JPS63152098A - 電荷転送装置 - Google Patents

電荷転送装置

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Publication number
JPS63152098A
JPS63152098A JP61299525A JP29952586A JPS63152098A JP S63152098 A JPS63152098 A JP S63152098A JP 61299525 A JP61299525 A JP 61299525A JP 29952586 A JP29952586 A JP 29952586A JP S63152098 A JPS63152098 A JP S63152098A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charge transfer
charge
pulse
transfer device
different
Prior art date
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Pending
Application number
JP61299525A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Matsuda
祐二 松田
Takao Kuroda
黒田 隆男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
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Publication of JPS63152098A publication Critical patent/JPS63152098A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、イメージセンサ−やメモリなどに用いること
ができる電荷転送装置に関するものである。
従来の技術 近年、電荷転送装置はイメージセンサ−やメモリなど幅
広く用いられている。中でもビデオカメ2の撮像部とし
て使われている固体撮像素子の大半は、電荷転送装置を
用いたものとなっている。
以下、図面を参照しながら、上述したような従来の電荷
転送装置について説明する。
第2図aは従来の電荷転送装置の断面図を示すものであ
る。第2図aにおいて、2−1はP型半導体基板、2−
2は酸化膜、2−3は電極、2−4はパルス印加端子で
ある。第2図すは従来の電荷転送装置の電極下の表面ポ
テンシャルの図で信号電荷が転送される様子を示すもの
である。第2図すにおいて、2−5は信号電荷、t1〜
t4は時刻を表わしている。
第2図Cは電極に印加するパルス波形を示すものである
。t1〜t4は第2図すのt1〜t4に対応し、φ1〜
φ4は第2図aのパルス印加端子2−4に対応する。
以上のように構成された電荷転送装置について、以下そ
の動作を説明する。
まずt=t1 のとき電極φ1とφ4にパルスのHiレ
ベルが印加されているので信号電荷2−5はφ1とφ4
の電極下に蓄積されている。1 : 12 のとキハル
スφ475” Loレベルになリハルスφ2がHiレベ
ルになるのでφ1とφ2の電極下に信号電荷は転送され
ていく。同様にして13.14の時刻ではそれぞれφ2
とφ3.およびφ3とφ4の電極下へと転送が行なわれ
ていく。
しかしながら、上記のような構成では、転送できる信号
電荷の最大量は、各電極の面積と印加するパルス電圧で
決定される空乏層の容量で決まり、高集積化、低電圧化
していくと転送部の取り扱い最大電荷量が減少するとい
う問題点を有していた。
第3図a、b、cは、最大取り扱い電荷量が電極面積で
決まらない例を示している。第3図aは電荷転送装置の
断面図である。3−1〜3−3までは第2図と同じであ
る。3−4は転送パルスを順次印加するシフトレジスタ
によシ構成されたパルス発生部、Q1〜o8はパルス発
生部3−4の出力端子、φ、φはシフトレジスタの駆動
パルス印加端子である。第3図すは電極下の表面ポテン
シャルを示すもので、3−6は信号電荷である。第3図
Cは電極に印加するパルスの波形を示すものテ、パルス
発生部3−4の駆動パルス(φ、ア)と、シフトレジス
タ3−4の出力端子のパルス波形(ol、 o2.、、
、、、ol5)を示す。
以上のように構成された電荷転送装置について動作を説
明する。1 = 1.  のとき01.02がLOレベ
ル、Q3〜o5がHi  レベルになっているので、ポ
テンシャルはQ3〜05の電極下にポテンシャルの井戸
が形成されて、信号電荷3−6は03〜o6にわたって
広がっている。t=t2のとき03がLo  レベルと
なり、信号電荷は右に一段シフトした形となる。以下t
3.t4と同様にくり返えす。
以上のように転送部の最大取り扱い電荷量は電極面積に
制限されることはなくなる。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような構成では、信号電荷が転送
部で一種類しか存在できないため、複数の種類信号電荷
を転送することができないという欠点を有していた。
本発明は上記欠点に鑑み、複数の種類の信号電荷を電極
面積に制限されずに転送することができる電荷転送装置
を提供するものである。
問題点を解決するだめの手段 上記問題点を解決するために、本発明の電荷転送装置は
、電荷転送部と、上記電荷転送部に供給されて上記電荷
転送部の電荷を転送するパルスを発生するパルス発生部
とを備え、上記パルス発生部が、異なる方向に電荷を転
送するパルスを出力し、上記電荷転送部の複数種類の電
荷をそれぞれの種類に応じた異なる方向に転送できる構
成となっている。
作  用 この構成によって、電極面積に制限されずに転送電荷転
