JPS63150060A - 磁気共鳴イメ−ジング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、磁気共鳴イメージング（以下、ＭＰＩと略記
する）装置に関し、特に、過電流のアンバランス成分を
補償する技術の改良に関する。

（従来の技術） ＭＲＩ装置では、静磁場内に被検体を配置し、かつ、ス
ライシング及び位首情報抽出のために直交３Ｉ！ＩＩｌ
に沿った傾斜磁場を形成し、磁気共鳴現象を利用して被
検体の任意断面の画像化を行っている。

ここで、上述した傾斜磁場は、傾斜磁場形成コイルに通
電覆ることで矩形パルス的に形成している。この際、Ｍ
ＲＩ装置の架台内ｔこは導電体が存在するので、この導
電体を矩形パルス磁場が通過することで、 で表される渦電流が前記導電体に生ずる。即ち、この渦
電流は磁場の変動に伴い発生し、その方向は第５図に示
すように印加ｉａ場に逆らう方向であることか分る。

この結果、第６図に示すように本来シャープな立ら上り
、立ち下りを持つ印加磁場パルス１は、これを阻害する
方向に流れる渦電流による磁場２によって歪よゼられ、
この合成である磁場３はシ１７−プな立ち上り、立ち下
りを有しないものとなっている。このため、画像のシャ
ープさ、データ収集時間などに悪影響を及ぼしていた。

そこで、このような渦電流による弊害を補償する種々の
提案が成されている。その一つは、第７図に示すように
印加磁場パルス１′として、渦電流による磁場２を打ち
消す形状とすることで、その合成磁場３′を本来のパル
ス状磁場として得る方法である。

（発明が解決しようとする問題点） ところで、上述した渦電流補償は、第５図に示すように
傾斜磁場中心と渦電流磁場中心とが一致していることを
前提としている。

しかしながら、例えば渦電流が発生する導電体がシムコ
イルである場合専のように、機械的な対称性に歪みがお
る場合が多く、従って第８図に示すように傾斜磁場中心
と渦電流磁場中心とが不一致となってしまい、上述した
電気的な渦電流補償では完全に補償しきれなくなってい
た。

そこで、本発明の目的とするところは、渦電流の機械的
なアンバランス成分を補償覆ることのできるＭＲＩ装置
を提供することにおる。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明は、傾斜磁場形成時に生ずる渦電流磁場の機械的
非対称性を補償する導電体を、前記傾斜磁場用コイルの
近傍に設けて磁気共鳴イメージング装置を構成している
。

（作　用） 式（１）で表される渦電流は、磁場の立ち上りとその時
の電流が流れる抵抗によって定まる。

本発明では、傾斜磁場形成用コイルの近傍に導電体を配
置することで、この導電体に渦電流を生じさせて（即ち
、抵抗を変化させて）、渦電流磁場の機械的非対称性を
補償している。即ち第４図に示すように装置固有の渦電
流磁場４を、導電体の配置によって傾斜磁場中心に一致
した渦電流磁場中心を有する渦電流磁場４′に移行さけ
、機械的対称性を担保している。この結果、電気的な渦
電流補償を効果的に実行することができる。

（すご施例） 以下、本発明を図示の実施例に基づき置体的に説明する
。

第１図は、ＭＲＩ菰首の倣形断面を示覆もので、静磁場
が形成されるこの倣形断面には、例えば外側に傾斜磁場
用コイル１Ｑが、その内側にはシムコイル］１がそれぞ
れ配置されている。

前記傾斜磁場用コイル１０は、例えば第２図に示−リよ
うに（合成され、４水の尋線に同図の方向に電流を流づ
ことで、第３図に示すように静磁場に線形勾配を付け、
第４図の傾斜磁場Ｇｒを形成するものである。

前記シムコイル１１は、静磁場の均一性を確保づるため
の５のであり、前記傾斜磁場コイル］０で形成される磁
場パルスか通過？１−ることにより渦電沃とが生じてし
まう。

この渦電流による磁ｇ：Ｊ４は、第４図に示すように前
記傾斜磁場を打ち消す方向であり、かつ、シムコイル１
１が完全な円でなく歪みが必るため、この磁場４は機械
的に非対称性であり、前記傾斜磁場の中心とは責なる位
置に磁場中心Ａを有する。

そこで、この渦電流磁場４の機械的非対称性を補償する
ために、例えば前記シムコイル１１の内側であって、＠
形断面の下側に導電体の−・例である銅箔１２を貼り付
けている。この結果、銅箔１２に渦電流が生じて渦電流
磁場が強調され◇ため、第４図に示すように機械的非対
称性が補償された渦電流磁場４′を形成することができ
る。

従って、このように機械的対称性の渦電流磁場４′の下
で、前述した例えば第７図の手法による渦電流補償を行
えば、渦電流による弊害を完全に除去することが可能と
なる。

尚、本発明は上記実施例に限定されるものに限らず、本
発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能でおる。

例えば、機械的対称性を確保するための導電体ゴ２は、
必ずしもシムコイル１１に貼り付けるものに限らず、前
記傾斜磁場形成用コイル１０の近傍であって非対称性を
補償し得る位置でおればよい。

また、本発明に係るＭＲＩ装置の静磁場形成手段として
は、常電樽方式、超伝導方式又は永久磁石方式のいずれ
であってもよく、特に渦電流対策が必須である永久磁石
方式には有効な手法である。

［発明の効果１ 以上説明したように、本発明によれば渦電流磁場の機械
的非対称性を簡易に補償することができ、対称性のある
渦電流ｖＩｉ場の下での電気的な渦電流補償を効果的に
行うことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は導電体を備えたＭＲＩ装置の躍影断面を示１Ｗ
Ｓ略説明図、第２図は傾斜磁場用コイルの概略斜視図、
第３図は傾斜磁場コイルにより形成する磁界の特性図、
第４図は傾斜磁場及び渦電流磁場の特性図、第５図は中
心か一致した傾斜磁場及び渦電流磁場の特性図、第６図
は渦電流電磁による矩形パルスｌａ場の変形を説明する
図、第７図は電気的な渦電流補償を説明する図、第８図
は中心が不一致な傾斜磁場及び渦電流磁場を示す特性図
である。 １０・・・傾斜磁場用コイル、１２・・・導電体。 代理人　弁理士　三　　澤　　正　　義第１図 １゜ ■　　　＠ 弔３図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）静磁場形成手段により形成される静磁場内に被検
   体を配置し、かつ、傾斜磁場用コイルへの通電によつて
   傾斜磁場を形成することで、磁気共鳴現象を利用して被
   検体断面を画像化する磁気共鳴イメージング装置におい
   て、傾斜磁場形成時に生ずる渦電流磁場の機械的非対称
   性を補償する導電体を、前記傾斜磁場用コイルの近傍に
   設けたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
2. （２）導電体は、シムコイルに積層される銅箔である特
   許請求の範囲第１項記載の磁気共鳴イメージング装置。