JPS63152098A - 電荷転送装置 - Google Patents
電荷転送装置Info
- Publication number
- JPS63152098A JPS63152098A JP61299525A JP29952586A JPS63152098A JP S63152098 A JPS63152098 A JP S63152098A JP 61299525 A JP61299525 A JP 61299525A JP 29952586 A JP29952586 A JP 29952586A JP S63152098 A JPS63152098 A JP S63152098A
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- charge transfer
- charge
- pulse
- transfer device
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- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、イメージセンサ−やメモリなどに用いること
ができる電荷転送装置に関するものである。
ができる電荷転送装置に関するものである。
従来の技術
近年、電荷転送装置はイメージセンサ−やメモリなど幅
広く用いられている。中でもビデオカメ2の撮像部とし
て使われている固体撮像素子の大半は、電荷転送装置を
用いたものとなっている。
広く用いられている。中でもビデオカメ2の撮像部とし
て使われている固体撮像素子の大半は、電荷転送装置を
用いたものとなっている。
以下、図面を参照しながら、上述したような従来の電荷
転送装置について説明する。
転送装置について説明する。
第2図aは従来の電荷転送装置の断面図を示すものであ
る。第2図aにおいて、2−1はP型半導体基板、2−
2は酸化膜、2−3は電極、2−4はパルス印加端子で
ある。第2図すは従来の電荷転送装置の電極下の表面ポ
テンシャルの図で信号電荷が転送される様子を示すもの
である。第2図すにおいて、2−5は信号電荷、t1〜
t4は時刻を表わしている。
る。第2図aにおいて、2−1はP型半導体基板、2−
2は酸化膜、2−3は電極、2−4はパルス印加端子で
ある。第2図すは従来の電荷転送装置の電極下の表面ポ
テンシャルの図で信号電荷が転送される様子を示すもの
である。第2図すにおいて、2−5は信号電荷、t1〜
t4は時刻を表わしている。
第2図Cは電極に印加するパルス波形を示すものである
。t1〜t4は第2図すのt1〜t4に対応し、φ1〜
φ4は第2図aのパルス印加端子2−4に対応する。
。t1〜t4は第2図すのt1〜t4に対応し、φ1〜
φ4は第2図aのパルス印加端子2−4に対応する。
以上のように構成された電荷転送装置について、以下そ
の動作を説明する。
の動作を説明する。
まずt=t1 のとき電極φ1とφ4にパルスのHiレ
ベルが印加されているので信号電荷2−5はφ1とφ4
の電極下に蓄積されている。1 : 12 のとキハル
スφ475” Loレベルになリハルスφ2がHiレベ
ルになるのでφ1とφ2の電極下に信号電荷は転送され
ていく。同様にして13.14の時刻ではそれぞれφ2
とφ3.およびφ3とφ4の電極下へと転送が行なわれ
ていく。
ベルが印加されているので信号電荷2−5はφ1とφ4
の電極下に蓄積されている。1 : 12 のとキハル
スφ475” Loレベルになリハルスφ2がHiレベ
ルになるのでφ1とφ2の電極下に信号電荷は転送され
ていく。同様にして13.14の時刻ではそれぞれφ2
とφ3.およびφ3とφ4の電極下へと転送が行なわれ
ていく。
しかしながら、上記のような構成では、転送できる信号
電荷の最大量は、各電極の面積と印加するパルス電圧で
決定される空乏層の容量で決まり、高集積化、低電圧化
していくと転送部の取り扱い最大電荷量が減少するとい
う問題点を有していた。
電荷の最大量は、各電極の面積と印加するパルス電圧で
決定される空乏層の容量で決まり、高集積化、低電圧化
していくと転送部の取り扱い最大電荷量が減少するとい
う問題点を有していた。
第3図a、b、cは、最大取り扱い電荷量が電極面積で
決まらない例を示している。第3図aは電荷転送装置の
断面図である。3−1〜3−3までは第2図と同じであ
る。3−4は転送パルスを順次印加するシフトレジスタ
によシ構成されたパルス発生部、Q1〜o8はパルス発
生部3−4の出力端子、φ、φはシフトレジスタの駆動
パルス印加端子である。第3図すは電極下の表面ポテン
シャルを示すもので、3−6は信号電荷である。第3図
Cは電極に印加するパルスの波形を示すものテ、パルス
発生部3−4の駆動パルス(φ、ア)と、シフトレジス
タ3−4の出力端子のパルス波形(ol、 o2.、、
、、、ol5)を示す。
決まらない例を示している。第3図aは電荷転送装置の
断面図である。3−1〜3−3までは第2図と同じであ
る。3−4は転送パルスを順次印加するシフトレジスタ
によシ構成されたパルス発生部、Q1〜o8はパルス発
生部3−4の出力端子、φ、φはシフトレジスタの駆動
パルス印加端子である。第3図すは電極下の表面ポテン
シャルを示すもので、3−6は信号電荷である。第3図
Cは電極に印加するパルスの波形を示すものテ、パルス
発生部3−4の駆動パルス(φ、ア)と、シフトレジス
タ3−4の出力端子のパルス波形(ol、 o2.、、
、、、ol5)を示す。
以上のように構成された電荷転送装置について動作を説
明する。1 = 1. のとき01.02がLOレベ
ル、Q3〜o5がHi レベルになっているので、ポ
テンシャルはQ3〜05の電極下にポテンシャルの井戸
