な基本モード
(HEロモード)である。11はクラッド、12はコア
であって、それぞれ異なる屈折率を有している。
ファイバの断面図である。同図(a)は、断面内で直交
するx、X方向における屈折率に異方性(複屈折性)を
付与することによって両開波モードの伝播定数差をでき
るだけ大きくした単一偏波ファイバを示している。なお
、ここでいう偏波モードは、単一モード光ファイバにお
いて伝播可能な互いに直交する2つの独立な基本モード
(HEロモード)である。11はクラッド、12はコア
であって、それぞれ異なる屈折率を有している。
13.14はコア12の両側に例えばX方向に軸対称に
ファイバ長手方向に設けられた応力付与部であって、周
囲の部分とは異なる線熱膨張係数を有し、溶融紡糸後に
収縮して、コア12にX方向とX方向とで異なる応力分
布を生じさせている。
ファイバ長手方向に設けられた応力付与部であって、周
囲の部分とは異なる線熱膨張係数を有し、溶融紡糸後に
収縮して、コア12にX方向とX方向とで異なる応力分
布を生じさせている。
これによってコア12に生じた複屈折性がX方向とX方
向の伝播定数差を生じさせ、単一偏波特性を付与するも
のである。
向の伝播定数差を生じさせ、単一偏波特性を付与するも
のである。
同図(b)は、一方の偏波モードの伝送損失が極めて大
きくなるような特性(絶対単一偏波特性゛)を付与した
単一偏波ファイバを示している。21はクラッド、25
はコア、22はモードフィールド部である。23.24
は金属等の導電率の大きい材質からなる導電部であって
、モードフィールド部22の両側に沿って軸対称にファ
イバ長手方向 ゛に設けられている。このような構
造によれば、X方向に偏波面を有する偏波成分の伝播損
失は小さく、一方、X方向に偏波面を有する偏波成分に
ついては、モードフィールド部22に隣接して導電部2
3.24があるためこの部分での電界成分が0となり、
したがって、伝播損失が極めて大となる。このようにし
て絶対単一偏波特性が達成されるものである。
きくなるような特性(絶対単一偏波特性゛)を付与した
単一偏波ファイバを示している。21はクラッド、25
はコア、22はモードフィールド部である。23.24
は金属等の導電率の大きい材質からなる導電部であって
、モードフィールド部22の両側に沿って軸対称にファ
イバ長手方向 ゛に設けられている。このような構
造によれば、X方向に偏波面を有する偏波成分の伝播損
失は小さく、一方、X方向に偏波面を有する偏波成分に
ついては、モードフィールド部22に隣接して導電部2
3.24があるためこの部分での電界成分が0となり、
したがって、伝播損失が極めて大となる。このようにし
て絶対単一偏波特性が達成されるものである。
なお、本願明細書中車−偏波ファイバの固有偏波面とい
うのは、同図(a)のタイプについてはX方向及びX方
向、同図ら)のタイプについてはX方向である。
うのは、同図(a)のタイプについてはX方向及びX方
向、同図ら)のタイプについてはX方向である。
第4図は本発明の実施例図であって、外部共振器付半導
体レーザの構成例を示す図である。同図(a)において
は、単一偏波ファイバ31にテーパ先球部32を形成し
、その反対側に全反射膜等により反射面33を形成し、
テーパ先球部32がLD34の活性層端面に対向するよ
うに各部材を配置している。LD34のテーパ先球部3
2に対向する側34aは無反射化処理されている。同図
(b)においては、単一偏波ファイバ35の一方の端面
36を無反射化処理し、他方の端面に反射面37を形成
し、無反射化処理された側がレンズ38を介してLD3
9に対向するように各部材を配置している。LD39の
レンズ38に対向する側39aは無反射化処理されてい
る。
体レーザの構成例を示す図である。同図(a)において
は、単一偏波ファイバ31にテーパ先球部32を形成し
、その反対側に全反射膜等により反射面33を形成し、
テーパ先球部32がLD34の活性層端面に対向するよ
うに各部材を配置している。LD34のテーパ先球部3
2に対向する側34aは無反射化処理されている。同図
(b)においては、単一偏波ファイバ35の一方の端面
36を無反射化処理し、他方の端面に反射面37を形成
し、無反射化処理された側がレンズ38を介してLD3
9に対向するように各部材を配置している。LD39の
レンズ38に対向する側39aは無反射化処理されてい
る。
これらの構成において、LDの放射光の偏波面と単一偏
波ファイバの固有偏波面とが一致するようにしておくこ
とで、経時的に安定して高い干渉効率を得ることができ
るので、安定したスペクトル線幅の狭窄化が可能になる
。
波ファイバの固有偏波面とが一致するようにしておくこ
とで、経時的に安定して高い干渉効率を得ることができ
るので、安定したスペクトル線幅の狭窄化が可能になる
。
第5図は本発明の他の実施例を説明するための図である
である。、ここでは単一偏波ファイバの端部に反射面を
形成するのではなく、単一偏波ファイバの途中部分に回
折格子を形成するようにしている。すなわち、単一偏波
ファイバ41の途中部分を部分的にコア42の近傍まで
露出させ、その部分に回折格子43を形成している。こ
のような構成によっても、主としてコア42内部を伝播
してきた光は、回折格子43で良好に反射されるので、
前実施例と同様な作用がなされるものである。
である。、ここでは単一偏波ファイバの端部に反射面を
形成するのではなく、単一偏波ファイバの途中部分に回
折格子を形成するようにしている。すなわち、単一偏波
ファイバ41の途中部分を部分的にコア42の近傍まで
露出させ、その部分に回折格子43を形成している。こ
のような構成によっても、主としてコア42内部を伝播
してきた光は、回折格子43で良好に反射されるので、
前実施例と同様な作用がなされるものである。
発明の効果
以上詳述したように、本発明によれば、単一偏波ファイ
バを効果的に用いているので、半導体レーザの発振スペ