送部の異なった電極下にある異なる種類の信号電荷は、
それぞれ異なる方向性の転送パルスによって、異なった
方向に転送されて行くこととなる。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
第1図aは、本発明の実施例における電荷転送装置の断
面図を示すものである。
1−1はP型半導体基板、1−2は酸化膜、1−3は電
極、1−4はパルス発生部、1−6は第1のシフトレジ
スタ、1−6は第2のシフトレジスタである。
第1図すは、本発明の実施例における電荷転送装置の電
極下ポテンシャルを示したものである。
第1図すにおいて1−7は第1の信号電荷、1−8は第
2の信号電荷、t1〜t3はそれぞれ時刻を示している
。第1図Cは本発明の実施例における電荷転送装置のパ
ルス波形を示すものである。第1図Cには第1のシフト
レジスタ1−6と第2のシフトレジスタ1−6のそれぞ
れの出力を加算した波形が各出力端子o1.o2.・・
・・・・、08について示されている。以上のように構
成された電荷転送装置において以下動作を説明する。ま
ず1 = 11  のとき出力端子01〜08はolと
02がLOレベルでそれ以外はHi  レベルとなって
いるので、電極下のポテンシャルは第1図すの1 : 
11  に示すようなポテンシャルとなり、第1の信号
電荷1−7は深い井戸の中に蓄積される、つぎに1 :
 12のとき出力端子01〜o8は03がLo レベル
になっているので、そのときの電極下のポテンシャルは
第1図すのt=t2に示すように右に一段転送される。
1 = 13 では同じようにして電荷はさらに右に一
段転送されていく。
つぎにt=t5のとき01.02 、03 、04カ)
(I L’ベベルなり第2の信号電荷1−8が導入され
る。
1=1  のとき04がLoとなり第2の信号電荷1−
8は左にシフトされる、このとき同時に第1の信号電荷
1−7は右に一段シフトする。また1 : 17 では
さらに一段づつそれぞれ左、右にシフトし、以下同様に
シフトしていく。
以上のように本実施例によれば、パルス発生部にそれぞ
れシフトパルスのシフトする方向が異なる第1および第
2のシフトレジスタを設け、それぞれの出力を加算した
波形を電荷転送部に印加する“ことにより、第1、第2
の信号電荷をそれぞれ左、右に振υ分は転送することが
できることになる。
なお実施例では、半導体基板をP型としたがN型でも同
様である。シフトレジスタは第1、第2と2本設けであ
るが、異なる方向にシフトする出力を発生させる機能を
有していれば、本数は何本でもよい。
発明の効果 以上のように本発明は、電荷転送部に所定のパルスを印
加することによシ、転送容量が電極の面積に制限される
ことなく複数の信号電荷を転送することができ、その実
用的効果は犬なるものがある。
【図面の簡単な説明】
第1図a、b、Cはそれぞれ本発明の実施例における電
荷転送装置の断面図1表面ポテンシャル図およびパルス
タイミング図、第2図a、b、Cは従来の電荷転送装置
の断面図1表面ポテンシャル図およびパルスタイミング
図、第3図a、b。 Cは従来の電荷転送装置の断面図1表面ポテンシャル図
およびパルスタイミング図である。 1−1 、2−1 、3−1・・・・・・P型半導体基
板、1−2.2−2.3−2・・・・・・酸化膜、1−
3゜2−3.3−3・・・・・・電極、1−4.3−4
・・・・・・パルス発生部、1−6・・・・・・第1の
シフトレジスタ、1−6・・・・・・第2のシフトレジ
スタ、1−7・・・・・・第1の信号電荷、1−8・・
・・・・第2の信号電荷、t1〜t8・・・・・・時刻
、01〜o8・・・・・・パルス発生部の出力端子、2
−4・・・・・・パルス印加端子、2−6゜3−6・・
・・・・信号電荷、φ〜φ ・・・・・・パルス印加端
子0 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 (cLン 第1図 t2 第2図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電荷転送部と、前記電荷転送部の異なる種類の電
    荷をそれぞれの種類に応じた異なる方向に転送するパル
    スを発生するパルス発生部とを備えたことを特徴とする
    電荷転送装置。
  2. (2)パルス発生部が、それぞれ異なる方向にパルスを
    出力する複数のシフトレジスタを備えていることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の電荷転送装置。
JP61299525A 1986-12-16 1986-12-16 電荷転送装置 Pending JPS63152098A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61299525A JPS63152098A (ja) 1986-12-16 1986-12-16 電荷転送装置

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61299525A JPS63152098A (ja) 1986-12-16 1986-12-16 電荷転送装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63152098A true JPS63152098A (ja) 1988-06-24

Family

ID=17873721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61299525A Pending JPS63152098A (ja) 1986-12-16 1986-12-16 電荷転送装置

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