が形成されて、信号電荷3−6は03〜o6にわたって
広がっている。t=t2のとき03がLo レベルと
なり、信号電荷は右に一段シフトした形となる。以下t
3.t4と同様にくり返えす。
明する。1 = 1. のとき01.02がLOレベ
ル、Q3〜o5がHi レベルになっているので、ポ
テンシャルはQ3〜05の電極下にポテンシャルの井戸
が形成されて、信号電荷3−6は03〜o6にわたって
広がっている。t=t2のとき03がLo レベルと
なり、信号電荷は右に一段シフトした形となる。以下t
3.t4と同様にくり返えす。
以上のように転送部の最大取り扱い電荷量は電極面積に
制限されることはなくなる。
制限されることはなくなる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような構成では、信号電荷が転送
部で一種類しか存在できないため、複数の種類信号電荷
を転送することができないという欠点を有していた。
部で一種類しか存在できないため、複数の種類信号電荷
を転送することができないという欠点を有していた。
本発明は上記欠点に鑑み、複数の種類の信号電荷を電極
面積に制限されずに転送することができる電荷転送装置
を提供するものである。
面積に制限されずに転送することができる電荷転送装置
を提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決するために、本発明の電荷転送装置は
、電荷転送部と、上記電荷転送部に供給されて上記電荷
転送部の電荷を転送するパルスを発生するパルス発生部
とを備え、上記パルス発生部が、異なる方向に電荷を転
送するパルスを出力し、上記電荷転送部の複数種類の電
荷をそれぞれの種類に応じた異なる方向に転送できる構
成となっている。
、電荷転送部と、上記電荷転送部に供給されて上記電荷
転送部の電荷を転送するパルスを発生するパルス発生部
とを備え、上記パルス発生部が、異なる方向に電荷を転
送するパルスを出力し、上記電荷転送部の複数種類の電
荷をそれぞれの種類に応じた異なる方向に転送できる構
成となっている。
作 用
この構成によって、電極面積に制限されずに転送電荷転
送部の異なった電極下にある異なる種類の信号電荷は、
それぞれ異なる方向性の転送パルスによって、異なった
方向に転送されて行くこととなる。
送部の異なった電極下にある異なる種類の信号電荷は、
それぞれ異なる方向性の転送パルスによって、異なった
方向に転送されて行くこととなる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第1図aは、本発明の実施例における電荷転送装置の断
面図を示すものである。
面図を示すものである。
1−1はP型半導体基板、1−2は酸化膜、1−3は電
極、1−4はパルス発生部、1−6は第1のシフトレジ
スタ、1−6は第2のシフトレジスタである。
極、1−4はパルス発生部、1−6は第1のシフトレジ
スタ、1−6は第2のシフトレジスタである。
第1図すは、本発明の実施例における電荷転送装置の電
極下ポテンシャルを示したものである。
極下ポテンシャルを示したものである。
第1図すにおいて1−7は第1の信号電荷、1−8は第
2の信号電荷、t1〜t3はそれぞれ時刻を示している
。第1図Cは本発明の実施例における電荷転送装置のパ
ルス波形を示すものである。第1図Cには第1のシフト
レジスタ1−6と第2のシフトレジスタ1−6のそれぞ
れの出力を加算した波形が各出力端子o1.o2.・・
・・・・、08について示されている。以上のように構
成された電荷転送装置において以下動作を説明する。ま
ず1 = 11 のとき出力端子01〜08はolと
02がLOレベルでそれ以外はHi レベルとなって
いるので、電極下のポテンシャルは第1図すの1 :
11 に示すようなポテンシャルとなり、第1の信号
電荷1−7は深い井戸の中に蓄積される、つぎに1 :
12のとき出力端子01〜o8は03がLo レベル
になっているので、そのときの電極下のポテンシャルは
第1図すのt=t2に示すように右に一段転送される。
2の信号電荷、t1〜t3はそれぞれ時刻を示している
。第1図Cは本発明の実施例における電荷転送装置のパ
ルス波形を示すものである。第1図Cには第1のシフト
レジスタ1−6と第2のシフトレジスタ1−6のそれぞ
れの出力を加算した波形が各出力端子o1.o2.・・
・・・・、08について示されている。以上のように構
成された電荷転送装置において以下動作を説明する。ま
ず1 = 11 のとき出力端子01〜08はolと
02がLOレベルでそれ以外はHi レベルとなって
いるので、電極下のポテンシャルは第1図すの1 :
11 に示すようなポテンシャルとなり、第1の信号
電荷1−7は深い井戸の中に蓄積される、つぎに1 :
12のとき出力端子01〜o8は03がLo レベル
になっているので、そのときの電極下のポテンシャルは
第1図すのt=t2に示すように右に一段転送される。
1 = 13 では同じようにして電荷はさらに右に一
段転送されていく。
段転送されていく。
つぎにt=t5のとき01.02 、03 、04カ)
(I L’ベベルなり第2の信号電荷1−8が導入され
る。
(I L’ベベルなり第2の信号電荷1−8が導入され
る。
1=1 のとき04がLoとなり第2の信号電荷1−
8は左にシフトされる、このとき同時に第1の信号電荷
1−7は右に一段シフトする。また1 : 17 では
さらに一段づつそれぞれ左、右にシフトし、以下同様に
シフトしていく。
8は左にシフトされる、このとき同時に第1の信号電荷
1−7は右に一段シフトする。また1 : 17 では
さらに一段づつそれぞれ左、右にシフトし、以下同様に
シフトしていく。