クトル線幅の狭窄化を安定に行うことが可能になるとい
う効果を奏する。
バを効果的に用いているので、半導体レーザの発振スペ
クトル線幅の狭窄化を安定に行うことが可能になるとい
う効果を奏する。
第1図は本発明の原理図、
第2図は本発明の原理説明補助図、
第3図は本発明の実施に使用することのできる単一偏波
ファイバの断面図、 第4図は本発明の実施例を示す外部共振器付半導体レー
ザの構成図、 第5図は本発明の他の実施例を示す単一偏波ファイバの
要部説明図、 第6図は従来の外部共振器付半導体レーザを示す図であ
る。 1.34.39・・・半導体レーザ(LD)、2.31
.35.41・・・単一偏波ファイバ、33.37・・
・反射面1 、 43・・・回折格子。 2 草−イ帛ジ皮ファイ)マ ′# 哨5ヨ月 の 澤 理 閏 第1 図 刀暫理事で、θ月オ恵゛リカ図 第2図 13.14 九書付手飾 22 モ、−ドフイー1し上音下 23.24 等電飾 う()乍へ イlツ」 rA 第3図 喫 プLンム イダリ 5口 第4臼 イ2− の 項【蓋キ九イタ”リ 図 8tぎ 5 しき4
ファイバの断面図、 第4図は本発明の実施例を示す外部共振器付半導体レー
ザの構成図、 第5図は本発明の他の実施例を示す単一偏波ファイバの
要部説明図、 第6図は従来の外部共振器付半導体レーザを示す図であ
る。 1.34.39・・・半導体レーザ(LD)、2.31
.35.41・・・単一偏波ファイバ、33.37・・
・反射面1 、 43・・・回折格子。 2 草−イ帛ジ皮ファイ)マ ′# 哨5ヨ月 の 澤 理 閏 第1 図 刀暫理事で、θ月オ恵゛リカ図 第2図 13.14 九書付手飾 22 モ、−ドフイー1し上音下 23.24 等電飾 う()乍へ イlツ」 rA 第3図 喫 プLンム イダリ 5口 第4臼 イ2− の 項【蓋キ九イタ”リ 図 8tぎ 5 しき4
Claims (1)
- 半導体レーザ(1)から放射された光を光ファイバに導
入してこの光ファイバの途中又は端面にて反射した光を
上記半導体レーザ(1)に帰還させるようにした外部共
振器付半導体レーザにおいて、上記光ファイバを単一偏
波ファイバ(2)とし、上記半導体レーザ(1)から放
射された光の偏波面を上記単一偏波ファイバ(2)の固
有偏波面に一致させたことを特徴とする外部共振器付半
導体レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12063888A JPH01291480A (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | 外部共振器付半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12063888A JPH01291480A (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | 外部共振器付半導体レーザ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01291480A true JPH01291480A (ja) | 1989-11-24 |
Family
ID=14791174
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12063888A Pending JPH01291480A (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | 外部共振器付半導体レーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01291480A (ja) |
Cited By (9)
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---|---|---|---|---|
WO2003005507A1 (fr) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Furukawa Electric Co.,Ltd | Module de laser semi-conducteur et son procede de production, et intensificateur |
WO2003005508A1 (fr) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Furukawa Electric Co., Ltd | Module laser a semi-conducteurs, amplificateur optique et procede de fabrication d'un module laser a semi-conducteurs |
JP2004101512A (ja) * | 2002-08-03 | 2004-04-02 | Dr Johannes Heidenhain Gmbh | 位置測定装置 |
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US7085440B2 (en) | 2001-07-02 | 2006-08-01 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Semiconductor laser module and optical amplifier |
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-
1988
- 1988-05-19 JP JP12063888A patent/JPH01291480A/ja active Pending
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