以上のように本実施例によれば、パルス発生部にそれぞ
れシフトパルスのシフトする方向が異なる第1および第
2のシフトレジスタを設け、それぞれの出力を加算した
波形を電荷転送部に印加する“ことにより、第1、第2
の信号電荷をそれぞれ左、右に振υ分は転送することが
できることになる。
れシフトパルスのシフトする方向が異なる第1および第
2のシフトレジスタを設け、それぞれの出力を加算した
波形を電荷転送部に印加する“ことにより、第1、第2
の信号電荷をそれぞれ左、右に振υ分は転送することが
できることになる。
なお実施例では、半導体基板をP型としたがN型でも同
様である。シフトレジスタは第1、第2と2本設けであ
るが、異なる方向にシフトする出力を発生させる機能を
有していれば、本数は何本でもよい。
様である。シフトレジスタは第1、第2と2本設けであ
るが、異なる方向にシフトする出力を発生させる機能を
有していれば、本数は何本でもよい。
発明の効果
以上のように本発明は、電荷転送部に所定のパルスを印
加することによシ、転送容量が電極の面積に制限される
ことなく複数の信号電荷を転送することができ、その実
用的効果は犬なるものがある。
加することによシ、転送容量が電極の面積に制限される
ことなく複数の信号電荷を転送することができ、その実
用的効果は犬なるものがある。
第1図a、b、Cはそれぞれ本発明の実施例における電
荷転送装置の断面図1表面ポテンシャル図およびパルス
タイミング図、第2図a、b、Cは従来の電荷転送装置
の断面図1表面ポテンシャル図およびパルスタイミング
図、第3図a、b。 Cは従来の電荷転送装置の断面図1表面ポテンシャル図
およびパルスタイミング図である。 1−1 、2−1 、3−1・・・・・・P型半導体基
板、1−2.2−2.3−2・・・・・・酸化膜、1−
3゜2−3.3−3・・・・・・電極、1−4.3−4
・・・・・・パルス発生部、1−6・・・・・・第1の
シフトレジスタ、1−6・・・・・・第2のシフトレジ
スタ、1−7・・・・・・第1の信号電荷、1−8・・
・・・・第2の信号電荷、t1〜t8・・・・・・時刻
、01〜o8・・・・・・パルス発生部の出力端子、2
−4・・・・・・パルス印加端子、2−6゜3−6・・
・・・・信号電荷、φ〜φ ・・・・・・パルス印加端
子0 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 (cLン 第1図 t2 第2図
荷転送装置の断面図1表面ポテンシャル図およびパルス
タイミング図、第2図a、b、Cは従来の電荷転送装置
の断面図1表面ポテンシャル図およびパルスタイミング
図、第3図a、b。 Cは従来の電荷転送装置の断面図1表面ポテンシャル図
およびパルスタイミング図である。 1−1 、2−1 、3−1・・・・・・P型半導体基
板、1−2.2−2.3−2・・・・・・酸化膜、1−
3゜2−3.3−3・・・・・・電極、1−4.3−4
・・・・・・パルス発生部、1−6・・・・・・第1の
シフトレジスタ、1−6・・・・・・第2のシフトレジ
スタ、1−7・・・・・・第1の信号電荷、1−8・・
・・・・第2の信号電荷、t1〜t8・・・・・・時刻
、01〜o8・・・・・・パルス発生部の出力端子、2
−4・・・・・・パルス印加端子、2−6゜3−6・・
・・・・信号電荷、φ〜φ ・・・・・・パルス印加端
子0 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 (cLン 第1図 t2 第2図
Claims (2)
- (1)電荷転送部と、前記電荷転送部の異なる種類の電
荷をそれぞれの種類に応じた異なる方向に転送するパル
スを発生するパルス発生部とを備えたことを特徴とする
電荷転送装置。 - (2)パルス発生部が、それぞれ異なる方向にパルスを
出力する複数のシフトレジスタを備えていることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の電荷転送装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61299525A JPS63152098A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 電荷転送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61299525A JPS63152098A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 電荷転送装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63152098A true JPS63152098A (ja) | 1988-06-24 |
Family
ID=17873721
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61299525A Pending JPS63152098A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 電荷転送装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63152098A (ja) |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP61299525A patent/JPS63152098A/ja active Pending
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